Está en la página 1de 59

CAPITULO III

ANALISIS DE LOS AMPLIFICADORES BJT EN PEQUIA


SEAL
3.1 El transistor BJT
3.2 Caractersticas.- CBC, CEC y CCC
3.3 Amplificadores de seal BJT
3.4 Modelamiento circuito del transistor BJT
3.4.1 modelo
3.4.2 Modelo con parmetros hbridos h
3.4.3 Equivalencia entre modelos
3.5 Amplificadores BJT en pequea seal con modelo
3.5.1 CEC con polarizacin fija
3.5.2 CEC con divisor de tensin
3.5.3 Seguidor de emisor
3.5.4 Circuito CBC
3.6 Amplificadores BJT en pequea seal con modelo
hibrido h
3.6.1 CEC Con polarizacin fija
3.6.2 Circuito CBC
3.6.3 Modelo hibrido exacto
3.1 EL TRANSISTOR BJT
3.1.1 Concepto.- El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos
capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos material tipo p y una de material tipo
n, el primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp , ambos se muestra en la figura
1, las terminales se identificaron por medio de la letras maysculas E para emisor, C para colector
y B para base.

a b
Figura 1 .- Dos tipos de BJT y sus smbolo de circuitos
a) npn, b) pnp.
3.1.2 OPERACIN DEL TRANSISTOR.-
La fuente de tensin polariza directamente la unin pn base-emisor, lo que da lugar a que
el emisor inyecte electrones en el material tipo p de la base.
La mayora de los electrones atraviesan la estrecha regin de base, cruzan la segunda unin y
llegar a la regin n polarizada positivamente (zona de la derecha) que constituye el colector.
Los huecos de la base van hacia el emisor.
Mientras que la unin base-emisor representa un diodo directamente polarizado, con sus
propiedades caractersticas de baja impedancia y baja cada de tensin, la unin de colector-
base esta inversamente polarizada debido al signo de la tensin .
Esta unin constituye en esencia un diodo inversamente polarizado y la impedancia entre
colector y base es muy
Para el transistor npn, sus corrientes y tensin se especifican en la figura 2.

figura 2.a figura 2.b


La aplicacin de la LCK a la figura 3.a
= + .ec (3.1)
Donde , y son las corriente de emisor, base y colector respectivamente.
Ahora de manera similar, aplicamos de la LTK de la figura 3.b
+ + = 0 ..ec (3.2)
Donde , y son las voltajes de colector-emisor, emisor-base y base-colector.
3.2 CARACTERSTICAS.- CBC, CEC y CCC
3.2.1 CONFIGURACIN EN BASE COMN.- para describir plenamente el
comportamiento de un dispositivo de tres terminales como el de los
amplificadores en base comn de la figura 3.3, se requieren dos conjuntos de
caractersticas, uno para los parmetros de entrad (punto de manejo) y el otro para
el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador en base comn de la
figura 3.4 relaciona una corriente de entrada con un voltaje de entrada
para varios niveles de voltaje de salida .

Figura 3.3
Caractersticas de entrada para un amplificador de transistor de silicio en
configuracin en base comn

Figura 3.4
El conjunto de salida relaciona una corriente de entrada con un voltaje de salida para
varios niveles de corriente de entrada , como muestra en la figura 3.2.c.
La salida o conjunto de caractersticas del colector ofrece tres regiones bsica de inters, como
se indica en la figura 3.5, las regiones activa, de corte y saturacin.
La primera es la regin que normalmente se emplea para amplificadores lineales (sin
distorsin). En particular.
En la regin activa la unin base-emisor se polariza en directa, en tanto que la unin colector-
base se polariza en inversa.
Figura 3.5
Salida o caractersticas del colector de un amplificador de transistor en base comn
Alfa() y Beta()
El BJT puede operar en uno de los tres modos: activo, de corte y saturacin.
cuando los transistores operar en el modo ACTIVO, por lo comn = 0.7V
= . ec (3.3)
Donde se conoce como la ganancia de corriente de base comn.
denota la fraccin de electrones inyectada por el emisor que colecta el colector, adems.
= . ec (3.4)
Donde se conoce como la ganancia de corriente de emisor comn.
La y la son propiedades caractersticas de un transistor determinado y toman valores constantes para ese transistor.
Alfa va de 0.90 a 0.999 y beta va de 50 a mas 500
De acuerdo con las ecuaciones de la (3.1) a la (3.4), es evidente que
= (1 + ) . ec (3.5)


= ec (3.6)
1
3.2.2 CONFIGURACION EN EMISOR COMUN. La configuracin de transistor que
mas frecuentemente se encuentra aparece en la figura 3.6 para los transistores pnp y npn. Se
llama configuracin en emisor comn porque el emisor es comn o sirve de referencia para la
terminales de entrada y salida ( en este caso es comn para las terminales base y colector).

Figura 3.6
De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de caractersticas para describir plenamiente el
comportamiento del la configuracin en emisor comn: uno para el circuito de entrada o de
base-emisor y uno para el circuito de salida o de colector-emisor. Ambos se encuentran en la
figura 3.7 y figura 3.8.

Figura 3.7
Figura 3.8
3.2.3 CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN.- La tercera y ultima configuracin
del transistor es la configuracin en colector comn, mostrada en la figura 3.9 con
las direcciones de la corriente y notacin de voltaje correctas. La configuracin en
colector comn se utiliza sobre todo para igualar impedancias, puesto que tiene
una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario de las
configuraciones en base comn y en emisor comn.

Figura 3.9
3.3 AMPLIFICADORES DE SEAL BJT
3.3.1 CONCEPTO.- Ahora comenzaremos a examinar la respuesta de ca del amplificador
con BJT revisando los modelos de uso mas frecuente para representar el transistor en el
dominio de ca senoidal.
Existen tres modelos de uso muy comn en el anlisis de ca de seal pequea de redes
de transistores: el modelo , el modelo hibrido y el modelo equivalente hibrido. Este
capitulo se ocupa de los tres pero hace hincapi en el modelo .
3.3.2 MODELO DE UN TRANSISTOR BJT DE CIRCUITO
Circuito equivalente de ca tendr en el anlisis que sigue, el circuito de la figura 3.10.
Como solo nos interesa la respuesta de ca del circuito, todas las fuentes de cd pueden
ser reemplazadas por cortocircuito porque determinan solo el nivel de cd del voltaje de
salida y no la magnitud de la excursin de la salida de ca.
Esto se demuestra claramente en la figura 3.11. los niveles de cd simplemente fueron
importantes para determinar el punto Q de operacin correcta.
Una vez determinados, podemos ignorar los niveles de cd en el anlisis dela red.
Adems, los capacitores de acoplamiento 1 , 2 y el capacitor de puenteo 3 se
seleccionaron para que tuvieran una reactancia muy pequea en la frecuencia de
aplicacin. Por consiguiente, tambin, reemplazos como cortocircuito.
figura 3.10 Figura.3.11
3.3.3 PARAMTROS
Es importante que confirme avance a travs de las modificaciones de la red, defina el
equivalente de ca para que los parmetro de inters como , , e , definidos por la
figura 3.12 se manejen correctamente.
Es decir, la corriente de entradas y la salida , se definen como de entrada de sistema.
Observe que es la impedancia viendo hacia adentro del sistema, en tanto que es la
impedancia viendo de vuelta hacia adentro del sistema por el lado de salida.
Para cada caso:

= ......... ec (3.6)


= .......... ec (3.7)

Figura 3.12
como sabemos que el transistor es un dispositivo amplificador, podramos esperar una
indicacin de como se relaciona el voltaje de salida con el voltaje de entrada .
observe en la figura 3.13 para esta configuracin que la ganancia de corriente se define como:

= ec (3.7)

En suma, por consiguiente, el equivalente de ca de un red se obtiene como sigue:
1. Poniendo en cero todos las fuentes cd y reemplazandolas por un equivalente de
cortocircuito.
2. Reemplazando todos los capacitores por un equivalente de cortocircuito.
3. Quitando todos los elementos evitados por los equivalentes de cortocircuito introducidos por
los pasos 1 y 2.
4. Volviendo a dibujar la red en una forma mas conveniente y lgica.
En las secciones siguientes se presentara un modelo equivalentes de transistor para completar el
anlisis de ca de la red de la figura 3.13
Figura 3.13

3.4 MODELAMIENTO CIRCUITO DEL TRANSISTOR BJT


3.4.1 MODELO .-a continuacin se presentara el modelo , para las configuracines del
transistor BJT en emisor comn, en base comn y en colector comn con un breve descripcin
de por que cada una es una buena aproximacin del comportamiento real de un transistor BJT.
3.4.1.1 CONFIGURACIN EN EMISOR COMN.-
el circuito equivalente para la configuracin en emisor comn se construir por
medio de las caractersticas del dispositivo y varias aproximaciones.
comenzamos con el lado de entrada, vemos que el voltaje aplicado es igual al voltaje
con la corriente de entrada como la corriente de base como se muestra en la figura 3.14.

Figura 3.14
si volvemos a dibujar las caractersticas del colector para tener una constante como se
muestra en la figura 3.15 ( otro aproximacin).
como ahora estn todos los parmetros de entrada y salida de la configuracin original, en la
figura 3.16 ha quedado establecida la red equivalente para la configuracin en emisor comn.
figura 3.15 Figura 3.16
se puede mejorar reemplazando primero el diodo por su resistencia equivalente determinada por el nivel de
como se muestra en la figura 3.17. recuerde de la resistencia dinmica
26
donde: = .. Ec (3.8)

al utilizar el subndice e por que la corriente determinante es la corriente de emisor obtendremos.
26
= ec (3.9)

ahora , para el lado de entrada:

= = ec (3.10)

Resolviendo para :
= = ( + ) = ( + )
= ( + 1) .. Ec (3.11)

Ec (3.11) reemplazando al ec (3.10) se tiene:

(+ 1)
= = = ( + 1)

. Ec (3.12)

Figura 3.17
la corriente de salida del colector sigue estado vinculada a la corriente de entrada por beta
como se muestra en la figura 3.18

Figura 3.18
Circuito equivalente mejorado de un BJT
de la figura 3.19. la pendiente de cada curva definiera una resistencia en ese punto como sigue:
1
Pendiente = = =


donde: = . Ec (3.13)

Figura 3.19
Cuanto mas cambie por la mismo cambio de , mayor ser la resistencia de salida en esa
regin. El resultado es que la resistencia 2 excede por mucho a la resistencia 1 . Utilizando un
valor promedio de la resistencia de salida se agregara el otro componente al circuito equivalente
tal como aparece en la figura 3.20

figura 3.20, Modelo


3.4.1.2 CONFIGURACIN EN BASE COMUN
El circuito equivalente de base comn se desarrollara casi del mismo modo en que se aplico a la
configuracin en emisor comn, son la siguiente figuras.
3.4.1.3 CONFIGURACIN EN COLECTOR COMUN.
Para la configuracin en colector comn, normalmente se aplica el modelo definido para la
configuracin de emisor comn de la figura 3.20 en lugar de definir uno para ella. En captulos
subsiguientes investigacin varios configuracin en colector comn y el efecto de utilizar el
mismo modelo ser patente.
3.5 AMPLIFICADORES BJT EN PEQUEA SEAL CON MODELO .
3.5.1 CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA EN EMISOR COMN.-
ahora, para realizar el anlisis de seal pequea de varias configuraciones de red de
transistores estndar, utilizaremos los modelos de transistor que acabamos de presentar.
la primera configuracin que se analizara en detalle es la red de polarizacin fija en emisor
comn de la figura 3.21.
el anlisis de ca de seal pequea se inicia eliminando los efectos de cd de y
reemplazando los capacitores de bloqueo 1 2 equivalentes de cortocircuitos y el resultado
es la red de la figura 3.22.
figura 3.22 que la tierra comn de la fuente de cd y emisor del transistor permite reubicar
y en paralelo con las secciones de entradas y salidas del transistor respectivamente.
Figura 3.21 figura 3.22
Configuracin de polarizacin fija en emisor comn red de la figura 3.21 despus de la eliminacin de los
efectos de , 1 y 2 .
adems, observe la colocacin de los parmetros importantes , , y . En la red que se
volver dibuja, sustituyendo el modelo , CEC de la figura 3.23.

figura 3.23
Impedancia se hallar y unidad [ohm], vista de tensin de entrada.
= // . Ec (3.14)
Impedancia visto de tensin de salida:
= // .. Ec (3.15)
ganancia de tensin

= . Ec (3.16)

Nota: El signo negativo de revela un desfasamiento de 180 entre y
3.5.2 POLARIZACIN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE.-
3.5.2.1 CON CONDENSADO EN EMISOR
Analizaremos es la red polarizacin por medio del divisor de voltaje de la figura 3.24

figura 3.24
configuracin de polarizacin por medio del divisor de voltaje
Sustitucin del circuito equivalente en la red equivalente de ca .
R = 1 //2 .. Ec (3.17)

= R// . Ec (3.18)

= // .. Ec (3.19)


= ec (3.20)

3.5.2.2 SIN CONDENSADO EN EMISOR
Configuracin de polarizacin de emisor comn
Sustitucin de l circuito equivalente en la red equivalente de ca .
LTK:
= +

donde: = ( + 1)
Reemplazado:
= + ( + 1)
Y la de entrada viendo hacan la red
a la derecha de es
+ ( +1)
= =

= + ( + 1) .. Ec (3.21)
donde la impedancia de entrada es:
= // . Ec (3.22)
impedancia de salida es:
= . Ec (3.23)
ganancia de voltaje es:

= donde =

= =

= ( )


( )

= =
= ec (3.24)

3.5.3 CONFIGURACIN EN EMISOR SEGUIDOR.-
el voltaje de salida siempre es un poco menor que la seal de entradas debido a la cada de la
base al emisor. Es decir, y alcanzan sus valores pico positivos y negativos al mismo tiempo.
Como se muestra en la figura

configuracin en emisor seguidor sustitucin del circuito equivalente en la red


equivalente de ca de la figura
donde: = // . Ec (3.25)

= + ( + 1)
para hallar la mejor escribiendo primero la ecuacin para la corriente .

