Hoja de formulas - Parcial 1

Universidad de los Andes - Electrónica análoga

14 de septiembre de 2023

Transistores MOSFET

Figura 1: Configuraciones de amplificación MOSFET

ID = Kn (Vov )2 = Kn (VGS − VT N )2
1 W 1 1 W
ID = kn′ ( )(Vov )2 = kn (Vov )2 = kn′ ( )(VGS − VT N )2
2 L 2 2 L
2ID p
gm = = 2 Kn ID
Vov
|VA |
ro =
ID
VT N = 0,4V
VOV = VGS − Vtn

Transistores BJT
Convención circuital:

VT = 25mV
VBE
IC = IS e VT

IE = (β + 1)IB
IC = β · IB

1
Figura 2: Regiones MOSFET

Figura 3: Convención circuital

β = 100
α = β/(β + 1)
IC
gm =
VT
VT
re = = α/gm
IE
VT
rπ = = β/gm = (β + 1)gm
IB

2
 Figura 4: Configuraciones de amplificación BJT

Figura 5: Modelo Pi - Mosfet

Teorema de Miller

Z
Z1 =
(1 − K)
Z
Z2 =
(1 − K1 )

En capacitores:

C1 = C(1 − K)
1
C2 = C(1 − )
K

3
 Figura 6: Modelo T - MOsfet

Figura 7: Modelo Pi - Capacitores - MOSFET

Figura 8: Modelo T - Capacitores - BJT

Figura 9: Teorema de Miller