Estudio de lseres Nd:YAG a

Abrevaya, Germn; DAmbrosio, Christian a Laboratorio 5, Dto. F sica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, U.B.A. 12 de junio de 2012
Resumen Se caractiz un lser Nd:YAG mediante distintas cavidades plano-paralelas y en V. Se estudiaron la potencia o a de salida en funcin de la potencia de bombeo para cavidades plano-paralela con longitudes de (6,1 0,1) cm o entre los espejos, con reectividades del espejo dielctricos de salida de 85 %, 90 % y 94 %, obteniendos potencias e umbrales de (0,94 0,02) W, ( 0,77 0,01) W y ( 0,582 0,009) W respectivamente. Luego para el espejo de reectividad 94 % se estudi la potencia de salida en funcin de la potencia de bombeo para cavidades con o o distancias de (12 0,1) cm obteniendose una potencia umbral de ( 0,77 0,03) W y para una conguracin en o V con brazos de longituda a = (40,0 0,1) cm y b = (34,5 0,1) cm, observandose una potencia umbral=( 0,45 0,03) W. Luego, mediante un Q-Switch se analizaron los picos principales para una frecuencia de 1kHz para una conguracin practicametne alineada y para otra ligeramente desalineada. Tambin se estudi la respuesta en o e o frecuencia de la potencia de salida y las amplitudes de los picos principales, hallandose que a medida que aumenta la frecuencia la amplitud de los picos principales aumentan mientras que la potencia de salida disminuye.

1.

Introduccin o

Un lser es un dispositivo que emite luz mediante un a proceso de amplicacin ptico basada en la emisin eso o o timulada de fotones. La emisin estimulada de fotones o es un proceso en el cul el electrn de un tomo intera o a actuando con una onda electromagntica de una cierta e frecuencia cae en un nivel energtico ms bajo, transe a riendo esta diferencia de energ al campo. a Los elementos esenciales de un lser son: un mecanisa mo de bombeo, un medio amplicador y un medio de realimentacin. o El bombeo es la forma que tiene el sistema de recibir la energ necesaria para sostener la emisin lser. a o a El mecanismo puede ser a travs de luz coherente (otro e lser) o luz incoherente (una lmpara de destello, una a a reaccin qu o mica, etc.). La energ es absorbida en el a medio produciendo estados excitados. Cuando el nmeu ro de part culas en un estado excitado exceden el nmero u de part culas en un estado fundamental o en un estado menos excitado (inversin de poblacin), el mecanismo o o de emisin estimulada toma partido y el medio puede o actuar como lser o amplicador ptico. a o El amplicador o medio activo es el que recibe la energ del bombeo y la transere al haz lser que gea a nera. Pudiendo ser un medio slido (cristalino o amorfo), o un l quido o un plasma. El medio de realimentacin es un mecanismo que sirve o para realimentar la radiacin emitida por el amplicao dor. Como su gran colimacin, alta coherencia y gran o brillo. En el caso de luz, la realimentacin se logra meo diante espejos que re-inyectan una parte de la seal nuen vamente en el amplicador de luz. En esta prctica se estudiarn las condiciones de esa a tabilidad en cavidades resonantes y las caracter sticas principales de un lser de Nd:YAG. En este tipo de lser, a a 1

el medio activo es un dopaje con neodimio de cristales de xido de itrio y aluminio (N d : Y3 Al5 O12 ), una vao riedad de granate, este tipo de laceres amplican una longitud de onda caracter stica de 1064 nanmetros, en o el infrarrojo. Una cavidad resonante consiste en dos o ms espejos dispuestos de manera tal que la luz emitida a por el amplicador se reeja sobre s misma recorriendo el mismo camino ptico muchas veces. Al variar el radio o de curvatura de los espejos y la distancia entre ellos, las cavidades se dividen en cavidades estables e inestables. Las primeras tienen la particularidad de que la distribucin de intensidades dentro de la cavidad no se modica o en los sucesivos pasajes de la luz a travs de la cavidad. e En las cavidades inestables el haz va divergiendo progresivamente y realiza pocos pasajes por el amplicador. Dos posibles cavidades fueron analizadas: Cavidad plano-paralelas: Ambos espejos son planos y se disponen sobre una misma recta paralelos entre s ( gura 1). La luz producida en el mecanismo de bombeo, en este caso un lser de diodo, el cual tiene un sistema a de enfoque de dos lentes para solventar la fuerte asimetr espacial del lser diodo, incide sobre el espejo a a de entrada, el cual tiene una reectividad 99.99 %, que est depositado inmediatamente en la cara posterior de a la barra de Nd:YAG, despus el espejo de salida que e tiene una reectividad variable (entre 85 % y 98 %). Debido a que la reectividad del espejo de salida es menor al 100 % parte de la luz que est oscilando sale de la a cavidad produciendo un haz colimado cuya potencia puede ser medida a la salida del lser de Nd YAG. Este a valor depende de la distancia entre los espejos y la reectividad de estos, entre otras cosas.

Figura 1: Esquema de una cavidad plano-paralela. Cavidad en V : A diferencia de la conguracin planoo paralela, la cavidad en V tiene un espejo curvo entre el espejo de entrada y el de salida el cual reeja el haz con cierto ngulo dependiente del radio de curvatura del a lser (gura 2). El largo del brazo que une el espejo de a entrada con el espejo curvo se lo designa con la letra a mientras que el largo del espejo curvo al de salida con la letra b. Despreciando el astigmatismo que produce la incidencia en ngulo sobre el espejo curvo, esta cavidad a es estable en el rango de los parmetros a y b que se a muestra en la gura 3.

en este regimen en el cual funciona un lser. a Un Q-Switch es un cristal por el que se propaga la luz y acta como modulador acstico- ptico (MAO), el u u o cual se basa en la modicacin del o ndice de refraccin o del medio debido a la oscilacin mecnica de una onda o a sonora. Por el cambio en el ndice de refraccin se proo duce difraccin Bragg, de esta manera se modica un o levemente la frecuencia del haz de luz y la direccin del o haz, aumentando en gran medida las perdidas de la cavidad e impidiendo que esta entre en resonancia, regimen en el cual funciona el lser. a

2.

Montaje y desarrollo experimental

Figura 2: Esquema de una cavidad en V.

Se cont con una mesa estabilizada adecuada para o trabajar con sistemas pticos, en la cual se encontraba o armado un diodo lser de 810 nm. Conectado a una a fuente de corriente mediante la cual se lo controlaba. Su temperatura era controlada automticamente a mediante un termistor y una placa peltier conectados a una fuente secundaria. El haz proveniente de este lser a era colimado y luego enfocado en una barra de Nd:YAG mediante un sistema de dos lentes cil ndricas. Tanto el diodo lser como el sistema de lentes se encontraban a dentro de una caja de acr lico transparente con una abertura para que el haz de este lser, el cual ser a a utilizado como sistema de bombeo, pudiera incidir directamente sobre la barra de Nd:YAG, ubicada inmediatamente a la salida de la caja (ver gura 4).

Figura 3: Zonas estables de una cavidad en V dependiendo del largo de sus brazos. Al incidir el haz de fotones del lser de diodo, que tiea ne una longitud de onde de 810 nm, sobre el Nd:YAG se exitan electrones de sta. Al alcanzarse un cierto umbral e de inversin de poblacin, algunos electrones comienzan o o espontaneamente a bajar a estados de menor energ lia, berando energ en forma de fotones de longitud de onda a de 1016 nm. Si inciden una cantidad de fotones de esa longitud de onda llegara a incidir sobre el Nd:YAG se podria generar una emisin estimulada de fotones. Es o

Figura 4: Diodo lser utilizado como sistema de bombeo, a lentes cil ndricas para colimarlo y enfocarlo y barra de Nd:YAG. En primer lugar se realizaron mediciones de la potencia de salida del lser de diodo en funcin de la corriente a o aplicada, a travs de un medidor de potencia lum e nica Melles Griot 13PEM001. De esta manera podr amos asociar la corriente suministrada al diodo lser con la poa tencia del haz de bombeo sobre la barra de Nd:YAG para luego correlacionarla con la del haz de salida, generado por una cavidad resonante conformada parcialmente por el Nd:YAG. 2

2.1.

Cavidades paralelas

resonantes

plano-

Se construyeron cavidades resonantes compuestas por un espejo dielctrico en un extremo y en el otro la barra e de Nd:YAG, la cual pose en una de sus caras un espea jo con alta reectividad para luz de 1016 nm, del orden de 99,9 %, pero despreciable para longitudes de onda de 810 nm. Por lo que el haz proveniente del diodo lser se a transmit a travs del Nd:YAG, ingresando a la cavia e dad, pero no pod escaparse tras haber sido reejado a por el espejo del otro extremo. Con el n de alinear el espejo y el Nd:YAG tal que sus caras sean paralelas, para que resultase una cavidad estable, se emple un lser auxiliar de helio-neon Meo a lles Griot de la siguiente manera. Mediante la reexin o en dos espejos se consigui que haz incidiera de forma o normal al Nd:YAG, consiguiendo que el haz volviera sobre s mismo e incidiese sobre su origen en el lser. Cabe a aclarar que la barra de Nd:YAG se encontraba dispuesta desde el principio con una de sus caras ortogonal al eje del lser de diodo. Luego se agreg el espejo dielctrico, a o e ajustndolo hasta que su reexin tambin incidiera en a o e el origen del lser. a El paso siguiente fue bloquear el lser de helio-neon, a prender el de diodo y mover ligeramente las perillas del posicionador del espejo dielctrico hasta que se viera en e una tarjeta visualizadora de infrarrojo un punto del haz de lser generado por la cavidad. Este era fcilmente a a distinguible de la luz proveniente del diodo lser ya que a sta era en gran medida divergente verticalmente y die fusa, mientras qe la producida por la cavidad era mucho ms colimada, puntual e intensa. a El ultimo paso de la alineacin consisti en colocar o o un medidor de potencia que captara al haz producido por la cavidad (lo sucientemente alejado de sta como e para que el haz divergente originario del lser de boma beo fuera despreciable frente al de la cavidad) y seguir ajustando al espejo dielctrico hasta conseguir un mxie a mo de potencia producida. La disposicin general de la o alineacin se observa en la gura 5 o

cin experimental, al ir variando la corriente de entrada o al diodo lser con un paso de 0,1 A, desde una corriente a nula hasta 2,5 A El procedimiento completo de alineacin y medicin o o se repiti para espejos dielctricos de 85 %, 90 % y 94 %, o e todos a una distancia de (6,1 0,1) cm del Nd:YAG. Tambin se realizaron mediciones anlogas para el espee a jo de 94 % pero variando la distancia a (12,0 0,1) cm y (18,2 0,1) cm.

2.2.

Cavidad en V y Q-switching

Era apreciable el aumento de a dicultad de alineacin al incrementar la longitud de la cavidad, debido a o una mayor inestabilidad de la misma. Dado que para colocar el Q-Switch entre el espejo y la barra de Nd:YAG se requer una cavidad plano-paralela de una longitud a en el rango limite de estabilidad, se decidi construir o una cavidad con una conguracin que aumentara su o estabilidad. La cavidad armada en esta etapa fue una cavidad en V, conformada por un espejo convexo, con radio de curvatura de 50 cm y 99,98 % de reectividad, dispuesto a (40, 0 0, 1) cm de la barra de Nd:YAG, reejando el haz en direccin a un espejo dielctrico de o e 94 % de reectividad, a (34, 5 0, 1) cm del curvo. Con estos brazos de la cavidad nos aseguramos de estar en la zona de estabilidad del primer cuadrante del grco de a la gura 3.El Q-Switch se ubic entre los espejos curvo o y dielctrico. El arreglo experimental utilizado se puede e observar en la gura 6.

Figura 6: Cavidad en V utilizada para las mediciones con el Q-Switch. Para alinear esta cavidad en V se utiliz una cavio dad plano-paralela auxiliar entre el Nd:YAG y el espejo curvo. En esta etapa el Q-Switch an no hab sido colou a cado. Ajustando el espejo curvo y el dielctrico se busco e que el haz del lser de la cavidad auxiliar incidiera en a el espejo dielctrico y su reexin en ste volviera soe o e bre s mismo al Nd:YAG. Luego se removi el espejo o dielctrico auxiliar y se ajust nuevamente el dielctrico e o e de la cavidad en V hasta que sta emitiera un haz de e lser y se alcanzara un mximo de potencia, de forma a a anloga a los ultimos dos pasos de la alineacin de las a o cavidades plano-paralelas. Una vez puesto en funcionamiento el lser de la cavia dad en V se agreg el Q-Switch Intraction-AQS-272GA4, o el cual se encontraba conectado a una fuente de corriente especial, construida por los fabricantes del Q-Switch, 3

Figura 5: Arreglo experimental utilizado para la alineacin de las cavidades y posterior medicin de potencias o o de salida. Teniendo en cuenta la cavidad ya alineada, se procedi a medir la potencia de salida, sin alterar la disposio

que generaba seales peridicas cuadradas. Esto genen o raba que la cavidad estuviese de forma alternada en un estado de resonancia y en uno de prdidas mayores a las e mximas para el rgimen de lser. Es decir, que el sistea e a ma del Q-Switch hac las veces de un interruptor para a el lser de la cavidad en V, prendindolo y apagndolo a e a de forma intermitente, con un perido regulado desde la o fuente. Se midi para diferentes frecuencias del Q-Switch la o potencia del haz de salida y la amplitud de los picos principales. A pesar de tener 99,98 %, el espejo curvo permit que algo de luz se transmitiese a travs de ste, a e e generndose un lser mucho menos potente que e de la a a salida del dielctrico, por lo que fue posible registrar la e amplitud de los picos mediante un fotodiodo dispuesto a la salida del espejo curvo, conectado a un osciloscopio Tektronics 1002B, sin necesidad de emplear atenuadores externos. Adems fue necesario agregar una resistencia a de 50 en paralelo al fotodiodo para aumentar su sensibilidad temporal. Por otro lado, la potencia del lser a se midi a partir del haz saliente del espejo dielctrico. o e

Figura 8: Potencia de salida del lser Nd:YAG formana do una cavidad plano-paralela con espejos dielctricos de e 85 %, 90 % y 94 % de (6,1 0,1) cm de longitud en funcin de la potencia de bombeo. Los umbrales son (0,94 o 0,02) W, ( 0,77 0,01) W y ( 0,582 0,009) W respectivamente. Se puede inferir que todas las cavidades plano-paralela estudiadas tienen un umbral de potencia de bombeo antes del cual la potencia de salida es nula y tras el cual sta aumenta monotonamente. Se obtuvo que los e umbrales disminuyan al aumentar la reectividad del espejo dielctrico de la cavidad. Esto puede interpretare se teniendo en cuenta que al aumentar la reectividad disminuyen las prdidas de la cavidad y por lo tanto un e valor menor de potencia de bombeo ser suciente para a que el haz de fotones emitidos espontneamente por el a Nd:YAG alcancen la suciente potencia como para que vuelvan algunos luego de la reexin en el espejo del o otro extremo y logren comenzar la emisin estimulada o del Nd:YAG. Asimismo se estudio como la variacin en o la longitud de la cavidad plano-paralela para l espejo e de 94 % inu sobre el lser generado. Se dispuso el a a espejo a (12,0 0,1) cm de la barra de Nd:YAG y se realizaron nuevamente las mediciones, cuyo resultados se muestran en la gura 9.Fue notorio un aumento en la dicultad para alinear los espejos tal que la cavidad entrara en resonancia y comenzara a emitir un haz de lser. Tambin se procur fabricar una cavidad resonana e o te plano-paralela con una longitud de (18,2 0,1) cm, no obstante no se logr debido al aumento de inestao bilidad de la cavidad con su longitud y el consecuente incremento de dicultad de alineacin. o

3.

Resultados y discusiones

La curva que correlaciona la potencia de salida del lser de diodo (potencia de bombeo) con la corriente a que se le suministra est gracada en la gura 7. a

Figura 7: Potencia de bombeo -del diodo lser- en funa cin de la corriente de alimentacin. El ajuste lineal a o o partir del umbral fue y = ax + b; con a = (1,078 0,007) W/A; b = (-0,7352 0,003) W, con R2 = 99, 999 Se observa que existe un valor umbral de corriente (0,682 0,005) A tal que para corrientes menores a sta el diodo lser no emite nada, mientras que para coe a rrientes mayores la potencia emitida crece linealmente. En la gura 8 se mustra la potencia de salida de tres lseres Nd:YAG, con espejos dielctricos de 85 %, 90 % a e y 94 % formando una cavidad plano-paralela de (6,1 0,1) cm de longitud en funcion de la potencia de bombeo.

