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2.1. Modelo Re (Análisis)

El documento analiza el uso de transistores BJT como amplificadores en configuraciones de emisor común, base común y colector común, destacando sus características, eficiencia y modelos de análisis. Se enfatiza la importancia de la polarización y el uso de circuitos equivalentes para determinar parámetros como impedancias y ganancia de voltaje. Además, se presentan ejemplos prácticos de cálculo de impedancias y ganancias en diferentes configuraciones.
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2.1. Modelo Re (Análisis)

El documento analiza el uso de transistores BJT como amplificadores en configuraciones de emisor común, base común y colector común, destacando sus características, eficiencia y modelos de análisis. Se enfatiza la importancia de la polarización y el uso de circuitos equivalentes para determinar parámetros como impedancias y ganancia de voltaje. Además, se presentan ejemplos prácticos de cálculo de impedancias y ganancias en diferentes configuraciones.
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2.1.

ANÁLISIS EN AC DEL CON BJT


El transistor se puede emplear como un dispositivo amplificador. Es decir, la
señal senoidal de salida es mayor que la de entrada, o, dicho de otra manera,
la potencia de AC de salida puede ser mayor que la potencia de AC de
entrada.
Cómo es que la Po > Pi AC?
La conservación de la energía dice que, con el tiempo la Po de un sistema no
puede ser mayor que su Pi y que la eficiencia η=Po / Pi no puede ser mayor a 1.
El factor que incide es el de entrada es la potencia de DC aplicada. Es un
contribuyente a la potencia de salida total aun cuando una parte de ella se
disipe por el dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, existe un
“intercambio” de potencia de DC con el dominio de AC que permite establecer
una potencia de AC de salida más alta.
Se define una eficiencia de conversión η=Po ( AC ) / Pi ( DC )
Considerar la red DC de la figura, donde se indica la dirección de flujo
resultante con una gráfica de la corriente i contra el tiempo.

Insertando un control de mecanismo constante como el de la figura. El


mecanismo de control es tal que la aplicación de una señal relativamente
pequeña al mecanismo de control es capaz de producir una excursión
sustancial en el circuito de salida.

Se evidencia que i AC ( p− p ) ≫ iC ( p− p)
El transistor se puede implementar en emisor común (EC), base común (BC) o
colector común (CC). Cada una de estas configuraciones posee ventajas y
desventajas una respecto de las otras, siendo la de EC la más recurrida a la
vez que es la de mejor respuesta en la mayor parte de las aplicaciones.
Cada configuración obtiene diferentes coeficientes de ganancia de voltaje ( AV ),
así como diferentes impedancias tanto de entrada como de salida.
A continuación, vemos un resumen de las principales características de cada
uno de los tres posibles montajes:

Montaje ( AV ) Desfasaje (V) Zi Z0

E. C. Alta 180º media media

B. C. Alta 0º baja alta

C. C. <1 0º alta baja

La implementación BC posee una mayor AV frente a los otros dos. También


tiene Z ¿ ↓ , lo que lo hace bastante inadecuado para operar en circuitos de baja
frecuencia (BF).
La implementación CC se logra una muy baja distorsión sobre la señal de
salida y, junto con el montaje en BC, es bastante idóneo a la hora de diseñar
adaptadores de impedancia.
Existen tres modelos de uso muy común en el análisis de AC de pequeña señal
pequeña de redes de transistores: el modelo r e , el modelo π híbrido y el
modelo equivalente híbrido. Este apartado se ocupa de los tres, pero hace
hincapié en el modelo r e .
Es útil tener en cuenta que: “El teorema de superposición es aplicable al
análisis y diseño de los componentes de DC y AC de una red BJT, lo que
permite separar el análisis de las respuestas de DC y AC del sistema”.
En otras palabras, se puede efectuar un análisis de DC completo de un sistema
antes de considerar la respuesta de AC. Una vez hecho el análisis en DC, la
respuesta de AC se determina mediante un análisis completo de AC.
Con esta subdivisión se analiza el sistema mediante dos circuitos sencillos, con
lo cual, gracias a la teoría de la superposición, lo que ocurrirá será que la
respuesta total resultará de la suma de los datos obtenidos en los dos circuitos
en que se descompuso al original.
2.1.1. MODELOS DEL BJT
La clave para el análisis de pequeña señal de un transistor es el uso de
circuitos equivalentes (modelos).
Un modelo es una combinación de elementos seleccionados, que simula
de forma aproximada el comportamiento real de un dispositivo
semiconductor en condiciones específicas de operación.
Una vez que se determina el circuito equivalente de AC, el símbolo
esquemático del dispositivo puede ser reemplazado por este circuito
equivalente y los métodos básicos de análisis de circuitos aplicados para
determinar las cantidades deseadas de la red.
Es importante que conforme avance a través de las modificaciones de la red
defina el equivalente de AC para que los parámetros de interés como Zi , Z o, I i
e I o, definidos por la siguiente figura

