COD.

HECL 301
TRANSISTORES BIPOLARES BJT Versión: 01
Fecha: 20/08/2018

Programa de estudio Experiencia curricular Sesión

INGENIERÍA DE ELECTRÓNICA 4
SISTEMAS

I. OBJETIVO

Identificar los elementos que conforman un transistor, emisor, base y colector, usando el
probador de diodos del multímetro; calcular y medir los voltajes de operación de VDC que se
encuentran en un circuito con transistores; comprobar el funcionamiento del transistor como
interruptor y amplificador.

II. FUNDAMENTO
El Transistor es un dispositivo pequeño que aprovecha las propiedades semiconductoras y
cristalinas del germanio o del silicio y que sirve para ampliar las oscilaciones eléctricas. El
transistor sirve como amplificador y también como interruptor. Los elementos del transistor
son: BASE – COLECTOR – EMISOR, pueden ser del tipo PNP o NPN. Los Transistores son
amplificadores ideales, cuando se aplica una señal de C.A. en los terminales de entrada, en
los terminales de salida aparece una reproducción amplificada de la misma señal.
Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y
si éste es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de
especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican como están ubicadas las
terminales de emisor, colector y base.
En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicación es correcta y que el
dispositivo este en buen estado.

III. MATERIALES Y MÉTODOS

(01) Transistor bc548
(01) Transistor 2n3906
(01) Resistencia de 56k
(01) Resistencia de 10k
(01) Resistencia de 0.5k
(01) Diodo led
(01) Protoboard
(01) Multímetro Digital
(01) Fuente de alimentación
Cables de interconexión.
IV. PROCEDIMIENTO
4.1. Medición de transistores.
Vamos a medir los transistores que tenemos:

4.2. Polarización de transistores.

Monte el siguiente circuito, con los siguientes valores:
RB=56 K
RC=0.5K
Vcc=12 V
VBB variable.
Ahora llene la siguiente tabla (No olvide que los valores de corriente se calculan, lo
mismo que el valor de hFE):

VBB VBE VCE IC = (VCC-VCE) / Rc IB = (VBB-VBE) / RB hFE=IC/IB

1 661mV 11.3 V 1.38 mA 6.06 227
2 697mV 9.5 V 5.01 mA 23.3 215
3 713mV 7.83 V 8.34 mA 40.7 204
4 723mV 6.31 V 11.4 mA 58.5 194
5 732mV 4.92 V 14.2 mA 76.2 186
6 738mV 3.64 V 16.7 mA 94 177
7 744mV 2.45 V 19.1 mA 112 170
8 750mV 1.34 V 21.3 mA 129 165
9 753mV 0.85 V 22.3 mA 147 151
10 754mV 0.82 V 22.4 mA 165 135

Monte el siguiente circuito, con los siguientes valores:

 Ahora llene la siguiente tabla:

VBB = VCC VBE VCE IC = (VCC-Vd-VCE-) / Rc IB = (VBB-VBE) / RB hFE=IC/IB

6 0.72v 7.64mv 11.96 mA 528uA 22.65

V. INFORME DE LABORATORIO

1.- MARCO TEÓRICO

Establezca un marco teórico explicando en forma detallada el funcionamiento de
los transistores BJT, resuelva 4 ejercicios, y mencione alguno de los modelos de
transistores que existen en el mercado.

Funcionamiento de los Transistores BJT

Los transistores BJT son dispositivos semiconductores de tres terminales: base (B),
colector (C) y emisor (E). Están formados por dos uniones PN, una entre la base y el
emisor (BE) y otra entre la base y el colector (BC). Dependiendo del tipo de material
semiconductor utilizado, los transistores BJT se clasifican en dos tipos: NPN y PNP.

El funcionamiento del transistor BJT se basa en el principio de inyección de portadores

minoritarios desde el emisor hacia la base, controlados por una pequeña corriente de
base. Estos portadores atraviesan la región de base y son recolectados por el colector,
generando una corriente de colector mucho mayor que la corriente de base.
En un transistor NPN, los portadores minoritarios son los electrones, mientras que en
un transistor PNP, los portadores minoritarios son los huecos.

Existen dos modos de operación principales para los transistores BJT:

Modo de corte: En este modo, no hay corriente de base (IB = 0), por lo que no hay flujo
de portadores minoritarios del emisor al colector y, por lo tanto, la corriente de
colector es cero (IC = 0).

Modo de saturación: En este modo, la unión BC se polariza en inversa, mientras que la

unión BE se polariza en directa. La corriente de base (IB) permite el flujo de portadores
minoritarios del emisor a la base y, posteriormente, al colector. La corriente de colector
(IC) es máxima y está limitada por la resistencia de carga.

Entre estos dos modos de operación se encuentra la región activa o lineal, donde el
transistor BJT funciona como un amplificador. En esta región, una pequeña variación en
la corriente de base produce una variación mucho mayor en la corriente de colector, lo
que permite la amplificación de señales.

Ejercicios:

ejercicio 1:En un transistor NPN, si IE = 10 mA, IC = 9,8 mA y αDC = 0,98, calcule la

corriente de base IB.

Solución:

αDC = IC / IE

0,98 = 9,8 mA / IE

IE = 9,8 mA / 0,98 = 10 mA (valor dado)

IB = IE - IC = 10 mA - 9,8 mA = 0,2 mA
ejercicio 2:Determine la corriente de colector IC en un transistor PNP si IB = 50 μA y
βDC = 100.

Solución:

βDC = IC / IB

IC = βDC × IB

IC = 100 × 50 μA = 5 mA

ejercicio 3:Si en un transistor NPN, VBE = 0,7 V y VCE = 5 V, calcule la potencia

disipada por el transistor.

Solución:

Potencia disipada = VCE × IC

Supongamos que IC = 10 mA

Potencia disipada = 5 V × 10 mA = 50 mW

ejercicio 4: En un amplificador de emisor común con un transistor NPN, si la

resistencia de carga RL = 2 kΩ, VCC = 10 V y βDC = 150, calcule la corriente de
colector IC.

Solución:

IC = (VCC - VCE) / RL
Supongamos que VCE = 0,2 V (valor típico para un transistor NPN en saturación)

IC = (10 V - 0,2 V) / 2 kΩ = 4,9 mA

IB = IC / βDC = 4,9 mA / 150 = 32,67 μA

Modelos de Transistores BJT en el Mercado:

Existen varios fabricantes que producen transistores BJT, como Texas Instruments,
Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, ST Microelectronics, entre otros. Algunos
modelos populares de transistores BJT incluyen:

2N3904 y 2N3906 (transistores NPN y PNP de propósito general)

BC547 y BC557 (transistores NPN y PNP de señal)

TIP31 y TIP32 (transistores NPN y PNP de potencia)

MPSA42 y MPSA92 (transistores NPN y PNP de conmutación)

Estos modelos se diferencian en características como la corriente máxima, la ganancia

(βDC), la frecuencia de operación, la potencia disipada y las aplicaciones específicas
para las que están diseñados.

Es importante mencionar que, además de los transistores BJT, existen otros tipos de
transistores, como los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo los
transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) y los
transistores de unión bipolar de puerta aislada (IGBT), cada uno con sus características
y aplicaciones particulares.

2.- SOLUCION DEL CUESTIONARIO

 Responda fundamentando su respuesta a las siguientes preguntas:
1-¿Qué es un transistor?

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor. Permite el paso de una señal

en respuesta a otra. Se puede configurar o "comportar" como amplificador,oscilador,
conmutador o rectificador. Se encuentra prácticamente en todos los aparatos
electrónicos como radios, televisores y computadoras. Habitualmente dentro de los
llamados circuitos integrados.

2- ¿De qué está compuesto un transistor?

En la construcción de los transistores hoy en día se emplean materiales como germanio

(Ge), silicio (Si), arseniuro de galio (GaAs) o aleaciones de silicio y germanio o silicio y
aluminio.
3- ¿Cuáles son las terminales de un transistor?

El transistor está compuesto por tres terminales: base, colector y emisor.

El emisor tiene que ser una región muy dopada, ya que cuanto más dopaje tenga el
emisor,mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente. La base debe ser muy
estrecha y poco dopada, con el fin de que toda la corriente que proviene del emisor pase
al colector. Además, para que el dispositivo actúe como un transistor,la base ha de ser
estrecha. La región del colector tiene que ser menos dopada que la del emisor.

4- ¿Menciona 3 tipos de transistor?

● Transistor de contacto puntual:Fue el primer transistor capaz de obtener

ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de
transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es
difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano),frágil (un golpe podía
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo, convivió con el transistor de unión
debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

● Transistor de efecto de campo:El transistor de efecto de campo de unión

(JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Forma una
barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la
barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra
de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A
uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando
tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión
de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

6- ¿Menciona las zonas de trabajo de un transistor?

