TEMA 2.

LOS METALES
INDICE

 METALES.
 Características genéricas. Importancia industrial.
 Estructura cristalina de los metales
 Estructura cúbica centrada en el cuerpo
 Estructura cúbica centrada en las caras
 Estructura hexagonal compacta
 Defectos de la estructura cristalina de los metales: puntuales.
lineales y superficiales.
 ALEACIONES METÁLICAS
 Concepto
 Clasificación estructural de las aleaciones metálicas
 Soluciones sólidas: Sustitucionales e Intersticiales.
 Compuestos o fases Intermedias

2
OBJETIVOS BIBLIOGRAFIA

• Estudiar los aspectos

estructurales específicos de los
materiales metálicos.
Bibliografía básica.
• Conocer la influencia
 William D. Callister. Introducción a
determinante que dichos
la Ciencia e Ingeniería de
aspectos estructurales tienen en
Materiales. Ed. Reverté. Año 2002.
las propiedades y características
Capítulos: 2, 3, 4, 13, 15 y 16.
de los materiales. Saber
modificar estas características Bibliografía complementaria.
actuando sobre la estructura a  Shackelford, J. F. Introducción a la
través de los procesos de Ciencia e Ingeniería de Materiales
fabricación. para Ingenieros. 4 Ed. Prentice
• Conocer el interés e importancia Hall. Capítulos: 1, 2, 3 y 4.
industrial de las aleaciones
metálicas y las diversas
configuraciones estructurales
que presentan.

3
CONTENIDOS PREVIOS
METALES
 Enlaces [Callister, apartados 2.5, 2.6 y 2.7]
 Naturaleza de los diferentes tipos de enlace: Primario y Secundario
 Características de cada tipo de enlace (energía de enlace, direccional/no
direccional.
 Relacionar las características de cada tipo de enlace con ciertas propiedades
y características de las materiales en los intervienen esos enlaces.
 Energía de enlace/puntos de fusión.
 Direccionalidad y compactación /comportamiento mecánico (ductilidad)
 Movilidad de electrones/ comportamiento eléctrico (conductividad
eléctrica).
 Estructura
 Diferencias entre estructura cristalina y amorfa [Callister, apartados 3.2 y 3.16]
 Las catorce redes de Bravais [Callister, apartado 3.7]
 Conocer la designación mediante los índices de Miller de las direcciones y
planos cristalográficos en las redes anteriores. Distancia entre planos de la
misma familia. [Callister, apartados 3.8 y 3.9]

ALEACIONES [Callister apartado 9.1]

 El concepto de aleación, de solubilidad en estado sólido, de soluto y disolvente.

 Los modos de expresar la solubilidad en estado sólido: concentración en masa, en
átomos y en volumen. Transformaciones de unas en otras.
 Representación gráfica de la concentración de una aleación. 4
MATERIALES METÁLICOS

• Materiales Metálicos: materiales que poseen propiedades y características

metálicas.

• Opacidad
• Conductividad eléctrica y térmica
• Ductilidad
• Alta densidad
• Temperaturas fusión elevadas
• Brillo metálico

• Aleaciones: Importancia industrial

2 0,5 ACERO AL CARBONO

2,5
15
ACEROS ALEADOS Y
FUNDICIONES
ALUMINIO Y ALEACIONES

COBRE Y ALEACIONES

80 RESTO

5
 Estructura de los metales puros
1. Enlace metálico.
2. Estructura cristalina (FCC,BCC, HC).
3. Vidrios metálicos

ENLACE METÁLICO
• Enlaces a través del mar de electrones de valencia donados • Tendencia al empaquetamiento
(1, 2, or 3 de cada atómo).
compacto
• Usualmente un único elemento
con lo que todos los radios
atómicos son idénticos
• Enlace metálico no direccional
• Las distancias entre los vecinos
más próximos tienden a ser
pequeñas para minimizar la
• Enlace primario en metales y aleaciones metálicas energía de enlace
• Estructuras simples
6
Redes de Bravais

7
Estructura Cristalina

MATERIAL = RED CRISTALINA + BASE ESTRUCTURAL

ALUMINIO
Red c.c.c.