En ambas redes la Zi se define con respecto a tierra, la I i como la corriente de


base del transistor, el V o como el voltaje del colector a tierra, y la I o como la
corriente que fluye a través de la carga R L.
Amplificación
Es la aplicación práctica más importante para la que se usan los transistores. El
diagrama muestra una etapa amplificadora en EC:

El transistor tiene por polarización por división de voltaje. Como se sabe, un


capacitor en altas frecuencias se comporta como un cortocircuito
mientras que a bajas frecuencias se comporta como un circuito abierto
para C.C.
Se analiza el circuito en DC, para ello se procede así:
1º) Se cortocircuita el generador de entrada de alterna.
2º) Se consideran los capacitores como circuitos abiertos.
3º) Se analiza el circuito resultante.
Abriendo C1, C2 y C3 y cortocircuitando al generador de entrada en el circuito se
obtiene el circuito resultante siguiente:
Ahora, y con las referencias ya explicadas, se procede a la resolución del
circuito resultante. Con estos datos se obtiene el punto de polarización (Q).
Para el análisis en AC se recurre a las siguientes reglas:
1º) Se cortocircuita las fuentes de DC.
2º) Se considera a los capacitores como cortocircuitos.
3º) Se estudia el circuito resultante.
En la figura se observa la forma para obtener el circuito resultante AC:
2.1.2. MODELO r e PARA EMISOR COMÚN
En el lado de entrada, el voltaje aplicado V i es igual al V be con la corriente de
entrada como la I b. El lado de entrada es un diodo con una corriente I e.

Sin embargo, se tiene que agregar un componente a la red que establecerá la


corriente I e de la figura anterior utilizando las características de salida.

Este modelo se puede mejorar reemplazando el diodo por su resistencia


equivalente determinada por el nivel de I E . La resistencia de un diodo la
determina
26 mV 26 mV
R D= o re=
ID IE

Para el circuito de entrada se tiene


Vi V be
Zi = ⟹ Z i= ∴ V be =I e r e ⟹ V be =( I c + I b ) r e ⟹
Ib Ib
V be =( β I b + I b ) r e ⟹ V be =( β +1 ) I b r e reemplazando en Z i
( β +1 ) I b r e
Zi = ⟹ Zi =( β+1 ) r e ≅ β r e
Ib

El resultado es que la impedancia de entrada se puede expresar como la I c


sigue estando vinculada a la corriente de entrada por β .

Para el circuito de salida


La corriente de salida está definida por el nivel de β e I c, por lo tanto, la ZO se
determina de acuerdo a las curvas características de salida del BJT. La
pendiente de cada curva definirá una resistencia en ese punto como sigue:

△y △ Ic 1 △ V ce
m= ⟹ m= ⟹ m= ⟹ r o=
△x △ V ce ro △ Ic

Por consiguiente, cuanto más cambie V ce por el mismo cambio de I c, mayor


será la r o en esa región. Dicho de otro modo, cuanto más horizontal es la curva
mayor es la r o . El resultado es que la resistencia r o 2 excede por mucho a la
resistencia r o 1 . Utilizando un valor promedio de r o se agregará el otro
componente al circuito equivalente.
Se utilizará el circuito equivalente de la figura anterior para el análisis de la
configuración EC. Los valores de beta van entre 50 ≤ β ≤ 300, con valores de r e
que van de unos cientos de ohmios a máximo 7 K Ω . La resistencia de salida
está en el intervalo de 40 K Ω ≤ r o ≤50 K Ω .
2.1.3. MODELO r e PARA BASE COMÚN
Se llama base común porque la base es común tanto para la entrada como para la
salida de la configuración. Además, la base es la terminal más cercana a, un potencial
de tierra.

Configuración Base Común Transistor pnp. Configuración Base Común Transistor npn.

En cada caso I E =I C + I B , y la polarización aplicada es tal para establecer


corriente en la dirección indicada en cada rama. Es decir, comparando la
dirección de I E con la polaridad de V EE con cada configuración y la dirección de
I C con la polaridad de V CC .

El conjunto de entrada para el amplificador en base común relaciona una


corriente de entrada ( I E ) con un voltaje de entrada ( V BE ) para varios niveles de
voltaje de salida ( V CB ).

En la región activa la unión B-E se polariza en directa, y la unión C-B en


inversa.
En la región de corte las uniones B-E y C-B se polarizan en inversa.
En la región de saturación las uniones B-E y C-B se polarizan en directa.
El transistor presentará la misma posibilidad en el circuito de entrada. Por ello
se usa un diodo en el circuito equivalente como se muestra en la figura.
Se ve que la I C está relacionada con la I E por alfa α . La dirección de I C en el
circuito de salida se opone a la corriente de salida definida.

Para respuesta en AC, se reemplaza el diodo por su resistencia de AC


equivalente determinada por r e =26 mV /r e.

