Man Lab ELE211

FACULTAD DE CIENCIAS DE LAS INGENIERÍAS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
MANUAL DE PRÁCTICAS DE LABORATORIO

PARA
ELECTRÓNICA GENERAL
San pedro de Macorís Rep. Dom.

Julio, 2021
Revisión 1
PRESENTACIÓN
Este manual está dirigido a los estudiantes de la escuela de Ingeniería

Electromecánica. Corresponde con el programa de la asignatura Electrónica
General. Consta de instructivos, procedimientos y conceptos básicos que
constituyen un resumen de los conceptos desarrollados previamente en las clases
de teoría.
Este manual tambien consta de preguntas y ejercicios de comprensión, para que el
estudiante pueda dominar los principios que hay que tomar en cuenta cuando se
vaya a realizar una práctica de laboratorio.
Cada práctica de laboratorio inicia con una breve descripción del dispositivo y
conceptos a tratar. Se enuncian los objetivos, las competencias esperadas en los
participantes así como una lista de las piezas a ser utilizadas en la práctica de
laboratorio.
El éxito logrado en la comprensión y puesta en práctica de estos conocimientos y
habilidades, se traduce en una comprensión firme del funcionamiento básico de los
dispositivos electrónicos.
Contenido
Plan de clases..............................................................................................................1
Introducción..................................................................................................................2
Normas aplicables al laboratorio de Electrónica..........................................................3
Recomendaciones de seguridad en los laboratorios de electrónica............................4
Efectos de la corriente eléctrica en el cuerpo humano.............................................4
Reglamentaciones........................................................................................................5
Algunos símbolos usados en Electrónica General.......................................................6
CUADRO DE COMPETENCIAS ESPECÍFICAS POR PRÁCTICAS..........................7
PRÁCTICA NÚMERO 1.............................................................................................10
FAMILIARIZACIÓN CON EL EQUIPO DIDÁCTICO DE FACET............................10
FAMILIARIZACIÓN CON LA UNIDAD BASE DE FACET.........................................15
PRÁCTICA NÚMERO 2.............................................................................................16
DIODOS SEMICONDUCTORES............................................................................16
PRÁCTICA DE LABORATORIO #2...........................................................................18
CIRCUITOS CON DIODOS....................................................................................18
PRUEBA DE FALLA ASISTIDA (FACET). CARACTERISTICAS CC DEL DIODO...19
PRÁCTICA NÚMERO 3.............................................................................................21
RECTIFICADORES.................................................................................................21
RECTIFICADORES CON DIODOS........................................................................23
RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA CON PUENTE DE DIODO.....................26
PRÁCTICA NÚMERO 4.............................................................................................28
TRANSISTORES BJT.............................................................................................28
REGIONES DEL BJT..............................................................................................31
LINEA DE CARGA DEL TRANSISTOR.....................................................................32
PRÁCTICA NÚMERO 5.............................................................................................33
BJT EN CORTE Y SATURACIÓN..........................................................................33
BJT EN CORTE Y SATURACIÓN..........................................................................34
PRÁCTICA NÚMERO 6.............................................................................................35
POLARIZACIÓN DEL BJT......................................................................................35
PRÁCTICA DE LABORATORIO NÚMERO 6............................................................37
POLARIZACIÓN DEL BJT......................................................................................37
PRÁCTICA NÚMERO 7.............................................................................................38
E-MOSFET EN CORTE Y SATURACIÓN..............................................................38
E-MOSFET EN CORTE Y SATURACIÓN..............................................................40
PRÁCTICA NÚMERO 8.............................................................................................41
AMPLIFICADOR OPERACIONAL..........................................................................41
FAMILIARIZACIÓN CON EL TABLERO DEL CIRCUITO.........................................42
AMPLIFICADOR OPERACIONAL..........................................................................43
PRÁCTICA NÚMERO 9.............................................................................................44
COMPARADOR DE VOLTAJE...............................................................................44
CONTROL DE TEMPERATURA............................................................................46
PRÁCTICA NÚMERO 10...........................................................................................47
AMPLIFICADOR DE POTENCIA CON BJT...........................................................47
PRÁCTICA DE LABORATORIO #10.........................................................................50
AMPLIFICACIÓN DE POTENCIA...........................................................................50
PRÁCTICA NÚMERO 11...........................................................................................52
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE AUDIO........................................................52
PRÁCTICA DE LABORATORIO #11.........................................................................54
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE AUDIO (ETAPA PREAMPLIFICADORA). .54
RELACIÓN DE EQUIPOS UTILIZADOS EN LAS PRÁCTICAS (Uno por grupo).....55
RELACIÓN DE COMPONENTES UTILIZADOS EN LAS PRÁCTICAS....................55
ACCESORIOS UTILIZADOS EN LAS PRÁCTICAS..................................................56
SOFTWARS DE SIMULACIÓN UTILIZADOS EN LAS PRÁCTICAS........................56
Bibliografía General....................................................................................................57
Bibliografía Básica...............................................................................................57
UNIVERSIDAD CENTRAL DEL ESTE
Facultad de Ciencias de Las Ingenierías
Laboratorio de Electrónica
Plan de clases
A continuación, se muestra el plan a desarrollar en el laboratorio de Electrónica

General durante un cuatrimestre (16 semanas), en función de la planificación de las
clases teóricas de la asignatura.
Semana Contenido Valor
Socialización inicial, presentación de plan de clases, descripción de

1 2
la metodología a utilizar durante la inducción y evaluación.
2 Práctica 1. Familiarización con el equipo didáctico de FACET 3
3 . Practica 2. Diodos semiconductores 5
4 Practica 3. Rectificadores. 5
5 Practica 4. Transistores BJT 5
6 Primer examen parcial. 10
Primer Corte de Notas 30
7 Práctica 5. BJT en corte y saturación. 5
8 Practica 6. Polarización del BJT 5
9 Práctica 7. E-MOSFET en corte y saturación 5
10 Práctica 8. Amplificador Operacional 5
11 Segundo examen parcial 10
Segundo Corte de Notas 30
12 Práctica 9. Comparador de voltaje 5
13 Práctica 10. Amplificador de potencia con BJT 5
14 Práctica 11. Proyecto final: Diseño de un Amplificador de Audio 10
15 Examen final. 20
16 Entrega y revisión de notas.
Corte final de notas 40
1
Introducción
Electrónica General trata del estudio de los dispositivos semiconductores básicos y

su aplicación en circuitos fundamentales para el control y manejo de señales
eléctricas.
Los circuitos electrónicos tratados en este manual consisten en modelos
simplificados de instalaciones reales de algunos artefactos electrónicos para
controlar diferentes dispositivos como por ejemplo un relé, motor, generador u otros
dispositivos eléctricos o electrónicos. La parte experimental de los circuitos
electrónicos, que se imparten en este manual, proporcionan las herramientas
matemáticas, eléctricas y electrónicas con los que se puede calcular el valor de
magnitudes eléctricas como voltaje, corriente, potencia, frecuencia, etc. en cualquier
punto de un sistema electrónico o en un dispositivo (sensor, generador, fuente de
alimentación, osciloscopio, etc.).
Este manual, tiene como objetivo general dotar al alumno de las herramientas
electrónicas necesarias para realizar e interpretar circuitos electrónicos. Consta de
diez prácticas de laboratorio donde cada una de ellas se subdivide con sus
objetivos, competencias específicas, materiales y equipos necesarios para su
desarrollo, una parte teórica o fundamento teórico, identificación de los materiales a
utilizar (equipo, unidad, rangos de escala, etc.) y el análisis e interpretación de los
datos obtenidos con sus conclusiones. También hay lecturas recomendadas para
que el alumno profundice previamente los conceptos y de esta manera pueda
obtener mejores resultados al momento de desarrollar la práctica.
2
Normas aplicables al laboratorio de Electrónica
 La cantidad de estudiantes por grupo de práctica será coordinada por el

profesor al inicio de la sesión. Estos grupos podrán permanecer durante se
esté impartiendo la asignatura.
 La puntualidad en la práctica es necesaria para poder adquirir la competencia
a desarrollar en los experimentos. En consecuencia, diez minutos después de
iniciada la práctica, no se permitirá el ingreso al laboratorio y por tanto, se
considera como una inasistencia. Si la falta es justificada con excusa válida
(validada por el departamento), el profesor podrá elegir entre reponerla, si es
factible en base a disponibilidad de horario o permitir su realización virtual y
entregar un informe. En cualquier otro caso el estudiante recibirá cero nota.
 Tres prácticas perdidas consecutivas o no, conllevan a la reprobación de la
asignatura.
 La calificación total de laboratorio es de 100% distribuida de la siguiente
manera:
Realización de prácticas……………………. 60%

Primer examen parcial……………………… 10%
Segundo examen parcial……………………. 10%
Final…………………………………………….. 20%
Las prácticas tienen 20% promediados por período.
 Una vez terminada la práctica por el estudiante, éste retornará el material o

equipo de laboratorio, al profesor o al designado. En caso de daño por
negligencia o pérdida de algún material o equipo, además de reponerse con
uno de la misma calidad y referencia antes de iniciar la siguiente práctica, se
disminuirá la nota en la respectiva sesión.
 En caso de alguna duda en el montaje, el estudiante podrá consultar al
profesor. Durante la sesión, el profesor supervisará y evaluará el desempeño
de cada estudiante. Si se considera que no está desarrollando correctamente
la práctica, el estudiante deberá repetir, esta vez de forma correcta, la parte
mal ejecutada.
 Las respuestas e informes de laboratorio con igual redacción no tienen valor,
se prohíbe copiar de los otros grupos.
 Retirarse del laboratorio sin autorización del profesor, no está permitido,
tampoco están permitidas las visitas durante el desarrollo de las prácticas.
3
Recomendaciones de seguridad en los laboratorios de electrónica
El desarrollo de las prácticas propuestas en este texto no representa un riesgo para

la vida de los estudiantes, sin embargo se recomienda tener en cuenta las
precauciones necesarias para el manejo de las variables eléctricas y estar atento a
las instrucciones del profesor.
Los accidentes de origen eléctrico pueden provocar daños sobre las personas
(lesiones, e incluso muertes) y sobre los bienes (equipos dañados, riesgo de
incendio y explosiones). Sin embargo, la mayoría de los accidentes tienen su origen
en una falla humana (por negligencia o ignorancia). Esto implica que podrían
evitarse si las personas involucradas conocieran y llevaran a la práctica ciertas
normas básicas de seguridad.
Cuando se tiene contacto simultaneo con un conductor eléctrico y con la tierra,

constituimos una trayectoria para la corriente eléctrica y con su paso a través del
cuerpo se podrían lesionar desde el punto donde se ha hecho contacto con el
potencial, hasta el punto de retorno en la tierra, pasando antes por el cuerpo de la
persona. Dependiendo de la magnitud de la corriente que circule por el cuerpo
humano, esta puede causar desde ciertas quemaduras hasta la muerte.
Efectos de la corriente eléctrica en el cuerpo humano
Intensidad de la corriente Efectos que causa

Alrededor de 1 mili ampere Imperceptible para el ser humano
Hasta 10 mili amperes Cosquilleo, calambre, no es dañina
aproximadamente
10 a 15 mili amperes La persona, todavía puede soltar el
contacto
15 a 25 mili amperes Contracción de brazos y piernas.
Dificultad de respiración.
25 a 50 mili ampere Irregularidades cardiacas.
Inconsciencia
50 a 200 mili amperes Fuerte contracciones musculares.
Inicio de electrocución
200 a 1000 mili amperes Inconsciencia, paro cardiaco.
Probabilidades de muerte.
4
Reglamentaciones
 No fumar, comer o beber en el laboratorio.

 En las mesas de prácticas, solo dejar manual y cuadernos necesarios.
 No trabajar con electricidad en zona mojada o húmeda.
 No tocar equipos con las manos o los pies húmedos.
 No introducir objetos en los agujeros de los enchufes o conectores.
 Se recomienda el uso de zapatos con material aislante.
 No intentar reparar equipos o modificar instalaciones eléctricas fuera del
propósito de la práctica.
 No poner en funcionamiento un circuito eléctrico antes de que el profesor
haya revisado el mismo.
 Conectar y desconectar todos los aparatos eléctricos siempre por medio del
interruptor. No hacerlo a través de las uniones de conexión.
 Nunca desenchufar tirando del cable. Desenchufar siempre sujetando la parte
aislada de la clavija de conexión y tirando de ella.
 Tener presente desconectar los equipos eléctricos al terminar su utilización o
en cualquier pausa.
5
Algunos símbolos usados en Electrónica General
6
CUADRO DE COMPETENCIAS ESPECÍFICAS POR PRÁCTICAS
Práctica Competencias específicas
 Identifica los elementos que forman parte del

1.- FAMILIARIZACIÓN equipo didáctico FACET
CON EL EQUIPO
DIDÁCTICO DE FACET  Maneja adecuadamente los instrumentos y la
base que complementan la unidad FACET
 Identifica las partes del diodo
apropiadamente.
2.- DIODOS  Utiliza el multímetro digital en las pruebas del
SEMICONDUCTORES diodo.
 Utiliza el multímetro digital para medir el
potencial de barrera.
 Arma circuitos rectificadores con diodos en el

protoboard.
 Analiza formas de ondas rectificadas y sin
rectificar de las configuraciones con diodos,
usando el osciloscopio.
3.- RECTIFICADORES
 Mide los parámetros que caracterizan cada
tipo de rectificador usando el multímetro y el
osciloscopio.
 Confronta los resultados obtenidos con los
cálculos realizados.
 Analiza las regiones de funcionamiento del

BJT.
 Interpreta el beta CD de amplificación lineal
4.- TRANSISTORES BJT con el BJT en emisor común. .
 Identifica las tres regiones básicas del BJT.
 Describe el funcionamiento del transistor
bipolar.
7

 Identifica las características de
colector y base de un BJT en
corte.
5.- BJT EN CORTE Y SATURACIÓN colector y base de un BJT en
saturación. .
 Describe el funcionamiento de
un sensor de oscuridad con
BJT.
 Analiza la amplificación, forma y
fase de las señales de entrada y
salida.
 Soluciona fallas en
6.- POLARIZACIÓN DEL BJT
configuración divisor de voltaje.
 Analiza el efecto del capacitor
de emisor en la amplificación
del BJT.

drenaje y compuerta de un E-
MOSFET en corte.
drenaje y compuerta de un E-
7.- E-MOSFET EN CORTE Y
MOSFET en saturación. .
SATURACIÓN
 Identifica el voltaje de umbral de
un E-MOSFET.
 Explica el efecto de la
capacitancia de entrada de un
E-MOSFET
 Identifica las entradas

inversoras, no inversoras y la
salida del AMPOP
 Analiza el comportamiento de
8.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL
un amplificador inversor.
 Explica la realimentación
negativa en el AMPOP.
 Determina la resistencia de
entrada de un AMPOP
8

 Explica las propiedades de los
comparadores de voltaje.
 Explica la realimentación
positiva en el AMPOP.
9.- COMPARADOR DE VOLTAJE  Interpreta correctamente el
significado de V (UTP) y V
(LTP).
 Determina la histéresis en un
comparador con realimentación
positiva.
 Explica la operación clase AB.

 Analiza amplificadores clase AB
push-pull. .
10.- AMPLIFICADOR DE POTENCIA  Describe el amplificador push-
CON BJT pull Darlington.
 Describe un amplificador
Darlington complementario
11.- DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR  Elabora el diagrama de bloques

DE AUDIO aplicable al diseño.
 Diseña y ensambla la parte
preamplificadora del
Amplificador de Audio. .
 Describe el tipo de fuente de
potencia a utilizar.
 Desarrolla la memoria
descriptiva del proyecto.
9
PRÁCTICA NÚMERO 1
FAMILIARIZACIÓN CON EL EQUIPO DIDÁCTICO DE

FACET
OBJETIVO DE LA UNIDAD
Al finalizar esta unidad, usted será capaz de configurar el sistema FACET utilizando
procedimientos estándares de laboratorio.
COMPETENCIAS
Identifica los elementos que forman parte del equipo didáctico FACET
Maneja adecuadamente los instrumentos y la base que complementan la unidad
FACET.
FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD
El primer curso del sistema FACET o Circuitos de fallas asistidas para la enseñanza
técnica de la electrónica, consiste de una unidad base y un tablero conectable de
circuitos de CC denominado FUNDAMENTOS DE CC (91001-22).
10
La unidad base tiene incorporada una fuente de potencia regulable en el rango de

+10 Vcc y -10 Vcc.
Circuitos adicionales de protección, dentro de la unidad base, protegen de sobre

voltaje, sobre corriente o voltaje inverso a cualquier tablero de circuitos conectado a
la unidad base.
Los tableros de circuitos se insertan en la unidad base mediante el uso de un

conector especial ZIF (del inglés, Zero Insertion Force = Fuerza de inserción cero).
Cuando el conector ZIF está abierto (open), el tablero de circuitos (CIRCUIT

BOARD) pueden ser insertado sin ninguna fricción.
11
Cuando el conector ZIF está cerrado (closed), el tablero de circuitos es alimentado

con potencia y señales eléctricas.
La unidad base proporciona veinte relés de lectura de modificación de circuitos (MC)
que permiten modificar un circuito existente. La unidad base contiene además doce
relés de lectura de fallas que permiten introducir una falla en el circuito. Las fallas
del circuito usadas en la unidad de localización de fallas, proporcionan
entrenamiento y evaluación.
Los diagramas esquemáticos de cada circuito están dibujados sobre el tablero del
circuito. Componentes industriales estándares son usados en los circuitos.
12
NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS

Circuitos de CC – circuitos de corriente directa o continua; un flujo de electrones en
una dirección y a todo lo largo de una trayectoria eléctrica.
Circuitos - trayectoria por donde circula la corriente.
Tableros de circuitos – son tableros construidos especialmente que contiene
varios circuitos eléctricos.
Fuente de potencia – dispositivos que suministran electricidad a un circuito
eléctrico. También se conoce simplemente como fuente.
Pila – fuente de potencia básica que produce electricidad a través de la acción
química.
Diagramas esquemáticos – dibujos que utilizan símbolos normalizados para
mostrar trayectorias y componentes eléctricos de circuitos.
Símbolo – dibujo sencillo que representa a un componente.
Circuito crowbar – circuito usado para prevenir sobre voltajes. El mismo funciona
aplicando un cortocircuito en el voltaje de salida a tierra.
EQUIPO REQUERIDO
 Unidad base de FACET
 Tablero de circuitos FUNDAMENTOS DE CC (91001-22)
 Multímetro
 Laptop
 Cable de conexión base FACET- Laptop
13
FAMILIARIZACIÓN CON LOS INSTRUMENTOS
OBJETIVO DEL EJERCICIO

Cuando haya completado este ejercicio, usted estará en condiciones de activar una
fuente de potencia en el sistema FACET. Verificará sus resultados midiendo el
voltaje de salida de la fuente de potencia con un multímetro.
DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

 Los multímetros miden cantidades eléctricas de corriente, resistencia y
voltaje.
 Un multímetro analógico tiene números impresos con escala que, asociados
con un selector de rangos, representan todos los valores posibles de medir.
 Un multímetro digital muestra directamente el valor medido.
 Los multímetros digitales son recomendados pare este ejercicio.
14
FAMILIARIZACIÓN CON LA UNIDAD BASE DE FACET

Cuando haya completado este ejercicio, usted estará en condiciones de entender
las características operativas de la unidad base y del tablero de circuitos de
FUNDAMENTOS DE CC. Verificará sus resultados mediante una prueba
operacional.

 La unidad base contiene relés de lectura de fallas y de modificación de
circuitos (MC), control de la fuente de potencia, diodos emisores de luz (LED,
del inglés, Light Emitting Diode), y un conector tipo ZIF para tableros de
circuitos.
 La unidad base es energizada cuando el cable de CA esta enchufado y el
interruptor de potencia esta prendido.
 Cuando se inserte un tablero de circuitos, el interruptor de potencia de la
unidad base debe estar en posición apagado.
 Los LED de la unidad base indican la presencia de fuente de potencia interna
positiva y negativa de 15 Vcc. Los LED están ubicados delante de las perillas
de control de los suministros de potencia variable positivo y negativo.
 Cuando la unidad base es energizada, los LED se iluminan.
 Uno o ambos LED se apagan si se activa el circuito de protección de la
unidad base (se crea un cortocircuito, o circuito crowbar, en la fuente de
potencia interna).
 Para eliminar la condición de circuito crowbar en la unidad base, apague el
interruptor de potencia de la unidad base, corrija el problema y active
nuevamente el interruptor de potencia.
 Las fuentes de potencia variable se pueden regular mediante las perillas de
ajuste GRUESO (COARSE) o FINO (FINE) ubicadas en ambos extremos de
la unidad de base.
 El control ubicado a la izquierda ajusta el suministro variable negativo entre 0
Vcc y –10 Vcc.
 El control ubicado a la derecha ajusta el suministro variable positivo entre 0
Vcc y +10 Vcc.
 En la unidad base, existen veinte relés de lectura MC controlados por
computadora, numerados del 1 al 20.
 Inicialmente, los MC están inhabilitados por la computadora.
 Cuando un MC es activado, el circuito seleccionado en el tablero de circuitos
es modificado.
 Hay doce relés de lectura de fallas controlados por la computadora en la
unidad base.
 Inicialmente todas las fallas están inhabilitadas por la computadora.
15
 Al activarse una falla, se inserta un desperfecto en un circuito específico

dentro del tablero de circuitos.
16
PRÁCTICA NÚMERO 2
DIODOS SEMICONDUCTORES
Objetivo de la práctica: Desarrollar en el estudiante, las habilidades competentes
que le permitan utilizar las propiedades direccionales del diodo semiconductor.
Competencias:
 Identifica las partes del diodo apropiadamente.
 Utiliza el multímetro digital en las pruebas del diodo.
 Utiliza el multímetro digital para medir el potencial de barrera.
Materiales y Equipos
 Fuente de voltaje DC
 Resistores (2) de 1KΩ
 Protoboard
 Multímetro
 Cajita de alambres
 Maletín de herramientas
 Diodos de propósitos generales (2)
INFORMACIÓN RELACIONADA
Diodos semiconductores
Un diodo semiconductor es un dispositivo de dos terminales que tiene la propiedad
de permitir el paso de la corriente eléctrica en un solo sentido, terminal más positivo
hacia el terminal más negativo. El terminal más positivo del diodo, se conoce como
ánodo, el otro terminal que es el más negativo, se denomina cátodo.
Cuando un diodo se polariza de manera tal que el ánodo es más positivo que el
cátodo, se dice que el diodo está polarizado “en directa”. En caso contrario, cuando
el ánodo es más negativo que el cátodo (cátodo más positivo), se dice que el diodo
está polarizado en inversa. Por tanto, si un diodo está polarizado en directa, circula
corriente eléctrica a través del mismo. Si está polarizado en inversa, prácticamente
no circula corriente por el diodo.
Esta propiedad del diodo, es la base de una gran cantidad de aplicaciones en la
electrónica tales como rectificadores, multiplicadores de voltaje, reguladores,
sintonía de frecuencia, osciladores, protectores y muchas otras.
17
UBICACIÓN E IDENTIFICACIÓN DE CIRCUITOS

Cuando haya completado este ejercicio, usted estará familiarizado con los bloques
de circuitos funcionales del tablero de circuitos DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES. Verificará su conocimiento identificando los bloques de
circuitos y operando un circuito de transistores.

El tablero DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES consta de ocho bloques de
circuitos:
Bloque de circuitos DIODOS Y RECTIFICACIÓN DE MEDIA.

Bloque de circuitos RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA CON FILTROS DE
FUENTE DE ENERGÍA.
Bloque de circuitos REGULADOR DE DIODO ZENER.
Bloque de circuitos FORMACIÓN DE ONDAS POR DIODOS.
Bloque de circuitos DUPLICADOR DE VOLTAJE.
Bloque de circuitos UNIÓN DEL TRANSISTOR.
Bloque de circuitos POLARIZACIÓN CC PNP.
Bloque de circuitos GANANCIA Y LÍNEA DE CARGA DEL TRANSISTOR
Los primeros cinco bloques de circuitos contienen únicamente circuitos de diodos.
Cada bloque demuestra las siguientes funciones de diodo:
Bloque 1. Polaridad del diodo, caída de voltaje requerida para que el diodo sea
conductor y cómo un circuito de diodo funciona como un rectificador de media
onda.
Bloque 2. Rectificación de puente de onda completa con y sin filtrado.
Bloque 3. Características de la caída de voltaje de un diodo Zener.
Bloque 4. Circuito de fijación y de limitación.
Bloque 5. Rectificación de CA a CC que resulta en un voltaje de salida, que es el
doble del voltaje de entrada (voltaje pico).
EQUIPO REQUERIDO
Unidad base de FACET
Tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (91005-22)
Conocimientos previos:
Semiconductores tipo N y tipo P. El diodo. Polarización y prueba. Modelo del diodo
18
PRÁCTICA DE LABORATORIO #2
CIRCUITOS CON DIODOS

Nombre______________________________________ Matricula_______________
Procedimiento: Construya el siguiente circuito,
1.- Mida el voltaje en R1 ___________. Ahora mida la caída de voltaje en

D1_______.
2.- Mida el voltaje VB1________ ¿Cuánto vale ∑V (VB1 – VD1- VR1) ________?
3.- ¿Se cumple la ley de Kirchoff?_______ ¿Cuál?_______ (KVL, KCL)

3.- Ahora arme el siguiente circuito y realice las mismas medidas,
VR2 _________. VD2 ________ VD3 _________ VB2 ________ ∑V ________
4. ¿Cuánto vale VD2+VD3? __________
19
5. En este circuito VD4 vale _______.

6. ¿Cómo están polarizados los diodos D!, D2, D3 y D4?
__________________________.
7. Calcule todos los valores medidos utilizando el modelo práctico del diodo.
8. Compare los resultados calculados con los medidos y proporcione una breve
explicación de las diferencias si la hubiese.
PRUEBA DE FALLA ASISTIDA (FACET). CARACTERISTICAS CC DEL DIODO

Cuando haya completado este ejercicio, usted estará en condiciones de probar un
diodo en un circuito típico, empleando la curva característica CC de un diodo. Usted
verificará los resultados con un multímetro.

Las curvas características del diodo grafican el flujo de corriente versus el voltaje
aplicado. La parte derecha de la gráfica muestra la operación del diodo en la
condición de polarización directa. La porción izquierda de la gráfica ilustra la
condición de polarización inversa
Las escalas de corriente y voltaje en la curva característica varían por región, en los
rangos de miliamperios a pico amperios, o de mili voltios a voltios.
Los voltajes directos por debajo del voltaje de barrera no polarizan directamente al
diodo. En los diodos de silicio, la conducción empieza cuando el voltaje directo
alcanza entre 0.5 y 0.7 V. Los diodos de Germanio requieren de un voltaje de cerca
de 0.3 V.
Una vez que el voltaje directo produce la conducción, pequeños incrementos de
voltaje producen grandes incrementos de corriente. Este voltaje casi constante se le
llama caída de voltaje directo (VF).
Los diodos polarizados inversamente tendrán muy pequeños flujos de corriente. El
flujo de corriente se debe a la presencia de conductores minoritarios y se le refiere
como una corriente de fuga.
El voltaje de ruptura es el voltaje inverso que causa un gran flujo de corriente a
través de los diodos polarizados inversamente. La corriente puede ser lo
suficientemente grande como para dañar el diodo.
20
En general, para efectos de cálculo, la caída de voltaje directo de un diodo de silicio

es de 0.6 V y para los diodos de germanio 0.3 V.
La resistencia directa es la relación entre el incremento de la caída de voltaje directa
dividida por el incremento de la corriente directa.
Debido a que la resistencia dinámica directa, o resistencia directa, de un diodo es
muy pequeña, se incluye una resistencia en el circuito para prevenir daño al diodo.
El valor de corriente más alto que puede pasar a través de un diodo sin causarle
daño se conoce con el nombre de corriente directa máxima, generalmente
abreviada como (IF (máx.)).
Los óhmetros no pueden medir exactamente la resistencia de la unión de un diodo,
por lo tanto, las uniones del diodo son probadas únicamente por continuidad. La
unión polarizada directamente registrará una resistencia muy baja, indicando
continuidad. Una unión polarizada inversa o diodo dañado, indicará una resistencia
muy alta o una sobre carga que indica pérdida de continuidad.
En el ejercicio, se incluyen instrucciones para probar los diodos con los siguientes
medidores:
MULTÍMETRO DIGITAL
MULTÍMETRO DIGITAL CON UNA FUNCIÓN DE PRUEBA DE DIODO
ÓHMETRO ANALÓGICO
Inserte el tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (91005-22) en
la base de la unidad FACET y siga las instrucciones del recurso suministrado
(característica.CC del diodo)
Anotaciones
21
PRÁCTICA NÚMERO 3
RECTIFICADORES
Objetivo de la práctica: Desarrollar en el estudiante, las habilidades competentes
que le permitan armar una fuente rectificadora lineal filtrada.
Competencias:
 Arma circuitos rectificadores con diodos en el protoboard.
 Analiza formas de ondas rectificadas y sin rectificar de las configuraciones
con diodos, usando el osciloscopio.
 Mide los parámetros que caracterizan cada tipo de rectificador usando el
multímetro y el osciloscopio.
 Confronta los resultados obtenidos con los cálculos realizados.
 Transformador reductor (1) 120/12VAC

 Resistores de 1KΩ, ½ W (1), 100 Ω de 200 Ω. 2W
 Protoboard
 Multímetro digital
 Diodos rectificadores (4) 1N4007
 Osciloscopio digital
 Cable con su enchufe (1)
Circuitos rectificadores
Un rectificador es un circuito donde se utilizan diodos para convertir el tipo de
corriente CA o corriente alterna, en corriente CC o corriente continua.
La siguiente gráfica muestra el esquema de principio de toda fuente rectificadora de
baja potencia. Esta es la base de cualquier fuente de poder monofásica, con o sin el
transformador.
La FEM suministrada por la fuente CA pasa al transformador, usualmente reductor

el cual aísla eléctricamente la fuente del rectificador.
22
23
Del transformador, pasa a los diodos rectificadores los cuales determinan si la

rectificación es de media onda o completa. Luego, para disminuir las fluctuaciones
conocidas como rizado, se utiliza un filtro capacitivo lo cual aumenta el valor de la
componente DC del voltaje rectificado y disminuye la componente AC (rizo). Las
siguientes son las fórmulas teóricas que aplican para un rectificador desde la fuente,
hasta la carga:
Relación de vueltas n = Voltaje en el secundario/Voltaje en el primario
Voltaje secundario (RMS):
Voltaje pico del secundario:
Aplicaciones del diodo de unión. Rectificadores. Filtros capacitivos. Regulación de
carga.
24
RECTIFICADORES CON DIODOS

Nombre_____________________________________ Matricula______________
Procedimiento: Arme el siguiente circuito rectificador de media onda,
1.- Coloque el CH1 del osciloscopio entre V (sec) y el retorno. Ponga a funcionar el
osciloscopio y trace la forma de onda de voltaje obtenida, en la cuadrícula donde
dice V(sec). Coloque las escalas apropiadas para identificar la onda. ¿Cuánto vale
el voltaje pico _______? Frecuencia _________.
2- Coloque CH1 del osciloscopio en V (sal) (clip negro a tierra). Ponga a funcionar el
osciloscopio y trace la forma de onda de voltaje obtenida, en la cuadrícula donde
dice V (sal) del CH1.Coloque las escalas apropiadas para identificar la onda.
¿Cuánto vale el voltaje pico de V (sec) ______? Anote también el voltaje pico de V
(sal) __________. Utilice el multímetro para medir V (sal) (DC) ________. Valor de
la frecuencia de V (sal) _________.
Ahora ensamble el siguiente rectificador de onda completa,
25
3- Coloque las puntas de prueba como en el punto 2. Anote el voltaje pico de V (sal)
__________. Utilice el multímetro para medir V (sal) (DC) ________. Valor de la
frecuencia de V (sal) _________.
26
3- Por medio de fórmulas, realice los cálculos de los valores pico de V sec, Vsal pico y
el voltaje de salida de cd. Compare con los valores medidos y explique las
diferencias.
Ahora coloque un filtro capacitivo de 1000 µF, en paralelo con la carga. Cambie la
carga R1 de 1KΩ a R2 de 100 Ω, 2W. Coloque la sonda de del osciloscopio donde
se muestra y active los equipos.
4- Trace la forma de onda resultante
5- Determine el rizo pico a pico y el voltaje de cd de acuerdo a las mediciones

realizadas en la forma de onda trazada.
Vp(rect) =__________ Vr(pp)=_________ VCD=__________
6 - Por medio de fórmulas, realice los cálculos de Vp(rect), Vr(pp), y V CD. Compare
con los medidos (son diferentes, son parecidos) __________________________.
27
Vp(rect) =__________ Vr(pp)=_________ VCD=__________
7- Cambie C1 de 1000 µF a 3300µF, realice la simulación y compare la diferencia

con el capacitor de 1000 µF respecto al rizo y la regulación de salida.
Vp(rect) _______________ (aumenta, disminuye, aproximados)
8.- Vr(pp) _____________ (aumenta, disminuye, aproximados)
9.- VCD _____________ (aumenta, disminuye, aproximados)
10.- ¿El filtrado es mejor o peor si aumenta la capacidad? _______________.
RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA CON PUENTE DE DIODO

Cuando haya completado este ejercicio, usted estará en condiciones de demostrar
la rectificación de onda completa utilizando un circuito rectificador de puente de
onda completa. Verificará sus resultados con un osciloscopio y un multímetro.

Hay tres tipos básicos de circuitos rectificadores con diodos. En la unidad anterior,
se estudió cómo un circuito de un solo diodo puede realizar rectificación de media
onda. Otros dos circuitos con grupos de diodos realizan rectificación de onda
completa. Uno emplea un rectificador de onda completa con derivación central,
mientras que el segundo utiliza un rectificador de puente de onda completa. En este
ejercicio utilizaremos el circuito rectificador de puente de onda completa.
28
El rectificador de puente de onda completa contiene cuatro diodos, D1, D2, D3 y D4,
configurados de tal manera que dos de ellos conducen en el semiciclo positivo y los
otros dos en el semiciclo negativo CA, produciendo una salida CC ondulatoria.
La corriente ondulatoria de salida CC fluye siempre a través de la resistencia de
carga en la misma dirección, independientemente del ciclo de corriente AC del que
se derive.
El rectificador de puente tiene dos terminales de entrada y dos de salida. Los
terminales de entrada, algunas veces se marcan con el símbolo de una onda seno
para indicar que es el lado CA del puente.
Los diodos D1 y D3 son polarizados directamente durante el semiciclo positivo de la
señal de entrada CA.
Los diodos D2 y D4 son polarizados directamente durante el semiciclo negativo de
la señal de entrada CA.
Ya que cada pareja de diodos conduce por un semiciclo de la señal de entrada AC,
se obtiene como resultado la rectificación de onda completa.
Como hay dos pulsos de CC, por cada ciclo completo de la señal de entrada CA, la
frecuencia de los pulsos de salida para un rectificador de puente de onda completa
es el doble de la frecuencia de entrada CA.
La relación entre el voltaje pico, RMS y promedio para un rectificador de onda
completa es mostrada.
El voltaje pico de salida (VP (sal))) es igual al voltaje pico de entrada (VP(ent))
menos la caída de voltaje directo (VF) de los dos diodos en conducción:
VP (sal) = VP (ent) – 2VF
El voltaje de salida RMS (V sal (RMS)) es 0.707 veces el voltaje pico de salida.
V sal (RMS) = 0.707 x VP (sal)
El voltaje promedio de salida (V sal (PROM)) es 0.636 veces el voltaje pico de
salida.
V sal (PROM) = 0.636 x VP (sal)
EQUIPO REQUERIDO
Tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (91005-22)
Multímetro
Osciloscopio de doble trazo
Generador de funciones
Inserte el tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (91005-22) en
la base de la unidad FACET y siga las instrucciones del recurso suministrado
(Rectificación de onda completa con puente diodo)
29
PRÁCTICA NÚMERO 4
TRANSISTORES BJT
Objetivo de la práctica: Que el participante desarrolle habilidad para identificar los

terminales del BJT, probarlo y calcular el beta CD.
Competencias:
 Analiza las regiones de funcionamiento del BJT.
 Interpreta el beta CD de amplificación lineal con el BJT en emisor común. .
 Identifica las tres regiones básicas del BJT.
 Describe el funcionamiento del transistor bipolar.
 Transistor BJT (1) 2N3904

 Resistores de 1KΩ, 1/4 W (1) y de 10KΩ. 1/4W
 Potenciómetro 50KΩ
 Protoboard
 Fuente de poder ajustable (a 9 V)
Transistor de Unión Bipolar (BJT- Bipolar Junction Transistor)

El transistor bipolar (BJT) es un dispositivo semiconductor de tres terminales
denominados base, emisor y colector. Este se construye con tres regiones
semiconductoras separadas por dos uniones PN. Las tres regiones corresponden
con la base, colector y emisor respectivamente. Hay dos tipos de BJT un tipo se
compone de dos regiones N separadas por una región P (NPN) y el otro tipo consta
de dos regiones P separadas por una región N (PNP). El término bipolar se refiere
al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de corriente en la
estructura de transistor.
La función básica del transistor, es la de amplificar la corriente presentada en la
base, para que esto ocurra, la unión base emisor debe estar polarizada en directa y
la unión base colector, en inversa. La figura muestra la representación simbólica de
los transistores BJT
30
La ganancia de corriente de CD de un transistor es el cociente de la corriente de CD

del colector (IC) entre la corriente de CD de la base (IB) y se expresa como beta de
cd (βCD).
Los valores típicos de βCD van desde 20 hasta 200 o más, βCD normalmente se
expresa como un parámetro híbrido equivalente, hFE en hojas de datos de los
transistores. En consecuencia, podemos decir que,
También se cumple que
31
PRUEBA DE UNIONES DE UN TRANSISTOR

Cuando haya completado este ejercicio, usted estará en condiciones de probar un
transistor mediante polarización directa y polarización inversa de las uniones.
Verificará sus resultados con un óhmetro.

Un transistor está funcionando bien si amplifica correctamente, si no se descarga
operando bajo voltaje de trabajo, y si la corriente de fuga está dentro de la
tolerancia.
La prueba puede ser hecha con un probador comercial de transistores; sin embargo,
también es posible probar un transistor con un óhmetro.
La prueba con un simple óhmetro mostrará si el transistor está en corto o abierto, es
PNP o NPN, o tiene fuga considerable.
Para efectuar las pruebas, un transistor puede considerarse como dos diodos. La
unión PN base-emisor (BASE-EMITTER) puede ser probada como un diodo, y la
unión PN base-colector (BASE-COLLECTOR) puede ser probada como otro diodo.
Un transistor NPN en buen estado, tiene las uniones de base-emisor y base colector
conduciendo cuando está en polarización directa y no conduciendo cuando está en
polarización inversa. No debería haber flujo de corriente entre el colector y el
emisor.
Lo mismo es cierto para un transistor PNP; sin embargo, se debe tomar cuidado
cuando se conecte el óhmetro. Por ejemplo: Para polarizar directamente la unión
base-emisor, se debe conectar la punta positiva al emisor y la punta negativa a la
base.
Si un óhmetro indica “sobrecarga” o fuera de escala, cuando se conecta a una unión
polarizada directamente, entonces el transistor esta dañado.
Si la lectura de un óhmetro indica flujo de corriente (baja resistencia) cuando es
conectado a una unión del transistor polarizada de forma inversa, entonces el
transistor esta dañado.
Una lectura muy baja del óhmetro conectado a través del colector y el emisor, indica
un corto o alta corriente de fuga, y por lo tanto un transistor dañando.
Las instrucciones para realizar pruebas con MULTIMETRO DIGITAL DE LAB-VOLT,
MULTIMETRO CON FUNCIÓN DE PRUEBA DE DIODOS, y un ÓHMETRO
ANALÓGICO son presentadas en este ejercicio.
Características del transistor bipolar. Descripción, símbolo y magnitudes del BJT.
Configuraciones para el transistor bipolar. Regiones de funcionamiento del BJT
32
REGIONES DEL BJT