Figura 9: Curvas de potencia de salida en funcin de o la potencia de bombeo para cavidades plano-paralelas de (6,1 0,1) cm y (12,0 0,1) cm y una cavidad en V con un espejo curvo de R= 50 cm y reectividad de 99,98 % en la esquina y brazos de a = (40,0 0,1) cm y b = (34,5 0,1) cm. Las tres cavidades con espejos dielctricos de 94 % de reectividad. e El umbral de potencia de bombeo tras el cual el lser a producido por la cavidad plano-paralela de (12,0 0,1) cm result ser de ( 0,76 0,02) W, mayor que el de la o cavidad de (6,1 0,1) cm, lo cual puede deberse a que el aumento de la longitud de la cavidad genera ms perdia das, por lo que se necesita una mayor potencia para que comience la emisin estimulada. Por la misma razn, el o o crecimiento de la potencia de salida en funcin de la de o bombeo es mucho menor a medida que se aumenta el tamao de la cavidad. En este trabajo tambin se quiso n e estudiar los primeros instantes en los que se enciende un lser, y para esto se utilizar un dispositivo Q-Switch. a a Pero debido a la necesidad de mayor espacio entre la barra de Nd:YAG y el espejo para poder ubicar al QSwitch, y al aumento de dicultad en la alineacin de o cavidades plano-paralelas al incrementar su longitud, es que se decidi emplear una cavidad en V con un espejo o curvo. Esta eleccin result justicada, ya que se consio o gui armar y alinear una cavidad en V con brazos a = o (40,0 0,1) cm y b = (34,5 0,1) cm, distancias mucho mayores que las alcanzadas mediante cavidades planoparalelas. En la gura 9 se puede apreciar que, incluso con la gran diferencia de distancias entre sus componentes, la cavidad en V posee un umbral an menor que la u cavidad plano-paralela de (6,1 0,1) cm, lo cual apoya la hiptesis de la mayor estabilidad y menor cantidad o de perdidas de la conguracin en V. En el caso de esta o cavidad, la potencia de salida ya no result montona o o creciente con la potencia de bombeo como en los casos de las anteriores cavidades. subsectionQ-Switching Al interponer el Q-Switch dentro de la cavidad en V alimentndolo con seales peridicas de corriente con a n o forma cuadrada se registraban en el osciloscopio respuestas como las que se muestran en la gura 10.

Figura 10: Captura de la pantalla del osciloscopio que muestra un semi-per odo de la salida del lser de la cavia dad en V al colocar el Q-Switch, levemente desalineado, con una frecuencia de (1 0,03) KHz. En este primer caso el Q-Switch fue dispuesto levemente desalineado. Se puede ver que al cerrar el circuito el Q-Switch, se produce una oscilacin en la salida o del lser, con picos de sucesiva menor amplitud en un a principio y una posterior estabilizacin. Esto se puede o interpretar de la siguiente manera. El lser de bombeo a excita a electrones del Nd:YAG, aumentando la inversin o de poblacin hasta alcanzar un valor umbral tras el cual o el material comienza a emitir fotones espontneamente. a Sin embargo la disminucin de inversin de poblacin o o o que esto conlleva se revierte rpidamente debido aque a la tasa con la que el bombeo excita electrones sobrepasa a la pequea tasa de emisin espontanea. Mientras n o el Q-Switch desv a los fotones que pasan a travs de a e ste, los fotones emitidos espontneamente no vuelven al e a Nd:YAG debido a la desviacin y a las prdidas intr o e nsecas de la cavidad. En el momento en que el Q-Switch deja de desviar la luz, algunos de esos fotones regresen al Nd:YAG y comienzan la emisin estimulada de otros o fotones, parte de los cuales atraviesan al espejo curvo y son detectados por el fotodiodo, generando el primer pico en el osciloscopio. Al no encontrarse perfectamente alineada la conguracin, los fotones que comienzan la emisin estimulada, o o si bien disminuyen en gran medida la inversin de poblao cin, no son sucientes como para interactuar con todos o los estados excitados. Como el tiempo de uorescencia del Nd: YAG es del orden de los 230s [1], y la distancia entre picos es del orden de los 17s, el Nd:YAG no tiene tiempo para restituir completamente la inversin o de poblacin. Posiblemente por esta razn es que en un o o principio los picos secundarios que se observan tienen menor amplitud que su precedente, producidos principalmente por los estados excitados que no pudieron interactuar con fotones en la emisin del pulso anterior. o Y la ultima etapa, con amplitud relativamente constan te, puede deberse a que la inversin de poblacin del o o Nd:YAG disminuy tanto que cada pulso es generado o interactuando con todos los estados excitados restantes,

