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EXPERIENCIA Nº4
“Diseño de una fuente de poder regulada mejorada”
INTRODUCCIÓN 2
COMPETENCIAS ASOCIADAS: 2
RESULTADO DE APRENDIZAJES: 2
OBJETIVOS 3
OBJETIVO GENERAL 3
OBJETIVO ESPECIFICO 3
MARCO TEORICO 3
EQUIPAMIENTO 5
DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA 5
PROCEDIMIENTO 5
LISTADO DE EQUIPOS 7
TRANSFORMADOR 7
PUENTE RLC 7
MULTÍMETRO 8
OSCILOSCOPIO 8
PROCEDIMIENTO ANALITICO 11
PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL 14
REGISTRO DE MEDICIONES 15
GRAFICAS 17
CONCLUSIONES 20
BIBLIOGRAFIA 21
ANEXOS 22
INDICE DE FIGURAS
INTRODUCCIÓN
COMPETENCIAS ASOCIADAS:
RESULTADO DE APRENDIZAJES:
OBJETIVOS
Objetivo General
Objetivo Especifico
Diseñar de manera eficaz un circuito con transistores que funcione como regulador.
Conocer y utilizar de forma apropiada los datos disponibles en el datasheet.
Obtener de forma experimental a través del simulador las señales de entrada y
salida.
Comprender el funcionamiento del transistor en un circuito amplificador.
MARCO TEORICO
Los transistores están formados por la unión de tres cristales semiconductores, dos del
tipo P uno del tipo N (transistores PNP), o bien dos del tipo N y uno del P (transistores
NPN). Una unión N-P de un transistor se polariza en directamente correspondiente a
colector – base, en tanto que la otra se polariza en inversamente, la cual pertenece a base –
emisor, válidas para PNP y al revés las polarizaciones de un PNP son válidas para NPN.
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Laboratorio de Electrónica I – Experiencia N°4.
Un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad NPN, utilizado para
aplicaciones de amplificación lineal y conmutación, puede amplificar pequeñas corrientes a
tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en
diferentes formatos, los más comunes son los TO-92, TO-18, SOT-23, y SOT-223.
Donde:
1. Emisor
2. Base
3. Colector
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EQUIPAMIENTO
2 transistor 2N2222
3 Resistencia 1 [kΩ]
2 condensadores 0.1 [µF]
DEPENDE DE COMO SE ARME EN EL SIMULADOR
DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA
Procedimiento
Los pasos para la experiencia N ° 4 circuito de fuente de poder regulada son los
siguientes:
Valor nominal
N° Medición [hfe]
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LISTADO DE EQUIPOS
Transformador
Es un elemento eléctrico que permite aumentar o disminuir la tensión en un circuito
eléctrico de corriente alterna, manteniendo la potencia en el caso de analizar uno ideal. El
Transformador que usaremos es uno de tres devanados que posee un diferencial de
potencial “x” entre un terminal y el punto de referencia y de “2x” para la medición entre
terminales; para el caso de una alimentación de 220V x tendrá un valor de 12 volt y por
consecuente 2x corresponderá a 24 volt.
Puente RLC
Multímetro
Figura 5. Multímetro
Osciloscopio
PROCEDIMIENTO ANALITICO
𝑉𝑚2 122[𝑉]
Wr = = 7,2[𝑤]
𝑅 1kΩ
Donde:
• Vm: Voltaje máximo, en [V].
• R: Resistencia conectada, en [Ω].
Por lo tanto, en el circuito la resistencia de [Ω] y [W] que se conecta es apta para ser
utilizada en nuestro circuito diseñado con transformador.
El transformador posee tres devanados: el principal es la alimentación de la red, mientras
que los otros dos secundarios son embobinados que poseen continuidad entre sí como tal,
cada uno está medido al punto medio como referencia, como se detallaba anteriormente
entre terminal y referencia existirán 12V mientras que la diferencia entre terminales será de
24V. (cabe resaltar que es el cálculo teórico, frente a que en la práctica estos valores no
necesariamente van a ser iguales).
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Donde:
Sabiendo que la corriente máxima que puede alcanzar el circuito estará dada por el
fusible instalado en el transformador, como este posee una capacidad de 250 volt y 1
Amper, consideraremos esos valores como condiciones de borde del circuito. También el
voltaje de salida es conocido, ya que es un transformador de 24V y la frecuencia de la red
es un valor fijo y conocido.
C=132.629 μ F
Por lo tanto, el valor mínimo que debe poseer el capacitor es de 132.629 microfaradios.
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PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
REGISTRO DE MEDICIONES
Al tener los valores reales del circuito, podemos calcular la capacitancia real que
necesitamos en él.
0.08 A
C=
2 π∗49.9 hz∗26.9 V
C=9.48 μ F
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Los valores obtenidos estaban dentro del rango y el error relativo era de un 0.9 % por lo
que tampoco presentaba problemas, mencionando desde ya que el condensador entregado
poseía un sobredimensionamiento.
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GRAFICAS
Figura 13. Captura de la recogida de datos del canal 1 y 2 por el osciloscopio, en el canal
2 se aumentó la sensibilidad de volt/cuadro
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En la imagen anterior se puede apreciar el efecto que produce el uso del condensador en
las ondas de solo ciclo positivo, es verdad que se produce un rizado inminente, pero de una
envergadura mucho menor.
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CONCLUSIONES
Gracias a la versatilidad de este tipo de circuito se ha logrado crear una amplia gama de
reguladores, tanto positivos como negativos, que existen hoy en día, estos han sido
comercializados ampliamente en el mercado ya que cubren gran parte de las posibles
necesidades de cualquier tipo de circuito electrónico diseñado.
Ecured.cu
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
These are Pb−Free Devices* http://onsemi.com
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Value Unit 2
V BASE
Collector −Emitter Voltage CEO 40 Vdc
V
Collector −Base Voltage CBO 75 Vdc
V 3
Emitter−Base Voltage EBO 6 .0 Vdc EMITTER
Collector Current − Continuous IC 600 m A dc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mW
Derate above 25C 5 .0 m W /C
P TO−92
Total Device Dissipation @ TC = 25C D 1 .5 W
Derate above 25C 12 m W /C CASE 29
TJ, Tstg STYLE 17
Operating and Storage Junction −55 to C
Temperature Range +150
12 12
THERMAL CHARACTERISTICS 3 3
ST R AIG H T LE A D BE NT LE AD
Characteristic Symbol Max Unit B U LK PA C K TA P E & R EE L
Thermal Resistance, Junction to Ambient R qJA 200 C /W AM M O P A C K
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
G = Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
†
Device Package Sh ip ping
P2N2222AG TO−92 5 0 0 0 U nits/B u lk
(P b − Fre e )
P2N2222ARL1G TO−92 2 00 0 /T ap e & A m m o
(P b − Fre e )
†For information on tape and reel specifications,
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, including part orientation and tape sizes, please
please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques refer to our Tape and Reel Packaging
Reference Manual, SOLDERRM/D. Specification Brochure, BRD8011/D.