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Para: = -1V 1
= 0 226103 1
T = 25C
Diodo: Si 0
= 103
0 A
52 Mas pequeo
=0
= 0
Ejemplo: Determinar el valor de Id para un diodo d Silicio si Vd=0.8V, T=50C y Io=10A
= 0 1
0.8
( = 10 106 228103 1
=
11600 = 10 106 14.28 10 106
323 = 15.91 10 106
=
11600
= 27.8 = 15.91
28m
= +
1.2.3. EFECTO DE LA TEMPERATURA EN CARACTERISTICAS DEL DIODO
La temperatura afecta a las caractersticas de Id, Vr e Io
T3T2T1
Ideal
A mayor temperatura
se aproxima
EFECTOS
Se mejora la caracterstica de conduccin del diodo (Io ideal).
Las tensiones umbrales (Vr)disminuye (Vr ideal).
La corriente inversa de saturacin (Io) se incrementa.
La tensin zener disminuye.
NOTA: En los diodos de silicio (Si), la temperatura afecta muy poco el incremento
de Io.
1.3. PARAMETROS DE OPERACIN Y PROPIOS DEL DIODO
Los diodos presentan los siguientes parmetros:
a) La resistencia:
* Resistencia directa o esttica.
* Resistencia dinmica.
*Resistencia propia.
b) La capacitancia.
1.3.1. RESISTENCIA ESTATICA O DIRECTA (RD)
Es aquella resistencia que presenta el diodo cuando trabaja en DC, y viene determinado por el
puerto de operacin del diodo (Q).
Punto de operacin
del diodo
RD es grande para
pequeo.
RD es pequeo para
grande.
EJEMPLO:
Si ID = 10mA y VD = 0.75V
0.75
=
10
= 75
Si ID = 120mA y VD = 0.82V
0.82
=
120
= 6.83
1.3.3. RESISTENCIA DINAMICA O DE C.A. ( )
Es aquella resistencia cuando trabaja en C.A.
(
= =
(
Si:
=
De donde:
=
=
=
EJEMPLO:
Determinar la de un diodo que trabaja en C.A. cuya variacin de corriente y tensin
son:
a) 1 = 10 2 = 30 1 = 0.65 2 = 0.8
= 30 10 = 20
= 0.8 0.65 = 0.15
0.15
= = 7.5
20
26
b) Aplicando = y derivando con T = 25C
1 + 2
= = 20
2
26
= = 1.3
20
1.3.3. RESISTENCIA PROPIA
Es aquella resistencia que presenta el diodo debido al material del cual estn fabricados.
Esta resistencia puede ser considerada como:
Resistencia total: = +
1.3.4. CAPACITANCIA
La capacitancia en los diodos se presenta a frecuencias relativamente altas. Para frecuencias
pequeas no se considera.
En el diodo semiconductor p-n hay dos efectos capacitivos que tienen que ser considerados.
Ambos tipos de capacitancia estn presentes en las regiones de polarizacin en directa y en
inversa, pero uno predomina sobre el otro en cada regin por lo que consideramos los efectos
de slo uno en cada regin.
En la regin de polarizacin en inversa tenemos la capacitancia de transicin o de regin
de empobrecimiento (CT ) en tanto que en la regin de polarizacin en directa tenemos la
capacitancia de almacenamiento o difusin (CD ).
Polarizacin Inversa
Polarizacin Directa
1.4. ESPECIFICACIONES DEL DIODO
El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura especificadas)
La corriente mxima en directa IF (a una temperatura especificada)
La corriente de saturacin en inversa IR (a un voltaje y temperatura
especificados)
El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR
proviene del trmino
breakdown (ruptura) (a una temperatura especificada)]
El nivel de disipacin de potencia mximo a una temperatura particular
Niveles de capacitancia
Tiempo de recuperacin en inversa trr
Intervalo de temperatura de operacin.
Segn el tipo de diodo que se est considerando, es posible que tambin se den ms
datos, como intervalo de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de conmutacin, niveles de
resistencia trmica y valores repetitivos pico. Para la aplicacin pensada, la importancia
de los datos casi siempre es autoaparente. Si tambin se da el coeficiente de
disipacin o potencia mxima, se entiende que es igual al siguiente producto:
max =
donde ID y VD son la corriente y el voltaje en el diodo, respectivamente, en un punto de
operacin particular.
Si aplicamos el modelo simplificado para una aplicacin particular (una ocurrencia
comn), podemos sustituir VD = VT = 0.7V para un diodo de silicio en la ecuacin (1.8) y
determinar la disipacin de potencia resultante por comparacin contra el coeficiente
de potencia mximo. Es decir:
(0.7
1.5. CARACTERISTICAS V-I DE ALGUNOS DIODOS ESPECIALES
1.5.1. DIODO SCHOTTKY
Tiene mejores caractersticas V-I del diodo general.
Son de alta velocidad y generalmente trabajan a altas frecuencias.
Se utilizan en sistemas de computo, telecomunicaciones.
ltimamente se viene utilizando en fuentes de alimentacin.
No necesita mucha
tensin umbral para
conducir
1.5.2. DIODO ZENER
Es un diodo que trabaja en la zona de polarizacin inversa.
A la tensin zener VZ el diodo conduce altas corrientes y corrientes de avalancha.
Son utilizados en reguladores de tensin.
IZ
ANALISIS DE CIRCUITOS
CON DIODOD
Circuitos en DC
Circuitos en AC
Circuitos en DC y AC
1.6 CIRCUITOS CON DIODOS
Ge
1.6.2 Circuitos paralelos
CIRCUITOS PARALELOS
a)
0
0 = =2 *
+ +
Si 2
V E -
-
b) 1
0 2
0
+ +
Si 2 Ge
V E V E
- -
0 = = *2 +0.7
b)
V0 V0
0 = = 0.7 + 2
C) 1
0
0
+ + - +
+
D1 2 D2
V E -
V E
- + - -
0 =1
1.6.3 Circuitos mixtos
CIRCUITOS MIXTOS
a) 1 Ge
0 0.7=0.3 + 2 *2
+ + 0 =0.7 0.3=0.4
Si 2
V E -
-
B) 1 Si
0 0 =0.3 + 2 3
ECUACIONES MALLA 1
=1 (1 +2 ) - 2 2
+ +
2 Ge
V E
- - ECUACIONES MALLA 2
(2 +3 )*2 - 2 2 + + = 0
DONDE 0 NO SE PUEDE HALLAR
1.6.4. Circuitos serie en C.C y C.A en pequea seal.
Condiciones:
Para el anlisis:
Vi=Vm Sen t
ID
Se determina el punto de
equilibrio
b) Circuito en C.A.
26
=
=
+ +
Considerando la curva V-I
EJEMPLO
rd=1 En C.C.
IDQ
10 = 0.7 + 1
10 0.7
=
1
= 9.
26 103
= = 2.8
9.3 103
En C.A.
0.3
=
1 + 2.8 + 1000
= 9.3 + 0.3
= 0.2985
0.3 1
2 = 2
= 0.3
1.6.5. Circuitos Recortadores
iL
Condicin Vm>Vr
determinar la tensin vL de la figura.
VL
= 20
EJEMPLO
VL
10; 0 1
=
10; 1 2
Seal vi
c) Circuito recortador paralelo sin VE
; 0 1
=
; 1 2
1.6.5 Circuitos recortadores
1.6.6 circuitos con diodo zener
1.6.6 Circuitos con diodos Zener
= +
= +
=
1.6.6 Circuitos con diodos Zener
= +
= +
=
EJEMPLO
9
= = 0.09
100
I = 10 + 9
IL
= 0.6
IZ
= 0.51
Si VE = 25
Luego
= +
= 9 1.51 = 13.59
= 90
En el circuito anterior determinar IZ Si VE=10V
25 = 10 + 9
=
= 1.6. = 0.1
= 0.09
= 1.6 0.09 = 1 0.09
= 0.01
= 1.51