ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

Tema: Transistor de Efecto de Campo

Integrantes:

 Brando Steven Curipallo Peralta

 Andrés Alejandro Zapata Pacheco

 Alejandra Nohelia Cruz Aldeán

Grupo: GR3

Profesor: Aldrin Paúl Reyes Narváez

Quito, 25 de julio de 2017.

Tema: Transistor de Efecto de Campo
Objetivos:

 Analizar e implementar un circuito de polarización para JFET.

 Analizar e implementar un amplificador usando JFET.

1. Consultar las principales características de los transistores de efecto de campo y presentar

un cuadro con las semejanzas y diferencias entre este tipo de transistores y los de juntura
bipolar.

Transistor de Efecto de Campo (FET) Transistor Bipolar de Unión (BJT)

Baja ganancia de voltaje Alta ganancia de voltaje
Alta ganancia de corriente Baja ganancia de corriente
Generación de ruido baja Generación de ruido media
Tiempo de conmutación alta Tiempo de conmutación media
Se daña con la estática Uso rudo
Algunos requieren una entrada para apagarlo Requiere una entrada de cero para apagarlo
Dispositivo controlado por voltaje Dispositivo controlado por corriente
Mayor costo Barato
gm (factor de trasconductancia) β (factor de amplificación)
Id es una función de Vgs Ic es una función de Ib
Relación cuadrática entre Vgs e Id Relación lineal entre b e Ic
Tabla 1. Semejanzas y diferencias entre transistores BJT y FET. [1]

2. Revisar las hojas de datos de al menos 4 transistores de efecto de campo y presentar un

cuadro con los valores de los parámetros más importantes.

2N3819
Símbolo Parámetros Valor Unidad
V DG Voltaje Drenaje-Compuerta 25 V
V GS Voltaje Compuerta-Fuente -25 V
ID Corriente de Drenaje 50 mA
I GF Corriente de Compuerta 10 mA
Tabla 2. Carácterísticas del transistor 2N3819 [2]

2N3821
Símbolo Parámetros Valor Unidad
V DG Voltaje Drenaje-Compuerta 50 V
V GS Voltaje Compuerta-Fuente 50 V
I DS Voltaje Drenaje-Fuente 50 mA
I GF Corriente de Compuerta 10 mA
Tabla 3. Carácterísticas del transistor 2N3821 [3]

2N3823
Símbolo Parámetros Valor Unidad
 V DG Voltaje Drenaje-Compuerta 30 V
V GS Voltaje Compuerta-Fuente 30 V
I DS Voltaje Drenaje-Fuente 30 mA
I GF Corriente de Compuerta 10 mA
Tabla 4. Carácterísticas del transistor 2N3823 [4]

2N3822
Símbolo Parámetros Valor Unidad
V DG Voltaje Drenaje-Compuerta -50 V
V GS Voltaje Compuerta-Fuente -50 V
I DS Voltaje Drenaje-Fuente -50 mA
I GF Corriente de Compuerta 10 mA
Tabla 5. Carácterísticas del transistor 2N3822 [5]
3. Resolver la polarización del siguiente circuito:

Figura 1. Circuito con transistor JFET.

I DSS =10 mA

V p=−8 V

22 kΩ
V G= ∗25 V
22 kΩ+ 3.3 MΩ
V G =0.165 V

V GS=V G−V S
V GS=V G−I D R S
V GS=0.165V −I D∗2.7 kΩ

2
0.165 V −I D∗2.7 kΩ
(
I D =10 mA 1−
−8 V )
I D =10 mA ( 1+ 0.020625−337.7 I D )2

I D =10 mA ( 0.979375−337.7 I D )2

I D =10 mA ( 0.9592−665.41 I D +114048.04 I D2 )

