UNIVERSIDAD GALILEO – IDEA

Licenciatura en Tecnología y Administración de las Telecomunicaciones.

CEI: Liceo Guatemala.
CURSO: Electrónica General.
HORARIO: Lunes 18:00
TUTOR: JUAN LEO CIFUENTES REYES

TAREA 3

Diodos especiales de uso en telecomunicaciones

JONATHAN ANTONIO MARTÍNEZ VÁSQUEZ

CARNÉ: 20008412
FECHA DE ENTREGA: 25/02/2024
SEMANA A LA QUE CORRESPONDE: #06
Tabla de contenido

Introducción ............................................................................................................. 3
Objetivos ................................................................................................................. 4
Investigación sobre diodos especiales de uso en telecomunicaciones ................... 5
Diodo Zener ......................................................................................................... 5
Diodo Varactor ..................................................................................................... 6
Diodo Schottky ..................................................................................................... 7
Diodo Túnel .......................................................................................................... 8
Diodo Laser .......................................................................................................... 8
Diodo Led........................................................................................................... 10
Diodo PIN ........................................................................................................... 11
Objetivos ............................................................................................................... 13
Referencias ........................................................................................................... 14

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Introducción
El diodo es un componente eléctrico que permite el paso de corriente en un único
sentido, la curva característica de un diodo consiste en dos regiones: por debajo de
un cierto diferencial de potencial, se comporta como un circuito abierto, y por encima
de ella, se comporta como un corto circuito con muy pequeña resistencia eléctrica.
Existen varios diodos especiales que tienen sus características particulares, donde
encontramos a los varactores, ópticos, Schottky, túnel, laser, led y pin.

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Objetivos
1. Que es un diodo.
2. Conocer que tipos de diodos existen.

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Investigación sobre diodos especiales de uso en
telecomunicaciones
Diodo Zener
El diodo Zener es un tipo especial de diodo, que siempre su utiliza polarizado
inversamente. Hay que recordar que los diodos comunes, como un diodo
rectificador (en donde se aprovechan sus características de polarización directa y
polarización inversa), conducen siempre en el sentido de la flecha.

Analizando la curva V-I del diodo se ve que conforme se va aumentando

negativamente el voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy
poco. Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensión
de Zener (Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeño,
pudiendo considerarse constante.

Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo puede variar en un gran rango
de valores. A esta región se le llama la zona operativa y es la característica del diodo
Zener que se aprovecha para que funcione como regulador de voltaje, pues el
voltaje se mantiene prácticamente constante para una gran variación de corriente.
Ver el gráfico anterior.

Si el diodo Zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo común

y conduce.

Si el diodo Zener se polarizada inversamente, este no conduce mientras el voltaje

aplicado sea menor al voltaje del Zener. Una vez que este voltaje se haya
alcanzado, una corriente fluye de cátodo a ánodo (como se muestra en la imagen y
se mantiene entre sus terminales un voltaje de Zener. (ver Vez en la curva V-I
característica).

Símbolo del diodo Zener y la dirección de la corriente para que funcione en la zona
operativa En el gráfico se ve el símbolo de diodo Zener (A – ánodo, K – cátodo) y el
sentido de la corriente para que funcione en la zona operativa. Si se analiza el diodo
como un elemento real, no como un elemento ideal y se debe tomar en cuenta que

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cuando éste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en
sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.

Diodo Varactor
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa
su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unión PN varíe en función de la tensión inversa aplicada entre sus
extremos.

El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa

su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unión PN varíe en función de la tensión inversa aplicada entre sus
extremos. Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador
variable controlado por tensión. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a
500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V.

La capacidad formada en extremos de la unión PN puede resultar de suma utilidad

cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente
utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual está situado el diodo.

Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N

cuando el elemento está polarizado inversamente.

En condiciones de polarización inversa, se estableció que hay una región sin carga
en cualquiera de los lados de la unión que en conjunto forman la región de
agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transición (CT) establecida
por la región sin carga se determina mediante:

CT = E (A/Wd) donde E es la permisibilidad de los materiales semiconductores, A

es el área de la unión PN y Wd el ancho de la región de agotamiento.

Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de

la región de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El
pico inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo

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normal de VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En términos de
la polarización inversa aplicada, la capacitancia de transición se determina en forma
aproximada mediante: CT = K / (VT + VR) n dónde:

K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de

construcción.

VT = potencial en la curva según se definió en la sección

VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado

n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión

Diodo Schottky
Los diodos Schottky son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF)
muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se
utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales.
Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de
portadores calientes.

A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la

polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia
el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy bajo, poniendo en peligro el
dispositivo. El diodo Schottky está constituido por una unión metal

semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor

P semiconductor N utilizada por los diodos normales.

Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador

mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con
impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles)
desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la
recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los
diodos rectificadores normales, con lo que la operación del dispositivo será mucho
más rápida.

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Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de
ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la
de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo
necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene
un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la
tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.

Diodo Túnel
Diodo tunel. Es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se
produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un
cierto intervalo de la característica corrientetensión.

La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como

componente activo (amplificador/oscilador).

En un diodo de semiconductor convencional, la conducción tiene lugar mientras la

unión p-n está polarizado directamente y bloquea el flujo de corriente cuando la
unión es polarizado en sentido inverso.

Diodo Laser
Diodos láser. Estos dispositivos también se les denomina diodos láser de inyección,
o por sus siglas inglesas LD o ILD. El diodo láser fue inventado en tres laboratorios
de investigación en USA de modo independiente. Los investigadores consiguieron
radiación electromagnética coherente de un diodo de unión p-n en base al material
semiconductor GaAs - Arseniuro.

Cuando un diodo convencional o LED se polariza en directa, los huecos de la zona

p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse cayendo el
electrón al hueco y emitiendo un fotoń con la energía correspondiente a la banda
prohibida.

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Esta emisión espontánea se produce normalmente en los diodos semiconductores,
pero sólo es visible en algunos de ellos (como los LEDs), que tienen una disposición
constructiva especial con el propósito de evitar que la radiación sea reabsorbida por
el material circundante, y habitualmente una energía de la banda prohibida
coincidente con la correspondiente al espectro visible; en otros diodos, la energía
se libera principalmente en forma de calor, radiación infrarroja o radiación
ultravioleta.

En condiciones apropiadas, el electrón y el hueco pueden coexistir un breve tiempo,

del orden de nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que, si un fotón con
la energía apropiada pasa por casualidad por allí durante ese periodo, se producirá
la emisión estimulada, es decir, al producirse la recombinación el fotón emitido
tendrá igual frecuencia, polarización y fase que el primer fotón.

Cuando un diodo convencional o LED se polariza en directa, los huecos de la zona

p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse cayendo el
electrón al hueco y emitiendo un foto con la energía correspondiente a la banda
prohibida.

Esta emisión espontánea se produce normalmente en los diodos semiconductores,

pero sólo es visible en algunos de ellos (como los LEDs), que tienen una disposición
constructiva especial con el propósito de evitar que la radiación sea reabsorbida por
el material circundante, y habitualmente una energía de la banda prohibida
coincidente con la correspondiente al espectro visible; en otros diodos, la energía
se libera principalmente en forma de calor, radiación infrarroja o radiación
ultravioleta.

En condiciones apropiadas, el electrón y el hueco pueden coexistir un breve tiempo,

del orden de nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que, si un fotón con
la energía apropiada pasa por casualidad por allí durante ese periodo, se producirá
la emisión estimulada, es decir, al producirse la recombinación el fotón emitido
tendrá igual frecuencia, polarización y fase que el primer fotón.

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Diodo Led
Un led o diodo emisor de luz es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz
incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN
del mismo y circula por él una corriente eléctrica. Este fenómeno es una forma de
electroluminiscencia. El color, depende del material semiconductor empleado en la
construcción del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible,
hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta también
reciben el nombre de led UV (ultraviolet light: "luz ultravioleta") y los que emiten luz
infrarroja se llaman IRED (InfraRed Emitting Diode: "radiación infrarroja").

El funcionamiento físico consiste en que, en los materiales semiconductores, un

electrón al pasar de la banda de conducción a la de valencia, pierde energía; esta
energía perdida se puede manifestar en forma de un fotón desprendido, con una
amplitud, una dirección y una fase aleatoria. El que esa energía perdida cuando
pasa un electrón de la banda de conducción a la de valencia se manifieste como un
fotón desprendido o como otra forma de energía (calor, por ejemplo) va a depender
principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un diodo semiconductor
se polariza directamente, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los
electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas
constituyen la corriente que circula por el diodo.

El funcionamiento físico consiste en que, en los materiales semiconductores, un

electrón al pasar de la banda de conducción a la de valencia, pierde energía; esta
energía perdida se puede manifestar en forma de un fotón desprendido, con una
amplitud, una dirección y una fase aleatoria. El que esa energía perdida cuando
pasa un electrón de la banda de conducción a la de valencia se manifieste como un
fotón desprendido o como otra forma de energía (calor, por ejemplo) va a depender
principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un diodo semiconductor
se polariza directamente, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los
electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas
constituyen la corriente que circula por el diodo.

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Si los electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse, es decir,
los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel
energético superior a otro inferior más estable.

Este proceso emite con frecuencia un fotón en semiconductores de banda prohibida

directa o "direct bandgap" con la energía correspondiente a su banda prohibida
.Esto no quiere decir que en los demás semiconductores (semiconductores de
banda prohibida indirecta o "indirect bandgap") no se produzcan emisiones en forma
de fotones; sin embargo, estas emisiones son mucho más probables en los
semiconductores de banda prohibida directa (como el Nitruro de Galio) que en los
semiconductores de banda prohibida indirecta (como el silicio).

Diodo PIN
Diodo PIN es una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor
intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da
nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien
por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad
(ν).

La región intrínseca amplia es en contraste con un diodo PN ordinaria.La región

intrínseca amplia hace que el diodo PIN un rectificador inferiores, pero hace que el
diodo PIN adecuado para atenuadores, interruptores rápidos, fotodetectores, y
aplicaciones de electrónica de potencia de alta tensión.

Un diodo PIN obedece a la ecuación del diodo estándar para señales de baja
frecuencia. A frecuencias más altas, el diodo se parece a una resistencia casi
perfecta. Hay una gran cantidad de carga almacenada en la región intrínseca. A
bajas frecuencias, la carga se puede quitar y el diodo se apaga. A frecuencias más
altas, no hay tiempo suficiente para retirar la acusación, por lo que el diodo no se
apaga nunca. El diodo PIN tiene un mal tiempo de recuperación inverso.

La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la corriente

continua de polarización a través del diodo. Un diodo PIN, adecuadamente sesgada,

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por lo tanto, actúa como una resistencia variable. Esta resistencia de alta frecuencia
puede variar en un amplio intervalo.

La región intrínseca amplia también significa que el diodo tendrá una capacitancia
baja polarizado inversamente.

En un diodo PIN, la región de agotamiento existe casi por completo dentro de la

región intrínseca. Esta región de agotamiento es mucho más grande que en un
diodo PN, y casi constante de tamaño, independiente de la polarización inversa
aplicada al diodo. Esto aumenta el volumen en el que los pares electrón-hueco
pueden ser generados por un fotón incidente. Algunos dispositivos fotodetectores,
tales como fotodiodos PIN y fototransistores, utilizan una unión pin en su
construcción.

El diseño de diodo tiene algunas ventajas y desventajas de diseño. El aumento de

las dimensiones de la región intrínseca permite que el diodo se vea como una
resistencia a frecuencias más bajas. Se afecta negativamente el tiempo necesario
para apagar el diodo y su capacitancia en derivación. Diodos PIN se adaptarán para
un uso particular.

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Objetivos
1. Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la
circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido,
bloqueando el paso si la corriente circula en sentido contrario.
2. Tipos de diodos que existen:
• Diodo LED
• Diodo láser
• Diodo Zener
• Diodo Schottky
• Diodo Shockley

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Referencias
de, E. U. (29 de octubre de 2017). Colmenares. Obtenido de
https://unicrom.com/diodo-zener/
torres, R. M. (2024). Electrónica Facil. Obtenido de
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodo-Laser.html

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