Nombre____________________________________ Matricula_______________
Ensamble el siguiente circuito
I- 1. Encienda la fuente de voltaje y ajuste VR1 tal que VB esté cerca de 0.3
V.
VB = _________ Voltaje en XMM1 = _________
¿Cuánto vale IB = _________? ¿Cuánto vale IC = ________? ¿Cómo
está polarizada la base con respecto al emisor? (Directa, Inversa). ¿Cómo
está polarizada la base con respecto al colector? (Directa, Inversa). ¿En
qué región se encuentra Q1?_________ Si procede, calcular β =
___________
2. Ponga VR1 al mínimo y anote las lecturas de los voltímetros VB =
______
Voltaje en XMM1 = _______ ¿Cómo está polarizada la base con respecto
al emisor? (Directa, Inversa). ¿Cómo está polarizada la base con respecto
al colector? (Directa, Inversa). ¿En qué región se encuentra Q1?
_________
II- 3. Ahora ponga VR1 al otro extremo. VB = ______Voltaje en XMM1
=_____
¿Cuánto vale IB = _________? ¿Cuánto vale IC = ________? ¿Cómo
está polarizada la base con respecto al emisor? (Directa, Inversa). ¿Cómo
está polarizada la base con respecto al colector? (Directa, Inversa). ¿En
qué región se encuentra Q1?_________ Si procede, calcular β =
___________
4. ¿Cuándo un transistor está en corte?
_______________________________
___________________________________________________________
33
5. ¿Cuándo un transistor está en saturación?

___________________________________________________________
__________________________
6. ¿Cuándo un transistor está en la región activa o lineal? ________________
LINEA DE CARGA DEL TRANSISTOR

Cuando haya completado este ejercicio, usted estará en condiciones de determinar
la línea de carga de CC para un circuito de transistor. Verificará sus resultados con
un multímetro.

La curva característica de la corriente de colector es un gráfico de la corriente de
colector versus el voltaje colector-emisor como una función de la corriente base.
Como beta es casi constante en la región activa del transistor, la gráfica de la
corriente de colector versus el voltaje colector-emisor, con una corriente de base
constante, es una curva que se incrementa muy ligeramente.
La línea de carga de CC se intersecta con el eje Y en el punto de saturación y con el
eje X en el punto de corte.
El punto Q o punto quiescente es aquel en el cual la línea de carga se intersecta con
IB y es determinado por las condiciones de polarización de CC, del circuito de
transistor.
Los circuitos de transistor usados para la amplificación de una señal pequeña son
usualmente diseñados para tener el punto Q en el centro de la línea de carga. Ésto
proporciona un rango de operación en la región activa para la señal de CA aplicada.
La determinación de la línea de carga será afectada con cambios en la fuente de
voltaje del colector o del valor de la resistencia del colector.
EQUIPO REQUERIDO
Tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
Fuente de potencia 15 Vcc (2 requeridas)
Multímetro
34
PRÁCTICA NÚMERO 5
BJT EN CORTE Y SATURACIÓN

Objetivo de la práctica: Que el estudiante pueda analizar los estados de corte y
saturación en un BJT
Competencias:
 Identifica las características de colector y base de un BJT en corte.
 Identifica las características de colector y base de un BJT en saturación. .
 Describe el funcionamiento de un sensor de oscuridad con BJT.
.

 Resistores de 470 Ω, 1/4 W (1) y de 10KΩ. 1/4W (1)
 Protoboard
 LDR (1)
Transistor en corte y saturación

El transistor bipolar (BJT) está en corte, cuando las uniones base-emisor y base-
colector están polarizadas en inversa. En estas condiciones el voltaje del colector
con relación al emisor es igual al de la fuente y la corriente de colector es cero. En
condiciones prácticas, podemos decir que un transistor está en corte, cuando la
corriente de colector es aproximadamente cero.
El transistor bipolar (BJT) está en saturación cuando las uniones base-emisor y
base-colector están polarizadas en directa. En estas condiciones el voltaje del
colector, con relación al emisor es prácticamente cero (menor de 0.7 V) y la
corriente de colector es máxima o aumenta muy poco en relación a un aumento de
la corriente de base.
El desarrollo de la electrónica digital y la electrónica de potencia, se debe
esencialmente al uso de los transistores y otros dispositivos semiconductores
similares, en las regiones de corte y saturación. En estos casos, los transistores
actúan como interruptores muy rápidos mejorando así la eficiencia del sistema
electrónico.
35
BJT EN CORTE Y SATURACIÓN

Nombre_____________________________________ Matricula_______________
Ensamble el siguiente circuito sensor de oscuridad,
I- Encienda la fuente de voltaje y ajuste VR1 tal que el LED se apague

cuando le llegue luz al LDR. Mida el voltaje en la base de Q1 _________
Ahora mida el voltaje en el colector de Q2 _________. ¿En qué región
está Q1? _____ (cerca del corte, cerca de la saturación, activa). ¿En qué
región está Q2?_____________ (cerca del corte, cerca de la saturación,
activa).
Ahora tape el LDR de manera que no le pase luz ¿qué sucede con el LED
en este caso?________________
II- Mida el voltaje en la base de Q1 _________ Ahora mida el voltaje en el
colector de Q2 _________. ¿En qué región está Q1? _____ (cerca del
corte, cerca de la saturación, activa). ¿En qué región está Q2?
_____________ (cerca del corte, cerca de la saturación, activa).
El dispositivo LDR es un resistor dependiente de la luz, su resistencia
disminuye con la luz. Explique el funcionamiento de este circuito
___________
___________________________________________________________
___________________________________________________________
___________________________________________________________
____________
36
37
PRÁCTICA NÚMERO 6
POLARIZACIÓN DEL BJT

Objetivo de la práctica: Comprobar las características de amplificación de un BJT
polarizado por divisor de voltaje.
Competencias:
 Analiza la amplificación, forma y fase de las señales de entrada y salida.
 Soluciona fallas en configuración divisor de voltaje.
 Analiza el efecto del capacitor de emisor en la amplificación del BJT.
.

 Resistores de 6.8KΩ, 39KΩ, 2.2KΩ, 10KΩ, 680Ω, 1 de cada una a 1/4W
 Capacitor electrolítico 10µF, 16V (3)
 Protoboard
 Generador de funciones
 Osciloscopio de 2 canales
Polarización en CD del BJT

La polarización establece el punto de operación en cd (punto Q) para la operación
lineal apropiada de un amplificador. Si un amplificador no se polariza con voltajes de
cd correctos a la entrada y salida, puede irse a saturación o a corte cuando se
aplique una señal de entrada. La figura de la página siguiente muestra los efectos
de la polarización en cd apropiada e inapropiada de un amplificador inversor.
En la parte (a), la señal de salida es una réplica amplificada de la señal de entrada
excepto porque está invertida, lo que significa que está desfasada 180° con
respecto a la entrada. La señal de salida oscila del mismo modo por encima y por
debajo del nivel de polarización en cd de la salida, VCD (sal). Una polarización
inapropiada puede distorsionar la señal de salida, como se ilustra en las partes (b) y
(c). La parte (b) ilustra cómo la parte positiva del voltaje de salida se limita debido a
que el punto Q (punto de operación en cd) está demasiado cerca del corte. La parte
(c) muestra cómo la parte negativa del voltaje de salida se limita debido a que el
punto de operación en cd se encuentra muy cerca de la saturación.
38
39
PRÁCTICA DE LABORATORIO NÚMERO 6
POLARIZACIÓN DEL BJT
Nombre____________________________________Matricula_______________
-Ensamble el siguiente circuito amplificador.
I- Luego de comprobar que todo está correcto, coloque la punta de prueba

CH1, en la entrada y CH2 en la salida. Trace la forma de onda a la
entrada del transistor y la de la salida. Compare la fase de salida con
relación a la entrada.
Ángulo de fase____________.
Voltaje RMS de la salida__________. Voltaje RMS de la
entrada___________. Amplificación (Vsal/ Vent) __________.
II- Mida el voltaje de base CD________ y compárelo con la caída de voltaje
en R2 calculada___________, explique el resultado
______________________. Medir el voltaje en la resistencia de colector
________ y calcule la corriente de colector___________.
III- Coloque un capacitor CE de 10 µF de emisor a tierra y vuelva a calcular la
amplificación como lo hizo en el punto I __________.
IV- ¿A qué se debe el nuevo valor de la amplificación?
___________________
___________________________________________________________
_
V- ¿Por qué este circuito se considera estable?________________________
40
PRÁCTICA NÚMERO 7
E-MOSFET EN CORTE Y SATURACIÓN
Objetivo de la práctica: Analizar los estados de corte y saturación de un E-

MOSFET
Competencias:
 Identifica las características de drenaje y compuerta de un E-MOSFET en
corte.
 Identifica las características de drenaje y compuerta de un E-MOSFET en
saturación. .
 Identifica el voltaje de umbral de un E-MOSFET.
 Explica el efecto de la capacitancia de entrada de un E-MOSFET
.
 Transistor E-MOSFET (1) IRF3205

