Reconocimiento y prueba de transistores

Reconocimiento y prueba de transistores

Laboratorio N°6

INFORME
Integrantes:

Apellidos y Nombres Sección Grup

o
Quispe Romero, Steven C16 A
Alvarez Cahuana, Manuel C16 A

Sección:
C16-A
Profesor:
Benites Yarleque José Valero
Fecha de realización: 31/04/17
Fecha de entrega : 06/05/17

2017-I

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 Reconocimiento y prueba de transistores

I. Fundamento teórico

Para comprender bien el funcionamiento del transistor debemos recordar la teoría atómica, donde el cristal N es un cristal que
tiene exceso de electrones, y el cristal PTransistor NPN, es un cristal con exceso de huecos. Por ejemplo, un transistor de tipo
NPN, siguiendo la imagen en la que una fuente de alimentación (B) provee de corriente al emisor, conectado al polo negativo en
el cristal N, negativo también. En estas condiciones se forman como unas barreras Z1 y Z2 en las uniones con el cristal P de base,
que impiden el paso de la corriente. La base está llena de huecos que pasan a ser ocupados por los electrones más próximos de
los cristales contiguos, formándose estas barreras de átomos en equilibrio que impide el paso de la corriente (salvo una muy
débil corriente de fuga de escasísimo valor).

Pero si se polariza la fuente del mismo signo que ella, es decir, con una tensión positiva respecto al emisor, lo que se llama en
sentido contrario, la barrera Z1 desaparece porque el potencial positivo aplicado a la base repele los huecos hacia los cristales N
y penetran en la zona de resistencia. Los electrones libres del emisor la atraviesan siendo atraídos por los potenciales positivos
de la base y del colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho más elevado que el de la base, los electrones se
sentirán más atraídos por el primero, por lo que se obtendrá una elevada corriente del colector (que abreviaremos IC) y una
pequeña corriente de base (IB). La corriente del emisor (IE) será por tanto igual a la suma de la corriente de colector y la
corriente de base, tal como se deduce de las leyes de Kirchhoff. Es decir:

IE = IC + IB

Como se forman los cristales

Cristal N: Introduciendo unos átomos de Arsenio sobre la estructura atómica del germanio, lo cual se llama dopado, la
estructura resultante queda del modo que el átomo de Arsenio se integra dentro de la unión covalente de los átomos de
germanio, pero el electrón sobrante ahora no tiene cabida en el sistema, de modo que queda como electrón libre. Si ahora
aplicamos a uno y otro extremo del material, se establecerá una vía de paso de los electrones desde el polo negativo al positivo,
de modo que el cristal se hace conductor. A este tipo de cristal se le denomina conductor N, y al cristal que lo forma cristal N o
de tipo N.

Cristal P: Podemos hacer otra combinación que va a consistir en la introducción de la impureza a base de utilizar unos átomos
que dispongan solamente de 3 electrones de valencia. Si dopamos el material con Indio, por ejemplo, y éste entra a formar
parte de la estructura del cristal, habrá un átomo que tendrá su órbita exterior compartida solamente 7 electrones y ello
provocará la inestabilidad del conjunto, pero en vez de quedarse con un electrón más, queda con alguna parte del cristal hay un
hueco que algún electrón ha de llenar. Ocurre que, por la naturaleza de los átomos, el átomo que tiene el hueco suele quedarse
con el electrón más próximo que quede a su alcance, y que en ese caso el otro átomo se quede sin electrón y a consecuencia de
que esta situación se efectúa a gran velocidad, se podría hablar de un hueco que está constantemente desplazándose por todo
el cristal. De esta manera el cristal resulta positivo (de tipo P) porque si le aplicamos una fuente de alimentación, se establecerá
una circulación de huecos del polo positivo al negativo, es decir, los electrones habrán encontrado la vía de los huecos para
atravesar todo el cristal.

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 Reconocimiento y prueba de transistores

Cuando unimos un cristal P con un cristal N, estamos creado un elemento de enorme importancia en la electrónica: el Diodo,
ahora que ocurre, desde el punto de vista eléctrico, si unimos dos diodos entre sí, es decir si unimos un conjunto P-N con otro
N-P, dorso contra dorso; o bien si unimos un N-P con otro P-N, en las mismas condiciones.

Debido a que las dos secciones centrales poseen el mismo dopado, se confunden entre si, de modo que nos queda una unión
real que equivale, en el primer caso, a P-N-P y en el segundo a N-P-N.
En 1949, alguien realizando pruebas (estas pruebas se realizarán en artículos especiales) se dio cuenta de que se hallaba ante un
nuevo dispositivo semiconductor de enormes posibilidades, y lo bautizó con el nombre de transistor sacado de transfer resistor
(resistencia de transferencia, en inglés) porque el transistor ofrece una resistencia variable.

Tipos de Transistores

* Transistores Bipolares de unión, BJT. (PNP o NPN)

- BJT, de transistor bipolar de unión (del inglés, Bipolar Junction Transistor).

El termino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material
polarizado de forma opuesta.

* Transistores de efecto de campo. (JFET, MESFET, MOSFET )

- JFET, De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de efecto de campo en
la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un
contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.

- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.

- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor es formado
por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un
electrodo de metal.

*Transistores HBT y HEMT.

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y High Electrón
Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de diferentes
componentes, con distinto salto de banda prohibida.

Para medir un transistor necesitamos de la ayuda de un multímetro el cual colocaremos en la menor escala de  Ω o en donde se
miden los diodos, generalmente las placas traen impresas la posición en la que se debe colocar la B-E o C

1. Entre el emisor y el colector no debe de dar ningún valor en ninguno de los dos sentidos

2. Entre el colector y la base debe dar un valor en un solo sentido es decir que si se coloca inverso no debe de marcar ningún
numero

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3. Entre el emisor y la base se mide igual que como se mide igual que C con B teniendo en cuenta que en este caso el valor debe
ser mayor al anterior.

Con esto podemos comprobar si está en buen estado e identificar cada una de sus partes y así también al identificar que la base
es negativa se deduce que es PNP y si la base es positiva NPN.

5 primeros desensamblados Transistor D2491

A 733 P / C945P D667 – C2655 A1020

II. Objetivo:

- Identificar diferentes tipos de transistores y resolver los diferentes ejercicios.

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III. Procedimiento

3.1: Características de los Transistores

a) Identificar las principales características de los transistores mostrados en la tabla 1usando el manual
del ECG –NTE o usando el Internet y anótelos en la tabla 1

Transistor TIPO MATERIAL GANANCIA CORRIENTE POTENCIA

Ic Max.
NPN o PNP Si o Ge hfe (ß) Max.
2N3904 NPN Silicio 50-100 20A 150W
2N3O55 PNP Germanio 20-70 15A 115W

Tabla 1

b) Identifique el tipo de encapsulado que corresponde a cada uno de los transistores mostrados en la
tabla 1

TO-3 TO-92

Figura 1

c) Compruebe el estado del transistor 2N3904 y 2N 3055 , siguiendo el siguiente procedimiento

mostrado en la figura 2

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Figura 2
3.1 Con el multímetro digital en prueba de diodos, elija uno de los pines del transistor como base
y conecte el terminal positivo.

3.2 Con el terminal negativo del multímetro, intercale en los otros terminales del transistor, si
obtiene dos lecturas de bajo valor, entonces el terminal positivo es la base y se trata de un
transistor NPN, de no ser así conecte la punta positiva a otro terminal y repita el proceso hasta
encontrar dos lecturas iguales.

3.3 Para ubicar el colector vea detalladamente las dos lecturas obtenidas y la de más bajo valor
(las diferencias son solamente de algunas décimas) corresponderá al Colector y el otro terminal
será el emisor.

1.3 Para comprobar si el transistor está en buen estado realice en el circuito anterior la prueba
directa e inversa entre los terminales B-E y B-C como si fueran diodos y anote los valores obtenidos
en la siguiente tabla 2

TRANSISTOR DIRECTA INVERSA Estado del transistor

Malo: ( X ) Bueno: (√ )
B-E B-C E-B C-B
2N3904 0.574 0.559 OL OL √
2N3055 0.478 0.473 OL OL √

Tabla 2

3.2 EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Comprobar el funcionamiento de un transistor como interruptor.
3.2.1lmplementar el circuito de la figura 3

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Figura 3

3.2.2 Conecte el interruptor a la posición 1 (al positivo de la batería).

3.2.3 Conecte el amperímetro y el voltímetro como se muestra en la figura

3.2.4 Mida la tensión y la corriente que pasa por el colector del transistor y anote en la tabla 3.

Posición del Interruptor Tensión Colector – Emisor Corriente de Colector Zona de Trabajo del
VCE (voltios) Transistor
Ic ( mA)

Posición 1 0.06V 0.41mA Saturación

Posición 2 12V 0mA Corte

Tabla 3

3.2.5 Lleve el interruptor a la posición 2 (conecte a GND), mida el VCE y la corriente de colector lc
anote en la tabla 3.