(O,O,O)

(O,O,O) Cloro

(1/2,0,0) Sodio Y

X
8
 Estructura BCC

Red: BCC
Base estructural: (0,0,0)

• Cr, Fe, Mo, V, W

4
πR 3
2
• Factor de empaquetamiento = 3 = 0.68
• Número átomos/celdilla = 2  4R 
3

 
 3
• Direcciones compactas [111]
• Densidad atómica= 2/a3

• Planos compactos (110)

• Radio atómico a 3 = 4R

• Índice de coordinación = 8
9
 Estructura FCC

• Ag, Al, Au, Cu, Ni, Pb, Pt

• Número átomos/celdilla = 4

• Densidad atómica= 4/a3

• Radio atómico a 2 = 4R

• Índice de coordinación = 12
4
πR 3
4
• Factor empaquetamiento = 3 3
= 0.74
 4 R 
 
 2 
• Direcciones compactas [110]

• Planos compactos (111)

Red: FCC
Base estructural: (0,0,0)

10
 Densidad teórica,ρ

Estructura = FCC: 4 átomos/celda unidad

Masa atómica = 63.55 g/mol ρ teórica = 8.89 gr/cm3

Ejemplo: Cu
ρ real = 8.94 gr/cm3
R = 0.128 nm

Volumen de la celda = a3 = 4.75 • 10 −23 cm3

11
 Estructura HC
Red: hexagonal compacta o exagonal compacta (hc ó exc)
Base estructural: (0,0,0) (1/3, 2/3, 1/2)

A sitios

•Capa superior
B sitios
•Capa intermedia

A sitios •Capa inferior

• Proyección 3D
• Proyección 2D

Índice de coordinación = 12, si c/a= 1,63

2R = a
Índice de coordinación = 6, si c/a ≠ 1,63 R=
a
2
Factor de empaquetamiento atómico = 0.74

12
 FCC-HC: Similitud
ABCABC... Secuencia de apilamiento
2D Proyección

•A •A
•B •B
•C •C •C
•A •A •A
•A sitios •B •B •B
•C •C
•B sitios •A •A
•B •B
•C
•C sitios

fcc …. ABCABCABC…
hc …. ABABABAB…..
fcc Celda Unidad

13
 Microestructura

• Monocristales

Anisotropía: las propiedades varian con la

dirección.

Ejemplo: Módulo de elasticidad (E) en

BCC hierro

• Policristales

Las propiedades varían/no varían con la dirección.

-Si los granos están orientados al azar: material
isotrópico.
(Epoly iron = 210 GPa)
-Si los granos están deformados: material
anisotrópico.
Ri = 0.079a

14
 Defectos de la estructura cristalina

• Vacantes
Defectos Puntuales • Átomos intersticiales
• Impurezas

Defectos Lineales • Dislocaciones

Defectos Superficiales • Bordes de grano

15
 Defectos puntuales

Vacantes
Vacancy
distortion
of planes

• Puede producirse durante la solidificación por perturbaciones locales durante

el crecimiento de los cristales o por reordenamientos atómicos en el cristal ya
formado como consecuencia de la movilidad de los átomos.

• Son las imperfecciones más comunes en los cristales. Se dan hasta una por
cada 10000 átomos.

• Las vacantes pueden trasladarse cambiando su posición con sus vecinos. Este
proceso es importante en la migración o difusión de los átomos en el estado
sólido, sobre todo a altas temperaturas donde la movilidad de los átomos es
mayor.

16
 Defectos puntuales

Autointersticial: (importantes en los procesos de difusión)

se lf-
distor tion in te rstit
of planes

17
 Defectos puntuales

Impurezas

(ej. Cu en Ni)
 Sustitucionales: el soluto o las impurezas
reemplazan a átomos originales.

 Intersticiales: los átomos de las

impurezas llenan los vacíos o intersticios (ej. C en Fe)
dentro del material original.

