Instituto Politécnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica

y Eléctrica
Unidad Profesional: Adolfo López
Mateos, Zacatenco
Carrera: Ingeniería en Comunicaciones y
Electrónica

Dispositivos

Profesor: Reyes Aquino Jose

Alumno: Villegas Huerta Elioth Uriel
Boleta: 2021301796 Grupo:
5CV4
Turno: Vespertino
 Practica 05-Polarizacion
PRACTICA No. 5
“TRANSISTOR BIPOLAR“
Objetivos:
1. Identificar las terminales del transistor bipolar

2. Medir la corriente de fuga ICBO y su variación con la

temperatura
3. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unión baseemisor
y de la unión colector-base de un transistor bipolar de silicio
de tecnología planar.
4. Obtener las curvas características de entrada del transistor
bipolar en configuración de emisor común. Observar su
variación con e lvoltaje de colector-emisor.
5. Obtener las curvas características de salida del transistor
bipolar en configuración de emisor común. Observar y
reportar su variación con la temperatura. Identificar las
regiones de operación corte, saturación y activa directa.
Conceptos Básicos:

Transistor Bipolar
Distintos encapsulados de transistores.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de
transfer resistor (resistencia de transferencia).
Los transistores son componentes esenciales para nuestra
civilización porque toda la electrónica moderna los utiliza, ya sea
en forma individual (discreta) como también formando parte de
circuitos integrados, analógicos o digitales, de todo tipo:
microprocesadores, controladores de motores eléctricos,
procesadores de señal, reguladores de voltaje, etc.
Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres
domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores,
reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavarropas
automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas,
relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras,
lámparas fluorecentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos,
etc.
Sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el
transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EEUU
en Diciembre de 1942 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y
William Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados con el
Premio Nobel de Física en 1956.
Sus inventores lo llamaron así por la propiedad que tiene el
transistor de cambiar su resistencia al paso de la corriente
eléctrica que lo atraviesa —entrando por uno de los 3 terminales
(el "emisor") y saliendo por otro (el "colector") en función de la
mayor o menor corriente eléctrica que, para excitarlo, se inyecte
en el tercero (la "base")—.
El transistor bipolar consta de un sustrato y tres partes
contaminadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el
emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta
y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el
paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los
transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de
los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos.
Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica
cuántica, luego en realidad el transistor es un dispositivo cuántico.
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como
los diodos, puede ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del
flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
gráfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes
nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre,
el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de
transistor.
 T1 !NPN T2 !PNP

Transistor NPN Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que

si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas
(base), el entregará por otra (emisor) , una cantidad mayor a ésta,
en un factor que se llama amplificación.
Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor
de amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = β * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor
que Ic, sólo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el
otro caso sale de el, o viceversa.
Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje
que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la
corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.
En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para
poder entender que a mas corriente la curva es mas alta

Material:
✓ Osciloscopio de doble trazo
✓ Generador de señales
✓ Multímetro analógico y/o digital
✓ Una pinza de punta
✓ Una pinza de corte
✓ 6 cables caimán – caimán de 50cm.
✓ 6 cables caimán – banana de 50cm.
✓ 6 cables banana – banana de 50cm.
✓ 4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminación bnc
y en el otro caimanes
✓ Tablilla de conexiones (protoboard)
✓ Fuente de voltaje C.D. (variable)
 ✓ Fuente de corriente C.D. (variable)
✓ 1 transistor de germanio NPN AC127
✓ 4 transistores de silicio NPN BC547 ✓ 4 resistores de 1k a ½
watt.
✓ 1 resistor de 100k a ½ watt.
✓ 1 Encendedor

Experimentos:

1. Es requisito que para antes de realizar la práctica el alumno

presente por escrito y en forma concisa y breve los siguientes
puntos sobre el transistor bipolar:

a) Símbolo
b) Construcción interna
c) Diagrama típico de uniones
d) Modelo matemático
e) Comportamiento gráfico de entrada y salida
f) Parámetros principales y su definición
g) Circuitos equivalentes
 h) Parámetro “h”
i) Polarización típica.
El profesor deberá revisar que el alumno cumpla con este punto
antes de entrar a laboratorio, así como que se presente con los
circuitos correspondientes debidamente armados, de NO
satisfacer estas indicaciones el alumno NO tendrá derecho a
quedarse en el laboratorio y se le considerará como falta al mismo.
2. Identificar las terminales del transistor bipolar.

Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales

de un transistor bipolar y si éste es NPN o PNP, sin embargo se
recomienda que siempre se consulten las hojas de
especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican
como están ubicadas las terminales de emisor, colector y base.
En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicación es
correcta y que el dispositivo esté en buen estado.
En el caso que no se cuente con la información suficiente,
mediante algunas mediciones realizadas en el laboratorio, es
posible identificar las terminales de los transistores bipolares y el
tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.
2.1 Usar el multímetro en su función de óhmetro y
aplicar la prueba conocida como “prueba del amplificador”
e identificar las terminales del transistor.

a) Use un multímetro analógico en su función de óhmetro.

Mida el efecto rectificante entre las uniones emisor –
 base y colector – base (para el caso de un transistor
NPN, cuando se coloca el positivo de la fuente interna
del óhmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera
de las otras dos terminales deberá medirse baja
resistencia, al invertir esta polaridad, la resistencia
medida deberá de ser alta (use la misma escala del
multímetro para la realización de éstas pruebas). Entre
las terminales de colector – emisor se observará alta
resistencia sin importar como se coloque la polaridad de
las terminales del óhmetro. Con estas mediciones se
comprueba la existencia de las uniones rectificantes
en el transistor bipolar y el tipo de transistor NPN o PNP.
Para distinguir la terminal del colector de la terminal de
emisor, será necesario aplicar la “prueba del
amplificador”.
b) Habiendo identificado la terminal de base de las otras
dos terminales y el tipo de transistor NPN o PNP, la
prueba del amplificador consiste en lo siguiente:
Para el caso del NPN, conectar el positivo del óhmetro a la
terminal que supuestamente es el colector y el negativo al emisor,
la lectura que debe de aparecer en el óhmetro es de alta
resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre el
colector y la base ( esto es equivalente a colocar entre estas
terminales una resistencia del orden de M ohms) y observar la
disminución de la resistencia medida entre colector – emisor,
cuando la terminal que se elige como colector es la correcta esta
disminución en el valor de la resistencia es considerable, si la
terminal elegida como colector no es tal, sino la de emisor, al
efectuar dicha prueba la disminución de la resistencia no será tan
importante. Para estar seguro de cuál es cual, deberán realizarse
ambos casos y comparar las resistencias medidas.
2.2 Otra forma que permite identificar las terminales
de este dispositivo es mediante el uso de un multímetro
digital que nos permita medir la “beta” del transistor. Esto
es que elegimos en el multímetro digital la función de
medición de la beta, colocamos las terminales del
transistor como creamos que están correctas y midamos la
beta, cuando el dispositivo está correctamente colocado la
beta medida, generalmente es grande (en la mayoría de
los casos mayor a 50), cuando no está bien colocado la
beta
que se mide es pequeña (en la mayoría de los casos menor a 20 y
en algunos casos indica circuito abierto.)
2.3 Después de identificar las terminales de sus
transistores bipolares, dibújelos en isométrico en la figura
1, indicando donde está el colector, el emisor y la base.
Figura 1 Dibujo isométrico del Transistor Bipolar indicando la base,
el emisor y el colector en un NPN y en un PNP

T1 !NPN T2 !PNP

NPN PNP
Figura 2 Símbolos del transistor

3. Medir la corriente de fuga icbo y su variación con la

temperatura
Al igual que en los diodos (uniones rectificantes) se tuvo la
presencia de corrientes de fuga (generadas por los portadores
minoritarios), en los transistores bipolares también se presentan,
de tal forma si polarizamos inversamente en cualquier par de
terminales del transistor se podrán medir estas corrientes. Según
el par de terminales que elija, la corriente tendrá valores
diferentes aunque del mismo orden de magnitud, es importante
recordar que estas corrientes son muy pequeñas comparadas con
las corrientes de operación del dispositivo y que además para el
caso del silicio son mucho menores que para el germanio. En la
expresión matemática que se usa para la corriente de saturación
inversa colector – base con el emisor abierto, en la figura 3 se
propone un circuito para medir esta corriente y observar como
varía con la temperatura. Para ésta medicion usaremos el
transistor de germanio AC127.
 Rc 1k

ICBO +
A AM1
Vc 5V

AC127

Figura 3 Circuito propuesto para medir la corriente ICBO y su

variación con la temperatura usando el transistor de germanio.