 Resistores de 270 Ω, 1/4 W (1) y de 10KΩ. 1/4W (1)
 Diodos emisor de luz (LED) (3)
 Protoboard
 Switch SPDT (1)
MOSFET
MOSFET (del inglés Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) es un
dispositivo unipolar, pues a diferencia del BJT, opera con un solo portador de carga.
La figura muestra la representación simbólica de los dos tipos de E-MOSFET
41
E-MOSFET significa MOSFET de ensanchamiento. Cuando se le proporciona un

voltaje positivo a la compuerta (para el canal N), superior a un voltaje mínimo
necesario para que se induzca un canal entre drenaje y fuente (llamado voltaje de
umbral), se crea el canal mencionado permitiendo el paso de corriente entre drenaje
y fuente.
Con un voltaje de compuerta a fuente menor al voltaje de umbral el MOSFET estará
en corte. Si el voltaje de compuerta es superior al de umbral, el MOSFET entra en
saturación. Para que un MOSFET opere como amplificador debe ser polarizado en
la región de saturación.
Hay dos tipos de MOSFET de ensanchamiento, de canal N y de canal P. En esta
práctica estaremos trabajando con el de canal N a veces referidos como NMOS el
cual trabaja con voltaje de puerta y drenaje positivos con relación a la fuente en
oposición al MOSFET canal P, PMOS que trabaja con voltaje de puerta y drenaje
negativo respecto a la fuente.
La región de saturación del MOSFET es su región de corriente constante sobre el
voltaje de umbral VTH. Una vez estén polarizados correctamente en la región de
saturación, la corriente de drenaje I D varía como resultado de la variación del voltaje
de compuerta a fuente VGS y no debido al voltaje de drenaje a fuente V DS ya que la
corriente de drenaje se considera en saturación.
En un MOSFET en modo de ensanchamiento el campo electrostático creado por la
aplicación de un voltaje de compuerta, ensancha la conductividad del canal en vez
de empobrecer el canal como sucede en los D-MOSFET.
El voltaje de umbral es la mínima polarización de compuerta requerida para permitir
la formación de canal entre fuente y drenaje, por encima de ese valor la corriente de
drenaje aumenta proporcionalmente a (V GS – VTH)2 en la región de saturación,
permitiendo que este opere como amplificador.
42
43
E-MOSFET EN CORTE Y SATURACIÓN

Ensamble el siguiente circuito,
I- Encienda la fuente de voltaje y coloque el SW1 en la posición A, ajuste

VR1 hasta que los LED estén apagados. ¿Qué voltaje registra VG?
___________. Ajuste VR1 hasta que enciendan los LED y anote la lectura
de VG _________
II- ¿En qué estado está el MOSFET con SW1 en la posición A?
_____________ (corte, saturación).
III- ¿En qué estado está el MOSFET con SW1 en posición B?
___________(corte, saturación)
IV- ¿Cuál es el voltaje de umbral del MOSFET? _____________
V- Estando SW1 en A y los LED encendidos, remover R2 del circuito, luego
pasar SW1 a la posición B, ¿se apagan los LED? Explique ___________
___________________________________________________________
___________________________________________________________
______
44
PRÁCTICA NÚMERO 8
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Objetivo de la práctica: Interpretar los parámetros de entrada y salida de los
OPAMP
Competencias:
 Identifica las entradas inversoras, no inversoras y la salida del AMPOP
 Analiza el comportamiento de un amplificador inversor.
 Explica la realimentación negativa en el AMPOP.
 Determina la resistencia de entrada de un AMPOP
 AMPOP dual LM358 (1)

 Resistores de 100kΩ, 1/4 W (1), de 10KΩ. 1/4W (1) y 1KΩ., 1/4 W (1)
 Potenciómetro 50 KΩ
 Protoboard
Amplificador Operacional
Los amplificadores operacionales, también conocidos como AMPOP (OPAMP del
inglés operational amplifier) son circuitos electrónicos completos fabricados en un
solo chip cuya característica principal es su alta ganancia. Originalmente fue
concebido para realizar operaciones matemáticas en computadores analógicos. Con
el avance de la tecnología, los amplificadores operacionales se han fabricado para
cualquier aplicación imaginable ya que son sumamente versátiles y económicos.
Solo hace falta conectar unos cuantos componentes pasivos, y ya está.
45
Las señales que entran por la entrada inversora, salen desfasada 180° (invertidas).
Las señales que entran por la entrada no inversora, salen en fase. En general,
V (salida) = A (VNI – VI) En que A = amplificación,
VNI = entrada no inversora,VI = entrada inversora
FAMILIARIZACIÓN CON EL TABLERO DEL CIRCUITO

Cuando usted haya completado este ejercicio, estará familiarizado con la operación
del tablero de circuitos FUNDAMENTOS DE LOS AMPLIFICADORES
OPERACIONALES. Verificará sus resultados con mediciones y observaciones.
DISCUSIÓN
Tres configuraciones básicas del amplificador operacional son usadas en su tablero
de circuitos.
Únicamente la configuración de bucle-abierto no requiere una vía de
retroalimentación (resistencia).
Las configuraciones inversora y no inversora, generalmente requieren de una
resistencia de retroalimentación para proporcionar retroalimentación negativa.
Son ocho los bloques de circuitos de capacitación en el tablero FUNDAMENTOS DE
LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES.
Otros tres bloques de propósito general sirven de base para ejecutar el proceso de
capacitación.
Los tres bloques de propósito general están designados como: PARA EL
COMPENSADOR DEL GENERADOR, ATENUADOR y DIVISOR DE VOLTAJE.
El bloque de circuitos ATENUADOR reduce un voltaje de entrada o señal, en un
factor de 10 (SALIDA = ENTRADA/10).
Algunos pasos del procedimiento requieren una señal de entrada de baja amplitud.
El ATENUADOR, permite ajustar con precisión la amplitud de salida del generador
de señal.
El bloque de circuitos DIVISOR DE VOLTAJE genera una salida baja de voltaje
variable entre +2.5 Vcc y –2.5 Vcc.
Si un conector de 2 postes es conectado al circuito, el rango de salida es reducido
entre +0.5 Vcc y –0.5 Vcc.
El bloque de circuitos etiquetado como PARA EL COMPENSADOR DEL
GENERADOR es empleado con un módulo opcional enchufable de un compensador
(Buffer). Este módulo interconecta dispositivos con impedancia de salida de salida
diferente a 50 Ω con los circuitos de su tablero.
Conocimientos previos: Características y parámetros del AMPOP. Circuitos con

AMPOP.
46
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Nombre____________________________________ Matricula_______________
Construya el siguiente circuito.
1.-Conecte el circuito y ajuste Vent a -0.5 V. Registre las siguientes mediciones (no
olvide las unidades).
a) Voltaje de salida, Vsal ____________.
b) Voltaje de entrada Vent__________.
c) Calcule Avcl (Vsal/Vent) __________
d) Calcule Avcl(Rf/R3) __________ Desfase______(0°, 180°)
e) ¿Por qué este amplificador se conoce como inversor?
______________________________________________________________
___
47
PRÁCTICA NÚMERO 9
COMPARADOR DE VOLTAJE
Objetivos de la práctica: Analizar las propiedades no lineales de los AMPOP

Analizar cómo funciona un OPAM especializado como comparador para controlar
temperatura.
Competencias:
 Explica las propiedades de los comparadores de voltaje.
 Explica la realimentación positiva en el AMPOP.
 Interpreta correctamente el significado de V(UTP) y V(LTP).
 Determina la histéresis en un comparador con realimentación positiva.
 Comparador LM311 (1)

 Transistor 1N3904
 Resistores de 47kΩ, 1/4 W (2), de 4.7KΩ. 1/4W (1) y 2.2KΩ., 1/4 W (1), 30
KΩ ¼ W (1),
 Trimmer 5 KΩ ½ W
 Diodo 1N4148, (3)
 Termistor 2KΩ
 Relé de 12 V SPDT
 Motor DC pequeño
 Protoboard
 Simulador CW
Comparador de voltaje
Un comparador es un circuito basado en un amplificador operacional especializado
que compara dos voltajes de entrada y produce una salida que siempre está en uno
de dos estados, lo que indica la relación mayor o menor entre las entradas. Los
comparadores proporcionan tiempos de conmutación muy rápidos y pueden tener
capacidades adicionales (tales como un corto retardo de propagación o voltajes de
referencia internos) para optimizar la función de comparación. Por ejemplo, algunos
comparadores de ultra alta razón pueden tener retardos de propagación tan
pequeños como de 500 pico segundos. Debido a que la salida siempre se encuentra
en uno de dos estados, los comparadores frecuentemente se utilizan como interface
entre un circuito analógico y uno digital.
48
En aplicaciones menos críticas, un amplificador operacional que funciona sin

realimentación negativa (en lazo abierto) a menudo se utiliza como comparador.
Aun cuando los amplificadores operacionales son mucho más lentos y carecen de
otras características especiales, disponen de una ganancia en lazo abierto muy alta,
lo que les permite detectar diferencias muy pequeñas en las entradas. En general,
los comparadores no pueden ser utilizados como amplificadores operacionales, pero
éstos sí pueden ser utilizados como comparadores en aplicaciones no críticas.
Debido a que un amplificador operacional sin realimentación negativa es en esencia
un comparador, se examinará la función de comparación mediante un amplificador
operacional típico.
OPERACIÓN EN BUCLE ABIERTO

Cuando haya completado este ejercicio, usted estará en condiciones de operar un
comparador en bucle abierto. Verificará sus resultados con un multímetro y un
osciloscopio.
DISCUSIÓN
U1 tiene una ganancia muy alta de 50000 o más.
Cuando configura la operación de bucle abierto, U1 tiende a saturarse. Cuando el
voltaje de entrada es igual al voltaje de referencia, el voltaje de salida es cero.
Cuando el voltaje de entrada es negativo con respecto al voltaje de referencia, el
voltaje de salida tiene saturación positiva.
Cuando el voltaje de entrada es positivo con respecto al voltaje de referencia, el
voltaje de salida tiene saturación negativa.
U1 cambia entre +VSAT y –VSAT si Vi se ajusta ligeramente por arriba o por abajo
de VREF. Este punto de operación es llamado punto de disparo del circuito.
Ya que el rango alrededor del punto de disparo del circuito es pequeño, el umbral de
voltaje del circuito es estrecho (menos de 50 mV).
EQUIPO REQUERIDO
Tablero de circuitos FUNDAMENTOS DE LOS AMPLIFICADORES
OPERACIONALES
Multímetro
Osciloscopio de doble trazo
Generador de funciones
49
CONTROL DE TEMPERATURA
Construya el siguiente circuito. Utilice Circuit Wizard.
1.-Realice la simulación y registre las siguientes mediciones.
a) Voltaje de salida en Out a una temperatura de 30ºC ____________ Vcd.

b) Voltaje en +in y –in a 30ºC +in ________ Vcd, -in _________ Vcd.
c) Explique por qué la salida corresponde con los voltajes medidos a la entrada
______________________________________________________________
___
d) Aumente la temperatura presionando la letra A ¿A qué temperatura se activa
el relé RL1? __________º C. Repita los pasos de a) a c)
e) ¿Cuál es UTP de este comparador?_________
f) ¿Cuál es LTP de este comparador?_________
g) Calcule el valor de histéresis ___________
50
PRÁCTICA NÚMERO 10
AMPLIFICADOR DE POTENCIA CON BJT
Objetivo de la práctica: Explicar y analizar la operación de amplificadores clase B y

clase AB.
Competencias:
 Explica la operación clase AB.
 Analiza amplificadores clase AB push-pull. .
 Describe el amplificador push-pull Darlington.
 Describe un amplificador Darlington complementario
.
 Transistores de potencia BD135 (4)

 Transistores 2N3904 (2)
 Transistor 2N3906 (1)
 Resistores de 150KΩ, 1/4 W (1), 1KΩ, 1/4W (1), 220 1/2W (1)
 Capacitor de 10µF, 25V
 Diodos 1N4001 (3)
 Bocina de 8Ω, 5W
 Protoboard
 Fuente de poder ±15V (1)
Amplificadores de potencia clase B / AB

Cuando un amplificador se polariza en corte para operar en la región lineal durante
180° del ciclo de entrada y está en corte durante 180°, es un amplificador clase B.
Los amplificadores clase AB se polarizan para conducir durante un poco más de
180°. La ventaja primordial de un amplificador clase B o clase AB es que cualquiera
es más eficiente que un amplificador clase A: se puede obtener más potencia de
salida con una cantidad dada de potencia de entrada. Una desventaja de la clase B
o clase AB es que es más difícil implementar el circuito para obtener una
reproducción lineal de la forma de onda de entrada. El término push-pull se refiere a
un tipo común de amplificador clase B o clase AB en el cual se utilizan dos
transistores en semiciclo alternos para reproducir la forma de onda de entrada a la
salida.
Potencia en clase B / AB
La potencia de salida máxima promedio en esta clase de amplificador es,
Psal =I sal (rms ) V sal (rms)
51
I sal ( rms )= 0.707 I sal ( pico)=0.707 I c(sat)

V sal (rms )=0.707 V sal ( pico)=0.707 V CEQ
Sustituyendo,
Psal =0.5 I c(sat) V CEQ
Donde VCEQ es el voltaje máximo del colector con relación al emisor, por tanto V CEQ
= VCC/2.
Sustituyendo Psal =0.25 I c(sat) V CC
La potencia suministrada por la alimentación de energía CD será,
PCD = VCC ICC

La corriente pasa por cada transistor, cada medio ciclo, por tanto se comporta como
una corriente de media onda cuyo valor promedio es
ICC = IC (sat) / π
Por tanto,
I ( )
PCD = c sat V CC
I c ( sat ) V
La eficiencia (η=Psal / PCD ) será 0.25 I c(sat) V CC ÷ ( CC
) = 0.25 π
π
ηmax = 0.79
Así resulta que la mayor eficiencia de un amplificador de potencia clase B (o AB) es

del 79%.
La resistencia de entrada a esta configuración, es igual a la de una configuración
seguidor de emisor,
Rent =β ca ( r ´ e + R L ) ∥ R1 ∥ R2
Donde RL viene siendo la resistencia de emisor.
Par Darlington
Ya hemos visto que βca es un factor importante al determinar la resistencia de
entrada de un amplificador.
La βca del transistor limita la resistencia de entrada máxima alcanzable con un
circuito seguidor- emisor dado.
Una forma de reforzar la resistencia de entrada es utilizar un par Darlington, como
muestra la figura siguiente. Se conectan los colectores de dos transistores, y el
emisor del primero excita la base del segundo. Esta configuración logra la
multiplicación de β ca como se muestra en los siguientes pasos. La corriente en el
emisor del primer transistor es
I e1 ≅ β ca 1 I b 1
52
Que equivale a la corriente de base del segundo transistor. Por tanto la corriente del
segundo transistor será
I e2 ≅ β ca1 βca 2 I b 1
Por tanto la ganancia en un par Darlington es β ca =β ca 1 β ca 2
Frecuentemente el par Darlington viene integrado en un solo encapsulado, por tanto
β ca se presenta como un solo número.
La resistencia de entrada para el transistor par Darlington

resulta ser R ent ≅(β ca 1 ca 2) RE despreciando las resistencias internas Base - Emisor
β
por ser muy pequeñas.
Par Sziklai
El par Sziklai, mostrado en la figura siguiente es similar al par Darlington excepto
porque se compone de dos tipos de transistores, un NPN y un PNP. Esta
configuración en ocasiones se conoce Darlington complementario.
53
El par Sziklai tiene la ventaja frente al Darlington, de que se

activa con menor voltaje de base. Los cálculos son similares.
54
AMPLIFICACIÓN DE POTENCIA
Realice el siguiente circuito. Utilice PSIM versión demo.
Time step: 1E-005s 1k VCC

Total time: 0.305s R2
Print time: 0.3s 15
Lo demás se deja igual
Q5
250
25
D1 Q4
0.7
0.7 D2
D3 8
150k 0.7 R1
R5 250
C1 Q2
10u 250 Q3
Q1 25
Vs
2.0
R3
220
VEE
15
I.-Coloque el medidor apropiado en la entrada y la salida para responder lo

siguiente. Inicie la simulación.
a) Muestre la forma de onda de la entrada

b) Muestre la forma de onda de la salida
c) Mida el voltaje de entrada RMS_______ voltaje de salida RMS _______
d) Calcule la ganancia de voltaje ( A v =V sal /V ent ) _________
e) Coloque el medidor correspondiente para medir la corriente RMS de señal de
entrada I ent (RMS)___________ Calcule Rent = V ent /I ent _________
f) Calcule la potencia de señal de entrada Pent =V ent I ent _________
55
g) Mida la potencia de señal de salida P y calcule la ganancia de potencia

A p =P ∕ Pent _________
h) Mida la corriente CD de alimentación_______ Calcule la potencia CD de
alimentación __________
i) ¿Cuál es la eficiencia de este amplificador? _________
II.- Cuestionario
1. Un amplificador que opera en la región lineal en todo momento es
(a) Clase A (b) Clase AB (c) Clase B (d) Clase C
2. Cierto amplificador de potencia clase A entrega 5 W a una carga con una

potencia de señal de entrada de 100 mW. La ganancia de potencia es
(a) 100 (b) 50 (c) 250 (d) 5
3. La corriente pico que un amplificador de potencia clase A puede entregar a una

carga depende de
(a) La capacidad máxima de la fuente de alimentación (b) la corriente de operación
(c) la corriente en los resistores de polarización (d) el tamaño del disipador de calor
4. Para salida máxima, un amplificador de potencia clase A debe mantener un valor

de corriente de operación
(a) que sea la mitad de la corriente de carga pico
(b) que sea dos veces la corriente de carga pico
(c) que sea por lo menos tan grande como la corriente de carga pico
(d) que esté exactamente por encima del valor de corte
5. Cierto amplificador de potencia clase A tiene VCEQ _ 12 V e ICQ _ 1 A. La salida

de potencia de señal máxima es
(a) 6 W (b) 12 W (c) 1 W (d) 0.707 W
6. La eficiencia de un amplificador de potencia es el cociente de la potencia

entregada a la carga entre la
(a) potencia de la señal de entrada
(b) potencia disipada en la última etapa
(c) potencia suministrada por la fuente de alimentación de cd
(d) ninguna de estas respuestas
7. La eficiencia máxima de un amplificador de potencia clase A es de

(a) 25% (b) 50% (c) 79% (d) 98%
56
PRÁCTICA NÚMERO 11
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE AUDIO
Objetivo de la práctica: Desarrollar un procedimiento para aplicar los pasos

necesarios en el diseño simulación y construcción de un Amplificador de Audio.
Competencias:
 Elabora el diagrama de bloques aplicable al diseño.
 Diseña y ensambla la parte preamplificadora del Amplificador de Audio. .
 Describe el tipo de fuente de potencia a utilizar.
 Desarrolla la memoria del proyecto.
.
 Preamplificador proyectado por el estudiante

 Protoboard
 Fuente de poder ±15V 1 A (1)
 Simulador de circuitos electrónicos MICRO CAP
Amplificador de Audio
Los amplificadores de audio reproducen señales de frecuencia audible de baja
intensidad o nivel, a niveles de mayor intensidad sin alterar las demás
características como tono o timbre. La figura muestra un esquema en bloques de un
amplificador de audio.
Entrada: es el punto a donde llega la señal de entrada procedente de un

transductor de señal (micrófono por ejemplo). Esta sección define la impedancia de
entrada del aparato y es donde se selecciona el nivel de amplificación deseado.
Aumenta un poco la tensión de la señal de entrada antes de pasarla al
57
preamplificador. Los mandos que controlan la potencia de salida trabajan sobre esta
etapa.
58
Preamplificador: es la encargada de excitar la etapa de potencia. Para ello

amplifica mucho la señal que recibe del control de entrada para elevar mucho su
voltaje antes de pasarla a la etapa de amplificación.
Salida de potencia: es la encargada de dar la potencia necesaria a la señal. La
señal que recibe tiene mucho voltaje, pero muy poca intensidad de corriente. Esta
etapa es la que proporciona varios amperios de intensidad de corriente eléctrica a la
señal, sin embargo, apenas aumenta el voltaje que traía desde el preamplificador.
Maneja tensiones y corrientes muy elevadas y es la que más recursos energéticos
demanda de la fuente de alimentación, es decir la que más consume. Esta es la
etapa que se conecta al altavoz, donde se consume la energía eléctrica,
transformándose en movimiento que genera ondas acústicas y calor.
Fuente simétrica de alimentación: es un dispositivo que adapta la electricidad de
la red eléctrica general, para que pueda ser usada por las distintas etapas. Estas
fuentes de alimentación suelen ser simétricas. Tiene que ser suficientemente grande
para poder abastecer a la etapa de salida de toda la energía que necesita en el caso
de estar empleándose el aparato a plena potencia. Un punto débil de las etapas de
potencia suele ser la fuente de alimentación, que no puede abastecer correctamente
a la etapa de salida. Por ejemplo: una etapa de potencia estéreo tiene que duplicar
las tres etapas (entrada, preamplificador y salida) y puede usar una fuente de
alimentación para todos. Los equipos de calidad estéreo incorporan dos fuentes de
alimentación, una por canal.
Protección (diferentes tipos): las etapas de potencia actuales incorporan diversas
medidas de protección contra avería, que son más o menos sofisticados en función
de la calidad y coste del equipo. Pueden ir desde el típico fusible hasta dispositivos
activos de control de potencia. Las protecciones que se pueden encontrar
normalmente son:
o Protección electrónica frente a cortocircuito y circuito abierto.
o Protección térmica para transistores de salida y transformador.
o Protección contra tensión continúa.
o Protección contra sobrecarga.
o Protección contra transitorio de encendido.
Además los amplificadores, suelen incorporar una luz de aviso de protección
activada y otra de “tijereteo”, que se enciende en los picos de señal cuando la etapa
de potencia está empezando a saturarse y corre peligro de avería o de que salte
alguna protección que la deje fuera de funcionamiento por un tiempo.
59
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE AUDIO (ETAPA

