Servicio Nacional de Aprendizaje

Regional Valle
Centro de Electricidad Y Automatizacin Industrial
Estructura curricular
Mantenimiento Electrnico Instrumental Industrial

C.E.A.I

Fecha: Octubre
de 2007
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Documento que apoya:

Gua de aprendizaje # 2 del mdulo de Inspeccin fundamental de los sistemas electrnicos
y de instrumental industrial en los bienes.
Resultado de aprendizaje: Mantener equipos electrnicos anlogos mediante el anlisis de sus dispositivos y
la identificacin de fallas crticas o consecutivas identificadas en el proceso de inspeccin del historial de la
maquinaria electrnica y de los reportes de dao.

CONFIGURACIN BASE COMN Y COLECTOR COMN:

ANLISIS EN AC

I.

INTRODUCCIN

II.

CONFIGURACIN COLECTOR COMN

Para el siguiente circuito determinar las ganancias de

voltaje y corriente, y las impedancias de entrada y de
salida. Considerar =100.
Donde:

10k
= 5V
20k
= 10k // 10k = 5k

VTH = 10 *
RTH

Por lo tanto, la malla de entrada queda:

VTH = I B RTH + V BE + I E R E
Despejando
IC I E =

VTH V BE VTH V BE
5 0 .7
=
=
RTH
RTH
5k
+ 4.3k
+ RE
+ RE
100

I C = 0.99mA 1mA
y la malla de salida es:

10 + VCE + I E * 4.3k = 0

Anlisis en DC
Aqu es necesario hacer un equivalente Thevenin (u
otra conversin) para finalmente obtener:

Apuntes de clase del docente:

Ing. Jos Fernando Valencia M
Tomado con fines educativos

10 VCE + I C * 4.3k
VCE = 10 I C * 4.3k = 10 1mA * 4.3k
VCE = 5.7V

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De lo anterior se concluye que el transistor esta en

zona activa y puede ser utilizado como amplificador.
Anlisis en AC

Impedancia de entrada:

Circuito equivalente en alterna (se eliminan las

fuentes de DC y se cortocircuitan los condensadores).

La impedancia de entrada Zin se puede determinar

como el paralelo de la resistencia RTH con la
impedancia Z1. Z1 es la impedancia equivalente que
se ve en el terminal de base del transistor BJT y se
puede determinar colocando una fuente espa:

Ix

+
Vo

Ib

Vi
-

Ic
Zo

Zin

Antes de calcular las ganancias y las impedancias, es

conveniente determinar la mxima excursin simtrica
de seal:

I CQ * Rac
Vop =
VCEQ VCEsat

Z1 =
Z1 =

De estas dos opciones se toma la menor. Si

consideramos VCEsat=0.4V, para nuestro ejemplo
tenemos que:

Vop

Ie

I CQ * Rac = 1mA * (4.3k // 2k ) = 1.36V

=
VCEQ VCEsat = 5.7 0.4 = 5.3V

V X I e * r ' e + I e * r ' e * (R E // R L )
=
IX
Ib

I e (r ' e + (R E // R L )) I b ( + 1)(r ' e + (R E // R L ))

=
Ib
Ib

Z 1 = ( + 1)(r ' e + (R E // R L ))
Si >>1, entonces:

Z1 = * (r ' e + (RE // RL ))

Z1 = 100 * (26 + (4.3k // 2k ))

Por lo tanto, la mxima excursin simtrica de seal

es 1.36Vpico
Ahora, el circuito equivalente reemplazando el modelo
del transistor en alterna es:

Z1 = 139108 139k
Se puede concluir que la impedancia vista en el
terminal de base es igual a la impedancia en el emisor
multiplicada por la ganancia . Para la configuracin
colector comn, Z1 es bastante grande.
Finalmente:

Z in = RTH // Z 1 = 5k // 139.108k
Z in 4826

Impedancia de salida:
Zin
Z1del docente:
Apuntes de clase
Ing. Jos Fernando Valencia M
Tomado con fines educativos

Z2

Zo

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La impedancia de salida Zo se puede determinar

como el paralelo de la resistencia RE con la
impedancia Z2. Z2 es la impedancia equivalente que
se ve en el terminal de emisor del transistor BJT y se
puede determinar colocando una fuente espa:
Ib

Ix

Ie

AV =

VO
Vi

VO = I e (R L // R E )
I e I b
Ib =

Vi
Z1

AV =
Ic

AV =

VO
(R L // RE ) *
=
Vi
* (r ' e + (R E // R L ))

(RL // RE )
(2k // 4.3k )
=
r ' e + (R E // R L ) 26 + (2k // 4.3k )

AV = 0.98

Z2 =
Z2 =

V X (I b * (RTH // R S ) + I e * r ' e )
=
Ie
IX
I b * (RTH // R S ) + (I b + I b ) * r ' e
I b + I b

Se observa que no hay ganancia de voltaje (por el

contrario, atena la seal de entrada) y tampoco
invierte la seal de salida.
Ganancia de corriente:
La ganancia de corriente se puede determinar de dos

I ((R // R S ) + (1 + )r ' e ) (RTH // R S ) + (1 + )r ' emaneras, una de ellas es:

=
Z 2 = b TH
( + 1)
I b ( + 1)
I
AI = O
(RTH // RS )
RTH // R S
Ii
Z2 =
+ r' e
+ r' e
( + 1)

RE
RE + RL

5k // 3.6k
Z2 =
+ 26 = 46.9
100

IO = Ie

Se puede concluir que la impedancia vista en el

terminal de emisor es igual a la impedancia en la base
dividida por la ganancia mas la resistencia de
emisor re. Para la configuracin colector comn, Z2
es bastante pequea.

Ib = Ii *

y:
Z o = R E // Z 2

Z o = 4300 // 46.9 46.4

I e I b

AI =

RTH
RTH + Z 1

IO
R E * * RTH
=
I i (R E + R L ) * (RTH + Z 1 )

4300 * 100 * 5000

(4300 + 2000) * (5000 + 139108)
AI = 2.37
AI =

La otra forma es:

Ganancia de voltaje:
Podemos decir que:

VO
Z
IO
RL
AI =
=
= AV in
RL
I i Vi
Z in
AI = 0.98 *

Apuntes de clase del docente:

Ing. Jos Fernando Valencia M
Tomado con fines educativos

4826
= 2.364
2000

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Se concluye que la configuracin colector comn si

tiene ganancia de corriente y no invierte la seal de
salida.

III.

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Circuito equivalente en alterna (se eliminan las

fuentes de DC y se cortocircuitan los condensadores).

CONFIGURACIN BASE COMN

Para el siguiente circuito determinar las ganancias de

voltaje y corriente, y las impedancias de entrada y de
salida. Considerar =100.

Vi
Vo
Zin
Zo

Antes de calcular las ganancias y las impedancias, es

conveniente determinar la mxima excursin simtrica
de seal:

I CQ * Rac
Vop =
VCEQ VCEsat

Anlisis en DC
M. entrada:

I B 630k + V BE + I E 2k 9 = 0
IC I E =

9 0 .7
8 .3
=
= 1mA
630k
8.3k
+ 2k

De estas dos opciones se toma la menor. Si

consideramos VCEsat=0.4V, para nuestro ejemplo
tenemos que:
I CQ * Rac = 1mA * ((4.7k // 5.1k ) + 2k // 50 ) 2.5V
Vop =
VCEQ VCEsat = 11.3 0.4 = 10.9V
Por lo tanto, la mxima excursin simtrica de seal
es 2.5Vpico
Ahora, el circuito equivalente reemplazando el modelo
del transistor en alterna es:

M. Salida:

9 + I C 4.7 k + VCE + I E 2k 9 = 0

18 VCE + I C (4.7 k + 2k )

VCE = 18 I C * 6.7k = 18 1mA * 6.7 k = 18 6.7

VCE = 11.3V
De lo anterior se concluye que el transistor esta en
zona activa y puede ser utilizado como amplificador.
Anlisis en AC

Zin
Z1

Apuntes de clase del docente:

Ing. Jos Fernando Valencia M
Tomado con fines educativos

Z2

Zo

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Impedancia de entrada:
Impedancia de salida:
La impedancia de entrada Zin se puede determinar
como el paralelo de la resistencia RE con la
impedancia Z1. Z1 es la impedancia equivalente que
se ve en el terminal de emisor del transistor BJT y se
puede determinar colocando una fuente espa:

La impedancia de salida Zo se puede determinar

como el paralelo de la resistencia RC con la
impedancia Z2. Z2 es la impedancia equivalente que
se ve en el terminal de colector del transistor BJT y
se puede determinar colocando una fuente espa:

Ix

Ie
Ic

Ie
Ib

Z1 =

V X (I b * R B + I e * r ' e )
=
IX
Ie

I * R B + (I b + I b ) * r ' e
Z1 = b
I b + I b
Z1 =

I b (R B + (1 + )r ' e ) (R B + (1 + )r ' e )
=
( + 1)
I b ( + 1)

Z1 =

RB + * r ' e

RB

+ r' e

630k
+ 26 = 6.3k + 26 = 6326
100

Se puede concluir que la impedancia vista en el

terminal de emisor es igual a la impedancia en la base
dividida por la ganancia , ms la impedancia en el
emisor.
Normalmente la resistencia en la base se elimina con
un condensador de paso y en ese caso la Z1 es
bastante pequea:

Z1 =

RB

+ r' e =

VX
=
IX

Y,
Z o = RC // Z 2
Z o = 4.7k // 4.7k

Ganancia de voltaje:

Si >>1, entonces:

Z1 =

Z2 =

0
+ 26 = 26
100

Finalmente:

Z in = R E // Z 1 = 2k // 6326 1520

Z in = R E // Z 1 = 2k // 26 25.7
Apuntes de clase del docente:
Ing. Jos Fernando Valencia M
Tomado con fines educativos

Podemos decir que:

AV =

VO
Vi

VO = I e (R L // R E )
I e I b
Ib =

Vi
Z1

AV =
AV =

(R L // RE ) *
VO
=
* (r ' e + (R E // R L ))
Vi

(RL // RE )
(2k // 4.3k )
=
r ' e + (R E // R L ) 26 + (2k // 4.3k )

AV = 0.98
Se observa que no hay ganancia de voltaje (por el
contrario, atena la seal de entrada) y tampoco
invierte la seal de salida.