ICBO = ICO = __4.65_mA________ a temperatura ambiente

ICBO1 = ICO1 = ____4.83_mA_______ a temperatura mayor que la
ambiente
Para aumentar la temperatura acerque un cerillo encendido por
cinco segundos.
4. Observar y medir el voltaje de ruptura de la union base –
emisor y de la unión colector – base de un transistor bipolar
con tecnología planar.
Actualmente la gran mayoría de los transistores bipolares están
construidos con tecnología planar, en ellos las regiones del emisor,
base y colector presentan diferentes concentraciones de
impurezas y tamaños, debido a las características de construcción
que se tienen en las uniones emisor – base y colector – base, el
voltaje de ruptura que se presenta en la unión emisor – base es
menor que el que se presenta en la unión coelctor – base,
llegándose en la práctica a generalizar diciendo; que la unión
emisor – base de un transistor bipolar de silicio se comporta como
un diodo Zener.
Arme el circuito de la figura 4 y obtenga la curva del diodo emisor
– base, posteriormente desconecte en emisor, conecte el colector
y obtenga la curva del diodo colector – base, use una señal
senoidal con voltaje pico entre 10 y 12 V a una frecuencia entre 60
Hz y 1 KHz.
Canal 1 (X)

T1 BC547
10V 1kHz +

R1 1k

Canal 2 (Y)
Invertido

Figura 4.a… Circuito propuesto para obtener la curva del diodo

emisor base y colector base de un transistor bipolar.

Figura 4.b…Curva del diodo emisor - base

Reporte el Voltaje al cual rompe la unión emisor – base VEB=
___9V______
Figura 4.c…Curva del diodo colector - base
5. Obtener las curvas carácterísticas de entrada del transistor
bipolar en configuración emisor común. Observar su
variación con el voltaje de colector – emisor.
Armar el circuito de la figura 5 (observar que este circuito es
semejante al de la figura 4, solo haga los cambios necesarios), el
cual permite obtener el comportamiento de la unión emisor –
base del transistor bipolar y observar su variación con el voltaje de
colector – emisor.
Señal pulsante o
diente de sierra

Canal 1 (X) Rc 1k
+
T1 BC547 V VM1
+
12Vp 120Hz +
Rb 100k Vcc 5

Canal 2 (Y)
Invertido

Figura 5.a… Circuito propuesto para obtener el comportamiento

del diodo emisor – base en un transistor bipolar y su variacion
con el voltaje colector – emisor.

Figura 5.b… Curvas caracteristicas de entrada del transistor bipolar

 Reporte en la tabla 1 los valores medidos de corriente en la base
para los diferentes voltajes de base – emisor
Is (µA) VBE (V) VBE (V) VBE (V)
medida sobre medido sobre medido sobre medido sobre
la curva del la curva del la curva del la curva del
diodo emisor diodo emisor diodo emisor diodo emisor
- base – base – base – base
cuando cuando cuando
VCE=0V VCE=0.5V VCE=5.0V

20µA 0.7 0.80 0.76

100µA 0.7 0.81 0.81

150µA 0.7 0.78 0.75

Tabla 1.
6. Obtener las curas características de salida del transistor
bipolar en configuración de emisor común. Observar y
reportar su variación con la temperatura.
Armar el circuito de la figura 6 y obtener una a una las curvas
características de salida del transistor bipolar emisor – común,
para diferentes corrientes en la base.
Ib Ic
Canal 1(x)
AM1
Señal Pulsante
+ A T1 !NPN U1
12V pico 120Hz

IG1 Rc 1k
Canal 2(y)
Invertido
Figura 6.a… Circuito propuesto para obtener las curvas
características de salida del transistor bipolar.

Figura 6.b… Ejemplo de curvas características de salida del

transistor bipolar ubicando las regiones de corte, saturación y
activa directa.