18
 Defectos lineales
Dislocaciones
 Gran influencia en el comportamiento mecánico, favorecen deslizamiento en planos
cristalinos, originando deformación permanente (plástica).

Tipos de dislocaciones:

Dislocación de borde Dislocación helicoidal Dislocación Mixtas

19
Movimiento de las dislocaciones

20
 Defectos lineales

Despues de
Efecto de la deformación plástica de una probeta de Zinc (hc): la elongación
a tracción
Antes de la
deformación

Influencia de las dislocaciones en los mecanismos de deformación:

 Las dislocaciones se mueven por los planos de deslizamiento

 La línea de la dislocación se desplaza fácilmente y origina la deformación
 La línea de la dislocación separa la parte de material deslizado de arriba respecto a la
no deslizada de abajo. El movimiento de la dislocación requiere el desplazamiento de un
semiplano de átomos (desde la izquierda a la derecha) sobre el otro fijo.
Los enlaces a través de los planos de deslizamiento se modifican en sucesión lo que
requiere de sólo un ligero rearreglo de los átomos.

21
 Movimiento de las dislocaciones

Movimiento de
diferentes tipos de
dislocaciones para
originar idéntico corte.

22
 Defectos Superficiales

Bordes de grano
 Son límites entre los cristales que constituyen el material policristalino.
 Se originan en el proceso de solidificación.
 A través de ellos cambia la orientación del cristal.
 Constituyen un impedimento al movimiento de las dislocaciones.

microscocopio

Superficie pulida

Superficie atacada
•Bordes Borde de grano
•De grano

•Fe-Cr alloy
23
ALEACIONES METÁLICAS

• CONCEPTO
• SOLUBILIDAD
• CONCENTRACIÓN (masa, átomos, volumen)
• CLASIFICACIÓN ESTRUCTURAL
• SOLUCIONES SÓLIDAS
• Sustitucionales
• Intersticiales
• COMPUESTOS Y/O FASES INTERMEDIAS
• Compuestos químicos
• Compuestos intermetálicos
• Compuestos instersticiales
• Compuestos electrónicos

24
SOLUCIONES SÓLIDAS

25
SOLUCIONES SÓLIDAS

SOLUCIONES SÓLIDAS DE SUSTITUCIÓN

Una solución sólida sustitucional es una solución de dos o más elementos con
átomos que son casi del mismo tamaño. Este requisito es necesario porque los
átomos aleantes necesitan reemplazar los átomos normales de la estructura
reticular y no solamente acomodarse en los espacios que dejan los átomos
normales entre sí, como sucede en las intersticiales.

Limitación de tamaño en las soluciones sólidas de sustitución

26
Soluciones sólidas ordenadas

Soluciones sólidas ordenadas o superredes

Cu
Celdilla de CuAu
Au

Cu
Celdilla de Cu3Au
Au
SOLUCIONES SÓLIDAS

SOLUCIONES SÓLIDAS INTERSTICIALES

Las soluciones sólidas intersticiales están constituidas por elementos aleantes cuyos
átomos difieren mucho en tamaño. Los átomos aleantes deben ser de tamaño
bastante pequeño para acomodarse dentro de la estructura reticular del metal base.
Se ha determinado que los átomos de elementos aleantes deben de tener un tamaño
de aproximadamente la mitad del de los átomos de base. Los elementos comunes
que son capaces de formar soluciones intersticiales son: carbono, nitrógeno, oxígeno,
hidrógeno y el boro.

