20Micro- y Nanofabricación

1.1.2 Nanofabricación de dispositivos semiconductores

Nanofabricaciónn Usando hijo Lffioprapñy

La nanofabricación se ha desarrollado a partir de un requisito

directo para aumentar la densidad de los transistores a una sola
pieza de silicio. Sin embargo, la nanofabricación se puede utilizar
para desarrollar productos que no sean para la industria de los
semiconductores. En primera instancia, la nanofabricación se está
desarrollando para construir dispositivos tales como diodos y
transistores de tunelización resonante, y transistores de un solo
electrón y transistores de nanotubos de carbono. El tipo más común
de transistor que se está desarrollando para su uso en la nanoescala
es el transistor de efecto de campo. La figura 1.19 muestra un
transistor de este tipo y también sus características físicas, como
fuente, drenaje y compuerta, y cada componente del transistor
fabricado en relación con el substmte.

Y.. Tauro,
IBM
Res. J. &

Par <100nm -3'Sfxxt Efectos de

a canal:

Figura 1.19. Diagrama esquemático del transistor de efecto de campo [8]

 Principios de Micro yNanofabricación21

Para canales muy cortos de menos de 100 nm, túnel de óxido

de puerta-Los efectos de transición ocurren cuando los voltajes de
puerta ya no controlan el flujo de corriente de fuente-drenaje del
transistor. El reto de la nanofabricaciónde estos dispositivos es
depositar materiales de una manera física que reproducir
fielmente la función del dispositivo. La Figura 1.20 muestra el
diseño físico de diferentes tipos de transistores de efecto de campo.

DG-MOSFET
puerta 1

n+ si n+

zs
yo

Figura 1.20. Disposición física de varios transistores de efecto de campo {9)

Una forma muy simple y novedosa de reproducir características

a nanoescalaes utilizar una técnica conocida como litografía blanda.
En la litografía blanda, se vierte un líquido conocido como
polidimetilsiloxano sobre un patrón maestro de la característica que se
va a producir. El líquido se cura para formar un “rubor”. bery” sólido
que se puede pelar sobre el patrón maestro para revelar un molde
muy simple que se puede unir a un sello. La Figura 1.21 muestra el
principio básico de la litografía blanda. La base de la
nanoelectrónicafabricación de transistores de efecto de campo
utilizando la tecnología de litografía blandanique se ha demostrado
utilizando un proceso conocido como impresión por microcontacto.
En el proceso de autoensamblaje, se recubre un sello con una solución
de moléculas conocidas como tioles. Luego, los tioles se
autoensamblan al contacto con una delgada película de oro que se ha
depositado en el silicio.sustrato
22 Micro y Nanofabricación

Litografia blanda: produccion de un sello

elasticoPRECURSOR LÍQUIDO DEL PDMS

1. Un líquido precursor de
se vierte polidimetilsiloxano
(PDMS) sobre un sello maestro

MAESTRO

2. El líquido se convierte en un sólido

gomoso quecoincide con el patrón
original.
SELLO PDMS .El sello
PDMSespeladolejos del
maestro.

FOTORESISTENTE

Figura 1.21. Principio de la técnica de litografía blanda [10]

 Principios deMETROmicro- yNanofabricación
23

La figura 1.22 muestra el principio básico del

proceso.deimpresión por microcontacto de una monocapa
autoensamblada sobreapelícula de oro El proceso también se ha
utilizado para depositar GaAs y AlGaAs en sustratos de
silicio.aproducir transistores a nanoescala. La Figura 1.23
muestra una vista esquemática deatransistor de efecto de campo
producido usando litografía blandarafia La Figura 1.24 muestra
los pasos del proceso requeridos para producir tales estructuras.
Las longitudes y anchos de las puertas son del orden de 20 a
50pm.

