Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

CARACTERÍSTICAS Y CIRCUITOS CON DIODOS

1. Prueba de diodos con multímetro.-

La prueba de diodos requiere de 2 operaciones: medir en un sentido y en sentido opuesto, los

diodos en buen estado solo deben medir en un solo sentido (conducción en sentido de
polarización directa) y deben tener una resistencia infinita (medir infinito=no medir) en el sentido
opuesto (sentido de polarización inversa).

Cuando el diodo está dañado puede medir en ambos sentidos o medir “cero” como si fuese un
cable.

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

Los datos obtenidos de los Diodos utilizados en el laboratorio son los siguientes:

DIODO Resistencia en Resistencia en

Polarización Polarización
directa inversa

1N34 941 [Ω] 39 K[Ω]

1N4007 704 k[Ω] ∞

1N751 11.35 M[Ω] ∞

Tabla 1

Conclusiones.- De los datos obtenidos en el laboratorio verificamos que al polarizar un diodo

rectificador directamente su resistencia interna es mínima tal como se muestra en la tabla y
permite que circule corriente, mientras que sí polarizamos inversamente, su resistencia interna es
demasiado grande por tanto no circular corriente por el circuito.

2. Características de Polarización Directa.-

- DIODO 1N4007
El procedimiento que se uso para este punto fue armar el circuito de la figura 2 con el diodo
rectificador polarizado directamente y se sacaron los datos de la tabla 2.

Diodo 1N4007 (diodo rectificador)

n P Rb Id (mA) Vd (v)
1 10% 100 Ω 12,21 0,19
2 20% 200 Ω 10,18 0,19
3 30% 300 Ω 8,52 0,18
4 40% 400 Ω 7,11 0,18
5 50% 500 Ω 5,36 0,17
6 60% 600 Ω 4,71 0,16
7 70% 700 Ω 3,59 0,16
8 80% 800 Ω 2,46 0,14
9 90% 900 Ω 1,26 0,13
10 100% 1000 Ω 0,04 0,01

Tabla 2

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

14

12

Corriente Diodo (mA)

10

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
Voltaje Diodo (v)

Figura1

El circuito utilizado fue:

R1
1k

149.9mV
DC V
D1
R2 1N4007
1k 99%
+ V1
15V
68.95nA
DC A

Figura 2

- DIODO 1N751
El procedimiento que se uso para este punto fue armar el circuito de la figura 4 con el diodo
Zener polarizado directamente y se sacaron los datos de la tabla 3.

Diodo 1N751(diodo zener)

n P Rb Id (mA) Vd (v)
100
1 10% Ω 11,28 0,836
200
2 20% Ω 8,88 0,827
300
3 30% Ω 6,54 0,813
400
4 40% Ω 5,14 0,807

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

500
5 50% Ω 4,48 0,804
600
6 60% Ω 3,12 0,792
700
7 70% Ω 1,74 0,776
800
8 80% Ω 0,33 0,726
900
9 90% Ω 0 0,0048
Tabla 3

12

10
Corriente Diodo (mA)

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Voltaje Diodo (v)

Figura 3

El circuito utilizado fue:

R1
1k
A
800.2mV
DC V

D1
1N751
R2
1k 0.5%
+ V1
15V
14.05mA
DC A

Figura 4

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

Conclusiones.- De acuerdo los datos obtenidos en el laboratorio podemos confirmar que

las graficas resultantes son las esperadas ya que son similar a las graficas teoricas que
aparecen en los datos del fabricante, tanto para el diodo rectificador como para el diodo
zener polarizados directamente.

3. Características de Polarización Inversa.-

El procedimiento que se uso para este punto fue armar los circuitos propuestos en el pre informe
con el diodo rectificador polarizado inversamente y con el diodo zener polarizado inversamente
posteriormente se obtuvieron los datos de laboratorio para cada diodo utilizado.