I D =9.592−66541 I D +11404804 I D2

11404.804 I D2−66.542 I D +9.592 x 10−3=0

I D 1 =5.68 mA
I D 2 =0.1478 mA

V GS=0.165V −( 0.1478mA )∗2.7 kΩ

V GS=−0.2340 V

V DS=25 V −0.1478mA∗(2.7 kΩ+680 Ω)

V DS=24.5 V

V GS
(
gm =g mo∗ 1−
Vp )
2 I DSS
gm =
V GS
(
¿ V p ∨¿∗ 1−
Vp )¿

2∗10 mA
gm =
−0.2340 V
¿−8 V ∨¿∗ 1− (−8 V
¿ )
gm =2.43 mS
4. Resolver el siguiente circuito en DC y AC, dibujar los voltajes de salida:
 Figura 2. Circuito con transistor JFET.
Análisis en DC

I DSS =10 mA
V p=−8 V

68 kΩ
V G= ∗30 V
68 kΩ +1.5 MΩ
V G =1.3V

V GS=V G−V S
V GS=V G−I D R S
V GS=1.3 V −I D∗1 kΩ

2
1.3 V −I D∗1 kΩ
(
I D =10 mA 1−
−8V )
I D =10 mA ( 1+ 0.1625−125 I D )2

I D =10 mA ( 1.1625−125 I D ) 2

I D =10 mA ( 1.351−290.625 I D +15625 I D 2)

I D =0.0135−2.906 I D +156.25 I D2

156.25 I D2−3.906 I D + 0.0135=0

I D 1 =4.14 mA
I D 2 =0. 02 A
V GS=1.3 V −( 4.14 mA )∗1 kΩ
V GS=−2.84 V

V DS=30 V −4.14 mA∗(1 kΩ+1 kΩ)

V DS=21.72 V

Análisis en AC

V GS
(
gm =g mo∗ 1−
Vp )
2 I DSS
gm =
V GS
(
¿ V p ∨¿∗ 1−
Vp )¿

2∗10 mA
gm =
−2.84 V
¿−8 V ∨¿∗ 1− (
−8 V
¿ )
gm =1.61mS

Z¿ =R5 ∥ R6

(1.5 M Ω ) (68 k Ω )
Z¿ =
( 1.5 M Ω ) + ( 68 k Ω )
Z¿ =65.05 k Ω

1
rd =
Y os

1
rd =
40 μS
r d =25 k Ω

Z out =r d ∥ R7

( 25 k Ω) ( 1 k Ω )
Z out =
( 25 k Ω )+ ( 1k Ω )
 Z out =961.5 Ω

AV =−gm (r d ∥ R7 )

AV =−( 1.61 mS ) ( 961.5 Ω )

AV =−1.55

V o =−( g ¿ ¿ m∗V GS)( r d ∥ R7) ¿

V o =−( 1.61mS∗−2.84 V ) ( 961.5 Ω )

V o =4.4 V
5. Realizar las simulaciones de los circuitos presentados.

Circuito 1:

Circuito 2 :
6. Presentar los voltajes de polarización y las gráficas en papel milimetrado.
Bibliografía:

[1] «Comparación FET vs BJT». [En línea]. Disponible en:

https://es.scribd.com/doc/99408354/Comparacion-FET-vs-BJT. [Accedido: 23-jul-2017].

[2] «2N3819 Datasheet, PDF - Alldatasheet». [En línea]. Disponible en:

http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2n3819. [Accedido: 23-jul-2017].

[3] «(PDF) 2n3821 Datasheet PDF Download - 01/99 B-3 2N3821, 2N3822 N-Channel Silicon Junc».
[En línea]. Disponible en: http://www.datasheetspdf.com/datasheet/search.php?sWord=2n3821.
[Accedido: 23-jul-2017].

[4] «2N3823 Datasheet, PDF - Alldatasheet». [En línea]. Disponible en:

http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2n3823. [Accedido: 23-jul-2017].

[5] «2N3822 Datasheet, PDF - Alldatasheet». [En línea]. Disponible en:

http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2n3822. [Accedido: 23-jul-2017].