= donde = ( + 1) = ( + 1)

( + 1)
= =
+ ( + 1) [
+ 1] +
( + 1)


=
+1


= +
. Ec (3.26)

= // ec (3.27)
3.5.4 CONFIGURACION EN BASE COMUN.-
la configuraciones base comn se caracteriza por tener una impedancia de entrada baja e
impedancia de salida y un ganancia de corriente menor de 1. la ganancia de voltaje, sin embargo,
puede ser bastante grande, como se muestra e figura y tambin con el modelo equivalente como
ser muestras en figura.
Sustitucin del circuito equivalente en la red equivalente de ca de la figura
donde: = // .. ec(3.28)
= .. Ec (3.29)

= donde: = - = -(- )


= = ( )


= ( )


( )

= = = ec (3.30)

suponiendo que resulta: =


= - = -


= = = - .. Ec(3.31)

3.6 AMPLIFICADORES BJT EN PEQUEA SEAL CON MODELO HIBRIDO h
parmetros de hibrido BJT
donde: = 11 + 12
= 21 + 22
11 =


| = 0 : impedancia de entrada, con salida en C.C

12 =


| = 0 : ganancia de tensin inversa, entrada en C.A

21 =


| = 0 : ganancia directa de corriente, salida en C.C

22 =


| = 0 : admitancia de salida, entrada en C.A

la seleccin de las letras es obvia de acuerdo con la lista siguiente:
11 resistencia de entrada
12 relacin de voltaje de transferencia inversa
21 relacin de corriente de transferencia directa
22 conductancia de salida

circuito equivalente hibrido completa


3.6.1 CONFIGURACION DE POLARIZACION FIJA.-
para la configuracin de polarizacin fija de la figura, la red equivalente de c.a de seal pequea
aparecer como se muestra en la figura. Utilizando el modelo hibrido equivalente aproximado de
emisor comn
Sustitucin del circuito equivalente hibrido aproximado en la red equivalente de ca
de la figura
Impedancia vista de entrada = // ec (3.32)

Impedancia vista de salida = //1 . Ec (3.33)


Ganancia de tensin obtenemos :
= - R = - R = - R

donde: R=1 // y =


= - R

(1 // )
= =- .. Ec (3.34)

suponiendo que y 1 10 vemos que e = = =
Y por lo tanto

= = .. Ec (3.35)

3.6.2 CONFIGURACION DEL DIVISOR DE VOLTAJE.-
para la configuracin de polarizacin por medio del divisor de voltaje de la figura,
la red equivalente de ca de seal pequea tendr la misma apariencia que en la
figura, con reemplazada por R = 1 //2 .
de la figura con = R.
= //
de la figura

ganancia de tensin
( //1 )
= =-

ganancia de corriente

=
+
3.6.3 CONFIGURACION EN BASE COMUN.-
Sustitucion del circuito equivalente hibrido en la red equivalente de ca de la figura
Tenemos los siguientes resultados a partir de la figura
impedancia vista de tensin de entrada
= //
impedancia vista de tensin de salida
=
ganancia de tensin
= - = - ( )

= y = -


= =-

ganancia de corriente

= =

3.6.4 MODELO EQUIVALENTE HIBRIDO COMPLETO.-
Sustitucin del circuito equivalente hibrido en la bipuerto de la figura
ganancia de corriente, = donde =
Aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos

= + I = + 1 = +

sustituyendo = - resulta
= -
Reescribiendo la ecuacin anterior, tenemos
+ =

= 1+


= = . Ec (3.36)
1+
ganancia de voltaje = / al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada
= +
Sustituyendo =(1+ ) / de la ecuacin e = - / resulta
(1+ )
= +

Resolviendo para la relacin / resulta

= =
+( )
Impedancia de entrada = /
para el circuito de entrada,
= +
sustituyendo = -
tenemos = -
porque = / entonces =
De modo que la ecuacin anterior se escribe
= -
Resolviendo para la relacin / , obtenemos

= =
1+
Resulta

= = -
1+
impedancia de salida = /
la impedancia de salida de un amplificador se define como la relacin del voltaje
de salida a la corriente de salida con la seal ajustada a cero para el circuito de
entrada con = 0,

= -
+
Sustituyendo esta relacin en la ecuacin del circuito de salida resulta
= +

=- +
+


= =
[ /( + )]