SuaveLitografía-Impresión Micromntact

1. losEl sello PDMS está cubierto con un 2. lostioles/brmuna monocapa

6oIutirr\ cousistirgdemoléculas orgánicas autoensamblada sobre la
llamadas tioles arxlluego prassad contra superficie de oro quereprodixas
una película delgadadeoroen un paté de el paaem, caracteristicas
siIkon. En el patrón son tan
pequeños como 50
nanaTetros.

SUPERFICIE DE ORO
TIOLTINTA AUTOMONTAJE
MONOCAPA

wsttecdesSLM,Scimlific Arra1san, septiembre de 2001

Figura 1.22. Principio de la impresión por

microcontactousandolasuavelitografíaproceso
[10]

El proceso de usar la técnica de litografía suave también

se usa para replicar características extremadamente finas que se
pueden uniraproductos de micro y mesoescala para proporcionar
funcionalidad localizada en superficies de mayor escala. La
técnica tiene el potencial de transformar productos de ingeniería
comocomocojinetes y otras superficies de contacto para reducir
el desgaste y mejorar la confiabilidad del producto.
24Micro y Nanofabricación

(a) Sección transversal

esquemática de
vawdelacampoafectartraductor
FETamostrarlacrecimientoperfil
de la

(b) Diagrama esquemáticode

Heteroestructura GeAsfAlGaAs
FET.

Figura 1.23. Diagrama esquemático de un transistor de efecto de campo de

GaAs/AlGaAs producido mediante litografía blanda [11]

(a primera
MÚSICAusandopoliuretanottU)e
ndefinir elcontacto óhmico
(b)

(s)

Itryi«ter. 6« actual
(•) MÍMICA:tulinea dcnchzanja
turcALFILER.pelarNOCHEsegundo
I'DMS
a
usando oxigeno ltlñ
Grabar al agua
fuerteencltiicácidofinalhidrógeno

‹itirepoliuretano,pelardel tercer PnMS

moho, sin quitar el desmantelador
"sentar«yeii
Erupurule MfAu y

ascensorapagadof•tJa4e9rne

ánguloliiestos r‹s;1oni.

Figura 1.24. Ilustración esquemática del procedimiento de fabricación para producir

un transistor de efecto de campo mediante litografía blanda [11]
Traducido del inglés al español - www.onlinedoctranslator.com

PrincipiosdeMicro yNanofabricación25

El procedimiento para fabricar un conjunto de transistores de

efecto de campo enimplica definir los contactos resistivos y las
pistas de alineación pormicromoldeo en capilares utilizando
poliuretano liquido. El segundoEl proceso consiste en curar el
poliuretano y luego despegar elMolde de PDMS y eliminación
de la capa base de poliuretano mediante el proceso de oxígeno
RIE. Los contactos óhmicos para la fuente y el drenaje se
producen evaporando AuNiGe a la superficie y eliminando el
poliuretano restante. Una vez recocidas, las zanjas de grabado se
definen grabando con ácido cítrico y peróxido de hidrógeno.
Luego, la puerta se produce evaporando una capa delgada de
Cr/An en la superficie. losproducto es un conjunto de transistores
de efecto de campo nanoestructurados producidosmediante
procesos de litografía blanda. La figura 1.25 muestra el diseño
físico de los transistores de efecto de campo producidos
mediante este proceso.

(a

L-twghZ-V\idh

yo@ftm
(d

Figura 1.25. Micrografías de transistores de efecto de campo con varias

longitudes de puerta L y anchos de puerta z fabricados mediante litografía
blanda [11]
26 METROicro-yNanofabricación

La fabricación de características nanoelectrónicas mediante

litografía blanda se encuentra en una etapa inicial, pero promete
superar las limitaciones que se experimentan con los métodos ópticos
de litografía, como superar el límite de difracción observado en la
fotolitografía.

AF yo ti

Figura 1.26. Técnicas de manipulaciónuscdpara nanofabricación

Uso de Nanofihrlca honPlan/ptz/af/ve Técnicas

La nanofabricación usando técnicas manipulativas esaforma

prometedorade producir componentes electrónicos basados en nano
usando procesos talescomomicroscopía de túnel de barrido,
microscopía de fuerza atómica, microscopía de túnel de barrido
polarizada por espín y nanolitografía con pluma de inmersión. La
figura 1.26 muestra la diferencia entre estas técnicas de
manipulación. La microscopía de túnel de barrido es un proceso
que se basa en una punta muy afilada conectadaaaviga en
voladizoa
 Principios de micro y nanofabricación 27

tocar una superficie compuesta de átomos que es eléctricamente

conductora. Es un proceso que se lleva a cabo en un vacío ultraalto
donde una punta de metal afilada se pone en contacto extremadamente
cercano (menos de 1 nm) con una superficie conductora (Fig. 1.27).
Se aplica un voltaje de polarización a la punta y la unión de la muestra
donde los electrones hacen un túnel mecánicamente cuántico a través
del espacio. Se monitorea una corriente de retroalimentación para
proporcionar retroalimentación y generalmente está en el rango entre
10 pA y 10 nA. El voltaje aplicado es tal que la barrera de energía se
reduce para que los electrones puedan hacer un túnel a través del
espacio de aire. La punta está pulida o esmerilada químicamente y está
hecha de materiales como tungsteno, iridio o platino-iridio.

Microscopía de túnel de barrido

• Vacío ultraalto (UHV)

• Una punta de metal afilada se acerca extremadamente (borde de ml) a una
superficie de muestra conductora
• El voltaje de polarización se coloca acrms en la unión del título
• Electrones timnel mecánicamente cuántica túnel a través de la brecha
• Mmsureab c l0pA a 0uA productor de corriente de tunelización (z-feodbac
[Oaiincj: x›ts.lanl.gov, arXii' c0td-w vfi?05 I i9 • IMayo200.i

Figura 1.27. Principio básico de funcionamiento del microscopio de efecto túnel

[12]

Hay dos modos de operación: (1) modo de topografía en el que la

punta escanea en el plano xy donde está la corriente de tunelización
mantenido constante y; (2) modo de altura constante donde la punta se
escanea en elxyplano a profundidad constante y se modula la corriente
de tunelización.
Las Figuras 1.28 y 1.29 muestran imágenes de “corrales”
cuánticos en elsuperficies de cobre (111) y plata (111) que
demuestran las observaciones de ondas de distribución de densidad
electrónica para electrones de superficie proporcionadas por
microscopía de túnel de barrido. Estas observaciones son solo para
superficies conductoras. Todavía se pueden obtener imágenes de
superficies no conductoras, pero requieren una técnica conocida como
microscopía de fuerza atómica, que es una técnica poderosa que se
puede usar para fabricarcate estructuras en la nanoescala.

llnagtsofvariousy-comprado ql4nluu

^ reTCrooentr0PAGSyowBi h4 E fler 'nri•ngr 2d2 */?i-

*0/9eJy wBv »t mdcnitmtcoYO*Y›esu\y1Or tiene

hola 1.28. Imágenes de “corraTs cuánticas” formadas por posicionamiento de

átomos en a (I l I)
sustrato de cobre [ 15]
 Principios de micro y nanofabricación 29

compuesto de
Ag

Figura 1.29.Secuencia de imágenes a baja temperatura que muestran la construcción

de un “corral” triangular de átomos de plata sobre una (111) superficie de plata [14]

• Ambiente ambiental MUESTRA

• Una punta afilada al final de la cola en voladizo estrajoinfo mrrtact con muestrasur&ce
• stzfBccesescaneoporcantil9v r team, )ilcs fotografía'saguja
• de dcambajosprir\g estafador r permite snaitlefectivo(- Jft ^ a lx resuelto

• Mecanismo de retroalimentación si se forma entre la punta.ymuestra

Figura 1.30. Ptiticipio de microscopía de fuerza atómica en una superficie no

conductora [12]
30 M icro y nanofabricación

El microscopio de fuerza atómica (AFM) se utiliza en condiciones

ambientales y en vacío ultraalto, y una punta afilada conectada a un
haz en voladizo se pone en contacto con la superficie de la muestra
(figura 1.30). Se escanea la superficie, lo que hace que el rayo se
desvíe, lo que se controla mediante un rayo láser de escaneo. La punta
está micromecanizada a partir de materiales como el silicio (Figs. 1.31
y 1.32), imanes permanentes de tungsteno, diamante, hierro, cobalto,
samario, iridio o cobalto-samario.