28
Soluciones sólidas

• Reglas de Hume-Rothery
• Factor Tamaño
• Factor Estructura electrónica
• Factor valencia
• Factor concentración electrónica
• Factor estructura cristalina
• Solubilidad: Total y Parcial

Cuanto más parecidos son dos metales tanto química como físicamente, mayores su
tendencia para formar soluciones sólidas continuas. Los siguientes son requisitos
para la formación de una solución sólida continua.
1. El tamaño atómico de los metales aleantes no debe diferir en más del 15 %.
2. Las características químicas (valencia, electronegativad) deben ser similares.
3. Los metales deben cristalizar en la misma red, por ejemplo CC, CCC o HC.
4. Concentración electrónica (nº electrones de valencia/átomo) <1.4

29
Soluciones sólidas intersticiales

30
FCC. Intersticios octaédricos
En la red FCC los huecos octaédricos se sitúan en el centro del cubo y en el centro de
cada una de sus aristas. Por lo tanto, en cada celda existirán cuatro huecos (uno de ellos
situado en el interior de la celda y otros doce en los centros de las aristas, estando estos
últimos compartidos por cuatro celdas), lo que equivale a un hueco por cada átomo. A la
hora de calcular las dimensiones M hueco se tiene en cuenta la mayor esfera que se puede
insertar en él. De acuerdo con la figura, se debe cumplir:
2R + 2Ri = a
siendo R el radio del átomo metálico y Ri el del hueco. Como en la estructura FCC se
cumple:

Ri
se verifica entonces: Ri / R = 0,414 = 0.414 Ri = 0.147a
Rs

Hueco octaédrico

31
FCC: Intersticios tetraédricos

Los huecos tetraédricos en la red FCC ocupan los ocho centros de los ocho cubos en que
se puede dividir la celda unidad, tal como se aprecia en la figura. Por tanto, existirán
ocho huecos de este tipo en cada celda unidad; es decir, dos por cada átomo metálico.
Cada hueco ocupa el centro de un tetraedro cuyos vértices coinciden con los centros de
sus átomos vecinos. De acuerdo con la figura, se cumple:

Ri
= 0.225
Rs
Ri = 0.079a

32
BCC: Intersticios octaédricos
En la red BCC existen también huecos octaédricos y tetraédricos. La única diferencia radica en que en
este caso los huecos octaédricos no son simétricos; es decir, sus átomos vecinos no se encuentran a
igual distancia. Estos huecos octaédricos ocupan los centros de las caras del cubo y los centros de sus
aristas. Por tanto, en cada celda unidad existirán seis huecos (6 en los centros de las caras
compartidos entre dos celdas, y 12 en los centros de las aristas compartidos por cuatro celdas); es
decir, tres huecos por cada átomo presente.
Cada hueco octaédrico en una red BCC está rodeado por dos átomos (superior e inferior en la figura)
a una distancia a/2 y por otros cuatro átomos a una distancia (a√2)/2 .
La dimensión del hueco queda definida por el menor espacio libre entre átomos; por lo que se
cumple: 2R + 2Ri = a
y puesto que en una red BCC se verifica la relación se obtiene como resultado:

Ri = 0.067a

33
BCC: Intersticios tetraédricos
En la red BCC existen cuatro huecos tetraédricos en cada cara y en este caso tampoco son
simétricos. Considerando uno de estos huecos, los dos átomos más cercanos a él se encuentran
situados en los vértices del cubo a una distancia que vendrá dada por:

y como el radio de la esfera mayor que se puede insertar en el hueco tetraédrico viene determinado
por: d = R + Ri, se obtiene como resultado:
Ri
= 0.291
Rs
Ri = 0.126a

34
HC: Intersticios Octaédricos

En la red HCP los huecos son muy parecidos a los que existen en la red FCC; en
particular, para los huecos octaédricos también se cumple la relación Ri / R = 0,414 ;
y para los tetraédricos, Ri / R = 0,225.

Ri
= 0.414
Rs

35
HC: Intersticios tetraédricos

Ri = 0.112a

Ri
= 0.225
Rs

36
Compuestos.Fases Intermedias

• Compuestos Químicos
• Compuestos Intermetálicos
• CIVN Mg2Si • No metálico
• CIVA CuSn • Metálicos:Duros, Frágiles
• Bertholidos
• Daltonido
• Compuestos Intersticiales • Metálicos, Temperatura
• Soluciones sólidas intersticiales composición fija Fusión alta, duros, frágiles
• Metales Transición + H, B, C, N
• Compuestos Electrónicos
• Concentraciones electrónicas
• Propiedades y Características

37