FORMATO PARA

REPORTE DE PRÁCTICAS

INGENIERÍA MECATRÓNICA

Nombre de la materia: Electronica de Potencia

Metal Oxido de Silicio (MOS)
Nombre de la práctica:

Práctica número:

Nombre del profesor: Dr. Fidel Cerecero

Laboratorio: Laboratorio de Mecatrónica

Fecha: 29 de abril de 2022

Integrantes del equipo: Fecha: Calificación:

• Gonzalez Zenon Fabian
• Koh sel Alexis Francisco
• Lopez Giron Carlos Roberto
• Montalvo Chi Jhosmar Geovanny
• Salas Avila Johan Manuel
Observaciones
del Profesor:

Equipo-herramienta requerido
• MOSFET 2N666 (4)
• Resistencias (8)
• Switches (1)
• Optoacopladores 425 (2)
• Diodos (4)
• Transistor bipolar (2)

1. Objetivo

Es comprender los principios de funcionamientode este circuito, aprender a construir de

manera efectiva y medir la eficiciencia del circuito en diferentes condiciones de carga y
proporcionar una forma confiable de controlar la dirección del flujo de corriente a través
de un circuito, especialmente en aplicaciones de alta corriente y voltaje.

2. Resumen

Esta práctica es una forma de implementar un circuito de conmutación bidireccional

controlado por optoacopladores y MOSFET, con un relé de protección para asegurar la
operación segura del circuito.

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3. Introducción

Se explorará el diseño y construcción de un circuito de conmutación de alta potencia y bajo

costo utilizando un Switch ideal Opto-MOSFET-Relevador, también conocido como Puente
H Opto-MOSFET. Este circuito es muy útil en aplicaciones electrónicas que requieren el
control de motores, lámparas o cualquier carga de alta corriente.
Los MOSFET 2N666 son componentes clave en el Puente H Opto-MOSFET, ya que son
transistores de efecto de campo que permiten la conmutación de altas corrientes con
pérdidas de potencia muy bajas. Las resistencias también son componentes importantes,
ya que se utilizan para limitar la corriente en los LED de los optoacopladores 425, que son

4. Marco referencial

Los MOSFET 2N666:son componentes clave en el Puente H Opto-MOSFET, ya que son

transistores de efecto de campo que permiten la conmutación de altas corrientes con
pérdidas de potencia muy bajas.

Las resistencias: también son componentes importantes, ya que se utilizan para

limitar la corriente en los LED de los optoacopladores 425, que son los encargados de
aislar eléctricamente la parte de control del circuito de la parte de potencia.

Los switches: son componentes electrónicos que se utilizan para activar o desactivar
el circuito, y en este caso se utilizan switches de tipo DIP (dual inline package) para
facilitar su integración en la placa de circuito impreso.

Los transistores bipolares: también pueden utilizarse en lugar de los MOSFET para
el control de la carga, aunque presentan mayores pérdidas de potencia.

Los optoacopladores 425: son componentes electrónicos que se utilizan para aislar
eléctricamente la parte de control del circuito de la parte de potencia. Estos
componentes consisten en un LED y un fototransistor, que permiten la transferencia
de señales eléctricas de un circuito a otro sin contacto físico.

Los diodos: también se utilizan en el circuito para proteger los MOSFET y prevenir el
flujo de corriente inversa.

5. Procedimiento

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En primera parte opservamos optoacoplador 425 ocupan la alimentación de 12 v para

poder, se utilizan para aislar eléctricamente la parte de control del circuito de la parte de
potencia. consisten en que el LED y un fototransistor, que permiten la transferencia de
señales eléctricas de un circuito a otro sin contacto físico.
potenciómetro se encarga de recibir la señal de entrada del usuario, controlar la
velocidad del motor DC y envia una señal de control al optoacoplador 425, que se
encarga de proteger el circuito de control y activar los interruptores de potencia del
puente H.

la función del puente H con MOSFET y transistores bipolares es permitir la inversión de

la dirección de la corriente en un motor DC, mediante la activación de los interruptores
de potencia controlados por una señal de entra

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en esta parte observamos un optoacoplador 425 , esto permite que el motor DC gire
inversamente , se encarga de proteger el circuito de control y activar el interruptor de
potencia del puente H inversamente .

6. Análisis y resultados

Los resultados de la simulación:

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Resultados de la pcb:

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Parametro Valor

Voltaje (v) 12

Frecuencia (Hz) 60

Valor eficaz (Veff) 5.996

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Valor máximo (Vmax) 4.24

Valor pico (Vp) 8.48

Resistencia (ohmios 276.961

IRMS (amperios)
0.0217

VRMS (voltios) 5.996

Magnitud Formula Valor

Potencia P= 0.259 W
V_RMS²/R

VRMS V_RMS = 4.243 V

V_eficaz / √2

IRMS 0.015 A
I_RMS =
V_RMS / R

• V_eficaz = 5.996 V
• V_pico = 8.48 V
• V_max = 4.24 V
• R = 276.961053209 Ω

La fórmula utilizada para calcular la potencia es P =

V_RMS²/R.
La fórmula utilizada para calcular el valor eficaz (VRMS) es V_RMS =
V_eficaz / √2.
La fórmula utilizada para calcular el valor eficaz de la corriente (IRMS) es
I_RMS = V_RMS / R.

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