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Transistores MOSFET Haga clic para agregar

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E m e r s o n Va r g a s
Ye n i b e l M a r t í n e z

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¿Qué son los transistores MOFEST?
Las siglas MOSFET vienen de las palabras Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,
que en español significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. En
otras palabras, un MOSFET es un transistor, un componente eléctrico que se encarga de
regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada dada. En el mundo de la
electrónica son ampliamente conocidos los transistores BJT, que sirven para regular la señal
de salida en corriente, mientras que los MOSFET regulan la señal de salida en voltaje. El
funcionamiento es básicamente el mismo, solo que unos regulan corriente (intensidad) y
otros regulan voltaje.
En el caso que nos ocupa, que es referido a los ordenadores, los MOSFET son pequeños
chips que se encuentran en componentes que necesitan regular el voltaje que reciben,
como CPUs, tarjetas gráficas y fuentes de alimentación. Lo más frecuente es hablar de
MOSFETS en placas base, que es además donde mejor pueden verse. Estos elementos se
encuentran alrededor del socket y es habitual que estén ocultos bajo un disipador, ya que es
necesaria la evacuación del calor que generan. Los MOSFET pueden verse cerca de otros
componentes más grandes, los chokes, que tienen aspecto de cubo metálico. Cerca de ellos
se pueden ver chips, uno por cada cubo, esos serán los MOSFET.
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Características de los MOSFET
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Las características fundamentales de los MOSFETS son las siguientes:
1-Máxima tensión drenador-fuente:

Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato y el drenador. Se mide con la puerta
cortocircuitada a la fuente. La tensión de los MOSFETS se clasifican en :

• Baja tensión: 15 V, 30 V, 45 V, 55 V, 60 V, 80 V

• Media tensión: 100 V, 150 V, 200 V, 400 V

• Alta tensión: 500 V, 600 V, 800 V, 1000 V

La máxima tensión drenador-fuente de representa como VDSS o como V(BR)DSS

2. Máxima corriente de drenador:

El fabricante suministra dos valores (al menos):

• Corriente continua máxima ID

• Corriente máxima pulsada IDM
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 3. Resistencia de conducción:
Haga
Es unoclic para más
del parámetro modificar elunestilo
importante en de título
MOSFET. Cuanto delmejor
menor sea, patrón
es el dispositivo. Se
representa por las letras RDS. 
4. Tensiones umbral y máximas de puerta:
La tensión puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que comience a haber conducción entre
drenador y fuente. Y los fabricantes definen la tensión umbral VGS(TO).
5. Velocidad de conmutación:
Los MOSFET de potencia son más rápidos que otros dispositivos usados en electrónica de potencia (tiristores,
transistores bipolares, IGBT, etc.).
Los MOSFET de potencia son dispositivos de conducción unipolar. En ellos, los niveles de corriente conducida
no están asociados al aumento de la concentración de portadores minoritarios, que luego son difíciles de
eliminar para que el dispositivo deje de conducir.
La limitación en la rapidez está asociada a la carga de las capacidades parásitas del dispositivo. Se pueden
distinguir esencialmente tres:
Capacidad de lineal, CGS
Capacidad de transición, CDS
Capacidad Miller, no lineal, CDG 4 4
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APLICACION DELmodificar el MOSFET
TRANSISTOR estilo de título del patrón

La forma mas habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS consistentes en el uso de transistores PMOS
y NMOS complementarios.

 Las aplicaciones MOSFET discretos más comunes son:

o Resistencia controlada por tensión
o Circuito de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc)
o Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta

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Resistencia controlada por tensión:
Una resistencia controlada por voltaje (VCR) es un dispositivo activo de tres terminales con un puerto de
entrada y dos puertos de salida. El voltaje del puerto de entrada controla el valor de la resistencia entre los
puertos de salida. Las videograbadoras se construyen con mayor frecuencia con 
transistores de efecto de campo (FET). A menudo se utilizan dos tipos de FET: el JFET y el MOSFET . Hay
resistencias controladas por voltaje flotante y resistencias controladas por voltaje con conexión a tierra. Los
VCR flotantes se pueden colocar entre dos componentes activos o pasivos. Los VCR conectados a tierra, el
diseño más común y menos complicado, requieren que un puerto de la resistencia controlada por voltaje
esté conectado a tierra.