En general, las configuraciones BC tienen una Zi muy baja porque en esencia


sólo es r e . Los valores normales se extienden desde unos cuantos ohms hasta
tal vez 50 Ω .
La Z o, en general, está en el intervalo de los M Ω. Como la corriente de salida
se opone a la dirección definida de I o, no hay desfase entre v i y v o.
2.1.4. POLARIZACIÓN FIJA EN EMISOR COMÚN
La señal de entrada V i se aplica a la base, y la salida V o se toma del colector.
Asimismo, la corriente de entrada I i no es la corriente de base, sino la
corriente suministrada por la fuente y que la corriente de salida es I c.

Sustituyendo el modelo r e para la configuración de EC se obtiene el modelo:


El siguiente paso es determinar β ,r e y r o. La magnitud de β , se obtiene de una
hoja de especificaciones, por medición directa con un trazador de curvas, o un
instrumento de prueba de transistores. El valor de r e se determina con un
análisis de DC del sistema y, por lo común, la magnitud de r o se toma de la
hoja de especificaciones o por las características.
Suponiendo que β ,r e y r o ya se han determinado obtendremos las siguientes
ecuaciones para las características importantes de dos puertos del sistema.
 Impedancia de Entrada Zi
Zi =RB ∥ β r e

Para la mayoría de las situaciones, R B ≫ β r e por más de un factor de 10,


entonces se puede aproximar a:
Zi ≅ β r e cuando R B ≥ 10 β r e

 Impedancia de Salida Z o
La Z o de cualquier sistema se determinada cuando V i=0. Para la figura
anterior, cuando V i=0 , I i=0, el resultado es un circuito abierto para la fuente de
corriente. El resultado es la siguiente configuración:

Z o=RC ∥ r o cuando r o ≥ 10 R C ⟹ Z o ≅ RC

 Ganancia de Voltaje AV
Como RC y r o están en paralelo

V o =−β I b ( RC ∥ r o ) pero I b=
Vi
βre
⟹ V o =−β
Vi
β re( )
( RC ∥ r o ) ⟹

AV =
Vo
Vi
=−
(
RC ∥ r o
re ) V o −RC
Pero si r O ≥10 RC ⟹ A V = =
Vi re
Ejemplo 1: Determinar; (a) r e ; (b) Zi (Con r o =∞ Ω) ; (c) ZO (Conr o=∞ Ω); (d)
AV (Conr o=∞ Ω); (e) Repetir los aparados c y d con r o =50 K Ω y comparar los
resultados para el siguiente circuito:

a. Utilizando análisis en DC para determinar I B


V CC −V BE 12 V −0.7 V
I B= ⟹ I B= ⟹ I B=24.04 μA
RB 470 K Ω
I E =( β+ 1 ) I B ⟹ I E= (100 +1 )( 24.04 μA ) ⟹ I E=2.428 mA
26 mV 26 mV
re= ⟹ re= ⟹ r e =10.71 Ω
IE 2.428 mA

b. La impedancia de entrada cuando r o =∞ Ω será:


Zi =RB ∥ β r e ⟹ Z i=( 470 K Ω ) ∥ ( 100 )( 10.71 Ω ) ⟹
Zi =( 470 K Ω ) ∥ ( 1.071 Ω ) ⟹ Z i=1.069 K Ω

c. La impedancia de salida cuando r o =∞ Ω será:


ZO =RC ⟹ Z O=3 K Ω
d. La ganancia de voltaje será:
V o −R C −3 K Ω
AV = = ⟹ AV= ⟹ AV =−280.11
Vi re 10.71 Ω

e. La impedancia de salida cuando r o =50 K Ω será:


ZO =RC ∥ r O ⟹ Z O= ( 3 K Ω) ∥ ( 50 K Ω ) ⟹ Z O=2.83 K Ω

AV =−
( re )
RC ∥ r o
⟹ AV =−(2.83 K Ω
10.71 Ω )
⟹ A V =−264.26

2.1.5. POLARIZACIÓN FIJA CON RESISTENCIA DE EMISOR


El modelo r e equivalente se sustituye en la figura, pero se observa la ausencia
de r O . El efecto de r O es complicar mucho más el análisis, y considerando el
hecho de que en la mayoría de las situaciones su efecto puede ser pasado por
alto, no se incluirá en este análisis. Sin embargo, el efecto de r O se analizará
más adelante.
Al aplicar LVK al lado de entrada de la figura se obtiene:
−V i + I b β r e + I e RE =0 ⟹ V i=I b β r e + ( β+ 1 ) I b R E

Y la impedancia de entrada viendo hacia la red a la derecha de R B es


Vi I β r + ( β+1 ) I b R E
Z b= ⟹ Z b= b e ⟹ Z b=β r e + ( β+1 ) I b R E
Ib Ib

Como normalmente β ≫ I b ⟹
Z b ≅ β re + β R E ⟹ Z b ≅ β ( re+ R E )

Como en general R E ≫ r e, la ecuación anterior se puede reducir aún más:


