Estructuras Cristalinas

Equipamiento Industrial
II
Profesor: Juan Segovia R.
Departamento Ingeniera Industrial
Programa
Captulo I. Principios fundamentales
de la estructura metlica
El tomo
El concepto de tomo existe desde la Antigua Grecia propuesto por los filsofos
griegos Demcrito, Leucino y Epicuro, sin embargo, no se gener el concepto por
medio de la experimentacin sino como una necesidad filosfica que explicara la
realidad, ya que, como proponan estos pensadores, la materia no poda dividirse
indefinidamente, por lo que deba existir una unidad o bloque indivisible e
indestructible que al combinarse de diferentes formas creara todos los cuerpos
macroscpicos que nos rodean.

El siguiente avance significativo se realiz hasta en 1773 el qumico francs Antoine-
Laurent de Lavoisier postul su enunciado: "La materia no se crea ni se destruye,
simplemente se transforma."; demostrado ms tarde por los experimentos del
qumico ingls John Dalton quien en 1804, luego de medir la masa de los reactivos y
productos de una reaccin, y concluy que las sustancias estn compuestas de
tomos esfricos idnticos para cada elemento, pero diferentes de un elemento a
otro.
Teora atmica

Modelo de Dalton. Fue el primer modelo atmico con bases cientficas, formulado en
1808 por John Dalton. Este primer modelo atmico postulaba:
La materia est formada por partculas muy pequeas llamadas tomos, que son
indivisibles y no se pueden destruir.
Los tomos de un mismo elemento son iguales entre s, tienen su propio peso y
cualidades propias. Los tomos de los diferentes elementos tienen pesos diferentes.
Los tomos permanecen sin divisin, an cuando se combinen en las reacciones
qumicas.
Los tomos, al combinarse para formar compuestos guardan relaciones simples.
Los tomos de elementos diferentes se pueden combinar en proporciones distintas y
formar ms de un compuesto.
Los compuestos qumicos se forman al unirse tomos de dos o ms elementos
distintos.

Teora atmica

Modelo de Thompson. Luego del descubrimiento del electrn en 1897
por Joseph John, se determin que la materia se compona de dos partes,
una negativa y una positiva. La parte negativa estaba constituida por
electrones, los cuales se encontraban segn este modelo inmersos en una
masa de carga positiva a manera de pasas en un pastel.

Para explicar la formacin de iones, positivos y negativos, y la presencia de los
electrones dentro de la estructura atmica, Thomson ide un tomo parecido a un
pastel de frutas. Una nube positiva que contena las pequeas partculas negativas
(los electrones) suspendidos en ella. El nmero de cargas negativas era el adecuado
para neutralizar la carga positiva. En el caso de que el tomo perdiera un electrn, la
estructura quedara positiva; y si ganaba, la carga final sera negativa. De esta
forma, explicaba la formacin de iones; pero dej sin explicacin la existencia de las
otras radiaciones.
Teora atmica
Modelo de Rutherford. Este modelo fue desarrollado por el fsico Ernest Rutherford a
partir de los resultados obtenidos en lo que hoy se conoce como el experimento de
Rutherford en 1911. Representa un avance sobre el modelo de Thomson, ya que
mantiene que el tomo se compone de una parte positiva y una negativa, sin
embargo, a diferencia del anterior, postula que la parte positiva se concentra en un
ncleo, el cual tambin contiene virtualmente toda la masa del tomo, mientras que
los electrones se ubican en una corteza orbitando al ncleo en rbitas circulares o
elpticas con un espacio vaco entre ellos. A pesar de ser un modelo obsoleto, es la
percepcin ms comn del tomo del pblico no cientfico. Rutherford predijo la
existencia del neutrn en el ao 1920, por esa razn en el modelo anterior
(Thomson), no se habla de ste.
Teora atmica
Sin embargo, el modelo atmico de Rutherford presentaba varias incongruencias:

Contradeca las leyes del electromagnetismo de James Clerk Maxwell, las cuales
estaban muy comprobadas mediante datos experimentales. Segn las leyes de
Maxwell, una carga elctrica en movimiento (en este caso el electrn) debera emitir
energa constantemente en forma de radiacin y llegara un momento en que el
electrn caera sobre el ncleo y la materia se destruira. Todo ocurrira muy
brevemente.
No explicaba los espectros atmicos.
Teora atmica
Modelo de Bohr