Seqanning e lccironq rmicrographdea

" disco compactopropinaponnnginlfic{00l]cr)S+S

Figura 1.31. Viga voladiza de silicio con punta integrada (Cortesía de Nanoscnsors)

Siyoicon fia nli palanca con punta integrada

M icrógrafo de efectos de transmisión de un

dp de silicio extremadamente nítido
 Principios de M icro y N anofabricación 31

La viga en voladizo y la punta están controladas por

ciertosleyes y como tales poseen una constante de resorte, k, y una
frecuencia resonantefrecuencia, f. La punta y el voladizo
experimentan una fuerza de desplazamiento dominada por la
tensión superficial en condiciones ambientales (modo AFM), y
fuerzas químicas, de van der Waals y electrostáticas en el vacío
(modo STM). En resumen, los modos de funcionamiento del AFM
son estáticos y dinámicos. En AFM estático, la fuerza entre la
punta yla superficie es variable y no lineal en comparación con la
distancia entre la superficie y la punta. La Figura 1.33 muestra el
principio básico de funcionamiento en elmodo estático. La figura
muestra el modo de contacto, el modo sin contacto y los modos
dinámicos intermitentes y explica las diferencias entreentre ellos.
Los avances en el uso de la microscopía de fuerza atómica son
revisados porGiessibl [12] quien presenta una visión general del
desarrollo de latécnica y cómo se puede utilizar para obtener
imágenes y manipular características a pequeña escala.

Viga en voladizo+punta

AISI-AFR1: Excitación a amplitud de aire

fija yla frecuencia + los cambios en la
amplitud de aire de la vibración y la fase a
medida que la punta se acerca a la simple se
detectan como señalentiempo zg„ ? 2T/f (s/
o@
MUESTRA -Pmx'ides nenr resolucion aiomica.

2.FM-AFM: -•excitación de amplitud fija y

frecuencia variable; los cambios de
frecuencia a medida que la punta se acerca a
la muestra se detectan como señal entiempo
rpp? 1/f .Qcs/)
-Proporciona resolución atómica.

Rcpu1s i ve Attmctive

Figura 1.33. Modos de funcionamiento del microscopio de fuerza atómica [12]

32 M i cro y Nanoiranufacitiring

Contacto AFM

Imagen resuelta atómicamente de KBr (001)

en modo AFM de contacto. Las protuberancias
pequeñas y grandes se atribuyen a K+- y
Hermano -iones, respectivamente.

Figura 1.34.Resolución atómica de la superficie de KBr usando un A FM en ultra alto

vacío

AFM sin contacto

AFM sin contacto irmgc de una cara de

división deKG (001)con y pasos
dobles de
una altura de 3.1 y6. respectivamente.
Imagentamaño 120 recorrido • llanta
120

G‹ssibi, F.jardHb1 TO 1994, “Piezoresistim curtly.os t4ilia•d ftarmamentoacusando

y • min iii fixce nicio9ccpz enuitrahii; fiiacuirrt',Rvdo.ciencia lristnxn 65, l923—t929.