 ● Zona o Región de corte:En esta región la corriente de colector y la corriente de
emisor = 0, (Ic = Ie = 0).El voltaje entre el colector y el emisor del transistor es
el voltaje de alimentación del circuito. Como no hay corriente circulando, no
hay caída de voltaje, ver Leyde Ohm. Se dice que el transistor no está
conduciendo.
● Zona o Región de saturación:En esta región la corriente de colector y la
corriente de emisor son máximas, (Ic =Ie = I máxima). La magnitud de la
corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias
conectados en el colector o el emisor o en ambos,ver L a ley de Ohm.

7- ¿Cuales son aplicaciones más comunes de un transistor?

● Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
● Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
● Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de
impulsos PWM)
● Detección de radiación luminosa (fototransistores)

8- ¿Que es un transistor BJT?

Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction
Transistor), son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar el
paso de corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales.

9- ¿Menciona 2 tipos de transistores BJT?

● Un transistor NPN es impulsado (o activado) por corriente positiva polarizada

en la base para controlar el flujo de corriente del Colector al Emisor.
● Los transistores de tipo PNP están impulsados por una corriente negativa
polarizada en la base para controlar el flujo del Emisor al Colector.

10- ¿Que es un JFET?

JFET es un transistor de efecto de campo de la puerta de unión. El transistor normal

es un dispositivo controlado por corriente que necesita corriente para la polarización,
mientras que JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Igual que los MOSFET,
como hemos visto en nuestro tutorial anterior, JFET tiene tres terminales: Gate, Drain y
Source

JFET es un componente esencial para los controles operados por voltaje de nivel de precisión en
electrónica analógica. Podemos usar JFET como resistencias controladas por voltaje o como un
interruptor, o incluso hacer un amplificador usando el JFET. También es una versión de
eficiencia energética para reemplazar los BJT. JFET proporciona un bajo consumo de energía y
disipaciones de energía bastante bajas, lo que mejora la eficiencia general del circuito. También
proporciona una impedancia de entrada muy alta, lo cual es una gran ventaja sobre los BJT
 11- ¿Qué diferencias existen entre un BJT y un JFET?

● BJT es bipolar, es decir, hay un flujo de electrones portadores de carga

minoritarios y mayoritarios, mientras que JFET es unipolar, es decir, hay un flujo
de electrones portadores solo mayoritarios.
● El BJT se controla usando la corriente de entrada (corriente base), mientras que
JFET se controla usando el voltaje de entrada (voltaje de puerta).
● La impedancia de entrada de JFET es mucho mayor en comparación con el BJT.
● Los tres terminales de BJT son emisor, base y colector, mientras que FET és
drenaje, compuerta y fuente.

4.- OBSERVACIONES

Mencione y detalle las observaciones técnicas encontradas durante

el desarrollo de la práctica.

5.- CONCLUSIONES
Explique detalladamente las conclusiones extraídas de la práctica
del Laboratorio desarrollado.
● Al realizar el informe pude concluir que importancia tienen los transistores ya
sean BJT o JFET, más bien las diferencias de estos y cuál es mejor en ciertos
casos. Los transistores en general han sido utilizados para poder mejorar o
maximizar el potencial de los aparatos y también para la construcción de
aparatos capaces de soportar mucha más tensión.
● Según internet todo indica que los transistores JFET son mejores que los
transistores BJT.
● Según el tipo de dato que queremos medir, se tiene que conectar al circuito de
diferentes maneras. El amperímetro se conecta en serie mientras que el
voltímetro se conecta en paralelo.

VI. REFERENCIA BIBLIOGRAFÍA

Boylestad, R. (2003). Electrónica. Naucalpan de Juárez: Pearson Educación
(S/f). Uelectronics.com. Recuperado el 29 de septiembre de 2023, de
https://uelectronics.com/transistores-bjt/
Berríos, J. C. (2023, agosto 17). Transistor de unión bipolar (BJT): ¿Qué es y cómo
funciona? TELCOM: Aprenda ingeniería eléctrica y electrónica (gratis).
https://telcomplus.org/transistor-de-union-bipolar-o-bjt-n-p-n-o-p-n-p-transistor/

Isaac. (2023, marzo 1). Transistor bipolar (BJT): Tipos, usos y datos importantes
para técnicos en electrónica. Electrónica IH.
https://www.electronicaih.com/transistor-bipolar-bjt-tipos-usos-y-datos
importantes-para-tecnicos-en-electronica/
VI. ANEXOS