Este modelo es estrictamente un modelo del tomo de hidrgeno tomando como
punto de partida el modelo de Rutherford, Niels Bohr trata de incorporar los
fenmenos de absorcin y emisin de los gases, as como la nueva teora de la
cuantizacin de la energa desarrollada por Max Planck y el fenmeno del efecto
fotoelctrico observado por Albert Einstein.
El tomo es un pequeo sistema solar con un ncleo en el centro y electrones
movindose alrededor del ncleo en orbitas bien definidas. Las orbitas estn
cuantizadas (los e- pueden estar solo en ciertas orbitas)
Cada orbita tiene una energa asociada. La ms externa es la de mayor energa.
Los electrones no radian energa (luz) mientras permanezcan en orbitas estables.
Los electrones pueden saltar de una a otra orbita. Si lo hace desde una de menor
energa a una de mayor energa absorbe un cuanto de energa (una cantidad) igual a
la diferencia de energa asociada a cada orbita. Si pasa de una de mayor a una de
menor, pierde energa en forma de radiacin (luz).

Teora atmica

El mayor xito de Bohr fue dar la explicacin al espectro de emisin del hidrogeno.
Pero solo la luz de este elemento. Proporciona una base para el carcter cuntico de
la luz, el fotn es emitido cuando un electrn cae de una orbita a otra, siendo un
pulso de energa radiada. Bohr no puede explicar la existencia de orbitas estables y
para la condicin de cuantizacin. Bohr encontr que el momento angular del
electrn es h/2 por un mtodo que no puede justificar.
Teora atmica

Modelo actual. Despus de que Louis-Victor de Broglie propuso la naturaleza
ondulatoria de la materia en 1924, la cual fue generalizada por Erwin Schrdinger en
1926, se actualiz nuevamente el modelo del tomo.
En el modelo de Schrdinger se abandona la concepcin de los electrones como
esferas diminutas con carga que giran en torno al ncleo, que es una extrapolacin
de la experiencia a nivel macroscpico hacia las diminutas dimensiones del tomo.
En vez de esto, Schrdinger describe a los electrones por medio de una funcin de
onda, el cuadrado de la cual representa la probabilidad de presencia en una regin
delimitada del espacio. Esta zona de probabilidad se conoce como orbital.
Enlaces atmicos

El modelo actual del tomo dio paso a una comprensin ms acabada del
comportamiento de su estructura, estableciendo la manera de cmo los electrones
se posicionan alrededor del ncleo. Esta descripcin se denomina configuracin
electrnica.
Enlaces atmicos

La configuracin electrnica, nos permite entender en trminos globales algunos principios de
reactividad de ciertos elementos.

Configuracin electrnica de gases nobles
He=1s
2
; Ne=1s
2
2s
2
2p
6
; Ar=1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6

Configuracin electrnica de elementos del grupo I
Li=1s
2
2s
1
; Na=1s
2
2s
2
2p
6
3s
1
; K=1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
4s
1

Configuracin electrnica de elementos del grupo VII
F=1s
2
2s
2
2p
5
; Cl=1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
5

Los gases nobles son los elementos ms estables desde el punto de vista qumico, y
prcticamente no reaccionan con nada, pues su configuracin electrnica es de capa cerrada.
Sin embargo aquellos elementos del grupo 1 les sobra un electrn para ser de capa cerrada, lo
que explica su reactividad hacia elementos del grupo VII, a quienes les falta ese electrn para
que su configuracin sea como la de un gas noble.

