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Una vez que se ubica al transistor dentro de la zona activa o lineal de operación, se
puede utilizar como amplificador de señales.
VCC
vL (t)
vi (t) C2
R2 RC
vL
C1 IC
vi VCE RL
t t
R1 IB VBE IE
RE CE
Figura 1
El análisis se hace entonces por separado para cada tipo de señal, es decir:
Análisis C.C.
Análisis C.A.
Figura 2
R1 RR
Ecuaciones del equivalente de Thevenin → VTH = VCC , RTH = 1 2
R1 + R2 R1 + R2
R2 RC
vL
iC iL
RL
vi VCE
iB VBE
R1
Figura 3
iL vL
vi vCE iC
RC
iB vBE RL
RB
Figura 4
VL = vCE
vCE = −iC ( RC // RL )
El voltaje total que existe entre colector y emisor, VCE, está dado por: VCE = VCEQ + vCE , lo
que indica que el VCE total está formado por una componente de c.c. y varias
componentes de c.a. La corriente total que existe a través del colector Ic, está dada por:
I C = I CQ + iC . Los valores de ICQ y VCEQ son obtienen del análisis c.c.
I C = I CQ + iC → iC = I C − I CQ
La intersección de las rectas de carga d.c. y a.c. sobre el eje iC vs. vce correspondiente a
las curvas de salida del BJT, da la ubicación exacta del punto Q. (Figura 5).
VCC = RE I E + VCE + RC I C
I E ≅ IC
El corte de la recta de carga d.c. con los ejes iC vs. vce de las curvas de salida es:
VCC
Para VCE = 0 → IC =
RC + RE
VCEQ
Para VCE = 0 → IC = + I CQ → I C max
RC // Rl
Recta A.C
VCC
RC +RE
Punto Q
ICQ
Recta D.C
Figura 5
La ubicación del punto Q con respecto a los valores VCE max y VCE sat determina la
magnitud pico de la señal de salida VL, v L p = vce p .
Si el punto Q está mas cerca del VCE max que del VCE sat , entonces: vce p = I CQ (RC // RL ) .
Ver figura 6.
iC
t
Figura 6
Figura 7
Lo ideal sería tener máxima señal de salida vce p max , lo cual se logra cuando el punto
Q está equidistante del VCE sat y el VCE max , tal como muestra la figura 8. Cuando esto
sucede se dice que existe Máximo Desplazamiento Simétrico (MDS) de la señal de
salida del transistor v ce .
iC
vce
VCEQ - VCEsat
Figura 8
En MDS, vce p = VCEQ − VCE sat pero también vce p = I CQ (RC // RL ) , igualando estas
ecuaciones se tiene la ecuación para MDS que permite ubicar el punto Q de tal manera
que la salida del transistor sea máxima.
Como el VCE sat es un valor muy pequeño, muchas veces no se considera dentro de
esta ecuación.
La ausencia del condensador CE, provoca una disminución en la señal de salida del
amplificador, VL, puesto que ahora durante el análisis en c.a. la resistencia RE
permanece en el circuito. La figura 9 muestra el circuito amplificador emisor común sin
CE.
VCC
vL (t)
vi (t) C2
R2 RC
vL
C1 IC
vi VCE RL
t t
R1 IB VBE
IE
RE
Figura 9
El análisis de este circuito se realiza por separado para cada tipo de señal aplicada, al
igual que para el amplificador emisor común con CE.
Figura 10
V L = vCE + iC R E = vCE + v E
VL = −iC (RC // RL )
La ecuación para MDS se obtiene a partir de la ecuación de recta de carga a.c. Para un
amplificador emisor común con CE, la ecuación para MDS es:
v L = I CQ (RC // RL ) y v E = I CQ RE
6. Diseño de un Amplificador Emisor Común con CE y Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje
La recta de carga D.C. se utiliza para ubicar el punto Q dentro de la zona de operación
activa del transistor.
La ecuación para M.D.S. se utiliza para obtener máxima señal de salida en la carga.
Procedimiento de Diseño
- Caso A
A.1. Escoger VBB, tal que V BEQ < VBB < VCC
RC
Si R E = , la ecuación de recta de carga d.c. queda como:
10
VCEQ − VCEsat
De la ecuación de MDS: VCEQ = VCEsat + I CQ ( RC // RL ) , se obtiene I CQ = . Este
( RC // RL )
valor de ICQ sustituido sobre la ecuación de recta de carga d.c. anterior resulta en:
VCEQ − VCEsat
VCC = VCEQ + 1.1RC
( RC // RL )
Esta expresión indica que para tener un valor de RC positivo y finito debe escogerse
VCEQ tal que: