NOMBRE DE ASIGNATURA ELECTRONICA 1

SEMANA 4

Nombre del estudiante Eric Paredes Rivera

Fecha de entrega
Carrera ingeniería automatización y control
 INTRODUCCION
DESARROLLO
Lee atentamente la información que se presenta. Analízala de acuerdo con los contenidos revisados en la
semana y desarrolla la actividad evaluativa.

Has sido contratado en una empresa que se dedica a fabricar transistores FET de diferentes tipos, por lo
cual tu jefe te ha pedido que puedas identificar algunos elementos característicos, detalles constructivos y
otros elementos asociados, a fin de que en un futuro cercano puedas formar parte del equipo de diseño
de circuitos que utilizan este tipo de transistor.

Para ello, tu jefe te ha pedido explicar un conjunto de puntos que permitirán al personal ejercitar sus
conocimientos al respecto, previo al diseño final del que se harán cargo.

A continuación, responde:

1-En primer lugar, durante el proceso de fabricación de los transistores en una oblea de silicio hubo un
problema de identificación, por lo cual se ha tomado una muestra de la sección transversal de un
transistor, para lo cual se te pide puedas identificar el tipo de transistor construido y sus diferentes
partes, como se muestra en la figura 1.

Tipo de transistor:
2-A fin de probar la calidad de los transistores fabricados, se te pide puedas calcular los valores de ID,
VGS, VDS, VS, VG y VD de un circuito de polarización fija para transistor FET. ¿Cuál dirías que es la
principal diferencia operativa en este tipo de polarización, respecto a la polarización por división de
tensión?

3. Finalmente, se te consulta cuál es la principal diferencia entre un transistor MOSFET de

empobrecimiento respecto a uno de enriquecimiento, considerando lo relativo al tipo de sustrato sobre el
que se fabrica (tipo N o P)
COMENTARIO FINAL
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS