Introducción a la

Electrónica

Dispositivos semiconductores

12/08/2008 Introducción a la Electrónica -

2008
Semiconductores y su evolución
 Millikan - la naturaleza discreta de la carga eléctrica
 Planck - la teoría quántica
 Einstein – Efecto fotoeléctrico
 Schrondinger – Ecuación de ondas
 …
 1948, laboratorios Bell – primer transistor
• Germanio
• Ganancia de voltaje de 100
• Frecuencias de audio
 1956 – Premio Nobel !!
 Precio de un transistor – 10 $

17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008

Semiconductores y su evolución
 1961 – Primer circuito integrado
• 4 transistores + 2 resistencias
 1969 – Primer amplificador operacional
Costo: 75 $
 1967 – Memoria de 64 bits
 1968 – Memoria de 1024 bits
 1994 – Memoria de 256 megabits
 2008 - ??

17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008

Semiconductores - Introducción
Existen dos mecanismos asociados al transporte de
partículas cargadas en un sólido

Corriente de Corriente de
desplazamiento difusión

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Semiconductores - Introducción
Corriente de desplazamiento

Movimiento aleatorio sin Movimiento aleatorio

un campo eléctrico con un campo eléctrico
aplicado aplicado

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Semiconductores - Introducción
Conductividad

Corriente

Velocidad de desplazamiento promedio

Conductividad
Densidad de corriente

Número de Movilidad
portadores de carga

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Semiconductores - Introducción
plata
 Conductividad cobre
aluminio
conductores
grafito

germanio
semiconductores
silicio
Agua destilada

baquelita
aisladores

mica

cuarzo

17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008

Semiconductores - Introducción
 Corriente de difusión
• Si existe una elevada concentración de partículas en
una región comparada con otra, existirá un
desplazamiento neto de partículas que ecualizara la
concentración luego de un periodo de tiempo

Concentración inicial Concentración final

17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008
 Semiconductores - Introducción
 Corriente de difusión

Flujo de partículas

Constante de difusión
Relación de
Densidad de corriente (electrones) Einstein

Densidad de corriente (cargas positivas) Las constantes de difusión y la

movilidad están relacionadas.
Ambas constantes relacionan
el movimiento de las
partículas y las colisiones

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 Teoría de bandas de energía
Atomo aislado de hidrogeno Modelo de Bohr:
la energia de los electrones
en sistemas atomicos esta
restringida a un limitado set
de valores.

Cada nivel de
energia corresponde
a una orbita del
electron alrededor
•El desplazamiento de un electron de un nivel
del nucleo
discreto de energia hacia otro de mayor nivel
requiere una cantidad de energia extra.
•Un electron desplazandose hacia un nivel de
energia inferior, libera una cantidad discreta de
energia

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Teoría de bandas de energía
Un solido esta formado por diversos atomos cuyos niveles de
energia interactuan entre si, resultando en un acoplamiento de los
niveles discretos de energia formando bandas de niveles de
energia permtidos

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Teoría de bandas de energía
Diagrama de bandas de energia

 Banda de valencia: los electrones

no son moviles, no contribuyendo
a la conduccion de corriente electrica.
 Banda de conduccion: es la banda ubicada sobre la banda de
valencia. Se encuentra parcialmente llena. Excitando con una
pequena cantidad de energia, se puede iniciar el desplazamiento
de los electrones -> corriente electrica.
 Banda prohibida: esta ubicada entre la banda de conduccion y
la banda de valencia. Son niveles continuos de energia que no
pueden ser ocupados por portadores de carga.

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 Teoría de bandas de energía
 Clasificación de los materiales
•Existen electrones en la banda de
conducción a temperatura ambiente.
semiconductor

conductor
aislador
•Las bandas de conducción y de
•Banda de conducción vacía valencia se solapan.

•Banda de valencia llena •Existe un gran número de electrones en

la banda de conducción a temperatura
•Gran cantidad de energía es requerida para ambiente.
desplazar un electrón de la banda de
valencia a la de conducción

17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008

Teoría de bandas de energía
 Clasificación de los materiales

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Semiconductores: Silicio
 Estructura cristalina
• La distribución espacial de los átomos dentro de un
material determina sus propiedades.
• El silicio puede existir en tres formas diferentes
• Amorfo -> grafito
• Policristalino
• Cristalino -> diamante

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Semiconductores: Silicio
 Estructura cristalina

Enlaces covalentes

Átomo de silicio

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 Semiconductores: Silicio
 Portadores
Cuando un enlace de
Si-Si es roto, el electrón
asociado es un portador Sin portadores Remover un
de corriente. electrón de la banda
Equivalentemente, la de valencia crea un
excitación de un estado vacío.
electrón de la banda de Este estado vacío,
valencia a la banda de es un segundo tipo
conducción crea electrón
de portadores
portadores -> denominado
Electrones en la lagunas
banda de conducción
son portadores
Electrones y lagunas son portadores
laguna
en los semiconductores
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 Semiconductores: Silicio
Generación de pares electrones-lagunas

Concentración de
electrones intrínseco

Concentración de
lagunas

A elevar la temperatura algunos enlaces Corriente en un semiconductor

covalentes son rotos, y los electrones
asociados al enlace son libres de desplazarse
bajo la influencia de un campo eléctrico
Movilidad de Movilidad de
externo.
los electrones las lagunas
Simultáneamente, la ruptura del enlace, deja
una carga positiva neta en la estructura de
valencia -> lagunas

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Semiconductores: Silicio
 Circulación de corriente en un semiconductor

