Universidad Autónoma del Estado de México

Facultad de Ingeniería

SEMICONDU
SEMICOND
UCTORES
CTORES Materia: Física Moderna
Maestra: Dra. Indira Sachenka Mejía Torres
Equipo: Andrea Polette Vallejo Medina
Sergio Andoni Espinosa de los Monteros Castañeda 1
¿Qué es un
portador de
carga?
Un portador de carga es una partícula, la cual puede
moverse libremente y conduce electricidad. Los
mejores ejemplos son el electrón, huecos y iones.

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Electrón: Partícula con una carga
negativa de C.

Hueco electrónico: Tienen ausencia de un electrón en una nube

de electrones. Juegan un papel importante en el
comportamiento de los materiales semiconductores.

En los materiales iónicos: Los aniones pueden servir como portadores de carga
negativa y los cationes como portadores de carga positiva.

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 Conducción
Conducción
La conducción eléctrica es el resultado del movimiento de los portadores de carga (como los electrones) dentro del
material. La estructura condiciona las propiedades.

Conductores Aislantes Semiconductores

Los metales con altos valores de Las cerámicas, vidrios y polímeros, con Los semiconductores, con valores intermedios de
conductividad, se denominan conductores. pequeños valores de conductividad, se conductividad, se definen mejor por la naturaleza
denominan aislantes. única de su conducción eléctrica.

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Método para medir la conducción eléctric
La intensidad de corriente, I, que circula por un circuito con una resistencia, R, y un voltaje, V,
fijos, viene dada por la ley de Ohm.

• V se da en
• I en (1 A = 1 C/s)
• R en ohmios.
𝑉 =𝐼𝑅

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Conductividad La conductividad es el producto de la densidad de portadores de carga, n, la
carga de éstos, q, y la movilidad de cada portador, μ:

La conductividad es el parámetro para establecer

una clasificación eléctrica de los materiales. Con unidades de • 1
𝜎=
• Las unidades de n son
𝜌
• la de q el culombio,
• µ en m2/(V*s)
𝜎 =𝑛 𝜌𝜇

Ejercicio de
conductividad

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Resistividad
Es la capacidad de un material para resistir la conducción eléctrica. El valor de la
resistencia depende de la geometría de la muestra; R aumenta con la longitud, l, y
disminuye con el área, A.

Las unidades de resistividad son Ω ∗𝑚

𝑅𝐴
𝜌=
𝑙

intensidad de corriente

Resistividad
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 𝑣𝑑 𝑑𝑡

Velocidad de deriva
Es la velocidad media alcanzada por los electrones en movimiento cuando se aplica el campo
eléctrico externo.
𝑣
• La velocidad de deriva se indica en unidades de m/s 𝜇=
• El campo eléctrico (E = V/I) en V/m. 𝐸

Cuando contribuyen a la conducción tanto portadores de carga positivos como negativos, la Ecuación debe
desarrollarse para tener en cuenta ambas contribuciones:

• Los subíndices n y p hacen referencia a los portadores de carga negativos y positivos.

• Para los electrones, huecos electrónicos e iones monovalentes, el valor de q es 0.16 x 10“18 C. +
• Para iones multivalentes, el valor es donde es la valencia

Ejercicio de velocidad de
deriva

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 Niveles
Niveles yy bandas
bandas de
de
Niveles de energía energía
energía Cada átomo o molécula en un gas está a una distancia muy grande de sus vecinos, de modo que puede ser
tratado, (desde el punto de vista de los niveles de energía) como aislado de sus alrededores.

bandas de energía

Las bandas de energía en un semiconductor se dividen en dos grupos :

• Banda de Valencia - Los electrones en la banda de valencia están ligados a los átomos del semiconductor.
• Banda de Conducción - Los electrones en la banda de conducción están libres y pueden moverse por el semiconductor.

La separación entre la banda de valencia y la de conducción es llamada Separación de Energía , y en esta región no hay niveles de energía de los electrones. Si
un electrón de la banda de valencia tiene suficiente energía, puede "saltar" a la banda de conducción superando la diferencia de energía entre las dos bandas.

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 Este principio nos dice que dos electrones en un átomo no
Principio de exclusión de Pauli
pueden tener idéntico número cuántico.

Se aplica a partículas que forman estados cuánticos anti simétricos y que tienen espín semientero. partículas como el fotón no
obedecen a este principio, ya que forman estados cuánticos simétricos y tienen espín entero.

Diagrama de niveles de energía

para un átomo de sodio

El diagrama indica que en realidad hay tres órbitas asociadas con el nivel de energía 2p y que
cada una de las órbitas 1s, 2s y 2p están ocupadas por dos electrones.
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 Ayuda a predecir cómo se distribuyen los electrones en los orbitales atómicos de un átomo que se
Regla de Hund encuentre relajado o en su menor nivel de energía.

En un átomo que se encuentra en su estado fundamental, los electrones de un mismo nivel de energía se distribuirán de forma tal
que exista la mayor cantidad posible de espines paralelos.

El emparejamiento de electrones en un determinado orbital tiende a ser retrasado hasta que

todos los niveles de una determinada energía tienen un único electrón.
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 Los niveles discretos de energía 3s han dado lugar a un banda de energía pseudocontinua (semillena). De nuevo, se predice el
desdoblamiento del nivel 3 s de energía mediante el principio de exclusión de Pauli.

Las cuatro órbitas externas, rayadas, están desdobladas en cuatro niveles

de energía ligeramente distintos, tal y como predice el principio de
Pauli.
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 Función de Fermi
Esta función da la probabilidad de ocupar un estado de energía disponible, pero esto debe ser ponderado por el número de estados de
energía disponibles para determinar la cantidad de electrones que alcanzan la banda de conducción.

k es la constante de Boltzmann
(13.8 x 10-24 J/K)

1
𝑓 ( 𝐸 )= (𝐸 − 𝐸 𝐹 )/ 𝐾𝑇
𝑒 +1

La función de Fermi, f(E), describe el llenado de los niveles de energía. Todos los niveles de
energía por debajo del nivel de Fermi están completamente llenos, y por encima completamente
vacíos.

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Comparación de la función de Fermi, f(E), con la estructura de bandas de energía de un
aislante. Idealmente no existe ningún electrón en la banda de conducción ( f(E) = 0) debido a
la magnitud de la separación entre bandas de energía ( > 2 eV).

Ejercicio

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Bandas
das de conducción
de conducción y
y valencia
valencia
La banda de valencia y la banda de conducción son las bandas más cercanas al nivel de Fermi y, por lo tanto, determinan la conductividad
eléctrica del sólido.

La banda de valencia y es el rango más alto de energías de electrones en el que los electrones están normalmente presentes a temperatura
cero absoluta.

Dato:

Los metales son buenos conductores

eléctricos porque su banda de valencia
está parcialmente ocupada

Por ejemplo en el magnesio (Mg), hay dos electrones 3s que llenan la banda de energía, semiocupada en el Na Sin embargo, el Mg tiene
vacía una banda más alta, que se solapa con la llena. El resultado es una banda de valencia parcialmente llena.
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 La banda de conducción

Es el rango más bajo de estados electrónicos vacantes.

• Los electrones pueden alcanzar la banda de conducción, cuando están excitados ,

por ejemplo, por radiación ionizante (es decir, deben obtener una energía mayor que
el espacio E).

• Entre más grande sea la brecha entre las bandas, mayor energía se necesitará y en
algunos casos no ocurrirá el salto.

• La facilidad con la que los electrones pasen a la banda de conducción determinará

con qué tipo de electrones se está tratando.

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Brecha de energía
Es un rango de energía entre la banda de valencia y la banda de conducción donde los estados de electrones están prohibidos.  A
diferencia de los conductores, los electrones en un semiconductor deben obtener energía.

Hacer ascender a un electrón de la banda de valencia a la banda de conducción requiere subir por encima de una separación entre
bandas de energía.

Los electrones no pueden tener niveles de energía dentro de la

separación entre bandas de energía.

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Ejemplo: Considérese el silicio, elemento número 14, situado justo debajo del carbono en la tabla periódica. En el mismo grupo de la tabla periódica, el
silicio posee unas características químicas similares al carbono. De hecho, el silicio forma un sólido de enlace covalente con la misma estructura cristalina
que el carbono. La estructura de la banda de energía del silicio es también muy similar a la del diamante La principal diferencia es que el silicio tiene una
menor separación entre bandas (Eg = 1.107 eV, comparado con los aproximadamente 6 eV del diamante). El resultado es que, a temperatura ambiente (298
K), la energía térmica hace ascender a un número de electrones pequeño pero significativo desde la banda de valencia a la de conducción.

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Par electrón-hueco
Es el ascenso de un electrón crea un par de portadores de carga. En consecuencia, se produce en tantos electrónicos en la banda de
valencia como electrones haya en la banda de conducción. Estos huecos electrónicos son portadores de carga positiva.

Ejercicio
¿Cuál es la probabilidad de que un electrón ascienda térmicamente a la banda de
conducción en el diamante (eg = 5.6 ev) a temperatura ambiente (25 °C)?
Solución

De la Ecuación y sabiendo que T — 25°C = 298 K

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emiconductores
Un semiconductor es todo aquel material que puede actuar como conductor, permitiendo
el paso de la corriente, o como aislante, impidiendo el paso de la misma.

En un semiconductor simple, tanto los electrones de conducción como los huecos

electrónicos son portadores de carga.

En el ejemplo del silicio puro, el número de

electrones de conducción es igual al número de
• Los semiconductores elementales puros de este tipo se denominan huecos electrónicos. Los semiconductores
elementales puros de este tipo se denominan
semiconductores intrínsecos. semiconductores intrínsecos.

• Los semiconductores extrínsecos son semiconductores con pequeñas

cantidades de impurezas cuidadosamente controladas.
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Se puede transformar la expresión general de la conductividad en una forma válida para los semiconductores intrínsecos:

Donde:

n= Densidad de electrones de conducción (densidad de huecos electrónicos)

q= Magnitud de la carga del electrón (Magnitud de la carga del hueco=

𝜎 =𝑛𝑞 ( 𝜇𝑒 +𝜇h )
= Movilidad de un electrón de conducción

= Movilidad de un huevo electrónico () 21

plicación de semiconductores en ISE
En la actualidad, una de las formas de utilizar los recursos renovables es mediante la tecnología fotovoltaica que convierte
directamente la radiación solar en energía eléctrica.

Esta tecnología se fabrica a partir de semiconductores, generalmente de silicio, siguiendo un procedimiento de elaboración
extremadamente cuidadoso y costoso.

Una opción para los dispositivos fotovoltaicos son las celdas foto electroquímicas. Estas celdas se elaboran por el contacto de un
electrodo semiconductor con una solución, el cual puede ser fácilmente preparado y ofrece la posibilidad de una fabricación de
bajo costo.

La comprensión de cómo funcionan estos dispositivos requiere el conocimiento de las

características de los semiconductores y de cómo estos materiales se comportan en contacto con
una disolución electrolítica y bajo iluminación con luz solar.
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23
24