Figura 1.55. norteimagen AFM en contacto de una cara clcavagc de potasio

chyooridc mostrando variaciones distintivas en altura [17]
 Principios de M icro y N anofabricación 33

El modo de contacto muestra imágenes de superficies resueltas

atómicamente, como la superficie de bromuro de potasio (001) que
se muestra en la Fig.
1.34. Aquí, las protuberancias pequeñas y grandes se atribuyen a
los iones K+ y Br. La punta ejerce una gran fuerza normal y lateral
en el régimen de repulsión cuando la punta explora la superficie de
la capa de bromuro de potasio. La Figura 1.35 muestra la imagen
generada por el régimen de imágenes AFM dinámico sin contacto.
La punta oscila sobre la muestra en el rango de fuerza de atracción,
que tiende a evitar el ruido y las desviaciones de fuerza asociadas
con el rango de repulsión. La imagen muestra variaciones
distintivas de altura que se pueden utilizar para manipular
características a nanoescala en tres dimensiones. Esta técnica se
puede utilizar para manipular nanotubos y otras formas de carbono
para construir nanoproductos. Hay dos modos de operación para el
AFM dinámico (Fig. 1.36): AM-AFM; en el que la excitación de la
punta en voladizo se realiza a una amplitud y frecuencia fijas, y
FM-AFM donde la excitación se realiza a una amplitud fija y una
frecuencia variable. AM-AFM proporciona una resolución casi
atómica (Fig. 1.37), mientras que FM-AFM proporciona una
resolución atómica absoluta (Fig. 1.38).

Figura 1.36. Modos de funcionamiento del AFM dinámico [12]

34Micro- y
nanomanufactura

AFM irmgr del silicio con AM

mxte.Tamaño grande lfl0°A•
l00°A El grisescala en la irmge
correqxmds a una altura
diferencia de l

Ezl k.,L@acn,az¥iPAGS.Ltatcnmxi,yo 997," Ir<quiWmtao«sard imágenes rr<dwaars

enx-modeaiorréc-re rrJcrosaw ofS4Iiij7•z', Rvdo.atu, ralz

Figura 1.37. Imagen ARM de la superficie de silicio ( ! 11) en el modo AM-ARM [18]

El acoplamiento del modo de funcionamiento FM-AFM con la

capacidaddepositar coloides de partículas nanoconductoras permite
que el AFMparticipar en la construcción de productos
tridimensionales a nanoescala a través de la fabricación. Esto se puede
realizar mediante un procesollamado atrapamiento electrostático. La
fabricación de transistores de un solo electrón utilizando el
AFMesse muestra en la figura 1.39. En esta figura, nanopar-Las
piezas se empujan a su posición usando la viga en voladizo y la
punta paradeposite las partículas en la posición correcta para
formar la isla conductora entre el drenaje, la compuerta y la fuente.
La atracción de las partículas se ve favorecida por el atrapamiento
electrostático (figura 1.40). Un instrumento comercial que se puede
utilizar para la nanofabricación utilizando el principio AFM es uno
proporcionado por Veeco Metrology Group (Fig. 1.41). Este
equipo se puede utilizar para fabricar características a nanoescala,
como transistores de un solo electrón, con una pequeña
modificación. El instrumentotambién se puede utilizar para
manipular nanotubos de carbono para construir
componentesconductos de dispositivos tridimensionales (Figs.
1.42 y 1.43).
 PrincipiosdeMicro yNanofabricación 35

FM-AFM
Imagen de cambio de frecuencia
constante de 6 nm•6 nm (f=?38 Hz,
error rms 1,15 Hz, velocidad de
escaneo 2 nm/s). Las etiquetas 1, 2 y 3
indican la posición de los medidores
de distancia de frecuencia

FM-AFM

Primera imagen FM-AFM de un

aislador (KCI) con verdadera
resolución atómica.
Parámetros: k=I 7N/m, pie=II 4 kHz,
A=llanta 34 f=?70Hz y Q-
28000

Figura L38. Imagen AFM de cloruro de potasio con resolución atómica absoluta op-
Operando en el modo FM-AFM [ 19,20]
35 METROicro-y nanofabricación

Construcción de un transistor de un solo electrón por

AFMNanorraripulación.