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Silicio con dopaje
 El agregado de un pequeño porcentaje de átomos
foráneos en la estructura cristalina del silicio
produce importantes cambios en sus propiedades
eléctricas.
• Material tipo N: Dopantes con valencia +5 son
utilizados.
• 4 electrones de la banda de valencia forman enlaces
covalentes con los átomos vecinos de silicio. El
electrón restante esta débilmente ligado al átomo de
impureza, actuando como un electrón libre.
• Impurezas donoras: donan un electrón a la banda de
conducción.
• Fósforo, arsénico, antimonio

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Silicio – Tipo N

Conductividad

Concentración de átomos donores

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Silicio – Tipo P
 TIPO P
• Dopantes con valencia +3 son empleados: Boro,
Galio, Indio.
• Para completar el enlace covalente con átomos de
silicio, un electrón es atraído de la banda de valencia
dejando una laguna.
• impureza aceptora: acepta un electrón de la banda de
valencia

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Semiconductores
 Terminología
• Semiconductor intrínseco:
• semiconductor sin el agregado de impurezas
• Donor:
• Átomos de impurezas que incrementan la concentración de
electrones
• Aceptor
• Átomos de impurezas que incrementan la concentración de
lagunas
• Portadores mayoritarios:
• Los portadores mas abundantes en un semiconductor.
Electrones en material tipo N y lagunas en material tipo P.
• Portadores minoritarios:
• Los portadores menos abundantes en un semiconductor.
Electrones en material tipo P y lagunas en material tipo N

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Juntura P-N
La concentración de
átomos donores es
mayor que la de
aceptores

aislados
A temperatura ambiente,
•Cada electrón de los
átomos donores tiene
suficiente energía para
escapar de su átomo y
puede desplazarse
libremente.
•Los átomos aceptores
han adquirido un electrón
de la banda de valencia,
dejando lagunas que
circulan libremente

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 Juntura P-N en equilibrio
Un diodo de juntura consiste de un material
Semiconductor tipo P en contacto con un
material N.

•Consideraciones
•Region P – N_A atomos aceptores
•Region N – N_D atomos donores
N_D>N_A
•No existe potencial externo aplicado

Región N: Los electrones cercanos a la juntura

se difunden desde la región con alta
concentración de electrones (región N) a la Electrones
región con baja concentración de electrones
(region P).
Lagunas
Región P: Las lagunas se difunden hacia la
región N.

17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008

 Juntura P-N en equilibrio
Los electrones que se difunden a la región P
dejan átomos ionizados + en el lado N.
Las lagunas dejan átomos ionizados – en la
región P.

Región de depleción : capa de iones

Densidad sin neutralizar
de carga
Campo eléctrico El campo eléctrico desplaza los
electrones fuera de la región de depleción
potencial Corriente de desplazamiento

EQUILIBRIO : otros electrones de la región

N no pueden migrar hacia la región P porque
Corriente de Corriente de son repelidos por los iones negativos de
difusión desplazamiento la región P y atraídos por los iones negativos
N P = N P de la región N

17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008

Juntura PN en equilibrio
Campo eléctrico
Una barrera de potencial es generada
para mantener el equilibrio

potencial
Potencial de contacto

Representa la barrera de potencial

Concentración de que debe ser sobrepasada para que
portadores
un portador de carga se difunda a
través de la juntura

Niveles de energía

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Juntura PN – polarización directa

Al ser polarizada directamente la

juntura PN, el potencial de juntura
disminuye.

Los electrones se difunden

hacia la región P y las
lagunas hacia la región N

La corriente de difusión es
Corriente de difusión
la dominante
Corriente de desplazamiento
17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008
Juntura PN – polarización inversa

La barrera de potencial aumenta.

El campo electrico se intensifica.
La capa de depleción se ensancha.
La corriente de difusión se hace cercana
a cero

Corriente de difusión
Corriente de desplazamiento

17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008

Juntura PN

EQUILIBRIO

Polarización directa

Polarización inversa

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 El diodo
• La corriente de lagunas y la corriente de electrones
son asumidas como corrientes de difusión.

Tensión de ruptura
Corriente de saturación inversa : es función del inversa
área de juntura, de las constantes de difusión,
concentración de equilibrio y longitud de difusión
de los portadores minoritarios
17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008
Modelo del diodo

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El diodo – Efecto zener
Modificando el espesor de la
capa donde el voltaje es
aplicado, el efecto zener
puede ocurrir a tensiones
inversas desde los 4 volts
hasta cientos de volts.
17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008
Si un voltaje negativo
suficientemente elevado es
aplicado, la juntura PN
experimentara una rápida
avalancha y conducirá en la
dirección inversa.
Los electrones de valencia que son
liberados bajo la influencia del
campo eléctrico aplicado, son
acelerados colisionando con otros
electrones creando una avalancha.
En esta región, pequeños cambios
en el voltaje aplicado pueden
causar grandes variaciones de
corriente.
El diodo – Aplicaciones
 Rectificadores
 Reguladores
 Circuitos de enclavamiento
 Circuitos lógicos
 LEDs, fotodiodos

17/05/2019 Introducción a la Electrónica 2008

Rectificadores
Rectificador de media onda

Rectificador de onda completa

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Rectificadores
Rectificador de onda completa

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Rectificadores con filtro RC

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Rectificadores con filtro RC
 Rizado en filtros RC (ripple)

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Rectificadores
 Ejemplo: Cargador de batería

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Reguladores

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Recortadores

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Circuitos lógicos con diodos

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