Zb≅ β RE

 Impedancia de Entrada Zi
Zi =RB ∥ Z b

 Impedancia de Salida Z o
Zo≅ RC

 Ganancia de Voltaje AV

I b=
Vi
Zb
y V o =−I O R C ⟹ V o=−β I b R C ⟹ V o=−β
Vi
R ⟹
Zb C ( )
AV =
Vo
Vi
=−
( )
β RC
Zb
V o −RC
sutituyendo Z b ≅ β ( r e + RE ) ⟹ A V = =
V i re+ R E

Como Z b ≅ β R E ⟹ A V =
Vo
Vi
=−
RC
RE ( )
Efecto de r o
Cuando se satisfacen ciertas condiciones, se evalúan para verificar si
satisfacen dichas condiciones.
 Impedancia de Entrada Zi
Z b=β R E +
[ ( β +1 ) + RC /r o
1+ ( RC + R E ) /r o
RE
]
Como RC /r o ≪ ( β+1 ) entonces
( β +1 ) R E
Zb≅ β RE+
1+ ( R C + RE ) /r o

Para r o ≥ 10 ( RC + R E ) y β +1≅ β

Z b=β r e + ( β +1 ) RE o Z b=β ( r e + RE )|r ≥ 10( R o C + RE )

 Impedancia de Salida Z o

Z o=RC ∥ r o +
[ β ( r o +r e )
1+ β r e / R E ]
Como r o ≫ r e entonces

Z o=RC ∥ r o 1+
[ β
1+ β r e / R E ]
o Z o=R C ∥ r o 1+
β
[
1/ β +r e /R E ]
Por lo general 1/ β y r e / R E son < 1. Y la suma da < 1. Por lo tanto, el paralelo
tiende a dar RC
Zo≅ RC

 Ganancia de Voltaje AV

AV =
Vo
=

( )( )
β RC
Zb
re R C
1+ +
ro ro
la relaciónr e /r o ≪ 1⟹
Vi R
1+ C
ro

AV =
Vo
=

( )
β RC RC
Zb
+
ro
Vi RC
1+
ro

Para r o ≥10 RC ⟹ A V =
Vo
Vi
≅−
βRC
Zb ( )
Ejemplo 2: Determinar; (a) r e ; (b) Zi ; (c) ZO ; (d) AV .
VCC
20V

Io

RC 2.2kΩ
RB 470kΩ
C2
Vo
10uF Zo
Ii C1
Vi
B =120
10uF ro = 40 Kohm
Zi
RE 560Ω

a. Utilizando análisis en DC para determinar I B


V CC −V BE 20 V −0.7 V
I B= ⟹ I B= ⟹ I B =35.89 μA
R B + ( β+ 1 ) R E 470 K Ω+ ( 121 )( 560 Ω )
I E =( β+ 1 ) I B ⟹ I E= (120 +1 )( 35.89 μA ) ⟹ I E =4.34 mA
26 mV 26 mV
re= ⟹ re= ⟹ r e =5.99 Ω
IE 4.34 mA

b. Verificando si se cumple la igualdad r o ≥ 10 ( RC + R E ):


40 KΩ ≥ 10 ( 2.2 K Ω+560 Ω ) ⟹ 40 KΩ ≥ 10 ( 2.76 K Ω ) ⟹ 40 KΩ ≥27.6 K Ω ∴
Z b=β ( r e + R E ) ⟹ Z b=( 120 ) ( 5.99 Ω+ 560 Ω ) ⟹ Z b=67.92 K Ω

Zi =RB ∥ Z b ⟹ Z i =( 470 K Ω ) ∥ ( 67.92 K Ω ) ⟹ Z i=59.34 K Ω

c. La impedancia de salida cuando r o =∞ Ω será:


ZO =RC ⟹ Z O=2.2 K Ω
d. La ganancia de voltaje será:
V o −β RC −( 120 ) (2.2 K Ω )
AV = = ⟹ AV = ⟹ AV =−3.89
Vi Zb 67.92 K Ω

Ejemplo 3: Determinar; (a) r e ; (b) Zi ; (c) ZO ; (d) AV .


a. Utilizando análisis en DC para determinar I B
V CC −V BE 20 V −0.7 V
I B= ⟹ I B= ⟹ I B =35.89 μA
( )
R B + β+ 1 R E 470 K Ω+ ( 121 )( 560 Ω )
I E =( β+ 1 ) I B ⟹ I E= (120 +1 )( 35.89 μA ) ⟹ I E =4.34 mA
26 mV 26 mV
re= ⟹ re= ⟹ r e =5.99 Ω
IE 4.34 mA

b. Como C3 cortocircuita la resistencia de emisor, R E=0


Z b=β ( r e + R E ) ⟹ Z b=( 120 ) ( 5.99 Ω ) ⟹ Z b=718.8 Ω

Zi =RB ∥ Z b ⟹ Z i =( 470 K Ω ) ∥ (718.8 Ω ) ⟹ Z i =717.7 Ω

c. La impedancia de salida cuando r o =∞ Ω será:


ZO =RC ⟹ Z O=2.2 K Ω
d. La ganancia de voltaje será:
V o −β RC −( 120 ) (2.2 K Ω )
AV = = ⟹ AV = ⟹ AV =−367.84
Vi Zb 717.7 Ω
Se concluye que el capacitor en paralelo a la resistencia de emisor aumenta la
ganancia de voltaje significativamente.
2.1.6. POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE
Sustituyendo el circuito equivalente r e se obtiene la red de la figura.

La ausencia de R E se debe al efecto de cortocircuito de baja impedancia del


capacitor de puenteo C E . Es decir, a la frecuencia (o frecuencias) de operación
la reactancia del capacitor es tan pequeña comparada con R E, que se
considera como un cortocircuito a través de R E. Cuando V CC =0, coloca un
extremo de R1 y R C a un potencial de tierra.
Además, R1 y R 2 permanecen en el circuito de entrada, en tanto que RC forma
parte del circuito de salida. La combinación en paralelo R1 y R 2 de define como
R1 R 2
RTH =R1 ∥ R 2=
R 1+ R 2

 Impedancia de Entrada Zi
Zi =RTH ∥ βr e

 Impedancia de Salida Z o
Z o=r o ∥ RC o Z o ≅ R C Para r o ≥ 10 R C

 Ganancia de Voltaje AV

V o =−( β I b ) ( RC ∥ r o ) ⟹ I b=
Vi
β re
⟹ V o=− β
( )
Vi
β re
( R C ∥ r o)⟹
V o =−
( )
Vi
re
(
Vo
RC ∥ r o ) ⟹ A V = =−
Vi re(
RC ∥ r o
)
V o −R C
Para r o ≥10 RC AV = =
Vi re

Ejemplo 4: Determinar; (a) r e ; (b) Zi ; (c) Z o ( r o=∞ ) ; (d) AV ( r o=∞ ) ; (e) los
parámetros b al d si r o =50 K Ω.

a) Cuando se analizó la polarización en DC por 2° aproximación, se


concluyó que ésta se podía realizar si se cumple que β R E ≥ 10 R 2
( 90 )( 1.5 K Ω ) ≥ ( 10 )( 8.2 K Ω ) ⟹ 135 K Ω ≥82 K Ω Se cumple
Usando el método aproximado se tiene que
R 2 V cc ( 8.2 K Ω )( 22 V )
V TH = ⟹ V TH = ⟹ V TH =2.81V
R1 + R2 56 K Ω+ 8.2 K Ω
V E=V TH −V BE ⟹ V E =2.81 V −0.7 V ⟹ V E =2.11V
VE 2.11V
I E= ⟹ I E= ⟹ I E=1.41 mA ∴
RE 1.5 K Ω
26 mV 26 mV
re= ⟹ re= ⟹ r e =18.48 Ω
IE 1.41mA

b) La Zi se determina a partir del paralelo entre R B 1 y RB 2


( 56 K Ω ) ( 8.2 K Ω )
RTH =R1 ∥ R 2= ⟹ R TH =7.15 K Ω
56 K Ω+ 8.2 K Ω
( 7.15 K Ω ) (1.66 K Ω )
Zi =RTH ∥ βr e ⟹ Z i= ⟹ Z i=1.35 K Ω
7.15 K Ω+1.66 K Ω
c) La impedancia de salida es
Z o=RC =6.8 K Ω
d) La ganancia de voltaje será
V o −R C −6.8 K Ω
AV = = ⟹ AV= ⟹ AV =−368.76
Vi re 18.48 Ω

e) Si r o =50 K Ω
Zi =1.35 K Ω
Z o=RC ∥ r o ⟹ Z o=6.8 K Ω∥ 50 K Ω⟹ Z o=5.98 K Ω más baja
−R C ∥ r o −5.98 K Ω
AV = ⟹ AV = ⟹ AV =−323.59
re 18.48 Ω
2.1.7. CONFIGURACIÓN EMISOR SEGUIDOR (COLECTRO COMÚN)
La configuración en emisor seguidor se suele utilizar para propósitos de
igualación de impedancias y frecuencia. Presenta una alta impedancia a la
entrada y una baja impedancia a la salida, la cual es la oposición directa de
la configuración de polarización fija estándar. El efecto resultante es casi como
el obtenido con un transformador, donde una carga se iguala a la impedancia
de la fuente para una máxima transferencia de potencia a través del sistema.

El voltaje de salida siempre es un poco menor que la señal de entrada debido a la caída de la
base al emisor, por lo que AV ≅ 1 . El voltaje en el emisor está en fase con V i . El hecho de que
V o “siga” a la magnitud de V i con una relación en fase, explica la terminología emisor seguidor.
La configuración en emisor seguidor como de hecho, el colector se conecta a tierra para el
análisis de AC, en realidad es una configuración en colector común.