PREAMPLIFICADORA)
Diseñar un preamplificador de audio para usarlo con un altavoz de al menos 6Watt
en la etapa de salida. El preamplificador tendrá una entrada para micrófono y su
salida excitará un amplificador de potencia como el que se analizó en la práctica
número 10. Los voltajes de alimentación de cd se obtienen de una fuente de
alimentación electrónica simétrica.
El preamplificador deberá operar con ± 15V V de cd para conseguir una excursión
de voltaje de señal suficientemente grande para entregar un máximo de 6 Watt por
altavoz. Debe llevar un potenciómetro para poder controlar el volumen de salida. La
entrada al preamplificador es por el micrófono y la salida excitará un amplificador de
potencia que se desarrollará en base al tratado en la práctica 10. El amplificador de
potencia manejará el altavoz.
El preamplificador tiene que operar con un intervalo de señal de entrada pico desde
25 hasta 50 mV. El intervalo mínimo del ajuste de ganancia de voltaje es desde 90
hasta 170.
Elabore una memoria descriptiva del proyecto con lo siguiente:
1. Elección del esquema del preamplificador a utilizar.
2. Elección de los componentes a ser empleados.
3. Realización de los cálculos pertinentes para obtener los parámetros necesarios
para el funcionamiento de las etapas del amplificador.
4. Elabore el diagrama esquemático del circuito y proceda a simularlo en el
simulador MICRO CAP y haga los ajustes correspondientes para obtener un
funcionamiento satisfactorio.
5. Calcule la disipación de potencia en el circuito sin señal (sólo con polarización).
6. Luego de comprobar el correcto funcionamiento en la simulación, se procederá al
ensamblaje de la unidad preamplificadora en protoboard.
60
RELACIÓN DE EQUIPOS UTILIZADOS EN LAS PRÁCTICAS (Uno por grupo)
EQUIPO DONDE SE USA

Multímetro digital Todas las prácticas
Osciloscopio de doble Trazo Prácticas 4 y 11
Generador de funciones Prácticas 4, 9 (FACET)
Fuente de voltaje variable Prácticas
2,3,5,6,7,8,9,10,11
1,Probador lógico Prácticas 9, 10, 11
Óhmetro analógico Practica 3 (FACET)
Unidad base de FACET Prácticas 1, 2, 3, 4, 5, 6,
8, 9
Laptop Todas
RELACIÓN DE COMPONENTES UTILIZADOS EN LAS PRÁCTICAS
(La cantidad exacta está en cada práctica)

COMPONENTE DONDE SE USA CANTIDAD
(en stock)
Resistores de ½ W (330Ω, 1KΩ, Prácticas 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 30 piezas c/u.
10KΩ, 100KΩ, 470KΩ, 960Ω, 9, 10, 11.
220Ω, 470Ω, 270Ω, 47KΩ, 4.7KΩ,
2.2KΩ, 30KΩ)
Resistores de 2 W(100Ω, 200Ω) Práctica 4 10 piezas c/u
LED (amarillos, rojos, verdes) Prácticas 11, 10, 6, 7 20 piezas c/u
Transistor 2N3904 Prácticas 5, 6, 9,10 20
IC comparador LM311 Práctica 8 8 piezas
IC OPAMP LM358 Práctica 7 8 piezas
Transistor MOSFET IRF3205 Prácticas 10, 6, 8 piezas
Capacitores 1000µF/25V, 3300µF/ Prácticas 11, 4 5 piezas c/u
25V,10µF/16V,1µF/50V,
61
.01µF/100V
ACCESORIOS UTILIZADOS EN LAS PRÁCTICAS
(ver las prácticas en específico)

ACCESORIO DONDE SE USA CANTIDAD (en stock)
Cable de alimentación Práctica 4 8
Transformador 120/24V Práctica 4 8
AC derivación central
Potenciómetro 50KΩ Prácticas 5, 6, 8 8
Protoboard Prácticas 24
2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
LDR Práctica 6 8
Termistor 2KΩ Práctica 9 8
Jumper 2”, 4” Prácticas de 2 a 11 100
Maletín de herramientas Prácticas de 2 a 11 8
Tablero FACET 91001-22 Practicas 1 y 2 1 por grupo
Tablero FACET 91005-22 Prácticas 3, 4, 5 y 6 1 por grupo
Tablero FACET 91012-22 Práctica 8 y 9 1 por grupo
SOFTWARS DE SIMULACIÓN UTILIZADOS EN LAS PRÁCTICAS
(Ver las prácticas en específico)

SOFTWARE DONDE SE USA OBSERVASIÓN
Circuit Wizard (demo para Prácticas 2 a 11 Versión 2.0 portable, la
estudiante) puede llevar el estudiante
PSIM Prácticas 2 a 11
MICRO-CAP 12 Prácticas 2 a 11 Hay versión portable
disponibles
La situación particular determinará el simulador a utilizar, pero la naturaleza de las
prácticas es para ser hechas en físico.
62
Bibliografía General
Bibliografía Básica
1. Floyd, Thomas L. (2008) Dispositivos electrónicos, (8a ed.) México: Pearson
Educación
2. Floyd, Thomas L. (2006) Fundamentos de Sistemas Digitales, (9 na ed.)
Madrid: Pearson Educación
3. FACET (2012). Electricidad y electrónica básicas. Fundamentos de CC, (1ª
edición) Canadá Lab-Volt.
4. FACET (2012). Electricidad y electrónica básicas. Fundamentos de
semiconductores, (1ª edición) Canadá Lab-Volt.
5. FACET (2012). Electricidad y electrónica básicas. Fundamentos de
Amplificadores Operacionales, (1ª edición) Canadá Lab-Volt.
63

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FACULTAD DE CIENCIAS DE LAS INGENIERÍAS

MANUAL DE PRÁCTICAS DE LABORATORIO

San pedro de Macorís Rep. Dom.

Este manual está dirigido a los estudiantes de la escuela de Ingeniería

A continuación, se muestra el plan a desarrollar en el laboratorio de Electrónica

Semana Contenido Valor

Socialización inicial, presentación de plan de clases, descripción de

Electrónica General trata del estudio de los dispositivos semiconductores básicos y

Normas aplicables al laboratorio de Electrónica

 La cantidad de estudiantes por grupo de práctica será coordinada por el

Realización de prácticas……………………. 60%

 Una vez terminada la práctica por el estudiante, éste retornará el material o

Recomendaciones de seguridad en los laboratorios de electrónica

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Cuando se tiene contacto simultaneo con un conductor eléctrico y con la tierra,

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Algunos símbolos usados en Electrónica General

CUADRO DE COMPETENCIAS ESPECÍFICAS POR PRÁCTICAS

Práctica Competencias específicas

 Identifica los elementos que forman parte del

 Arma circuitos rectificadores con diodos en el

 Analiza las regiones de funcionamiento del

Práctica Competencias específicas

 Identifica las características de

 Identifica las entradas

Práctica Competencias específicas

 Explica la operación clase AB.

11.- DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR  Elabora el diagrama de bloques

FAMILIARIZACIÓN CON EL EQUIPO DIDÁCTICO DE

La unidad base tiene incorporada una fuente de potencia regulable en el rango de

Circuitos adicionales de protección, dentro de la unidad base, protegen de sobre

Los tableros de circuitos se insertan en la unidad base mediante el uso de un

Cuando el conector ZIF está abierto (open), el tablero de circuitos (CIRCUIT

Cuando el conector ZIF está cerrado (closed), el tablero de circuitos es alimentado

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS

 Tablero de circuitos FUNDAMENTOS DE CC (91001-22)

FAMILIARIZACIÓN CON LOS INSTRUMENTOS

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

FAMILIARIZACIÓN CON LA UNIDAD BASE DE FACET

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

 Al activarse una falla, se inserta un desperfecto en un circuito específico

UBICACIÓN E IDENTIFICACIÓN DE CIRCUITOS

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Bloque de circuitos DIODOS Y RECTIFICACIÓN DE MEDIA.

CIRCUITOS CON DIODOS

1.- Mida el voltaje en R1 ___________. Ahora mida la caída de voltaje en

3.- ¿Se cumple la ley de Kirchoff?_______ ¿Cuál?_______ (KVL, KCL)

VR2 _________. VD2 ________ VD3 _________ VB2 ________ ∑V ________

4. ¿Cuánto vale VD2+VD3? __________

5. En este circuito VD4 vale _______.

PRUEBA DE FALLA ASISTIDA (FACET). CARACTERISTICAS CC DEL DIODO

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

En general, para efectos de cálculo, la caída de voltaje directo de un diodo de silicio

 Transformador reductor (1) 120/12VAC

La FEM suministrada por la fuente CA pasa al transformador, usualmente reductor

Del transformador, pasa a los diodos rectificadores los cuales determinan si la

Voltaje secundario (RMS):

3.- ¿Se cumple la ley de Kirchoff?_ ¿Cuál?_ (KVL, KCL)

VR2 _____. VD2 VD3 _ VB2 ∑V ____

Vp(rect) =______ Vr(pp)=_ VCD=______