DIODOS SEMICONDUCTORES

Materiales semiconductores: Ge, Si, GaAs.

Las curvas caractersticas para los tres materiales semiconductores

Es importante comparar las curvas caractersticas de
los principales materiales semiconductores: GaAs y
Si y Ge.

La forma general de cada curva es muy semejante

aunque el punto de levantamiento vertical de las
caractersticas es diferente para cada material.

El germanio es el ms cercano al eje vertical y el

GaAs es el ms distante. Como se observa en las
curvas, el centro de la rodilla de la curva est
aproximadamente en 0.3 V para Ge, 0.7 V para Si y
1.2 V para GaAs.
En la regin de polarizacin inversa la curva tambin
es bastante parecida, pero se diferencian en las
magnitudes de las corrientes de saturacin en inversa
tpicas. Para GaAs, la corriente de saturacin en
inversa es por lo general de aproximadamente 1 pA,
comparada con 10 pA para Si y 1 A para Ge.

El GaAs en general tiene niveles de voltaje de ruptura

mximos que superan a los de los dispositivos de Si
del mismo nivel de potencia en aproximadamente
10%.

El Si tienen voltajes de ruptura que oscilan entre 50 V

y 2 kV. El germanio suele tener voltajes de ruptura de
menos de 100 V, con mximos alrededor de 400 V.
EJEMPLOS: Utilizando las curvas caractersticas de
los diodo:

a. Determinar el voltaje a travs de cada diodo con

una corriente de 1 mA.
b. Repita con una corriente de 4 mA.
c. Repita con una corriente de 30 mA.
d. Determine el valor promedio del voltaje en el diodo
para el intervalo de corrientes antes dadas.
e. Cmo se comparan los valores promedio con los
voltajes de rodilla que aparecen en la curva
correspondiente?
Solucin:

a. VD(Ge) = 0.2 V, VD(Si) = 0.6 V, VD (GaAs) = 1.1 V

b. VD(Ge) = 0.3 V, VD(Si) = 0.7 V, VD (GaAs) = 1.2 V

c. VD(Ge) = 0.42 V, VD(Si) = 0.82 V, VD (GaAs) = 1.33

V
d. Ge: Vav = (0.2 V + 0.3 V + 0.42 V)/3 = 0.307 V
Si: Vav = (0.6 V + 0.7 V + 0.82 V)/3 = 0.707 V
GaAs: Vav = (1.1 V + 1.2 V + 1.33 V)/3 = 1.21 V
e. Muy parecidos: Ge: 0.307 V vs. 0.3 V, Si: 0.707 V
vs. 0.7 V, GaAs: 1.21 V vs. 1.2 V.
CAPACITANCIAS DE DIFUSIN Y TRANSICIN

Todo dispositivo electrnico o elctrico es sensible a la

frecuencia.
En la regin de polarizacin en inversa tenemos la
capacitancia de transicin o de regin de
empobrecimiento (CT ) en tanto que en la regin de
polarizacin en directa tenemos la capacitancia de
almacenamiento o difusin (CD ).
Los efectos de capacitancia se representan por medio
de capacitores en paralelo con el diodo ideal. Sin
embargo, en aplicaciones de baja a media frecuencia
(excepto en el rea de potencia), normalmente el
capacitor no se incluye en el smbolo de diodo.
TIEMPO DE RECUPERACIN EN INVERSA (trr).

En el estado de polarizacin en directa hay una gran cantidad de

electrones del material tipo n que avanzan a travs del material
tipo p y una gran cantidad de huecos en el material tipo n, lo cual
es un requisito para la conduccin. Los electrones en el material
tipo p y los huecos que avanzan a travs del material tipo n
establecen una gran cantidad de portadores minoritarios en cada
material.