El modelo r e es el siguiente

 Impedancia de Entrada Zi
Zi =RB ∥ Z b con Z b=β r e + ( β+1 ) R E o Z b =β ( r e + R E ) o Z b ≅ β R E
 Impedancia de Salida Z o: Examinando primero la I b
Vi V ( β+1 ) V i
I b= como I e =( β +1 ) I b ⟹ I e =( β +1 ) i ⟹ I e=
Zb Zb β r e + ( β +1 ) R E
Vi Vi
I e= como ( β+1 ) ≅ β ⟹ I e =
[ β r e / ( β+1 ) ]+ R E re+ R E

Si se construye la red definida por la ecuación anterior, se obtiene la


configuración de la figura.

Para determinar Z o, se hace V i=0


Z o=r e ∥ R E o Z o ≅ r e Para R E ≫ r e

 Ganancia de Voltaje AV : Usando divisor de voltaje en el circuito anterior


RE V i Vo RE Vo
V o= ⟹ AV = = Como R E ≫ r e ⟹ A V = ≅ 1
r e+ R E V i re+ R E Vi

CUANDO SE CONSIDERA r o , SE EVALÚAN LOS PARÁMETROS ASÍ


 Impedancia de Entrada Zi
( β+ 1 ) R E
Z b=β r e + si r o ≥10 R E Z b =β ( r e + R E )
1+ R E /r o
Zi =RB ∥ Z b

 Impedancia de Salida Z o
βre
Z o=r o ∥ R E ∥ o Z o=r o ∥ R E ∥ r e comor o ≫ r e Z o =RE ∥ r e
( β +1 )
 Ganancia de Voltaje AV
( β+1 ) R E /Z b β RE
AV = si r o ≥ 10 R E ⟹ A V ≅ Como Z b=β ( r e + R E ) ⟹
1+ R E /r o Zb
β RE RE
AV ≅ ⟹ AV ≅ para r o ≥10 R E
β (re+ R E ) re+ R E

Ejemplo 5: Determinar; (a) r e ; (b) Zi ; (c) ZO ( r o=∞ ) ; (d) AV ( r o=∞ ) ; (e) los
parámetros b al d si r o =25 K Ω.
a) Para determinar r e se usan los parámetros de DC
V CC −V BE 12V −0.7 V
I B= ⟹ I B= ⟹ I B=20.42 μA
( )
R B + β+ 1 R E 220 K Ω+ ( 101 ) ( 3.3 K Ω )
I E =( β+ 1 ) I B ⟹ I E= (100 +1 )( 20.42 μA ) ⟹ I E =2.06 mA
26 mV 26 mV
re= ⟹ re= ⟹ r e =12.7 Ω
IE 2.0 4 mA

b) Para determinar Zi primero se determina Z b


Z b=β r e + ( β +1 ) RE ⟹ Z b=( 100 ) ( 12.6 Ω ) + ( 101 ) ( 3.3 K Ω ) ⟹
Z b=1.261 K Ω+ 333.3 KΩ ⟹ Z b=334.56 K Ω
Zi =RB ∥ Z b ⟹ Z i =( 220 K Ω ) ∥ ( 334.56 K Ω ) ⟹ Z i=132.72 K Ω
c) La impedancia de salida será
Z o=R E ∥ r e ⟹ Z o =( 3.3 K Ω ) ∥ ( 12.61 Ω ) ⟹ Z o=12.56 Ω
d) La ganancia en voltaje será
Vo RE 3.3 K Ω
AV = ⟹ AV ≅ ⟹ AV ≅ ⟹ A V ≅ 0.996
Vi r e + RE 12.6 Ω+3.3 K Ω

e) Comprobando la condición r o ≥ 10 R E
25 K Ω ≥10 ( 3.3 K Ω ) ⟹ 25 K Ω ≥33 K Ω ∴ No se cumple , entonces
( β+ 1 ) R E ( 101 ) ( 3.3 K Ω )
Z b=β r e + ⟹ Z b=( 100 ) ( 12.6 Ω ) + ⟹
1+ R E /r o 1+ ( 3.3 K Ω ) / ( 25 K Ω)
Z b=1.261 K Ω+ 294.43 K Ω⟹ Z b =295.7 K Ω
Zi =RB ∥ Z b ⟹ Z i =( 220 K Ω ) ∥ ( 295.7 K Ω ) ⟹ Z i=126.15 K Ω

Es un poco más baja que cuando se consideró r o =∞


Z o=R E ∥ r e ⟹ Z o =( 3.3 K Ω ) ∥ ( 12.61 Ω ) ⟹ Z o=12.56 Ωigual
( β+1 ) R E /Z b ( 101 ) (3.3 K Ω ) / ( 295.7 K Ω )
AV = ⟹ AV= ⟹
1+ R E /r o 1+ ( 3.3 K Ω ) / ( 25 K Ω )
AV =0.996 ⟹ A V ≅ 1 igual resultado

En general, aun cuando no se satisfaga la condición r e ≤10 R E, los resultados


para Z o y AV son los mismos, con Zi ligeramente menor. Los resultados indican
que para la mayoría de las aplicaciones se puede obtener una buena
aproximación de los resultados reales con sólo ignorar los efectos de r o para
esta configuración.
La red de la figura (a) es una variación de la red E-S, la cual emplea una
sección de entada de divisor de voltaje para establecer las condiciones de
polarización.
Las ecuaciones se cambian sólo con reemplazar R B por RTH =R1 ∥ R 2 para Zi .
La red de la figura (b) también es una variación E-S, pero incluye una RC . La
impedancia de entrada Zi y la impedancia de salida Z o no se ven afectadas por
RC porque no se refleja en las redes equivalentes de base o emisor. En
realidad, el único efecto de RC es determinar el punto Q.

