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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

2015A

INFORME
BJT EN AC

FIEE-

DE ANALISIS DE TRANSISTOR

OBJETIVOS:
Disear, calcular, simular e implementar un amplificador empleando el
anlisis en DC (polarizacin), y AC (anlisis a pequeas
seales).transistorizado.
Definir el punto de polarizacin ptimo para un amplificador lineal sin
distorsin.
Determinar los parmetros importantes para un amplificador
transistorizado como la impedancia de ingreso y de salida, ganancias de
voltaje e intensidad.
Realizar un anlisis en dc y ac para el diseo de un amplificador
transistorizado.

MARCO TEORICO:
Una de las aplicaciones ms tpicas aplicaciones en corriente alterna del BJT es
su uso como amplificador de corriente alterna. Dicha aplicacin consiste en un
sistema capaz de amplificar la seal de entrada en un factor de ganancia
determinado, que ser la relacin de salida sobre la entrada. En trminos de
seales del voltaje, se habla de ganancia de voltaje Av =vo/vi . Para que este
sistema funcione, el BJT debe estar polarizado en zona activa. Esto significa
que simultneamente conviven elementos de corriente continua (cc) y
corriente alterna (ca). En los siguientes apartados se analizan los efectos de
ambas componentes y se introducen conceptos dinmicos de funcionamiento
de los sistemas basados en BJT.
Los condensadores C1 y C2 que aparecen se denominan condensadores de
acoplo y sirven para bloquear la componente continua. En concreto C1 sirve
para acoplar la tensin que queremos amplificar al amplificador propiamente
dicho, eliminando la posible componente continua que esta tensin pudiera
tener. Si no bloquesemos esta continua se sumara a las corrientes de
polarizacin del transistor modificando el punto de funcionamiento del mismo.
Por otra parte, el condensador
C2 nos permite acoplar la seal amplificada a la carga, eliminando la
componente continua (la correspondiente al punto de polarizacin del
transistor) de forma que a la carga llegue nicamente la componente alterna.
El condensador C3 es un condensador de desacoplo, su misin es la de
proporcionar un camino a tierra a la componente alterna. En el captulo
anterior se analiz el efecto de la resistencia RE desde el punto de vista de su
efecto en la estabilizacin del punto de polarizacin. Sin embargo, en este
captulo veremos como desde el punto de vista de la amplificacin, esta
resistencia hace disminuir la ganancia del amplificador. Al aadir el
condensador de desacoplo conseguimos que la continua pase por RE mientras
que la alterna pasara por el condensador C3 consiguiendo que no afecte a la
amplificacin.

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TIPOS DE CONFIGURACIONES
1. AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN:

Para obtener el circuito equivalente de alterna, cortocircuitamos las


fuentes de tensin de continua y los condensadores. En el circuito
resultante, sustituiremos el transistor por su modelo en parmetros
hbridos (recordar que siempre utilizaremos el modelo en parmetros de
emisor comn con independencia de la configuracin del transistor.

2. AMPLIFICADOR EN BASE COMUN:


Para obtener el circuito equivalente de alterna, al igual que en los casos
anteriores, cortocircuitamos las fuentes de tensin de continua y los
condensadores. En el circuito resultante, sustituiremos el transistor por
su modelo en parmetros hbridos (recordar que siempre utilizaremos el
modelo en parmetros de emisor comn con independencia de la
configuracin del transistor. Para ello, vamos a redibujar el circuito en

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parmetros h del transistor para que quede con el emisor a la izquierda,


el colector a la derecha y la base abajo

3. AMPLIFICADOR EN COLECTOR COMUN:


Para obtener el circuito equivalente de alterna, al igual que en los casos
anteriores, cortocircuitamos las fuentes de tensin de continua y los
condensadores. En el circuito resultante, sustituiremos el transistor por
su modelo en parmetros hbridos (recordar que siempre utilizaremos el
modelo en parmetros de emisor comn con independencia de la
configuracin del transistor. Para ello, vamos a redibujar el circuito en
parmetros h del transistor para que quede con la base a la izquierda, el
emisor a la derecha y el colector abajo.

