INSTITUTO TECNOLOGICO DE ORIZABA

ORIZABA, VERACRUZ

MATERIA: ELECTRONICA

PROFESOR: ING. MARTINEZ NAVARRO EMMANUEL

PRESENTA: HERNANDEZ SANCHEZ ERIC GABRIEL

No. 09010908

TRABAJO DE INVESTIGACION:

Transistor tipo bjt

03 NOVIEMBRE 2010

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INTRODUCCION. El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc. Compuesto de un material semiconductor que amplifica una seal o abre o cierra un circuito. Inventado en 1947 en Bell Labs, los transistores se han vuelto el principal componente de todos los circuitos digitales, incluidas las computadoras. En la actualidad los microprocesadores contienen millones de transistores microscpicos. Previo a la invencin de los transistores, los circuitos digitales estaban compuestos de tubos vacos, lo cual tena muchas desventajas. Eran ms grandes, requeran ms memoria y energa, generaban ms calor y eran ms propensos a fallas. Los transistores cumplen oscilador, conmutador o rectificador. las funciones de amplificador,

El transistor bipolar fue inventado en los laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (recibieron el Premio Nobel de Fsica en 1956). El transistor bipolar est constituido por un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediantemecnica cuntica.

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TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.

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El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor. El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces: - Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base). Ic = * Ib - Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa. Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc.

En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a ms corriente la curva es ms alta.

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ESTRUCTURA

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la baseemisor. La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .

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El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

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FUNCIONAMIENTO

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar. En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin baseemisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin basecolector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

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Control de tensin, carga y corriente La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo). En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll. El Alfa y Beta del transistor Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est representada por F o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, F. La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar: 1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este
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parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito.

2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.

3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic). 4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.

El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. Para encontrar el circuito PNP complementario: 1. 2. Se sustituye el transistor NPN por un PNP. Se invierten todos los voltajes y corrientes.

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CONCLUSION. Un transistor aumenta la corriente que se le d entrada Un transistor puede ser de Germanio o de Silicio Un transistor se quema de los 40v en adelante Un transistor comienza a funcionar por lo regular y en condiciones ideales en los 0.7v Un transistor no conduce en polarizacion inversa.

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