Fig. a. E-S Por Divisor de Voltaje Fig. b. E-S Por Divisor de Voltaje y Rc

2.1.8. CONFIGURACIÓN BASE COMÚN


Tiene una impedancia de entrada y de salida baja y una Ai <1. La ganancia
de voltaje, puede ser bastante grande. La impedancia de salida r o no se
incluye, ya que es del orden de los M Ω y puede ser ignorada en paralelo con
RC .

 Impedancia de Entrada Zi
Zi =RE ∥ r e
 Impedancia de Salida Z o:
Zo≅ RC

 Ganancia de Voltaje AV : Usando divisor de voltaje en el circuito anterior


Vi
V o =−I o RC ⟹ V o=−( −I C ) RC ⟹ V o=α I e RC pero I e = ⟹
re

V o =α
( )
Vi
re
V o α RC
RC ⟹ A V = =
Vi re
V o RC
como α ≅ 1 ⟹ A V = =
Vi re

 Ganancia de Corriente Ai : Suponiendo que R E ≫ r e resulta


Io
I e =I i adem á s I o=−α I e ⟹ I o=−α I i ⟹ A i= =−α =−1
Ii

Ejemplo 6: Determinar; (a) r e ; (b) Zi ; (c) ZO ; (d) AV ; (e) Ai Para el circuito

V EE −V BE 2V −0.7 V
a) −V E E + I E RE + V BE=0⟹ I E = ⟹ I E= ⟹ I E =1.3 mA
RE 1K Ω
26 mV
re= ⟹ r e =2 0 Ω
1.3 mA
b) Zi =RE ∥ r e ⟹ Z i=( 1 K Ω ) ∥ (20 Ω ) ⟹ Z i =19.61 Ω

c) Z o ≅ R C ⟹ Z o=5 K Ω
V o RC 5KΩ
d) AV = = ⟹ AV= ⟹ A V =250
V i re 20 Ω
Io
e) Ai= =−α ⟹ Ai =−0.98 ≅ −1
Ii
2.1.9. CONFIGURACIÓN REALIMENTACIÓN DE COLECTOR

 Ganancia de Voltaje AV

´ ´ V o−V i
I i+ I =I b pero I = además V o=−I o RC ⟹ V o=−( β I b ) RC pero
RF

I b=
Vi
βre
⟹ V o =−β
Vi
β re ( )
RC ⟹ V o=
−R C
re
V o −R C
V i ⟹ AV = =
Vi re

 Impedancia de Entrada Zi
Vi
pero V i=I b β r e ⟹V i =( I i+ I ) β r e ⟹ V i=I i β r e + I β r e
´ ´
Zi =
Ii

Determinando a que es igual I ´

I=
´ V o−V i
RF
´ Vo Vi ´
⟹I = − ⟹I =
RF RF
−RC V i V i
r e RF
´
− ⟹I =
RF
−1
RF
1+
RC
V ∴
re i [ ]
V i=I i β r e −
[ ]1
RF
1+
RC
re
V i β re ⟹ V i +
1
RF
1+
RC
[ ]
V β r =I β r ⟹
re i e i e

V i 1+
( βre
[ ])
R V
1+ C =I i β r e de laec .inicial , i =
β re
=Z i

[ ]
RF re Ii βr R
1+ e 1+ C
RF re

R C RC
Pero RC ≫ r e y 1+ ≅ ⟹
re re
β re re re
Zi = (÷ β ) se tiene Z i= ⟹ Z i=
1+
( )( )
β re
RF
RC
re ( )
1/ β +
β RC
β RF
1 RC
+
β RF

 Impedancia de Salida Z o: Haciendo V i=0 para determinar Z o se


evidencia que β r e se cortocircuita y entonces
Z o=R F ∥ RC

CUANDO SE CONSIDERA r o , SE EVALÚAN LOS PARÁMETROS ASÍ


 Impedancia de Entrada Zi
1+ ( RC ∥ r o ) / R F
Zi =
( 1 /β r e ) + ( 1/ R F ) + ( R C ∥ r o ) / ( r e R F )
Se puede asumir que 1/ R F ≅ 0 y si r o ≥ 10 R C y entonces se tiene que
1+ R C /R F
Zi =
( 1 /β r e ) + RC / ( r e RF )
Por lo general RC / R F ≪ 1 ⟹