Enlaces atmicos
Ahora bien, Cuando hay afinidad qumica, existe una fuerza de atraccin
electrosttica positiva de largo alcance, que llamaremos Fa que acerca mucho los
tomos unos a otro, debido a la atraccin que ocurre entre el ncleo de un tomo y
los electrones del otro tomo. A medida que los tomo se acercan, se manifiesta una
fuerza de repulsin negativa, Fr, cuyo origen se debe a la repulsin entre electrones
de uno y otro tomo. El total de fuerzas, es la llamada Fuerza de enlace, Fb, de tal
manera que:

Fb=Fa+Fr

Esta fuerza se hace cero cuando las fuerzas de repulsin y atraccin se equilibran.
Enlaces atmicos
Desde el punto de vista energtico, la
situacin de equilibrio se produce cuando la
energa es mnima, donde la energa de
atraccin, se puede evaluar como:

Y la energa de repulsin como:

r
e
Ea
o
e
=
t 4
2
n
r
C
Er =
Enlaces atmicos
Grficamente se obtiene:
Enlaces atmicos
Mecanismos de formacin de enlaces. Los mecanismos principales son el inico, el
covalente y el metlico

El enlace inico se forma entre un tomo electropositivo y uno electronegativo, de tal
manera que el electropositivo dona sus electrones al electronegativo, formando cada uno
iones de carga opuesta, y con configuracin de capa cerrada. La fuerza electrosttica
producida entre el catin y el anin, los mantiene unidos.
Puesto que el enlace se produce por equilibrio de fuerzas electrostticas, el enlace es
omnidireccional, y los electrones se encuentran localizados en la capa de valencia del
anin.

Enlaces atmicos
El enlace covalente se forma entre tomos de electronegatividad similar,
en los que los electrones son compartidos para los tomos que forman la
molcula, de manera tal que se encuentran en los estados cunticos
disponibles, creando configuraciones de capa cerrada.
Ej: Cl
2
, C (Diamante), F
2
, CO, entre otros.

El enlace covalente es direccional, por lo que las molculas adquieren
formas preestablecidas segn la hibridacin que presenten sus orbitales.
Adems en una molcula podemos encontrar enlaces saturados como
insaturados.
Enlaces atmicos
El enlace metlico se forma entre tomos metlicos que poseen una
gran cantidad de orbitales vacos, que en la medida que los tomos se acercan
entre s, no son capaces de localizar electrones, por lo cul estos circulan
libremente entre los ncleos positivos.
Enlaces secundarios

Fuerzas de Van der Waals
Efecto dipolo-dipolo
Efecto dipolo inducido

Puentes de hidrgeno

Estructuras cristalinas ideales y reales

Slidos amorfos. Los tomos del elemento o compuesto, no tienen una
estructura definida, es decir, carecen de una estructura tridimensional regular,
aunque esta se pueda presentar en un corto alcance

Slidos cristalinos. Los tomos del elemento o compuesto estn ordenados
dentro de una estructura tridimensional regular.

Elementos metlicos
Los metales se encuentran clasificados con
algunas excepciones como slidos cristalinos, y
dentro de esta definicin, debemos pensar que
la estructura regular se crea a partir de la unin
que se produce por la firme cohesin debido a
las fuerzas electrostticas entre los ncleos
(protones) y los electrones circundantes. El
tomo metlico, al poseer sus electrones
deslocalizados, permite que la unin entre ellos
se realice por consideraciones geomtricas

Elementos metlicos
En los metales, los ncleos se disponen de
manera ordenada con una densa nube de
electrones de valencia a su alrededor que se
encuentran deslocalizados. La atraccin y
repulsin entre cargas es la que produce el
equilibrio para transformar el conjunto de
tomos en una estructura ordenada.
Este modelo tambin explica la elevada
conductividad elctrica de los metales.

Estructuras cristalinas
Las estructuras cristalinas se crean a partir de
celdas unitarias, vale decir, la unidad estructural
repetida de un slido cristalino.
En la figura, que representa una celda unitaria,
en ella se identifican los tomos como esferas.
Estas se denominan puntos reticulares
Cada celda unitaria dentro de una red es el llamado
patrn, que al repetirse en todas las direcciones en las
magnitudes indicadas en su caracterizacin geomtrica
(vectores de traslacin unitarios) forma la red espacial
puntual, que se define como una matriz de puntos
dispuestos en el espacio de tal modo que cada uno tiene
idntico entorno
Las magnitudes de los ejes o
vectores , y de los ngulos
entre ellos, comnmente se
conocen como constantes
reticulares de celda o
parmetros de la red de celda
Si elegimos un punto
cualquiera de una red, y a
esa la aplicamos cada uno de
los vectores de traslacin
unitarios cualquier nmero de
veces, obtenfremos un vector
que va del origen a ese
segundo punto:
P= ua+vb+wc, donde u, v y w son nmeros enteros, esto
nos indica, que cada punto de la red puede ser expresada
por un vector. Si queremos representar un punto hipottico
al interior de una celda, entonces los valores de u, v y w
debiesen ser fraccionarios.
Sistemas
cbico a = b = c o = | = =90
tetragonal a = b = c o = | = =90
ortorrmbico a = b = c o = | = =90
monoclnico a = b = c o = =90 |=90
triclnico a = b = c o = | = =90
hexagonal a = b =c o = | =90 =120
rombodrico a = b = c o=|= =90