- DIODO 1N4007

Diodo 1N4007 (diodo rectificador)

n P Rb Id (nA) Vd (v)
1 10% 100 Ω -3,57 14,97
2 20% 200 Ω -9,99 13,49
3 30% 300 Ω -9,99 11,99
4 40% 400 Ω -10 10,49
5 50% 500 Ω -10 8,99
6 60% 600 Ω -10 7,49
7 70% 700 Ω -10 5,99
8 80% 800 Ω -10 4,49
9 90% 900 Ω -10 2,69
1000
10 100% Ω -10 1,49
Tabla 4

0
0 5 10 15 20
-2
Corriente Diodo (nA)

-4

-6

-8

-10

-12
Voltaje Diodo (v)

FIGURA 5

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

EL CIRCUITO UTILIZADO:

R1
1k
A

14.92 V
D1

DC V
DIODE
R2
1k 0.5%
+ V1
15V

149.3nA
DC A
FIGURA 6

- DIODO 1N751

Diodo 1N751(diodo zener)

n P Rb Id (mA) Vd (v)
1 10% 100 Ω 6,12 8,88
2 20% 200 Ω 4,06 8,81
3 30% 300 Ω 2,1 8,74
4 40% 400 Ω 0,043 8,69
5 50% 500 Ω 0 7,07
6 60% 600 Ω 0 6,26
7 70% 700 Ω 0 4,52
8 80% 800 Ω 0 2,76
9 90% 900 Ω 0 1,09
10 100% 1000 Ω 0 0,0048
Tabla 5

Grafica:

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

180
160
140

Corriente Diodo (mA)

120
100
80
60
40
20
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Voltaje Diodo (v)

Figura 7

El circuito armado:

R1
1k
A

5.165 V
D1 DC V
1N751
R2
1k 0.5%
+ V1
15V
9.712mA
DC A

Figura 8

Conclusiones.- Con los datos obtenidos y las graficas se puede afirmar que son lois resultados
esperados por que se asemejan a los resultados teoricos.

4. EFECTOS DE LA TEMPERATURA EN UN SEMICONDUCTOR.-

Polarización directa diodo rectificador 1N4007

CON EL CIRCUITO PROPUESTO POR EL PRE INFORME :

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

R1
1k
+ V1

0.000 V
15V

DC V
D1
DIODE

14.28mA
DC A
Fihura 9

Se obtuvo la siguiente tabla:

n P Rb Id (mA) Vd (v)
1 10% 100 Ω 22 0,69
2 20% 200 Ω 27 0,66
3 30% 300 Ω 30 0,64
4 40% 400 Ω 33 0,63
5 50% 500 Ω 36 0,61
6 60% 600 Ω 80 0,56
7 70% 700 Ω 82 0,52
8 80% 800 Ω 87 0,52
9 90% 900 Ω 157 0,4
10 100% 1000 Ω 159 0,36
Tabla 10

La grafica:

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

180
160
140

Corriente Diodo (mA)

120
100
80
60
40
20
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Voltaje Diodo (v)

5. RECORTADOR DE ONDA.-

D1 D2
DIODE DIODE

V1 D4
-10/10V R1 D5
DIODE ZENER
1k
A B
7us
D3 R2 R3
ZENER 1k 1k

Grafica obtenida:
10.00 V
A: v1_1
B: d2_k

5.000 V

0.000 V

-5.000 V

-10.00 V
0.000us 1.000us 2.000us 3.000us 4.000us 5.000us 6.000us 7.000us

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

6. DIODO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA.-

EL SIGUIENTE CIRCUITO FUE PROPUESTO Y SE OBTUVIERON LOS SIGUIENTES

RESULTADOS.

+6 Volt Power Supply

D1 R1
B 680 A
18DB10 B C
V1
-170/170V C 10TO1
A
R2

+
C2 5k
60 Hz 100uF

Su grafica correspondiente es:

0.000 s 0.100 s 0.200 s 0.300 s 0.400 s 0.500 s 0.600 s 0.700 s 0.800 s 0.900 s 1.000 s
A: v1_1 200.0 V

-200.0 V
B: d1_3 17.50 V

-2.500 V
C: c2_1 12.50 V

-2.500 V
d1_3-c2_1 17.50

-2.500

Measurement Cursors
1 v1_1 X: 4.1425m Y: 169.82

7. MULTIPLICADOR DE TENSION.-

EL SIGUIENTE CIRCUITO FUE PROPUESTO:

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

Su grafica correspondiente:

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

Electrónica I (ETN – 503)

Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos

UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES

FACULTAD DE INGENIERIA

INGENIERIA ELECTRONICA

ETN-503
LABORATORIO#1
Integrantes :
Docente : Ing. Molina

Grupo : “ A“
Fecha :

La Paz - Bolivia

Electrónica I (ETN – 503)