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Respuesta A.C.

del BJT 1/10


1. Introducción

Una vez que se ubica al transistor dentro de la zona activa o lineal de operación, se
puede utilizar como amplificador de señales.

En base a un transistor BJT NPN en configuración emisor común, se realizará el


análisis de la respuesta del dispositivo ante la aplicación de una señal de c.a.

2. Amplificador Emisor Común con CE

El circuito básico amplificador emisor común se muestra en la figura 1.

VCC
vL (t)
vi (t) C2
R2 RC
vL
C1 IC
vi VCE RL
t t
R1 IB VBE IE

RE CE

Figura 1

Vi → Señal que se desea amplificar


VL → Señal de salida amplificada
RL → Representa la impedancia de entrada de la carga a alimentar
R1, R2, RE, RC → Resistencias del circuito de polarización
VCC → Fuente del circuito de polarización
C1 y C2 → Condensadores de acoplo
CE → Condensador de desacoplo, de desvío, de paso o de emisor.

Los condensadores se comportan como un circuito abierto ante la aplicación de una


señal de c.c. y como un corto circuito ante la aplicación de una señal de c.a.

Condensador de Acoplo C1: Este condensador se encarga de acoplar la señal de c.a.


de entrada al circuito de polarización de c.c., de tal manera que se bloquee la el paso
de la señal de c.c. hacia la fuente, evitando el daño de esta y permitiendo al mismo
tiempo el paso de todas las componentes de c.a. de la señal de entrada Vi hacia el
terminal de la base.

Condensador de Acoplo C2: Este condensador se encarga de bloquear el paso de la


señal de c.c. hacia la carga RL, mientras permite el paso de las componentes de
frecuencia de la señal de entrada Vi. Con esto se consigue que la señal de salida VL
solo se vea afectada en magnitud y no en frecuencia.

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Condensador de Desacoplo CE: El condensador CE se encarga de cortocircuitar la


resistencia RE para señales de c.a. para así aprovechar toda la señal de salida del
transistor VCE, es decir, permite que VL = VCE. En c.c. la resistencia RE permanece en
sin cambios permitiendo la estabilización de la salida.

3. Análisis del Amplificador Emisor Común con CE

Tomando en cuenta que el circuito de polarización ubica al transistor dentro de la zona


activa o zona lineal, se considera lineal a todo el circuito amplificador y aplicar las
propiedades de la linealidad, específicamente el principio de superposición para
analizar el circuito.

El análisis se hace entonces por separado para cada tipo de señal, es decir:

Análisis C.C.
Análisis C.A.

3.1. Análisis C.C.

Para este análisis: Vi = 0 y C1, C2 y CE → se actúan como circuito abierto.

El circuito equivalente (figura 2) no es más que el circuito de polarización por divisor de


voltaje.

VCC VTH VBB RC


RTH RB
RB
VCE IC
RC
R2 IB VBE
IC IE VCC
VCE RE
IB VBE VBB
IE
RE
R1

Figura 2

Las ecuaciones que describen a este circuito son:

Ecuación de polarización de la base → V BB = R B I B + V BE + R E I E

Ecuación de recta de carga d.c. → VCC = RE I E + VCE + RC I C

R1 RR
Ecuaciones del equivalente de Thevenin → VTH = VCC , RTH = 1 2
R1 + R2 R1 + R2

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3.2. Análisis C.A.

En este caso de análisis: VCC = 0 y C1, C2 y CE → se actúan como corto circuito.

El circuito equivalente del amplificador en c.a se muestra en la figura 3.

R2 RC
vL
iC iL
RL
vi VCE
iB VBE
R1

Figura 3

Redibujando el circuito este queda como: (figura 4)

iL vL
vi vCE iC
RC
iB vBE RL
RB

Figura 4

VL = vCE

vCE = −iC ( RC // RL )

Esta última ecuación corresponde a la ecuación de salida de c.a.

El voltaje total que existe entre colector y emisor, VCE, está dado por: VCE = VCEQ + vCE , lo
que indica que el VCE total está formado por una componente de c.c. y varias
componentes de c.a. La corriente total que existe a través del colector Ic, está dada por:
I C = I CQ + iC . Los valores de ICQ y VCEQ son obtienen del análisis c.c.

Las ecuaciones para IC y VCE total, resultado de la superposición permiten obtener la


ecuación de recta de carga a.c.

VCE = VCEQ + vCE → vCE = VCE − VCEQ

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I C = I CQ + iC → iC = I C − I CQ

Sustituyendo estos valores de vCE e iC en la ecuación de salida de c.a. se tiene:

VCE − VCEQ = −(I C − I CQ )(RC // RL )

VCE = VCEQ − (I C − I CQ )(RC // RL )

Esta última ecuación se conoce como ecuación de recta de carga a.c.

3.3. Análisis Gráfico con las Rectas de Carga D.C. y A.C.

La intersección de las rectas de carga d.c. y a.c. sobre el eje iC vs. vce correspondiente a
las curvas de salida del BJT, da la ubicación exacta del punto Q. (Figura 5).

Recta de carga d.c.:

VCC = RE I E + VCE + RC I C

I E ≅ IC

VCC = VCE + I C (RC + R E )

El corte de la recta de carga d.c. con los ejes iC vs. vce de las curvas de salida es:

Para I C = 0 → VCE = VCC

VCC
Para VCE = 0 → IC =
RC + RE

Recta de carga a.c.:


VCE = VCEQ − (I C − I CQ )(RC // RL )

Corte con los ejes:

Para I C = 0 → VCE = VCEQ + I CQ (RC // RL ) → VCE max

VCEQ
Para VCE = 0 → IC = + I CQ → I C max
RC // Rl

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Los cortes de la recta a.c. con los ejes iC vs. vce son valores máximos en el amplificador
puesto que su magnitud depende del valor del punto Q ya determinado en el análisis
c.c. (circuito de polarización).
iC

Recta A.C
VCC
RC +RE

Punto Q
ICQ
Recta D.C

VCEsat VCEmax VCC vCE


VCEQ

Figura 5

4. Máximo Desplazamiento Simétrico (MDS)

La ubicación del punto Q con respecto a los valores VCE max y VCE sat determina la
magnitud pico de la señal de salida VL, v L p = vce p .

Si el punto Q está mas cerca del VCE max que del VCE sat , entonces: vce p = I CQ (RC // RL ) .
Ver figura 6.
iC

VCEmax VCC vCE


VCEsat VCEQ
vce
vcep = Vcemax – VCEQ
vcep
vcep = ICQ(RC//RL)

t
Figura 6

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Si el punto Q está mas cerca del VCE sat que del VCE max , entonces: vce p = VCEQ − VCE sat .
Ver figura 7.
iC

VCEmax VCC vCE


VCEsat VCEQ
vce
vcep

vcep = VCEQ – VCEsat

Figura 7

Lo ideal sería tener máxima señal de salida vce p max , lo cual se logra cuando el punto
Q está equidistante del VCE sat y el VCE max , tal como muestra la figura 8. Cuando esto
sucede se dice que existe Máximo Desplazamiento Simétrico (MDS) de la señal de
salida del transistor v ce .
iC

VCEsat VCEQ VCEmax VCC vCE

vce
VCEQ - VCEsat

Vcep = VCEQ – VCEsat


= ICQ(RC//RL)
ICQ( RC//RL)
VCEQ = VCEsat + ICQ(RC//RL)

Figura 8

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En MDS, vce p = VCEQ − VCE sat pero también vce p = I CQ (RC // RL ) , igualando estas
ecuaciones se tiene la ecuación para MDS que permite ubicar el punto Q de tal manera
que la salida del transistor sea máxima.

VCEQ = VCE sat + I CQ (RC // RL )

Como el VCE sat es un valor muy pequeño, muchas veces no se considera dentro de
esta ecuación.

5. Amplificador Emisor Común sin CE

La ausencia del condensador CE, provoca una disminución en la señal de salida del
amplificador, VL, puesto que ahora durante el análisis en c.a. la resistencia RE
permanece en el circuito. La figura 9 muestra el circuito amplificador emisor común sin
CE.
VCC
vL (t)
vi (t) C2
R2 RC
vL
C1 IC
vi VCE RL
t t
R1 IB VBE
IE

RE

Figura 9

El análisis de este circuito se realiza por separado para cada tipo de señal aplicada, al
igual que para el amplificador emisor común con CE.

5.1. Análisis C.C.

Haciendo Vi= 0 y tomando a C1 y C2 como circuito abierto se tiene el mismo circuito


equivalente obtenido para el caso del amplificador emisor común con CE (Figura 2), por
tanto el análisis de este circuito ya es conocido.

5.2. Análisis C.A.

Tomando VCC = 0 y C1 y C2 como corto circuito se tiene el circuito equivalente de la


figura 10.

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vL
iL
vi vCE iC
RC
iB vBE RL
vL = vCE + vE
RB
RE

Figura 10

V L = vCE + iC R E = vCE + v E

VL = −iC (RC // RL )

Igualando estas dos ecuaciones se tiene:


vCE + RE iC = −iC (RC // RL )

vCE = −iC [(RC // RL ) + RE ]

Esta última ecuación corresponde a la ecuación de salida de c.a. para el amplificador


emisor común sin CE, se observa entonces la presencia de la resistencia RE.

Como resultado de la superposición indica que: vCE = VCE − VCEQ e iC = I C − I CQ , la


sustitución de estos valores sobre la ecuación de salida de c.a. permite obtener la
ecuación de recta de carga d.c. para el amplificador emisor común sin CE.

VCE − VCEQ = −(I C − I CQ )[(RC // RL ) + RE ]

VCE = VCEQ − (I C − I CQ )[(RC // R L ) + RE ]

5.3. MDS en el Amplificador Emisor Común sin CE

La ecuación para MDS se obtiene a partir de la ecuación de recta de carga a.c. Para un
amplificador emisor común con CE, la ecuación para MDS es:

VCEQ = VCE sat + I CQ (RC // RL )

Esta ecuación se obtuvo a partir de: VCE = VCEQ − (I C − I CQ )(RC // R L )

Al quitar el CE, la ecuación de recta de carga a.c. se ve afectada por RE:

VCE = VCEQ − (I C − I CQ )[(RC // R L ) + RE ]

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Como esta ecuación determina la ecuación para MDS, la ecuación para MDS en un
amplificador emisor común sin CE, queda como:

VCEQ = VCE sat + I CQ [(RC // RL ) + RE ]

Donde: vce p = I CQ [(RC // RL ) + RE ] y en vista de que VL = vCE + v E se tiene para MDS:

v L = I CQ (RC // RL ) y v E = I CQ RE

6. Diseño de un Amplificador Emisor Común con CE y Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje

Generalmente el diseño de amplificadores transistorizados se hace para M.D.S. El


diseño parte de dos ecuaciones:
- Recta de carga D.C. VCC = VCEQ + I CQ ( RC + R E )
- Ecuación para M.D.S. VCEQ = VCEsat + I CQ ( RC // RL )

La recta de carga D.C. se utiliza para ubicar el punto Q dentro de la zona de operación
activa del transistor.

La ecuación para M.D.S. se utiliza para obtener máxima señal de salida en la carga.

Procedimiento de Diseño

Este procedimiento es general y puede modificarse o adaptarse de acuerdo a las


necesidades de diseño, por lo que también es aplicable al amplificador emisor común
sin CE y con otros circuitos de polarización.

1. Identificar los elementos y variables que se tienen a la disposición para el diseño.


Generalmente se cuenta con: Vcc, RL, VCEsat, β y un valor del punto Q (ICQ o VCEQ).
2. Identificar las partes que se necesitan calcular para el diseño:
- Resistencias de polarización .
- Valor del punto Q faltante.
R
3. Escoger RE en caso de no conocerla R E = C , para mantener la condición I E ≅ I C .
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4. Con la ecuación de recta de carga D.C. y la ecuación para M.D.S., calcular el valor
de RC.
5. Con RC calcular el valor faltante del punto Q (ICQ o VCEQ).
6. Con el equivalente de Thévenin y la ecuación de polarización de la base calcular R1
y R2 bien sea con el caso A o el caso B

- Caso A

A.1. Escoger VBB, tal que V BEQ < VBB < VCC

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A.2. Con el VBB seleccionado calcular RB a partir de la ecuación de polarización de la
base.
A.3. Con VBB y RB , calcular R1 y R2.

- Caso B (recomendado, ya que considera el valor de β)


R
B.1. Escoger RB como R B ≅ ( β + 1) E de tal modo que el circuito sea menos
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susceptible a los cambios de β.
B.2. Con el valor de RB seleccionado calcular VBB a partir de la ecuación de
polarización de la base.
B.3. Con VBB y RB , calcular R1 y R2.

Caso especial de diseño en el que no se conoce ningún valor del punto Q

Se escoge un valor de VCEQ , tal que RC sea un valor positivo y finito.

RC
Si R E = , la ecuación de recta de carga d.c. queda como:
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VCC = VCEQ + 1.1I CQ RC

VCEQ − VCEsat
De la ecuación de MDS: VCEQ = VCEsat + I CQ ( RC // RL ) , se obtiene I CQ = . Este
( RC // RL )
valor de ICQ sustituido sobre la ecuación de recta de carga d.c. anterior resulta en:

VCEQ − VCEsat
VCC = VCEQ + 1.1RC
( RC // RL )

De donde se obtiene el valor de RC como:

⎡VCC − 2.1VCEQ + 1.1VCE sat ⎤


RC = RL ⎢ ⎥
⎣⎢ 1.1(VCEQ − VCE sat ) ⎦⎥

Esta expresión indica que para tener un valor de RC positivo y finito debe escogerse
VCEQ tal que:

VCC + 1.1VCE sat


VCEsat < VCEQ <
2 .1

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