SLIDOS CRISTALINOS
Tipos de celdas unitarias
Los requerimientos geomtricos generales para la formacin de un
cristal se pueden entender al considerar las distintas formas en que se
puedan empaquetar varias esferas idnticas para formar una estructura
tridimensional ordenada. La manera en que las esferas se acomodan en
capas determina el tipo de celda unitaria. De cualquier manera, si
queremos evaluar la cantidad de tomos por celda, se puede utilizar:

Nt=Ni + Nc x 0,5 + Nv x 0,125, donde:

Nt =Nmero de tomo en la celda unitaria
Nc=Nmero de tomos en las caras
Nv=Nmero de tomos en los vrtices
Ni=Nmero de tomos en el interior
Empaquetamiento compacto
Celda cbica simple (sc)
Ejemplos : -Po, Hg

Estructuras metlicas
Celda cbica simple (sc)
Cbica simple
N de coordinacin:6
tomos por celda: 8 vrtices*1/8 =1
Relacin entre la longitud de arista y el
radio del tomo: 2r = a

Eficacia del empaquetamiento: 52%

( ) ( )
52 . 0
6 ) r 2 (
r 3 4
a
r 3 4
V
V
3
3
3
3
celda
ocupado
= = = =
t t t
a
r
Celda cbica centrada en el cuerpo (bcc)
Ejemplos: Fe, Cr, Mo, W, Ta, Ba
Celda cbica centrada en el cuerpo (bcc)
Cbica centrada en el cuerpo
N de coordinacin:8
tomos por celda: 8 aristas*1/8 + 1centro =2
Relacin entre la longitud de arista y el radio del tomo:
4
a 3
r =
Cbica centrada en el cuerpo (BCC): Fe, Cr, Mo, W, Ta, Ba.
b c
b
2
=a
2
+a
2

c
2
=a
2
+b
2
=3a
2

c= 4r =(3a
2
)
1/2

( ) ( )
68 . 0
8
3
)
3
r 4
(
r 3 4 2
a
r 3 4 2
V
V
3
3
3
3
celda
ocupado
=
t
=
t
=
t
=
Cbica centrada en el cuerpo
N de coordinacin:8
tomos por celda: 8 aristas*1/8 + 1centro =2
Relacin entre la longitud de arista y el radio del tomo:
4
a 3
r =
Cbica centrada en el cuerpo (BCC): Fe, Cr, Mo, W, Ta, Ba.
b c
b
2
=a
2
+a
2

c
2
=a
2
+b
2
=3a
2

c= 4r =(3a
2
)
1/2

( ) ( )
68 . 0
8
3
)
3
r 4
(
r 3 4 2
a
r 3 4 2
V
V
3
3
3
3
celda
ocupado
=
t
=
t
=
t
=
a
c
b
Celda cbica centrada en las caras (fcc)
(Empaquetamiento compacto ABC)
Ejemplos: Oro
a
4r
Celda hexagonal compacta (hc)
(Empaquetamiento compacto ABA)
Ejemplos: Be, Mg, Zn, Cd, Ti
Hexagonal (h.c.):
N de coordinacin:12
tomos por celda: 2
Para el hexgono (3celdas):
12 vrticesx1/6 +2 carasx1/2 +3centro=6tomos
Parmetros: a = ancho del hexgono
c= altura; distancia entre dos planos
razon axial c/a para esferas en contacto=1.633
Be c/a = 1.58
Cd c/a = 1.88
Hexagonal compacta (h.c): Be, Mg, Zn, Cd, Ti