Figura 6.c…Curvas características del transistor bipolar

Reporte los valores medidos de corriente de colector para los
valores de voltaje colector – emisor solicictados en la tabla 2, elija
los valores adecuados para la corriente de base, tal que la IB, haga
que el transistor bipolar trabaje en la región de corte, los valores
de IB2 y IB3 lo hagan trabajar en la región activa directa (de
amplificación) y la corriente IB4 lo lleve a la región de saturación.
CORRIENTE MEDIR LOS VALORES DE CORRIENTE DE COLECTOR IC (mA) PARA
EN LA CADA UNO DE LOS VALORES
BASE (µA)

VCE=0V VCE=2V VCE=4V VCE=6V VCE=8V VCE=10V VCE=12V

IB1 CORTE= 0 0.02 0.03 0.04 0.06 0.10 0.13

IB2 ACTIVA 0.01 0.07 0.09 0.04 0.10 0.11 0.13

IB3 ACTIVA 0.01 0.08 0.09 0.09 0.11 0.13 0.11

IB4 SATURA 0.04 0.09 0.09 0.09 0.09 0.10 0.91

Tabla 1.
Fije la corriente de base en el valor de IB3 (región activa),
acerque un cerillo encendido al transistor bipolar por 5 seg. Y
observe que le pasa a la corriente de colector. Diga si aumenta
o disminuye la corriente

______Aumenta cuando llega 4.5 mA_____________________

Reporte en la gráfica de abajo la curva característica de salida del

transistor bipolar para la IB3 a temperatura ambiente y a mayor
temperatura. Ilustre sobre la misma gráfica el cambio con
diferentes colores de tinta.
 Figura 7 Curva característica de salida en configuración de
emisor común para el transistor bipolar a dos diferentes
temperaturas y considerando la corriente en la base constante.

Cuestionario
1. Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar
en el cual la unión emisor – base esté polarizada
directamente y la unión colector – base presente
polarización cero.
UNION EMISOR - BASE

UNION COLECTOR - BASE

2. Determine el valor de la alfa (α) para las lecturas que se
realizaron en el circuito de la figura 2
R= 1.05
3. Escriba la expresión matemática que se usa para
determinar el aumento de la corriente de fuga en una
unión rectificante cuando aumenta la temperatura,
hágalo tanto para el caso del silicio como para el
germanio
 Silicio Germanio
4. Defina que otras corrientes de fuga pueden obtenerse
entre las terminales de un transistor bipolar e indique
con que literales se conocen.
La corriente de fuga con terminal abierta
5. Proponga un circuito que permita obtener la corriente
de fuga de la unión emisor – base con el colector corto –
circuitado.

6. ¿De qué orden es el voltaje de ruptura colector – emisor

en el transistor de silico BC547?
De segundo orden

7. A partir de la tabla 2 obtenga las curvas características

de salida del transistor bipolar en emisor común.
 8. Proponga el circuito equivalente de parámetros “h” para
el transistor bipolar en emisor – común y defina cada
uno de los parámetros “h”
Hei = La impedancia de entrada del transitor
Hre = Representa la dependencia de la curva IB - VBE del tránsito
en el valor VBE
Hfe = La ganacis de corriente del tránsitor
Hoe = La impedancia de salida del tránsitor
 9. A partir de ls curvas características de la pregunta 7,
obtenga los parámetros hfe, hoe, para la gráfica que
obtuvo con la corriente de IB3 y un VCE=4V
respectivamente.
683.78

10. Cuando la corriente en la base es cero, ¿Cuánto debe de

valer la corriente de colector?
Es y debe ser a cero
11. Usando los datos de la tabla 1, obtenga las curvas
características de entrada del transistor bipolar en
emisor común

12. Determine los parámetros híbridos hie, hre usando las

gráficas de la pregunta anterior para una corriente de
base de 40 µA
Para Hfe = 175000
Para Hre = 1.4
13. Anote sus conclusiones
Se logran observar las configuraciones de un transitor ipolar
ademas de su funcionamiento del cual puede emplearse en
cualquier ambito de la electronica digital y la analogica.
14. Anote su bibliografía consultada
Ecured.com
Mecatronicalatam.com