Figura 1.39. Construcción de un transistor de un solo electrón ayudado por

empujar las partículas usando una punta A FM y atrapar las
partículasporatrapamiento electrostático [21]

La figura 1.39 muestra la construcción de un transistor de

un solo electrón, que se ayuda empujando físicamente las
partículas con la punta de un microscopio de fuerza atómica y
atrapando las partículas mediante atrapamiento electrostático. El
proceso se puede utilizar en características de mayor escala donde
existe el requisito de diseñar específicamente una superficie para
proporcionar una funcionalidad conocida, como una superficie
antiadherente. AFM es un proceso capaz de reproducir superficies
pequeñas pero altamente funcionales.
 Principios de Micro y Nanofabricación 37

(a) electrodos de platinot> hite) separados por un borde 14

t>) Después de ET, los mismos electrodos están

puenteados 6y un solo17 nrft Partícula de paladio.

(C}Otro ejemplo en el que tres coloides de paladio quedan

atrapados en un espacio de 26 nm.

Figura 1.40. Atrapamiento electrostático de coloides de paladio entre dos

nanoelectrodos
trodos [22]

Instrumento optimizado para mediciones

de fuerza de alta resolución e imágenes
topográficas.

Figura 1.41.Instrumento Vceco para sondear características a nanoescala (Cortesía

de Veeco Metrology Group)
38 M icro- y N anoman\tfacturiily

CarbónnortesnotubcMETROanipulación

PAr0uismal.AppSrf141,201-200(099)

La figura I .42. Elación del manto de nanotubos de carbono utilizando el

microscopio de fuerza atómica [23]

ÚnicoEiecironTransistor

Figura 1.43. Transistor de un solo electrón construido con nanotubos de

carbono (Cortesía de Bell Laboratories)
 Principios de Micro yNanofabricación 39

El microscopio de fuerza atómica se puede adaptar para realizar

una nanolitografía con pluma de inmersión agregando una
nanosonda de pluma de inmersión a la punta del AFM. La figura
1.44 muestra el diagrama esquemático que permite la
nanofabricación de productos tridimensionales utilizando
moléculas autoensambladas (SAM) o coloides de nanopartículas.

Asc1xrtNc&ga ofAFMsettpkr

XV rg O H3&/.ZxtKC jue SW(1ug ciiC Amrhiy

Figura 1.44. Diagrama esquemático que muestra el AFM adaptado para

nanolitografía con pluma de inmersión [24]
4fJMicro- y Canon un ›hecho anillo

AFMti

Monocapa
Autoensamblada dtrec

En el modo de pluma de inmersión, el AFM funciona en

condiciones ambientales para que la película monocapa de SAM se
deposite desde la punta hasta el sustrato de manera controlada. Parece
lógico que se proporcionen depósitos de moléculas autoensambladas
para acelerar el proceso de nanofabricación. La Figura 1.46 muestra el
tipo de nanocapas depositadas mediante la técnica de nanolitografía
con pluma de inmersión.

AFMsse utilizan en modo de contacto en

condiciones ambientaless,una película
monocapadeel éster adsorbido
generalmente se conecta en la punta y en
la punta. ALGUNOS INVESTIGADORES
HAN PENSADO UTILIZAR LA
PROPIEDAD DE FH A IRANSFRCR
SAMETROsde
rcscr mira hacia abajo la punta del sitio hasta el
sustrato tfic

'•yonortegramo,'yo+túr”norteMETRO•rkenCarolina del Sur‹cncC786páginasyo''-fi?^ipts

Figura 1.46. Dip pcn nano]ith B • phy of sell-asscmbIcd monocapas

 Principios de Micro- y Nanofabi icatioiJ 4l

Figura 1.d7. Diagrama esquemático de la geometría de un nanotubo de carbono [25]

El proceso de nanolitografía con pluma de inmersión se puede

adaptar para depositar nanotubos de carbono y partículas coloidales,
además de auto-
42 Micro y nanofabricación

monocapas ensambladas. Es probable que el proceso se convierta

en un proceso de nanofabricación con la adición de muchas sondas
de contacto que contienen depósitos de fluidos coloidales. Uno de
los principales usos de esta técnica es la deposición y
posicionamiento de nanotubos de carbono y otras estructuras de
carbono para producir componentes electrónicos y otros productos
funcionales y estructurales hechos de las nuevas formas de
carbono.