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble compuerta:

Los MOSFET de doble compuerta constituyen excelentes mezcladores. Tienen mejor rango dinámico que
los mezcladores que emplean transistores bipolares: es decir, puede operar de manera satisfactoria en un
amplio intervalo de amplitudes de señal. Asimismo, producen menos frecuencia de salida no deseadas.

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 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.):
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Son muy populares para aplicaciones de baja tensión, baja potencia y conmutación resistiva en altas frecuencias, como
fuentes de alimentación conmutadas, motores son escobillas y aplicaciones como robótica, CNC y electrodomésticos.
HEXFET FREDFET

Los MOSFET de potencia HEXFET avanzados de Rectificador Un FREDFET es un MOSFET con un diodo de cuerpo intrínseco
internacional utilizan técnicas de procesamiento avanzadas de recuperación más rápida. Esto da como resultado una
para lograr una resistencia extremadamente baja por área de confiabilidad mejorada en los circuitos ZVS debido a una vida
silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de útil más corta de los portadores minoritarios y una mayor
conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los robustez de conmutación. Si no se necesita un diodo de
MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al cuerpo de recuperación rápida, hay versiones MOSFET
diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y disponibles.
confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

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Tipos
Haga declic
transistores
para MOSFET:elEmpobrecimiento
modificar estilo de título ydel
enriquecimiento.
patrón
Los MOSFET poseen también 3 terminales: Gate, Drain y Source (compuerta, drenaje y fuente). A su vez, se subdividen en 2 tipos,
los MOSFET canal N y los de canal P.
MOSFET CANAL N MOSFET CANAL P
Un MOSFET de canal N se enciende cuando aplicas un voltaje Para activar un MOSFET de canal P en adelante, se aplica una
positivo en el terminal de la compuerta. El voltaje será mayor tensión negativa a la compuerta. Este voltaje es negativo con
que el suministro de tensión positivo en el terminal drenador, respecto a tierra. En un circuito, se conecta el terminal del
mientras que la resistencia entre el extremo positivo y el canal surtidor del MOSFET P a una fuente de tensión positiva y
drenador limitará la corriente. Para este tipo de MOSFET, el el drenador a una resistencia conectada a tierra, además la
terminal surtidor deberá conectarse a tierra y el símbolo resistencia limitará la corriente que fluye a través del transistor.
esquemático para el mismo tendrá una flecha apuntando hacia El diagrama del circuito para un MOSFET de canal P tiene una
la compuerta del dispositivo. flecha a través del transistor. El diagrama del circuito para un
MOSFET de canal P tiene una flecha apuntando hacia la parte
exterior de la compuerta.

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Estructura para
un modificar
MOSFET el estilo de título del patrón
• Los MOSFET se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato.

Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es un semiconductor contrario al
semiconductor usado para el sustrato.
 
• Recubriendo este bloque se coloca una capa de óxido metálico aislante que hace de dieléctrico o aislante entre la
fuente y el sumidero.
 
• Por encima de este óxido se coloca una placa de metal conductor.
• El óxido con el metal forma la tercera patilla o borne de conexión llamada puerta o gate (en inglés).
 
• Tenemos 4 partes, pero solo 3 patillas, ya que el sustrato está unido siempre a la puerta (gate), formando una única
patilla del transistor.
• El canal que queda entre S y D es del material del sustrato y se llama canal.

Es la zona que hace de aislante impidiendo el paso de corriente cuando aplicamos tensión entre S y D.

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Gracias

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