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MATERIALES:

Resistencias DE 33k, 20k, 10k, 3k, 150k


Transistor BC548A
Condensadores de 10uF, 100uF
Fuente dc y ac
Multmetro
Osciloscopio

SIMULACION EN PROTEUS Y CALCULOS MATEMATICOS


CONFIGURACION EN EMISOR COMUN:

Datos del proteus:

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ib
Ic
ie

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0.9uA
45.2
mA
43.5
mA

Gvo
ANALISIS EN CONTINUA

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RB

10k .20k
6.67 K
10k 20k

VBB

FIEE-

10k .12v
4V
10k 20k

VBB VBE RB .iB RE .iE

Re solviendo :
iCQ 1.025mA

VCC VCE RC .iC RE .iE

vCEQ 5.69V

Ecuaciones :

ANALISIS EN ALTERNA
Definimos:

hie .

h fe 100

26mV
2,53K
iCQ
Z IN RB Phie 1.83K

Z OUT RC P RE 2.75K

Calculo de la ganancia de tensin:

AV h fe [

Donde :
RE 0
RS 0

Quedando :

Z OUT
Z IN
][
]
hie (1 ) RE RS Z IN

AV h fe .[

Z OUT
] 108.69
hie

Calculo de la ganancia de corriente:

Ai h fe .[
Donde :
RE 0

Quedando :

RC
RB
][
]
RB hie (1 ) RE RC RL

Ai h fe .[

RC
RB
][
] 6.074
RB hie RC RL

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CONFIGURACION EN COLECTOR COMUN:

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FIEE-

Datos de simulacin
ib
24.35u
A
ic
0.954
mA
ie
0.899
mA
Gvo
-0.23

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FIEE-

ANALISIS EN CONTINUA

RB

10 K .20 K
6.67 K
10 K 20 K

VBB

10 K .12V
4V
10 K 20 K

VBB VBE RB iB RE iE

Re solviendo :
iCQ 1.025mA

VCC VCE RE iE

VCEQ 8.77V

Ecuaciones :

ANALISIS EN ALTERNA
Definimos:

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FIEEh fe 100

hie

26mV
2.53K
iCQ
Z IN RB P(hie [ 1]RC )

Z OUT RE P RL 0.15K

Calculo de la Ganancia de Tensin:

AV h fe [

Z OUT
Z IN
][
]
hie (1 )Z OUT RS Z IN

Dnde:

RS 0

Quedando :

AV h fe [

Z OUT
] 0.84
hie (1 ) ZOUT

Calculo de la Ganancia de Corriente:

Ai h fe .[

RB
RE
][
]
RB hie (1 ) Z OUT RE RL

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FIEEAi 0.123

EXPERIMENTACION

CONFIGURACION EN BASE COMUN:

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FIEE-

ANALISIS EN CONTINUA
Ib
Ic
Ie
Gvo

24uA
10.62
mA
8.34
mA
0.33
m

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RB

10 K .20 K
6.67 K
10 K 20 K

VBB

FIEE-

10 K .12V
4V
10 K 20 K

Ecuaciones :
VBB VBE RB iB RE iE

Re solviendo :
iCQ 15.22mA

VCC VCE RC iC RE iE

VCEQ 35.96V

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ANALISIS EN ALTERNA
h fb

0.1
1

hib

26mV
1.7 K
iCQ

Definimos:

Z IN RE Phib 1.13K

Z OUT RC P RL 2.75 K

Calculo de la Ganancia de Tensin:

AV h fb [

Z OUT
Z IN
].[
]
RB
R

Z
S
IN
hib
(1 )

Dnde:

AV h fb [
RS 0

Quedando :

Z OUT
] 0.15
RB
hib
(1 )

Calculo de la Ganancia de Corriente:

Ai h fb [

RE
RE hib

RB
(1 )

].[

RC
]
RC RL

Ai 0, 65.103

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PREGUNTAS PROPUESTAS:
Cmo afecta un aumento de la temperatura ambiente a la
tensin de ruptura del transistor?
Por encima de una determinada tensin, la cantidad de corriente que circula
por un transistor aumenta bruscamente, lo que propicia la ruptura. A menos
que se reduzca la tensin, la exposicin prolongada a dichas condiciones
propicias de ruptura producir daos irreparables en el dispositivo a causa del
auto calentamiento. Por lo general, se garantiza la mxima corriente de fuga
cuando se aplica una tensin inferior a la tensin de ruptura (tensin nominal
mxima absoluta). Un aumento de la temperatura ambiente produce un
aumento de la corriente de fuga, pero no afecta considerablemente a la
tensin de ruptura.

Consideraciones especiales sobre la disipacin de calor de los


transistores de potencia:

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FIEE-

La superficie de montaje del disipador de calor debe ser lo ms plana


posible. Una superficie irregular podra provocar una tensin excesiva en
el dispositivo y daarlo de forma irreparable en el peor de los casos. Los
disipadores de calor ms usados estn fabricados de aluminio o cobre,
puesto que los dos materiales presentan unas propiedades de
conduccin de calor excelentes.
Adems, tenga en cuenta el rendimiento de expulsin de calor necesario
en las peores condiciones de funcionamiento para seleccionar un
disipador de calor con una resistencia trmica adecuada.
Plantese la posibilidad de usar un sistema de refrigeracin forzada,
como un ventilador o similar, si resultara necesario.
Para obtener informacin sobre la silicona y otros medios de disipacin
de calor como lminas de aislamiento, pngase en contacto con los
fabricantes
de
la
resina.
Aplique silicona trmica para mejorar la disipacin de calor (es decir,
para reducir la resistencia trmica) .
No aplique ninguna tensin mecnica sobre el disipador de calor

una vez se haya fijado al dispositivo


Son intercambiables los terminales del colector y del emisor de
un transistor bipolar?
No, usar los transistores bipolares en la orientacin correcta, la estructura del
transistor esta optimizada para funcionar en modo directo.
Al intercambiar los terminales del colector y del emisor no solo empeora el
rendimiento del transistor, sino que tambin se podran causar daos
irreparables en el dispositivo.

En que diferencian los transistores de seal pequea y los


transistores de potencia?
No existe una clasificacin internacional uniforme que distinga los transistores
de seal pequea y los transistores de potencia. Toshiba denomina
"transistores de seal pequea" a los transistores que tienen una disipacin de
potencia (PC) de 1 W o menos y "transistores de potencia" a los que tienen una
PC superior a 1 W.

Se pueden colocar varios transistores bipolares en paralelo?


Si, teniendo en cuenta los terminales de la base de todos los transistores en
paralelo tengan la misma polarizacin, introduzca resistencias con equilibrio de
corriente tal y como se muestra a continuacin y use transistores con la misma
referencia y el mismo rango hFE.

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FIEE-

OBSERVACIONES:
La onda de salida observada esta amplificada con respecto a la entrada
por la ganancia de -227.72 el menos significa desfasamiento de 180
grados.
Observamos un calentamiento leve del transistor.

CONCLUSIONES:

Si el amplificador funciona por la porcin de sus caractersticas la seal


de salida, es fiel reproductor de la entrada .Si sobre exitamos un

amplificador, por una seal de entrada alta o si lo utilizamos en su


porcin lineal, la seal obtenida ser distorsionada y por lo tanto ser
diferente a la entrada.
Los transistores de una configuracin de amplificador son usados muy
frecuentemente en dispositivos comunes.
Vemos que la ganancia de tensin y de corriente es mayor en un
amplificar emisor comn.
Se frecuenta utilizar un amplificador E.C por su mayores valores en
ganancia
en todo aspecto para q nuestros circuitos sean
ms
amplificados y al momento de utilizarlos sean muy bien utilizados.

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