Nanofabricación utilizando nanomateriales de carbono

Un nanotubo de carbono se basa en una lámina de grafeno

bidimensional1. Con referencia a la figura 1.47, (a) el vector quiral
se define en la red hexagonal como Ch = na1 + mk2, donde a1 y a2
son vectores unitarios, yn y m son números enteros. El ángulo
quiral, q, se mide en relación con la dirección definida por a1. Este
diagrama ha sido construido para (n, m) — (4, 2), y la celda
unitaria de este nanotubo está limitada por OAB'B. Para formar el
nanotubo, imagine que esta celda se enrolla de manera que O se
encuentra con A y B se encuentra con B', y los dos extremos están
cubiertos con la mitad de una molécula de fullereno. Diferentes
tipos de nanotubos de carbono tienen diferentes valores de n y m.
Con referencia a la Fig. 1.47, (b) los nanotubos en zigzag
corresponden a (n,
0)o (0, m) y tienen un ángulo quiral de 0°, los nanotubos de sillón
tienen (n, n) y un ángulo quiral de 30°, mientras que los nanotubos
quirales tienen valores generales (n, m) y un ángulo quiral de entre
0° y 30°. Según la teoría, los nanotubos pueden ser metálicos
(círculos verdes) o semiconductores (círculos azules). En la figura
1.48 se muestra la construcción simple de un nanotubo de carbono
unidimensional.
Los nanotubos de carbono se pueden fabricar mediante
métodos de descarga de arco, ablación láser y deposición química
de vapor en forma de nanotubos de carbono de pared múltiple
(MWCNT) o nanotubos de carbono de pared simple (SWCNT). La
figura 1.49 muestra la estructura de un nanotubo de carbono de
paredes múltiples. Las propiedades de tales CNT se muestran en
las Tablas 1.1 y 1.2.
 Principios de Micro yNanofabricación 43

Aplicaciones: CXze•DirrensionéI Conducción

Figura 1.48. Nanotubos de carbono conductores

unidimensionales [25]

Los nanotubos de carbono son nanomateriales que poseen

propiedades térmicas y de alta resistencia y pueden diseñarse para
ser materiales conductores y semiconductores. Esto los hace
particularmente adecuados para convertirlos en sondas para vigas
en voladizo AFM y para la construcción de transistores de
nanotubos de carbono.
La preparación de sondas AFM con punta de nanotubos de
carbono comienza con el grabado anisotrópico de silicio para
formar pozos profundos para nanotubos decarbono para crecer.
Una vez grabado, se deposita un catalizador que promueveel
crecimiento de los nanotubos. Crecimiento directo colocando en un
químicola cámara de deposición de vapor permite que los
nanotubos crezcan y se formenla sonda AFM.
Luego, la sonda se une a un voladizo de silicio y el fabricanteEl
régimen de facturación se muestra en la Fig. 1.50. La figura 1.51
muestra el pecadonanotubos de carbono de pared gle
desarrollados a partir de la sonda voladiza de silicio. Los
nanotubos de carbono también se utilizan como elementos de
iluminación de tubos de vacío porque emiten luz a corrientes
relativamente bajas, lo que los convierte en dispositivos
ecológicos.
44 Micro- y N anomanHract\iring

Nanotubos de carbono de paredes múltiples

(MWCNT)

http://physicsweb.org/article/world/13/6/8

Figura 1.49. Estructura de nanotubos de carbono de paredes múltiples (Cortesía de

Physicsweb.org)
 Principios de Micro yNanofabricación 45

Tabla 1.1.Propiedades de los nanotubos de carbono [26]