3.2.6 Señale para cada posición en que zona de trabajo opera el transistor y anote en la table 3

3.2.7 De acuerdo a los datos obtenidos en la tabla 3

¿El transistor se comporta como un interruptor? Si

¿Porqué? Porque a la base le está llegando un voltaje de 12V.

3.3 INTERFASE TRANSISTOR – RELÉ

EL TRANSISTOR CON CARGA INDUCTIVA.

Comprobar el funcionamiento del transistor con carga inductiva

3.2.1 Implemente el circuito de la figura 3 (P1 al transformador de 110V AC)

Fig. 3

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Reconocimiento y prueba de transistores

3.2.2 ¿Cómo se comporta el Relé en la posición 1?, El relé se carga y hace contacto y se vuelve un
circuito cerrado, ya que el transistor se satura. ¿Qué se observa en la lámpara? Emite una
radiación de luz, ya que el circuito está cerrado y pasa corriente hacia la lámpara.

3.2.3 ¿Cómo se comporta el relé en la posición 2?, El relé no hace contacto porque el transistor se
corta y no llega corriente al relé. ¿Qué observa en la lámpara?

No prende, porque no llega corriente hacía, ya que el relé no hace contacto no llega la corriente a la
lámpara.

III.2.4 Obtenga del generador de funciones una señal cuadrada TTL de 5 VDC. A una frecuencia de 1
Hz. y conecte corno se indica en la figura 4.

Figura 4

2.5 ¿Qué observa en la lámpara?, explique porque

En el circuito mostrado se observa que la lampara emite luz gracias al relé que convierte el voltaje de
entrada y le da lo necesario a la lampara por la salida y hace que encienda.

2.6. Retire la lámpara del circuito y aumente la frecuencia del generador a 1 Khz.

2.7 Conecte el osciloscopio entre el Colector y el Emisor del transistor, Graficar la forma de onda
obtenida.

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Reconocimiento y prueba de transistores

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 El Transistor como Interruptor y Amplificador

Bibliografía

- http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor#Tipos_de_transistor
-  http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/transistores.htm
- http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/diodos.htm
- http://www.asifunciona.com/tablas/transistores/simb_transist.htm
- http://www.electronicaestudio.com/simbologia.htm
- http://www.yoreparo.com/nav/?url=http://nte01.nteinc.com/nte/NTExRefSemiProd.nsf/$
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TEST DE LABORATORIO N° 6
1. En un transistor PNP la base se polariza
a) Positivamente
b) Negativamente
c) Cualquier polaridad
d) No se polariza
2. En la zona de corte el transistor presenta:
a) Corriente de base máxima
b) Tensión máxima entre colector y emisor.
e) Potencia máxima.
d) Tensión entre base y emisor de 0.6 v.
3. En un Amplificador en Emisor Común, la señal de salida de CA. se toma entre:
a) EI emisor y el colector
b) La base y tierra
e) Emisor y tierra
d) Colector y tierra
4. En un Amplificador en Emisor común La señal de salida de CA.
a) Está en fase con la señal de entrada.
b) Está desfasada con respecto a la señal en el colector
e) Está desfasada 180° con respecto a la señal de entrada.
d) Está en fase con la señal en el emisor.
5. En la zona de corte el transistor se comporta como:
a) Amplificador de potencia
b) Interruptor cerrado

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 El Transistor como Interruptor y Amplificador

o) Interruptor abierto
d) N.A.
6. En la zona de saturación, el transistor se comporta como:
e) Amplificador de potencia
f) Interruptor cerrado
g) Interruptor abierto
h) N.A.

7. El Relay trabaja como:

a) Interruptor electromagnético
b) Amplificador de potencia
o) interruptor de corrientes pequeñas,
d) N.A.
8 El Diodo D1 protege de los picos de tensión al
a) Relay
b) Transistor
o) El relay y el transistor
d) N.A.
9. Para que el diodo D1 sirva de protección al transistor debe polarizarse
a) Directamente
b) Inversamente
c) ambos
d) tipo puente
10. El código de encapsulado del transistor 2N3055 es TO-3 y es un transistor NPN de
potencia
Apellidos y Nombres:
- Quispe Romero, Steven
– Alvarez Cahuana, Manuel Grupo: Mesa: 04

PUNTAJE:

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 El Transistor como Interruptor y Amplificador

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