c
a
Hexagonal (h.c.):
N de coordinacin:12
tomos por celda: 2
Para el hexgono (3celdas):
12 vrticesx1/6 +2 carasx1/2 +3centro=6tomos
Parmetros: a = ancho del hexgono
c= altura; distancia entre dos planos
razon axial c/a para esferas en contacto=1.633
Be c/a = 1.58
Cd c/a = 1.88
Hexagonal compacta (h.c): Be, Mg, Zn, Cd, Ti

c
a
Aplicaciones
El Europio cristaliza en una red bcc. Su
densidad es 5,16 g/cm
3
y su PA=152.
Calcule la longitud de la arista de la celda
unitaria.

El Oro cristaliza en una red fcc. Su
densidad es de 19,3 g/cm
3
, y su PA=197.
Calcule el radio atmico del Oro.

Intersticios en las estructuras cristalinas
En las estructuras que hemos descrito, existen espacios, llamados
intersticios, donde pueden caber tomos pequeos. El tamao de los
intersticios vara en las diferentes estructuras y determina en cada una, la
medida para alojar tomos pequeos. Fundamentalmente existen dos tipos
de intersticios, los tetadricos y los octadricos.

Para una celda fcc:
ri/r=0,414 en sitios octadricos
ri/r=0,225 en sitios tetradricos

En una celda bcc
ri/r= 0,155 en sitios octadricos

En una celda hc
ri/r=0,414 en sitios octadricos

Alotropa o polimorfismo
Es la capacidad de los materiales cristalinos para asumir
dos o ms estructuras cristalinas. Muchos metales y
materiales cermicos presentan este fenmeno. El caso
del hierro es uno de ellos, que a temperaturas baja
asume la forma bcc, a 912 C la estructura fcc , y a 1394
C nuevamente bcc.

La importancia de la alotropa consiste en el cambio de
volumen generado, produciendo deformaciones al
modificarse la temperatura. Cuando estas
deformaciones son grandes, pueden inducir
agrietamientos de los materiales.

Direcciones y planos en los cristales
La deformabilidad de los materiales cristalinos, se
produce por esfuerzo cortante (deslizamiento de planos)
slo en planos cristalinos especficos y a lo largo de
direcciones especficas, dependientes en ambos casos
de la estructura cristalina. Hay adems otras
propiedades, como la magnetizacin, que dependen de
los planos y direcciones cristalinas. En consecuencia, se
acostumbra a indicar las propiedades de los materiales
en ciertos planos y a lo largo de ciertas direcciones que
se identifican mediante nmeros llamados ndices de
Miller
Como vimos anteriormente, cada punto de una red se puede representar
por medio de un vector y sus coordenadas (u,v,w), que equivalen a:

P= ua+vb+wc

A partir de un origen seleccionado de referencia. La direccin de este
vector, se identifica con las coordenadas vectoriales (u,v,w) de P respecto
de un origen elegido, tomndose como los ndices de Miller de la direccin
del origen a P y cambindose la notacin a [uvw]. Estos nmeros deben ser
los enteros primos ms pequeos, as, por ejemplo las direcciones [1],
[112] y [224], corresponden a la misma direccin, pero se prefiere [112].
Los nmeros positivos significan traslaciones en el sentido positivo de los
ejes, y los nmeros negativos traslacin en el sentido negativo de los ejes.
Los nmeros negativos bajo la notacin de los ndices de Miller, se
escriben con una barra sobre o bajo el nmero.

Considerando el origen como se
aprecia en la figura, entonces:
Vector direccin de los ejes:
[100], [010], [001]. Las
direcciones a o largo de los ejes
negativos seran [100], [010],
[001].
Esta es una familia de
direcciones sobre las aristas del
cubo, y conforman una familia
que se designa como <100>.
Las familias son aquel conjunto
de direcciones cuyos vectores
tienen la misma longitud, y se
componen de los mismos
dgitos.