por lo que para la generacin de los siguientes pulsos o slo hay tantos electrones excitados como se llegaron a o producir por el bombeo en el intervalo de tiempo entre pulsos. Al alinear mejor el Q-Switch, una mayor cantidad de fotones emitidos espontaneamente vuelven al Nd:YAG interactuando con la mayor cantidad de estados excitados. Es por esto que los picos secundarios son todos de una amplitud mucho menor que la del principal, no pudiendose distinguir del ruido, como se observa en la gura 11.

el Q-Switch difracta la luz en un tiempo superior al tiempo de uorescencia del lser. En 3kHz el pico vaa le 17.5mV y luego disminuye bruscamente hasta 6.6mV a los 5kHz. Para este rango de frecuencias, el tiempo el cual el Q-Switch permite producir emisin estimuladas o -la mitad del per odo- es del orden del tiempo de uorescencia, por lo que para frecuencias levemente mayores, el per odo disminuye por debajo del tiempo de uorescencia y el Nd:YAG no alcanza a excitar la misma cantidad de estados que con las frecuencias menores y por esta razn podr ser que la altura de los picos empieza a o a decrecer. En contraposicin la potencia aumenta hasta o 3kHz y desde ah hasta los 5kHz aumenta bruscamente de 51mW a 143mW y luego se mantiene aproximadamente constante. Esto se debe a que la mayor parte del tiempo del periodo el lser emite muy poca potencia. El a pico principal que dura un instante, y el resto del tiempo hay oscilaciones secundarias de muy baja amplitud. Al acortarse el per odo, se est sacando tiempo de picos sea cundarios, aumentando la cantidad de picos principales por unidad de tiempo, por lo que aumenta la potencia integrada por el medidor de potencia, a pesar de que los picos principales vayan disminuyendo su amplitud. Sin embargo, llega un punto en que los picos principales son de tan baja amplitud que aunque aumenten su frecuencia, la potencia integrada por el medidor no var a mucho, mantenindose aproximadamente constante. e

Figura 11: Captura del monitor del osciloscopio al ajustar mejor el Q-Switch. Luego para esta ultima conguracin, donde los picos o secundarios son despreciables, se fue variando la frecuencia y midiendo la altura de los picos con el fotodiodo y la potencia con el medidor de potencia. A partir de esto se confeccion la el grco de la gura 12. o a

4.

Conclusiones

Figura 12: Potencias de salida y amplitudes de picos principales en funcin de la frecuencia del Q-Switch. o Se observa que a frecuencias desde 0,1kHz hasta 3 kHz los picos se mantienen en valores cercanos a 17mV. La pequeez de las variaciones para estas frecuencias se den be a que frecuencias menores a 3 kHz, en cada per odo, 6