Si el voltaje aplicado se tiene que invertir para establecer una

polarizacin en inversa, por el gran nmero de portadores
minoritarios en cada material, la corriente en el diodo se invierte y
permanece en este nivel medible durante el intervalo t s (tiempo de
almacenamiento) requerido para que los portadores minoritarios
regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material
opuesto.
El diodo permanece en el estado de cortocircuito con una
corriente inversa determinada por los parmetros de la
red. Con el tiempo, cuando esta fase de almacenamiento
ha pasado, el nivel de la corriente se reduce al nivel
asociado con el estado de no conduccin. Este segundo
lapso est denotado por tt (intervalo de transicin).
El tiempo de recuperacin en inversa es la suma de estos
dos intervalos: trr = ts + tt.
sta es una consideracin importante en aplicaciones de
conmutacin de alta velocidad. La mayora de los diodos
de conmutacin comerciales tienen un trr en el intervalo
de algunos nanosegundos a 1 ms. Hay unidades
disponibles, sin embargo, con un trr de slo unos cientos
de picosegundos (1012 s).
DIODOS ZENER

La curva caracterstica del diodo cae casi verticalmente

con un potencial de polarizacin en inversa denotado
VZ.

La corriente en la regin Zener tiene una direccin

opuesta a la de un diodo polarizado en directa.

La ligera pendiente de la curva en la regin Zener

revela que existe un nivel de resistencia que tiene que
ser asociado al diodo Zener en el modo de conduccin.
Regin Zener
Esta regin de caractersticas nicas se emplea en el
diseo de diodos Zener.
En el caso del diodo semiconductor el estado
encendido soportar una corriente en la direccin de la
flecha del smbolo.
Para el diodo Zener la direccin de conduccin es
opuesta a la de la flecha del smbolo.
La ubicacin de la regin Zener se controla variando los
niveles de dopado. Un incremento del dopado que
aumenta la cantidad de impurezas agregadas reducir
el potencial Zener.

Estn disponibles diodos Zener con potenciales de 1.8

V a 200 V y coeficientes de potencia de W a 50 W.
Por sus excelentes capacidades de corriente y
temperatura, el silicio es el material preferido en la
fabricacin de diodos Zener.
Caractersticas de diodo Zener con el modelo
equivalente de cada regin
El modelo equivalente de un diodo Zener en la regin
de polarizacin en inversa por debajo de VZ es un
resistor muy grande (como en el caso del diodo
estndar), esta resistencia en tan grande que puede ser
ignorada y se emplea el equivalente de circuito abierto.

Para la regin de polarizacin en directa el equivalente

por segmentos es el que se describi anteriormente.

El potencial Zener de un diodo Zener es muy sensible a

la temperatura de operacin.
La identificacin terminal y el encapsulado de varios
diodos Zener
DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

Como su nombre lo implica, el diodo emisor de luz es un

diodo que emite luz visible o invisible (infrarroja) cuando se
energiza.

En cualquier unin pn polarizada en directa se da, dentro

de la estructura y principalmente cerca de la unin, una
recombinacin de huecos y electrones.

Esta recombinacin requiere que la energa procesada por

los electrones libres se transforme en otro estado.

En todas las uniones pn semiconductoras una parte de esta

energa se libera en forma de calor y otra en forma de
fotones.
En diodos de Si y Ge el mayor porcentaje de la energa
convertida se disipa en forma de calor dentro de la
estructura y la luz emitida es insignificante. No se utilizan
para LED.

Los diodos construidos de GaAs emiten luz en la zona

infrarroja (invisible) durante el proceso de recombinacin en
la unin pn.

Aun cuando la luz no es visible, los LED infrarrojos tienen

numerosas aplicaciones donde la luz visible no es un efecto
deseable. stas incluyen sistemas de seguridad,
procesamiento industrial, acoplamiento ptico, controles de
seguridad como abre puertas de cochera y control remoto de
centros de entretenimiento domsticos.
Mediante otras combinaciones de elementos se puede
generar una luz visible.
La superficie metlica conductora externa conectada al
material tipo p es ms pequea para permitir la salida
del mximo de fotones de energa luminosa cuando el
dispositivo se polariza en directa.

Construccin bsica de un LED con el smbolo estndar utilizado para el

dispositivo.
Rectas de carga

La recta de carga es una herramienta empleada para

hallar el valor exacto de la corriente y la tensin del
diodo.
Ejemplo: Si Vs = 2 V y Rs = 100 . Hallar la recta de
carga.

La ecuacin representa una recta. Si hacemos VD = 0 V

A este punto se llama saturacin ya que es el punto de

mxima corriente con 2 V a travs de 100 .
Ahora con VD = 2 V

A este punto se
llama de corte ya
que es el punto de
mnima corriente.
La lnea recta se
llama recta de carga.
El punto Q en la
grafica es el nico
punto que funciona a
la vez para el diodo
y para el circuito.