Es posible evaluar la direccin
de un vector respecto de un eje
considerando la diferencia entre
dos direcciones, as, la direccin
entre [011] y [111], se puede
evaluar como
[011] - [111]=[100], o
[111] - [011]=[100]
La diferencia entre ambas viene
dada por la direccin en uno u
otro sentido.
Como se puede verificar, este
vector tiene la misma direccin
que aquellos vectores definidos
sobre los ejes. Esto significa
que es paralelo al vector
direccin sobre el eje x .

Ejercicios
Dibuje las direcciones
siguientes dentro de una celda
unitaria cbica:
[122], [213] y [301]

Encuentre los ndices de Miller
para las direcciones de las
diagonales del cuerpo y de las
caras de un cubo.
Tambin los planos de una red cristalina, se identifican mediante ndices de
Miller. Estos se refieren a los menores nmeros primos, formados por los
recprocos de las intersecciones de los ejes, con el plano.

Considerando el plano superior del
cubo de la figura, diremos:
Coordenada de interseccin del
plano con el eje x = ; recproco =
1/ =0
plano con el eje y = ; recproco =
1/ =0
plano con el eje z = 1; recproco =
1/ 1=1

Por lo tanto, los ndices de
Miller para tal plano son (001)

Los planos cristalinos en celdas unitarias hp se identifican generalmente
utilizando cuatro ndices en vez de tres, los ndices Miller-Bravais, (hkil).
Este es un sistema de coordenadas
de cuatro ejes, tres ejes
fundamentales, a
1
a
2
y a
3
que forman
ngulos de 120 entre s. El cuarto
eje o eje c es el eje vertical
localizado en el centro de la celda.
Adems el cuarto trmino se evala
como
i = -(h+k)
Las direcciones cristalinas en celdas hc se identifican generalmente
utilizando cuatro ndices en vez de tres, [hkil]. Los ndices h, k, i son vectores
reticulares en las direcciones a
1
a
2
y a
3
respectivamente, y el ndice l es un
vector reticular en la direccin c.
Para transformar de tres a cuatro coordenadas los
ndices, se recurre a la transformacin adjunta en la
figura, donde h, k y l, son los ndices de Miller
usuales
Sistemas de deslizamiento en los metales y
deformabilidad
La deformacin de los metales se produce por
deslizamiento sobre ciertos planos y ciertas direcciones,
denominados planos de deslizamiento y direccin de
deslizamiento. Una combinacin de plano y direccin de
deslizamiento, se le llama sistema de deslizamiento.
Los planos de deslizamiento preferentes son aquellos que
tienen la fraccin atmica planar ms grande, en tanto
que las direcciones de deslizamiento preferente son
aquellas que tienen las fracciones atmicas lineales ms
grandes.
deformabilidad
Para determinar los planos de deslizamiento, definimos la fraccin atmica
planar (FAP) como:
plano rea
plano en tomos rea
FAP=
El rea de tomos en plano, se refiere al rea que cubre cada tomo al
interior del plano que constituye la celda. De esta manera, esta rea se
puede calcular como:
2
r N plano en tomos rea
A
= t
v
b
i A
N
N
N N + + =
360 2
u
Donde N
A
es el nmero de tomos en el plano, N
i
es el nmero de tomo en
el interior del plano, N
b
es el nmero de tomos en los bordes del plano, N
v

es el nmero de tomos en los vrtices del plano, y es el ngulo interior
formado por los vrtices en el plano

deformabilidad
Para determinar las direcciones de deslizamiento, definimos la fraccin
atmica lineal (FAL) como:
direccin Longitud
direccin la en tomos Longitud
FAL=
La longitud de los tomos se considera por radios atmicos cuando la
direccin pasa por el centro de los tomos
deformabilidad
bcc fcc
Direcci
n

Seccin Longitu
d
atmica
Fraccin
lineal
Seccin Longitud
atmica
Fraccin
lineal
<100> a