Se observo, en el caso del lser de diodo, que a medida a que aumenta la corriente la potencia de este es prcticaa mente nula hasta llegar a una corriente umbral (0,682 0,005) en la cul la potencial empieza a aumentar lineala mente. Para conguraciones plano paralelas de (6,1 0,1) cm , la potencia umbral del lser Nd-YAG aumenta a a medida que aumenta la reectividad. Para reectividades de 85 %, 90 % y 94 %, las potencias umbrales son (0,94 0,02) W, ( 0,77 0,01) W y ( 0,582 0,009) W respectivamente. Esto podr deberse a que a medida a que la reectividad aumenta mayor cantidad de fotones que se reejan se reinyectan sobre el Nd-YAG produciendo mayor cantidad de fotones por los estados exitados. Luego para las tres conguraciones las potencias medidas empiezan a aumentar monotonamente a medida que aumentamos la potencia del lser diodo. Sin embargo, a no aumentan linealmente como el lser diodo esto puede a deberse a uctuaciones trmicas. Ya que a diferencia del e lser diodo, el Nd:YAG no tiene ningn artefacto que a u permita regular la temperatura para solventar este problema. Para una reectividad de 94 % se observa que a medida que se aumenta la distancia de (6,1 0,1) cm a (12 0,1) cm la potencia umbral aumenta a ( 0,77 0,03) W y el crecimiento de la potencia en funcin de la o potencia de bombeo disminuye. Ambos efectos se pueden explicar debido al hecho que a medida que se aumente la longitud de la cavidad, aumentan las perdidas debido al aumento de inestabilidad de la cavidad con su longitud y el consecuente incremento de dicultad de alineacin. o

Por esta razn tampoco se pudo fabricar una cavidad reo sonante plano-paralela con una longitud de (18,2 0,1) cm. Para una conguracin en V con brazos de longitud a o = (40,0 0,1) cm y b = (34,5 0,1) cm, y reectividad 94 %, se observ una potencia umbral=( 0,45 0,03) o W menor a las obtenidos en el caso plano paralelo. Esto se debe a que esta conguracin es mucho ms estable o a que una conguracin plana ya que las perdidas debido o a razones de ptica geomtrica son mucho menores por o e la lente convergente. Dela misma manera que en las conguraciones plano paralelas, la falta de monoticidad de la potencia de salida en funcin de la de bombeo para la o cavidad en V puede ser una consecuencia del cambio de ndices de refraccin con el cambio de temperaturas proo ducido al incidir los haces en las distintas componentes de la cavidad. A una frecuencia de 1kHz, cuando el Q-Switch no se encuentra adecuadamente alineado, en cada periodo se observan picos, aproximadamente equiespaciados a aprox. 50s, que van disminuyendo su altura a medida que avanza el tiempo en ese periodo. Esto se debe a que como el tiempo entre picos es inferior al tiempo de uorescencia del Nd:YAG (aprox. 230s). Entre pico y pico, los productores de cada pico son los estados excitados que no fueron excitados en el pico anterior ms los genea rados en los aprox. 50s por el lser de bombeo. Como a este tiempo es mucho menor que el de uorescencia, se observa que al mejorar la alineacin ms fotones son re o a inyectados por lo que el primer pico se produce bastante ms pronunciado, y los picos secundarios, al no tener casi a estados excitados del pico anterior, son tan despreciables que no se pueden distinguir del ruido del osciloscopio. Se

observa que la potencia crece a medida que aumenta la frecuencia del Q-switch debido a que el medidor de potencia integra en el tiempo la cantidad de potencia, al aumentar la potencia se aumenta la cantidad de picos primarios, por lo tanto aumenta la potencia. Sin embargo a potencias grandes los picos disminuyen su altura por lo tanto aunque hayan ms picos, stos no son tan a e pronunciados como a frecuencias ms bajas. Los picos a a frecuencias menores que 3kHz permanecen prcticamena te sin cambios signicativos y disminuyen drsticamente a su valor entre 3kHz y 5kHz. Esto se condice con que, al estar el Q-Switch modulado por una seal cuadrada, en n cada per odo el tiempo que el Q-Switch no desv la luz a para 3kHz es 166us el cul tiene el mismo orden de maga nitud que el tiempo de uorescencia. Por lo tanto Este es un buen mtodo para medir tiempo de uorescencia e para diferentes medios activos.

5.

referencias

[1] Lser de Nd:YAG. Cavidades. G. Capeluto, A. a Amador y F. Rausch.

6.

Bibliograf a

[1] Gu Lser, Ctedra de Laboratorio 5, Departaa: a a mento de F sica de la UBA. [2] Diodelaser Pumped Nd : YAG Laser, Prof. Dr.-Ing. Dickmann, Fachbereich Physikal. Technik [3] www.rp-photonics.com [4] spie.org [5] www.wikipedia.com