Está en la página 1de 6

Cruz Enciso Sandra

5CM6
Tarea #2

Circuitos equivalentes del diodo:


Un circuito equivalente es una combinación de elementos apropiadamente seleccionados
para que representen mejor las características terminales reales de un dispositivo o sistema en
una región de operación particular.

Circuito lineal equivalente por segmentos:

Una técnica para obtener un circuito equivalente de un diodo es simular con más o menos
precisión las características del dispositivo mediante segmentos de línea recta.

El diodo ideal se incluye para establecer que sólo hay una dirección de conducción a través
del dispositivo, y una situación de polarización en inversa producirá el estado de circuito
abierto del dispositivo. Como un diodo semiconductor de silicio no alcanza el estado de
conducción hasta que VD alcanza
0.7 V con una polarización en directa,
debe aparecer una batería VK
opuesta a la dirección de
conducción en el circuito
equivalente. La batería especifica
que el voltaje a través del dispositivo
debe ser mayor que el voltaje de
umbral de la batería antes de la conducción a través del dispositivo antes de que se pueda
establecer la dirección dictada por el diodo ideal. Cuando se establezca la conducción, la
resistencia del diodo será el valor especificado de 𝑟𝑝𝑟𝑜𝑚 .

Circuito equivalente simplificado:

Esta aproximación se emplea con frecuencia en el análisis de circuitos semiconductores, el


circuito equivalente manifiesta que un diodo de silicio polarizado en directa en un sistema
electrónico en condiciones de cd experimenta una caída de 0.7 V a través de éste en el
estado de conducción a cualquier nivel de corriente en el diodo (dentro de valores
nominales, por supuesto).

Circuito equivalente ideal:

Capacitancias de difusión y transición:

Las características terminales de cualquier dispositivo cambian con la frecuencia. Incluso la


resistencia de un resistor básico, como el de cualquier construcción, es sensible a la frecuencia
aplicada. A frecuencias de bajas a medias se puede considerar que la mayoría de los
resistores tienen un valor fijo. No obstante, a medida que alcanzamos altas frecuencias, los
efectos pará- sitos capacitivos e inductivos empiezan a manifestarse y afectan el nivel de
impedancia total del elemento. En la región de polarización en inversa tenemos la
capacitancia de transición o de región de empobrecimiento (𝐶𝑇 ) en tanto que en la región
de polarización en directa tenemos la capacitancia de almacenamiento o difusión (𝐶𝐷 ).

Tiempo de recuperación en inversa:

El tiempo de recuperación en inversa es la suma de estos dos intervalos: 𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑠 + 𝑡𝑟 . Ésta es


una consideración importante en aplicaciones de conmutación de alta velocidad. La
mayoría de los diodos de conmutación comerciales tienen un 𝑡𝑟𝑟 en el intervalo de algunos
nanosegundos a 1 ms. Hay unidades disponibles, sin embargo, con un 𝑡𝑟𝑟 de sólo unos
cientos de picosegundos (10−12 𝑠𝑒𝑔).

Prueba de un diodo:

La condición de un diodo semiconductor se determina rápidamente utilizando 1) un medidor


de pantalla digital (DDM, por sus siglas en inglés) con una función de verificación de diodo; 2)
la sección óhmetro de un multímetro, o 3) un trazador de curvas.

Prueba con un óhmetro:

La lectura del óhmetro será una función de la corriente establecida a través del diodo por la
batería interna (a menudo de 1.5 V) del circuito del óhmetro. Cuanta más alta es la corriente,
más bajo es el nivel de resistencia. En la situación de polarización inversa la lectura deberá ser
bastante alta, por lo que se requiere una escala de resistencia alta en el medidor Una lectura
de alta resistencia en ambas direcciones indica una condición abierta (dispositivo
defectuoso) en tanto que una lectura de resistencia muy baja en ambas direcciones
probablemente indique un dispositivo en cortocircuito.

Trazador de curvas:

Puede mostrar en pantalla las características de varios dispositivos, incluido el diodo


semiconductor. Conectando apropiadamente el diodo al tablero de prueba en la parte
central inferior de la unidad y ajustando los controles, podemos obtener la imagen:
Diodos Zener:

Para el diodo Zener la dirección de conducción es opuesta a la de la flecha del símbolo,


como se señaló en la introducción de esta sección. Observe también que la polaridad de 𝑉𝐷
y 𝑉𝑍 es la misma que se obtendría si cada uno fuera un elemento resistivo.

La ubicación de la región Zener se controla variando los niveles de dopado. Un incremento


del dopado que aumenta la cantidad de impurezas agregadas reducirá el potencial Zener.
Están disponibles diodos Zener con potenciales de 1.8 V a 200 V y coeficientes de potencia
de 1/4 W a 50 W. Por sus excelentes capacidades de corriente y temperatura, el silicio es el
material preferido en la fabricación de diodos Zener.
La corriente es la que definirá la resistencia dinámica 𝑍𝑍𝑇 y aparece en la ecuación general
del coeficiente de potencia del dispositivo. Es decir:
𝑷𝒁𝑴𝒂𝒙 = 𝟒𝑰𝒁𝑻 𝑽𝒁

El potencial Zener de un diodo Zener es muy sensible a la temperatura de operación. Se puede


utilizar el coeficiente de temperatura para determinar el cambio del potencial Zener debido
a un cambio de temperatura por medio de la siguiente ecuación:
∆𝑽𝒁
⁄𝑽
𝑻𝑪 = 𝒁
× 𝟏𝟎𝟎%⁄°𝑪
𝑻𝟏 − 𝑻𝟎

Donde:

𝑇1 = es el nuevo nivel de temperatura.

𝑇0 = es la temperatura ambiente en un gabinete cerrado (25°C)

𝑇𝐶 = es el coeficiente de temperatura.

𝑉𝑍 = es el potencial Zener nominal a 25°C

Diodos emisores de luz:

El uso creciente de pantallas digitales en calculadoras, relojes y en todas las formas de


instrumentos, ha contribuido a un gran interés sobre estructuras que emiten luz cuando se
polarizan apropiadamente. Los dos tipos de uso común que realizan esta función son el diodo
emisor de DIODOS SEMICONDUCTORES 42 luz (LED, por sus siglas en inglés) y la pantalla de
cristal líquido (LCD, por sus siglas en inglés). Como el LED queda dentro de la familia de
dispositivos de unión p–n. En diodos de Si y Ge el mayor porcentaje de la energía convertida
durante la recombinación en la unión se disipa en forma de calor dentro de la estructura y la
luz emitida es insignificante. Por esta razón, el silicio y el germanio no se utilizan en la
construcción de dispositivos LED. Por otra parte: Los diodos construidos de GaAs emiten luz en
la zona infrarroja (invisible) durante el proceso de recombinación en la unión p–n.

El espectro de frecuencia de la luz infrarroja se extiende desde 100 THz (T = tera = 1012 ) hasta
400 THz, con el espectro de luz visible desde aproximadamente 400 hasta 750 THz.
𝒄
𝝀=
𝒇

Donde:

c= 3 × 108 𝑚⁄𝑠 (velocidad de la luz en el vacío)

f= frecuencia en Hertz

𝝀 = Longitud de onda en metros

La cantidad de energía implicada está dada por:


ℎ𝑐
𝐸𝑔 =
𝝀
Donde:

h= 6.6626 × 10−34 𝐽 es la constante de plank