2r

2r/ a

a

2r

2r/ a

<110>

a2 2r

(1/ 2) 2r/ a a2 4r

(2/ 2) 2r/ a
<111>

a3 4r

(2/ 3) 2r/a a3 2r

(1/ 3) 2r/a
deformabilidad
bcc fcc
Planos

rea de la
seccin
plana
rea de
los
tomos
Fraccin
planar
rea de la
seccin
plana
rea de
los
tomos
Fraccin
planar
{100} a
2
r
2
r
2
/ a
2
a
2
2r
2
2r
2
/ a
2
{110}

a
2
2 2r
2
(2/ 2) r
2
/ a
2
a
2
2 2r
2
(1/ 2)r
2
/ a
2

{111}

a
2
/23 r
2
(1/ 3) r
2
/a
2
a
2
/23 2r
2
(2/ 3 )r
2
/a
2

Anisotropa
Si se quieren medir las propiedades fsicas del
metal en cuestin, a travs de los distintos ejes
de un cristal, es posible encontrar valores
diferentes, sin embargo, si estos se miden a
partir de sentidos cristalogrficamente similares,
las propiedades son invariables. Esta
direccionalidad de las propiedades se conoce
como anisotropa. Se dice, que si un elemento
mantiene invariable el valor de sus propiedades
en todas las direcciones es Istropo.

Anisotropa
Los materiales metlicos comnmente son policristalinos, es decir,
contienen muchos granos o cristales, que a su vez contienen celdas
unitarias perfectamente alineadas. Sin embargo, cada grano se
encuentra alineado de manera diferente, lo que se pueden distinguir
bajo un microscopio.

Anisotropa
Esta situacin impide que las propiedades sean direccionales, y se
miden, por tanto propiedades promedio de cristales. Por otro lado,
se debe considerar que estos promedios incluyen tambin los
lmites entre granos, donde comnmente existe una zona de
desorden y de ubicacin irregular de tomos.
Para evaluar el nmero de
de grano por pulgada
2
(N),
se utiliza la siguiente
expresin:
N=2
G-1
Donde G es el nmero de
tamao de grano. Se
deben considerar que esta
situacin est normalizada
para ser utilizada con
aumento de 100 veces.
Estructura microscpica
Las caractersticas de las estructuras metlicas que se pueden
distinguir a simple vista, se conocen como macroscpicas, mientras
aquellas que se puede distinguir slo por microscopio son
microscpicas.

Para el estudio de las caractersticas microscpicas es necesario
preparar el metal de una manera adecuada.
Preparacin de superficies
Corte
Esmerilado y pulido
Ataque qumico

Este procedimiento permite que sea visible la naturaleza
policristalina del metal, destacando adems las impurezas, y las
diferencias en composicin, debido a que:

Como las propiedades qumica tienen naturaleza direccional, los
granos con orientacin distinta, son atacados de distinta manera
Los lmites de granos son selectivamente atacados, debido a su
conformacin singular (imperfeccin cristalina), y a que
frecuentemente contienen impurezas.
Las diferencias en la composicin, causan variaciones en el ataque
qumico, y, por tanto en la apariencia del mineral despus de la
corrosin

Imperfecciones en la estructura
cristalina
Estructuras de superficie
Puesto que las superficies de los materiales se encuentran en
condiciones distintas a los tomos internos , las posiciones de
equilibrio de estas posiciones externas son muy diferentes. Pueden
surgir dos efectos:

Relajamiento superficial. Se produce un cambio en la separacin
interatmica, de tal manera que los tomo superficiales se acercan hacia el
interior, reduciendo la separacin.
cristalina
Estructuras de superficie
Reconstruccin superficial. Cambio drstico que involucra un cambio en
el patrn atmico de la superficie respecto del que existe bajo ella.
cristalina
Imperfecciones internas
Defectos puntuales. En los metales puros el ms probable es la
vacancia. Como su nombre lo indica es un punto no ocupado por el
tomo. La concentracin de vacancias se puede evaluar como:

n
v
= N e
-(E
F
/RT)

Donde n
v
, es la concentracin de equilibrio de vacancias por unidad de
volumen, N es el nmero total de sitios de la red por unidad de
volumen, E
F
es la energa de formacin de vacancias por mol, R es la
constante de los gases, y T es la temperatura absoluta.

cristalina

Disee un tratamiento trmico que proporcione 1000
veces ms vacancias en el cobre de las que estn
normalmente presentes a temperatura ambiente. Se
requieren aproximadamente 20000 cal/mol para
producir una vacancia de Cobre, y el parmetro
reticular de dicho metal es de 0,36151 nm

cristalina
Defectos puntuales. La existencia de tomos diferentes en una
estructura, produce las otras imperfecciones probables:

El Defecto intersticial, es aquel donde tomos muy pequeos, se
posiciona en los sitios intersticiales (octadricos y tetradricos).