Propiedad ArtículoCa DatosSimple/m

Geométrico pas últiple 10-1000
Relación de 04 nm-100 nm
aspecto Varios km a varios cm 1T
Diámetro Pa (acero: 0,2T Pa)
MecánicoT Longitud 45 G Pa (acero: 2 G Pa)
El módulo de 1,33 - 1,4 g/cm3
YoungResistencia Metálico/semiconductor
érmica a la tracción 1 TA/cm' (Cu:
Densidad IGA/cm') 1 - 3V fósforo
Conductividad activo
Electrónic Capacidad de >3kW/mK
corriente Emisión
de campo
a Transmisión de
calor

Tabla 1.2.Aplicaciones de los nanotubos de carbono [26]

Estado a Dispositivo Principales

granel/ma Compuesto propiedades
triz aplicadasAlta
Dispositivos de emisión resistencia,
de campo Dispositivos conductividad, etc.
electroquímicos Celdas Alta densidad de
de combustible corriente Gran área de
Individual Nanoelectrónica: superficie Gran área de
alambre, electrónica, superficie Tamaños
diodos, transistor, pequeños,
interruptor, memoria, semiconductores/metáli
etc. cos
NEMS

Propiedades bien definidas

46 Fabricación de micro y
nanoanoia

Aplicaciones: Consejos AFM

Enfoque de preparación de punta de nanotubos CVD.

miietch

Deposición de catalizador

Nanotubos CVD $wwth

C.YO..Cficung.jyoF.Hafilcr,aHdCMLicb<r, "NanolMbc de
carbonoalómicofa+cci›\iv.promedio,consejo8:Dimc‹gruñidosporquímicox'aporrlzposJtion ysolicitar rgla 1JJgh'-
resoluciónimágenes*'/'COMOAbriliijoaomililitrose1nosp o13

La figura I •S0. Deposición aFnanotubos de carbono para fabricar sondas

AFM [27]

CVDenfoque de preparación de labios de nanotubos.

Imagen SEM de emisión de campo de

preparación de paquetes SWNT de un
conjunto de punta en voladizo de Si.

Fig. l .51. Ensamblaje de nanotubos de CVD desarrollado a partir de una sonda

cantilcvcr de silicio[27]
 Principios de Micro yNanofabricación 47

Aplicaciones: transistores de nanotubos de carbono

Figura 1.52. Puertas lógicas para computación usando un nanotubo de carbono que
ha sido colocado usando el microscopio de fuerza atómica (28)

Las sondas AFM se están empleando actualmente para

construir elementos semiconductores como inversores lógicos de
nanotubos de carbono y transistores de nanotubos de carbono
utilizando la viga en voladizo y la punta para empujar los
nanotubos de carbono en su lugar después de depositarlos cerca de
la fuente, el drenaje y la puerta del transistor (Figs. 1.52 - 1.54).
Esto convierte al AFM en una herramienta de manipulación de
nanofabricación que actualmente está resolviendo los mismos
problemas creados al reducir el tamaño de los dispositivos
electrónicos a la nanoescala.

1.2 Tasas de eliminación de material

Hay dos variables asociadas con la medición de las tasas de
remoción de material en micro y nanofabricación:
48 Micro y Nanoman\ifact‹iring

Aplicaciones: Tran slstores de nanotubos de carbono

ayuda:'-*v-tu-t#entonceso<kyo\yoi1•cnjn•nortey+suien<u-Juihiia+yo

La figura I .53. Carbo» transistor de nanotubos que muestra las características

del transistor cs. Cortesía de IBM

Aplicaciones: inversor lógico CNT

Imagen de AFMde 'Vendaval Transferencia de voltaje del inversor Característica

V. r*hecho.jAppcnzclJer.undf'h.Urnas AQ. ”Carbono Nano4ubenltt-yyoniramoItcu1en Log1<Ventas."NanoL.•n.vol.

Figura 1.54. Inversor lógico de nanotubos de carbono [29]