1 re
Zi = ( ¿ r e ) ⟹ Z i=
( 1 /β r e ) + RC / ( r e RF ) ( 1/ β ) + ( RC / R F )

 Impedancia de Salida Z o
Z o=r o ∥ RC ∥ RF si r o ≥10 RC Z o=RC ∥ RF

 Ganancia de Voltaje AV
−( 1/ RF +1/r e )( r o ∥ R C ) −( r o ∥ R C ) /r e
AV = si R F ≫ r e ⟹ A V =
1+ ( r o ∥ RC ) /R F 1+ ( r o ∥ RC ) / R F
−RC /r e
para r o ≥ 10 R C AV =
1+ R C / RF

Ejemplo 7: Determinar; (a) r e ; (b) Zi ; (c) ZO ( r o=∞ ) ; (d) AV ( r o=∞ ) ; (e) los
parámetros b al d si r o =2 0 K Ω.

a) Analizando el circuito de base para determinar a r e


−V CC + I C RC + I b R B +V BE =0 ⟹
−V CC + ( β I B ) RC + I B R B+ V BE=0⟹

I B ( β R C + R B ) =V CC −V BE ⟹

V CC −V BE
I B=
β RC + R B

9 V −0.7 V 8.3 V
I B= ⟹ I B= ⟹ I B=1 1. 5 3 μ A
( 200 )( 2.7 K Ω ) +180 K Ω 540 K Ω+180 K Ω
I C + I B=I E ⟹ β I B + I B =I E ⟹ I E= ( β+1 ) I B
26 mV
I E =( 201 ) (1 1 .5 3 μ A ) ⟹ I E=2.32 mA ∴ r e = ⟹ r e =11. 21 Ω
2.3 2 mA
re 11.21 Ω
b) Zi = ⟹ Z i= ⟹
( 1/ β ) + ( RC /R F ) ( 1/200 ) + ( 2.7 K Ω/180 K Ω )
11.21 Ω 11.21 Ω
Zi = ⟹ Zi = ⟹ Zi =560.5 Ω
0.005+ 0.015 0.0 2
c) Z o=RC ∥ RF ⟹ Z o=2.7 K Ω ∥ 180 K Ω⟹ Z o=2.66 K Ω
V o −R C −2.7 K Ω
d) AV = = ⟹ AV= ⟹ AV =−240.86
Vi re 11.21Ω

e) Verificando que r o ≥ 10 R C. r o ≥ 10 ( 2.7 K Ω ) ⟹ r o ≥ 27 K Ω. como no se cumple


esta condición, entonces
1+ ( RC ∥ r o ) / R F
Zi = ⟹
( 1 /β r e ) + ( 1/ R F ) + ( R C ∥ r o ) / ( r e R F )
1+ (2.7 K Ω∥ 2 0 K Ω ) /180 K Ω
Zi =
( 1 / (200 )( 11.21 Ω ) ) + ( 1/180 K Ω )+ (2.7 K Ω∥ 2 0 K Ω ) / ( ( 11.21Ω ) ( 180 K Ω ) )
1+2. 38 K Ω/180 K Ω
Zi = −3 −6

0.45 x 10 +5.56 x 10 +2.38 K Ω/2.018 M Ω
1+ 0.013 1 .013
Zi = −3 −6 −3
⟹ Z i= −3

0.45 x 10 +5.56 x 10 +1.18 x 10 1.64 x 10
Zi =619.36 Ω
Z o=r o ∥ RC ∥ RF ⟹ Z o=20 K Ω ∥ 2.7 K Ω∥ 180 K Ω ⟹ Z o=2.35 K Ω
−( 1/ RF +1/r e )( r o ∥ R C )
AV = ⟹
1+ ( r o ∥ RC ) /R F
−( 1/180 K Ω+1 /11.21 Ω )( 2.7 K Ω ∥ 20 K Ω )
AV = ⟹
1+ ( 2.7 K Ω∥ 20 K Ω ) /180 K Ω
−( 5.56 x 10−6+ 89.21 x 10−3 ) ( 2.38 K Ω )
AV = ⟹
1+ ( 2.38 K Ω ) /180 K Ω
−( 5.56 x 10−6+ 89.21 x 10−3 ) ( 2.38 K Ω ) −( 94.77 x 10−3 ) (2.38 K Ω )
AV = = −3
1+ ( 2.38 K Ω ) /180 K Ω 1+ 13.22 x 10
−( 94.77 x 10−3 ) ( 2.38 K Ω ) −225.55
AV = −3
⟹ AV= ⟹ A V =−222.61
1+13.22 x 10 1 .01
2.1.10. CONFIGURACIÓN REALIMENTACIÓN DE COLECTOR CON R E

 Impedancia de Entrada Zi
RE
Zi =
1 RC + R E
+
β RF

 Impedancia de Salida Z o
Z o=RC ∥ RF

 Ganancia de Voltaje AV
−R C
AV =
RE

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