El Defecto de sustitucin, es aquel donde el tomo de la red original es
sustituido por otro cuya diferencia de tamao no puede ser ms all del
15%.

cristalina
En las estructuras inicas o cermicas, se pueden formar los defectos
de Frenkel y Schottky. El defecto de Frenkel implica el movimiento de
un catin de un sitio normal a un sitio intersticial, con la consecuente
creacin de una vacancia. El defecto Frenkel consiste en el par
constituido por una vacancia catinica y un catin intersticial. El defecto
Schottky es un par de vacancias catinica y aninica, debido a la
condicin de neutralidad elctrica

cristalina

Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los tomos
circundantes, distorsionando la red a lo largo de cientos de
espaciamientos atmicos, a partir del defecto. Una dislocacin que se
mueva a travs de las cercanas generales de un defecto puntual
encuentra una red en la cul los tomos no estn en sus posiciones de
equilibrio. Esta alteracin requiere que se aplique un esfuerzo ms alto
para obligar a que la dislocacin venza el efecto, incrementndose as,
la resistencia del material

cristalina
Defectos lineales. Tambin llamados dislocaciones, estos efectos
permiten deformar los materiales cristalinos, pues son los que se
desplazan o resbalan sobre los planos de deslizamiento y a lo largo de
la direccin de deslizamiento, confirindole ductilidad al material

cristalina

Una dislocacin de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial a
travs de un cristal perfecto, separndolo y rellenando parcialmente el corte
con un plano de tomos adicional. El borde inferior de este plano adicional
representa la dislocacin de borde.
cristalina

Si seguimos una trayectoria en crculo a favor de las manecillas del reloj
alrededor de la dislocacin de borde, partiendo del punto x y recorriendo un
nmero igual de espaciamientos en cada direccin, terminaramos alejados
un espaciamiento atmico del punto de llegada y. El vector que se requiere
para completar el circuito es el llamado Vector de Burgers. En este caso el
vector de Burgers es perpendicular a la dislocacin. Al introducir la
dislocacin, los tomos por encima de la lnea de dislocacin se comprimen
acercndose unos a otros, en tanto que los que quedan por debajo se
estiran, alejndose de sus posiciones de equilibrio.

Una dislocacin de tornillo se puede formar en un cristal perfecto aplicando tensiones de
cizalladura en las regiones del cristal perfecto que han sido separadas por un plano cortante.
Estas tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una regin de distorsin en
forma de una rampa en espiral de tomos distorsionados.

cristalina
Dislocaciones mixtas
cristalina
cristalina

Defectos de plano. El borde de grano
de ngulo pequeo es un arreglo de
dislocaciones que produce una
pequea desviacin de la orientacin
cristalogrfica con redes adyacentes.
Dado que la energa de la superficie es
menor que la de un borde de grado
normal, los bordes de grano de ngulo
pequeo no son tan eficaces para
bloquear el deslizamiento. Los bordes
de ngulo pequeo formado por
dislocaciones de borde se conocen
como bordes inclinados y aquellos
causados por dislocaciones de tornillo
se conocen como bordes torcidos
cristalina

Defectos de plano. Las fallas de apilamiento que ocurren en los
metales fcc, representan un error de la secuencia de apilamiento de
planos compactos. Estas fallas interfieren con el proceso de
deslizamiento
cristalina

Defectos de plano. El borde de macla es un plano que separa dos partes de un
grano que tienen una pequea diferencia en la orientacin cristalogrfica. Estas
partes de la red parecen formar una imagen especular en el plano de borde de
macla. Las maclas se producen cuando una fuerza de corte, que acta a lo largo del
borde de macla, hace que los tomos cambien de posicin. Las maclas ocurren
durante la deformacin o el tratamiento trmico de ciertos metales. Los bordes de
macla interfieren en el proceso de deslizamiento incrementando la resistencia del
metal. El movimiento de los bordes de macla tambin puede hacer que un metal se
deforme
cristalina
Microfotografa de maclas dentro de un grano de latn x 250

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