Inps/Yo ; le valores de estrechaent Regn Region de saturcion sh El nivel de Vs que resulta cuando Ip = 0-mA se encuentra definido por Vcs= Vp siendo Vp un voltaje negativo para los dispesitivos de canal-n y un voltaje postiv En la mayoria de las hojas de especificaciones, el voltaje de estrechamiento se encuentra Vessupasai) €0 lugar de Vp. Mis adelante, en este capitulo se revisaré una jones una Vez que se hayan presentado los elemer sitio de estrechamiento en la fig ficadores lineales (amplificadores con minima distorsién de la sei hoja de especi tos principales. La regi ala derecha én empleada normalmen teen los amy a aplicada) Y se le denomina como regiGn de corriente constant, de saturacién 0 regién de amplificacién Resistor controlado por voltaje +s conocida como Ia re a regién a la izquierda del sitio de estrechamiento en la figura 5.10 ian dhmica o de resistencia controlada por voltae. En esta regiGn el JFET puede ser utiliza. 4 como un resistor variable (posiblemente para un sistema de control con ganan- ala ‘curva, y por lo tanto la resisten cia auton aje de 1a compue tca) cuya resistencia sea controlada por medio del fuente. Obsé cia del dispositivo entre el drenaje y la fuente, cuando Vp < Vp, es una funcién del voltaje tivo, la pend ‘mas y mAs horizontal, comespondiendo con un nivel ereciente de resistencia. La siguien- cn Ia figura $.10 que la pendi aplicado Vos. A medida que Vos se hace més y més n cada curva se ha te ecuacin oftecers una buena primera aproximacién al nivel de resistencia en términos de! neo 6. =Vel¥r) (= Ves/Vr) OVy res lan onde r, es la Fesistencia cuando V istencia en un nivel particular de Ves Para un JFET de canal-n con r, igual a 10 kA (Vs =0¥, Vp=~6V), la ri por resultado 40 kA en Ves =-3 V sciGn 5.1 da Dispositivos de canal-p EI JFET de canal-p esté construido exactamente de la misma forma que el dispo nal-n de la figura 5.2 pero inviriendo los materiales tipo p y tipo m, como se muestra en laf 250 Capitulo 3 Transistores de efecto de campo'ovs/Vp 5.12 TABLA DE RESUMEN Debido a que las po de FET a otn re un disp ceurvas de t Ta tabla 5.2 8 tivo y otro, Ent to para as presentar d de de y de ac que reconoce ca ‘comparacién entre importan nanera clara las diferen rametros de la tabla ofr n en los capitulos 6 Y 8. arimetros importantes -@ tess / é on - | Pees | | | ih. a> ea l a 280 Capitulo 3 Transistores de efecto de campoPROBLEMAS 8 5.2 Construccion y caracteristicas de los JFETS 1. (a) Dibuje la construcién bisica de un JFET de canal. () Apligue la plarizacién adecuada entre el drenaj y a fuente y dibue la regisn de para Vos = OV 22, Mediante las caractritcas de la figura 5.10, determine fp para los Vos > Ve (@) Ves = OV 0) os =-1¥. (©) Vos=-15 (@) Vos=-18V (©) Vos=4V ( Vos=-6V 3. (a) Determine Vs cuando Vos 66 mA mediante las caractersticas de la figura 5.10 oVely incio (a, calele la resistencia del JFET para la regi Jp (©) Por medio de los resultados a 6 mA pata Vos = OV. (6) Determine Vos para cuando Vos (4) Mediante los resultados del iniso mA para Vos =-1V (6) Determine Vo para Ves =-2V e fp = LS mA. (f) Mediante fs resultados det incso (e),calcule la resistencia del JFET para la epin 1p =a LS ) Mediant la defini dl resultado 1Velp=3mA la resistencia del JPET para la regi mA para V cinco () como rg determine la re encia para Y por medio de la ecuacin 5.1 y compare con los resultados del incso (4). (b) Repita el inciso (g) para Vas =~2.V mediante la misma ecuacién y compa los resados (@) Con base en ls resultados de los incios (4) y (hes iid a sproximacidn de Ia ecuacién 5 4, Mediante ls cars (a) Determine la diferencia en la coriente de d (0) Rept (6) Repita el inciso (a) entre Vos teristicas de lf je (para Veg > Vp ene Ves = OV y Ves =-1¥ 1 incso (a) entre Vos = -1 y -2V ay 3¥. Sy 4v. (6) {Exist un cambio marcado en la diferencia de lo niveles (4) Repita el inciso (a) entre Vox vorrente a medida que Ves res (GBs laelacin ente el cambio en Vas yel cambio resultant en Zp nel no Final? Expl 5.10 las caractersticas del drenaje de un transistor JFE 2s son las principles diferencias entre las caracteristicas del colector de un transistor BIT ‘Compare las unidades de cada ejey la varie ble de control, ;Cémo reacciona /c ant ls nveles erecientes de Jy en comparacidn con ls cam vos crecientes de Vis? {Cémo se compara el espaciamiento ent e Vo,, con V bios de Zp ante los valores neg los incrementos de Fy con elespaciamiento entre los incrementos de Vs? Compa cuanto a la defniciGn de la tegin no lineal para niveles bajs de voltae de sali 6. (a) Deseriba en sus propas palabr tor JFET. () Por qué es tan alta la impedancia de entrada de un JFET? por qué J, es eectivamente de ceo amperes pita un transis (6) {Por qué la terminologia de efecto de campo apropada para est importante dispostvo de tes terminales? 