ELECTRONICA I

SEMANA 4

Juan Peña Martínez

29 de enero de 2024
Técnico en automatización y control
DESARROLLO
1. En primer lugar, durante el proceso de fabricación de los transistores en una oblea de silicio se
da un problema de identificación, y se toma una muestra de la sección transversal de un
transistor, para lo cual se te pide puedas identificar el tipo de transistor construido y sus
diferentes partes, como se muestra en la figura 1.

DRENAJE (D)
FUENTE (S)

COMPUERTA (G)
Tipo de
transistor:

JFET canal P

2. A fin de probar la calidad de los transistores fabricados, se te pide puedas calcular los valores de
ID, VGS, VDS, VS, VG y VD de un circuito de polarización fija para transistor FET. ¿Cuál dirías que
es la principal diferencia operativa en este tipo de polarización, respecto a la polarización por
división de tensión?
 La diferencia principal operativa entre ambas es que la polarización fija utiliza dos fuentes de
alimentación, mientras que la división de tensión utiliza solo una. Resultando el uso de esta última
más fácil y eficiente a diferencia de la polarización fija, la cual depende mucho del transistor
empleado.

3. Finalmente, se te consulta cuál es la principal diferencia entre un transistor MOSFET de

empobrecimiento respecto a uno de enriquecimiento, considerando lo relativo a la formación
de canales.

La principal diferencia es que el transistor MOSFET de empobrecimiento equivale a un interruptor

abierto y el de enriquecimiento equivale a un interruptor abierto.
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

IACC. (2024). Electrónica I en la modalidad online. Transistores de efecto de campo FET. Semana 4