7. Dado Foss = 12 mA y Wp ‘i ol JFET (similar ala figura 5.10) 6, trace una probable distibucién de las curvascaracterstieas ‘8 En general, comente sobre la polardad de los dstnto votaesy la dieccin de las corientes ps aun JFET 284 Capitulo 5 Trans ores de efecto de campo§ 5.3. Caracteristicas de transferencia 9. Dadas las caracteristcas de la Figura 5.51 (a) Dibuje las caracteristcas de trnsferencia directamente sobre las caractersticas de denaj. (b) Mediante el uso dela figura 551 para establecer los valores de Joss ¥ Vp dibue las earacteris- ticas de tansferencia uilizando la ecuaci de Shockley. (©) Compare las caracteristcas de os incsos (a) y (2). Existen diferencias importantes ente elas? Figura 5.51 Problemas 9 y HB. (2) Dado Foss = 12 mA y Vy=—4 Y, trace as carateristicas de transerenca para el transistor JFET. b) Dibuje las caracteristcas del drenje para el dispositivo del inciso (a), HE. Dado pss =9 mA y Vp = ~3.5 V, determine fp cuando: 16 mA y Vp = SV, due las caracteristicas de trnsfeenciauilizando ls puntos de Gatos de i tabla 5.1. Determine el valor de Fy en Vos =-3 V a partir dela curva, y compérelo con tao determinado wilizando la ecuacién de Shockley. Reita lo anterior para Ves ==1 V. BB Gi FET ce cana tiene los siguientes pardmetos de dispositvo:Inss = 7.5 mA y Ve=4 V. Tre bs caractersticas de ranferenca FE Dabo fos = 6 mA y Vp = 45: GS) Detmine Jp en Vos =—2 y 36°. Wp Deemine Vos en I= 3 y 55 mA em pete Q en fp, =3 MAY Veslovs/Ve 286 § 5.4 Hojas de especificaciones (JFETs) 16, Defina la regin de operacin para el JFET 2NS&S7 de la figura 5.20 utilizando los rangos de / 1 Vp proporcionados. Es decir, trace la curva de tansferencia definida por los lass y Ve méxim la curva de transferencia para los Jnss y Ve minimos. Luogo, sombree el érea resultante entre ls dos curva. 17. Deefin la regi de operacién para el JFET de a 120 mw figura 551 si Vos, = 25VY Popa, § 5.5 Instrumentacion 18. Mediane l uso de las caracersticas de la figura $.23 determine Jp en Vos =-0.7 V y Vos = 10V 19, En referencia a la figura 5.23 jes el sitio de ls valores de estec de Vos OY, Vos> Vr) indique el canal, la direcidn del fyjo de electrons y a epién de ago resulante ‘ss propas palabras, describa brevemete la operacién bisica de un MOSFET de tipo in- ge ls caractersticas de transferencas y de drenaje de un MOSFET de tipo incremental de SiVr=35Vyk=04 x 10 AN? el inciso (a) para las caractersticas de tansferencia si Vr se mantine en 3.5 V y k se en 100% a 0.8 x 10° A/V Vou = 4V € Inenantin) = 4A en Vossen) = 6 V, determine k y formule la ex- general para J enel formato de la ecuacién 5.13. Jas caracersticas de transferencia del dispsitivo del incso (a). Tp para el dispositivo del inciso (a) en Vos = 2, 5 y 10 V. 5 carcteristcas de transferenca de la figura 552, determine V;y & yescriba la ecuacin ge- Ip Problema 35 WBS X10? AV € Irxncenae) = 3 MA £00 Vesecmtin) = 4 V; determine Vs smxima de drenaje para el MOSFET 24351 de tipo incremental de canalnes de 30, Ves para este nivel de corriene si k= 0.06 X 10" A/V y Vtiene el valor méximo. de un MOSFET de tipo incremental aumenta en aproximadamente el mismo ritmo que IMOSFET de tipo decremenal para la regién de conduccin? Revise cuidadosamente el for- e ls ecuaciones y si su conocimiento de matemiticas inluye el cleul diferencia, ¥ compare su magnitud jh cracteisticas de transferenca de un MOSFET de tipo incremental de canal-p si Vr 10 AV {de Iy= 05 * 107 (Vis) € Ip =0.5 X 10° (Vos ~ 4 para Vas de Oa 10 V. Vr te- sigificativo sobre el nivel de Jp para esta region? Tovs/Ve330 2 aor Tost 08 06 Puno 0 Iciemplo 620) loa 0.365 Ponto (cemplo 6.19) 02 Vos Yos --osrs Tes =-028 Figura 6.61 Curva universal para los ejemplos 6.19 y 6.2 Los valores de estabilidad Io, y V Ib ¥ Vos pueden determinarse como sigue: O.18Fpss = 0.18(6 mA) = —0,575|Vp| = -0.575(3 V) = = 1.73 V 08 mA. EJEMPLO 6.20 Determine los valores de estabilidad de 910k. Capitulo 6 Polarizacion del FET y Ves para la red de la figura 6.62. Figura 6.62 Ejempl