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INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y


Eléctrica
CULHUACAN

Electrónica Analógica

4CV14 - 2023-2

PROFESOR: UGALDE LICEA ADOLFO SABINO


Equipo:
 Benhumea Hernandez Victoria
 Cardoso Miramontes Brian
 Villa Rodríguez Karlo Iván
 Reyes Galicia Denise

TEMA: Practica 1

Práctica 1
DIODOS RECTIFICADORES PRÁCTICA NO. 1
Diodos Semiconductores

Fuente de alimentación variable Osciloscopio

Multimetro Digital Resistencia Diodo de Silicio

Protoboard

DIODOS RECTIFICADORES PRÁCTICA NO. 1


EXPOSICIÓN
Se pueden usar diodos semiconductores para reemplazar a tubos al vacío (bulbos).
Este dispositivo se fabrica con un material impurificado con exceso de cargas negativas, o
electrones (tipo N), y un material con impurezas positivas (tipo P) lo que causa una
diferencia de electrones. Los materiales de tipo P o N se producen impurificando
químicamente un material semiconductor como el germanio o el silicio. En la unión PN
(consulte la Fig. 1-1) se forma una región de vaciamiento de cargas conocida como barrera
o colina de potencial; en ella los electrones en exceso se combinan con los huecos que se
encuentran en la vecindad inmediata de la unión PN (pero no en todo el diodo) formando
así la región de vaciamiento.

Fig. 1-1

Consulte la Fig. 1-1A, cuando se aplica una fuente de potencial negativo al material
tipo N, el exceso de electrones repelidos de este material encontrará una trayectoria sin
obstáculos a través de la unión PN (reduciendo la barrera de potencial), hacia el material
tipo P y finalmente hacia la terminal de potencial más positivo de la fuente. Esta unión está
polarizada directamente (baja resistencia a cd), de modo que fluirá la máxima corriente a
través del diodo.

Estudie la Fig. 1-1B, cuando se aplica una fuente de potencial positivo al material
tipo N, los electrones se alejan de la unión PN en dirección de la terminal positiva de la
fuente (aumentando la barrera de potencial). Las cargas positivas del material tipo P se
mueven hacia la terminal negativa fuente. Los electrones no pueden fluir fácilmente a
través del diodo, de la terminal negativa hacia la positiva de la fuente, debido a la acción
interna en el material PN y la mayor barrera de potencial. Esta unión está polarizada
inversamente (alta resistencia a cd) y fluirá muy poca o ninguna corriente a través del
diodo.

Examine la Fig. 1-2, en ella se ilustra el símbolo esquemático, los tipos de material
y las polaridades de la tensión de polarización de un diodo semiconductor típico. En la
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condición de polarización directa, los electrones fluyen siempre en dirección opuesta a la
indicada por la flecha del símbolo esquemático del diodo.

Fig. 1-2

El diodo semiconductor se usa principalmente como rectificador, pero tiene muchas


aplicaciones en circuitos de conmutación, detección y regulación. Al seleccionar un diodo
semiconductor, debe especificarse la máxima corriente permisible en sentido directo (I F) en
la condición de polarización directa, así como la máxima tensión inversa de pico (VPI) en
la condición de polarización inversa. Otras características importantes son la corriente de
fuga, temperatura de operación, rapidez de conmutación, ruido, clasificación de
sobretensión y la respuesta en frecuencia.

El semiconductor ideal tendría una resistencia nula en sentido directo y una


resistencia inversa infinita, como se ilustra en la Fig. 1-3. Las características reales varían
como se muestra en Fig. 1-3. La polarización inversa que se indica en la gráfica esta
expresada en volts, mientras que la directa lo está en mili volts.

Fig. 1-3

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En esta figura observamos que la curva característica de un diodo típico, muestra
una corriente inversa de fuga, muy reducida (del orden de micro amperes), cuando está en
la condición de polarización inversa. A través de una unión PN circulará una corriente
inversa de fuga muy pequeña; pero está es insignificante cuando se compara con la
magnitud de la corriente que circula en condiciones de polarización directa.

LECTURA Y ESTUDIO
Estudie en su libro de texto la sección de diodos y rectificación.

INSTRUMENTOS Y COMPONENTES
 Fuente de voltaje de 5.0 Vcd. Variable.
 Fuente de voltaje de 0 a 25 Vcd. Variable.
 Fuentes de voltaje de 6.0 Vca. o utilizar el generador de funciones ajustado a
esta misma tensión con una frecuencia de 60 Hz.
 Multímetro (Amperímetro, Voltímetro y Ohmetro.) tipo analógico o digital.
 Osciloscopio
 DR1 – Diodo de silicio 1N4001 o 1N4002 o 1N4003.
 R1 – 270 ohms, 2W
 R2 – 1 K ohms, ½ W
 Protoboard
 Fusibles de repuesto para Amperímetro Tipo Europeo de 0.250 Amp. (Nota: Un
valor mas elevado en las características del fusible no será aceptado ya que puede
dañar el instrumento)

1. Un dispositivo diodo de semiconductor no puede soportar una sobrecarga de corriente


más allá de lo que indica su hoja de datos técnica; cuando esto sucede, el diodo
quedará dañado permanentemente. Generalmente se siguen uno de dos
procedimientos para determinar si un diodo se encuentra en buen estado y estos
procedimientos dependen del tipo de instrumento Óhmetro que se utilice (analógico
o digital). Los procedimientos siguientes para determinar si un diodo está en buen
estado constituyen también una demostración práctica de la polarización inversa y
directa usando la fuente de voltaje interna que se tiene en un Óhmetro. En el caso de
utilizar un Óhmetro del tipo analógico se seguirá el procedimiento indicado a
continuación y en el caso de utilizar un digital este se indica más adelante.

Utilizando un Óhmetro de tipo ANALÓGICO.


Conecte el óhmetro al diodo en la condición de polarización directa, como se indica
en la Fig. 1-2B, y mida su resistencia en sentido directo.
Rdirecta =.....................................................................................................ohms

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Conecte el ohmetro al diodo en la condición de polarización inversa, como
se indica en la Fig. 1-2C, y mida su resistencia en sentido inversa.
Rinversa =................................................................................................ohm
Un buen diodo indicará relativamente poca resistencia en la condición de polarización
directa e infinita o muy alta en la de polarización inversa
Explique por qué.
Un diodo simple está compuesto por la unión de dos materiales semiconductores P y N, que
se comportan como iones con cargas positivas y negativas respectivamente, en la frontera
entre estos dos materiales existe una región denominada zona de deplexión, en donde se
vacían los portadores de carga mayoritarios de los iones receptores y de los iones donadores,
con lo que se crea una barrera de potencial que mantiene las cargas separadas, esta barrera
de potencial puede reducirse o incrementarse si se le aplica una fuente de tensión externa, y
su comportamiento está función de la polaridad aplicada a las terminales del diodo,
favoreciendo la conductividad cuando el terminal positivo de la fuente esta conectado con el
semiconductor tipo P y el terminal negativo con el semiconductor tipo N, mientras que en
polaridad inversa a esta, el comportamiento tiende a ser como una resistencia

2. Construir el circuito de la Fig. 1-4a. Asegúrese de que observa la polaridad adecuada


en el miliamperímetro y en el diodo. La terminal-común del Voltímetro debe ir
conectada a la terminal negativa de la fuente de energía. Conecte hasta el ultimo
momento el Diodo 1N4001 ya que se debe de asegurar de tener 0.0 Volts entre las
terminales de ANODO y CÁTODO que alimentaran al diodo, una vez verificado lo
anterior conecte el diodo.

5V

Fig. 1-4(a)

3. Partiendo de cero volts en el voltímetro, aumente la tensión entre las terminales del
diodo moviendo lentamente el cursor del potenciómetro hasta que el
miliamperímetro indique 1mA; anote la tensión aplicada al diodo con el voltímetro. En
la tabla 1-5 bajo IF = 1 mA y haga lo mismo para cada uno de los valores de I F que
aparecen en la tabla anotando las tensiones obtenidas.

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0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
IF
0 0.577 0.616 0.637 0.652 0.666 0.677 0.685 0.693 0.701 0.708
ES

Tabla 1-5
4. Haga una gráfica de los datos obtenidos en el punto 3 en la Fig. 1-6. Trace una curva
continua que toque todos los puntos marcados y desígnela, RL = 0.

12

10

8
(mA)

6
IF

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
(VOLTS)

5. Vuelva la tensión del diodo a ceroRLregresando


=0 el cursor del potenciómetro su punto de
partida e invierta las conexiones del diodo de silicio. Conecte ahora la fuente de
alimentación de de 0 a 20 Volts como lo indica la figura 1-4 b. Aumente la tensión de la
fuente a 20 volts. ¿Cuál es la magnitud de la corriente cuando se polariza inversamente al
diodo?
IR = 0.2 mA

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Explique :
Al invertir las conexiones del diodo invertimos la polaridad de los terminales,
conectando el semiconductor P con la terminal negativa de la fuente y el semiconductor
N con la terminal positiva de la fuente, esto provoca que la zona de agotamiento en la
línea de unión del diodo aumente, y en consecuencia aumente la resistencia del diodo,
permitiendo que circule una corriente millones de veces inferior a la que podría
circular con polarización directa. Vuelva la tensión de la fuente a cero.

6. Construya el circuito de la Fig. 1-7, asegurándose de tener la polarización adecuada en


el Voltímetro, el miliamperímetro y el diodo. Ahora mediremos la corriente de ánodo
en sentido directo en función de la tensión de la fuente, con una carga de 270 ohms.

Fig. 1-7

7. Repita la misma operación que se efectuó en el punto 3 pero ahora con la fuente de
alimentación de 0 a 20 Volts. tal y como se indica en figura 1-7 y anote los
resultados en la tabla 1-8.
IF 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 mA
ES 0 0.851 1.161 1.45 1.73 2.1 2.29 2.57 2.85 3.12 3.39 VOLTS

Tabla 1-8

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RL = 270 ohms

8. Substituya la resistencia de 270 ohms (R1) por la de 1K (R2) repita el punto 7 y registre
los resultados obtenidos en la tabla 1-9.
IF 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 mA
ES 0 1.56 2.57 3.55 4.55 5.53 6.51 7.51 8.41 9.42 10.42 VOLTS

IF Tabla 1-9

RL = 1 K ohm

ES

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12
RL = 0 RL = 270 ohms RL = 1 K ohm
10

8
(mA)

0
0 2 4 6 8 10 12

(VOLTS)

Fig. 1-6

9. Haga la representación gráfica de las curvas utilizando los datos recabados en los puntos
7 y 8 en la gráfica de la Fig. 1-6. Cuando dibuje la curva del punto 8, solo podrá marcar 3
o 4 puntos. Basándose en estos puntos y en los datos de la tabla 1-9, deberá tener una
buena idea de la curva resultante. Marque cada una de ellas de acuerdo con el valor de
su resistencia de carga, es decir, RL = 0, RL = 270 ohms y RL = 1 K ohm.

10. compare las curvas obtenidas ¿cuál es más lineal? ………………………………….......


¿Qué conclusiones puede sacar de la grafica respecto al aumento de la resistencia en
serie
En ausencia de una resistencia, el comportamiento de la corriente en el diodo
parece describir un incremento de tipo exponencial con respecto a un incremento
lineal de la tensión, mientras que al conectar una resistencia en serie el
comportamiento de la corriente parece comportarse de forma lineal, tal y como lo
hace una resistencia.
Observe la Fig. 1-6 y estudie la curva del diodo que se obtuvo sin resistencia de
carga (RL = 0 ) ¿Por qué la curva tiene esa forma?
Un diodo conectado en polarización directa posee buenas propiedades de
conductividad, sin embargo esta característica depende de factores como la
temperatura del ambiente, el potencial de barrera de la unión PN y de la tensión

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suministrada a esta, por lo que siempre habrá una diferencia de potencial a
vencer para permitir el flujo de electrones, conforme se incrementa la tensión el efecto
de resistencia que produce está diferencia de potencial se va haciendo más y más
pequeña, lo suficiente como para considerarse un cortocircuito.
¿Aproximadamente a que tensión se considera que el diodo esta totalmente polarizado
en sentido directo? …

El potencial de barrera puede ser superado bajo diferentes circunstancias, como la


temperatura ambiente, el dopaje de tipo P y N, o del material con el que esté fabricado el
diodo, los casos más comunes son: Silicio = más de 0.7 volts @ 25 °C. Germanio = más de 0.3
volts @ 25 °C
11. construya el circuito de la Fig. 1-10.

CA

Fig. 1-10

Aplique 12.6 V de tensión alterna al circuito con una frecuencia de 60 Hz. Conecte
el osciloscopio calibrado a los puntos A y C y trace a continuación una onda obtenida

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DIODOS RECTIFICADORES PRÁCTICA NO. 1
IF

ES

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DIODOS RECTIFICADORES PRÁCTICA NO. 1
FORMA DE ONDA EN AY C FORMA DE ONDA EN B Y C

DIODOS RECTIFICADORES PRÁCTICA NO. 1


CUESTIONARIO

1.- ¿Cómo se forman los materiales tipo P y N?


Estos 2 se forman a través de una técnica que se llama dopaje, esta técnica agrega
impurezas al material ya sean electrones para volverlo N (cargado con más cargas
negativas) o huecos (consideradas cargas positivas).
Un semiconductor N se obtiene añadiendo un pequeño número de átomos
pentavalentes (con cinco electrones en su última capa) a un semiconductor
intrínseco. Estos átomos pueden ser de P, As o Sb. De los cinco electrones, cuatro
realizan enlaces covalentes con los átomos del semiconductor intrínseco y el otro
será libre. Un semiconductor tipo P es el resultado de añadir un pequeño número de
átomos trivalentes (con tres electrones en la última capa) a un semiconductor
intrínseco. Estos tres electrones formaran enlaces covalentes con los átomos del
semiconductor intrínseco. Queda por lo tanto un electrón del semiconductor
intrínseco sin emparejar para formar el enlace covalente. Esto es, habrá un hueco
donde cabría un electrón. Los átomos que se añaden pueden ser de Al, B o Bi.

2.- Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores sobre los tobos al
vació

Los tubos de vacío eran la herramienta empleada para dirigir la corriente eléctrica
a través de los dispositivos electrónicos como radios, siendo los mismos los
antecesores de los semiconductores.

Algunas ventajas que presentan los semiconductores sobre los tubos de vacío:

- No son grandes

- No son pesados

- No son frágiles

- Permiten realizar múltiples funciones

- Requieren el uso de menos energías.

3.- ¿Cuáles son las dos características que determinan la máxima conducción de
operación de un diodo semiconductor?

Polarización directa del diodo y un voltaje mayor al voltaje de barrera.

4.- ¿Qué quiere decir polarización directa e inversa?

Un diodo en polarización directa es aplicar tensión positiva a la zona P y


negativa a la zona N. Un diodo PN conduce cuando está polarizado
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directamente, si bien recién cuando la tensión aplicada vence la barrera de
potencial los portadores de carga tienen un movimiento suficiente para que la
zona de agotamiento se inunde de cargas móviles.

En polarización inversa se da al aplicar una tensión positiva a la zona N y


negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión.
Al aumentar la tensión inversa, hay un nivel de tensión, al igual que sucede en
un material aislante, en que se produce la ruptura de la zona de agotamiento: el
campo eléctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los
enlaces covalentes entre los átomos de silicio, originando un proceso de ruptura
por avalancha. Esta ruptura, no necesariamente conlleva la destrucción de la
juntura, mientras la potencia disipada se mantenga en niveles admisibles
. 5.- ¿Qué es lo que determina la operación o función de un dispositivo
semiconductor?
Actúa tanto como un conductor permitiendo el paso de una corriente
eléctrica o como un aislante impidiéndola según varios factores como puede ser
la temperatura ambiente, el tipo de estructura atómica del mismo o el campo
eléctrico o magnético al que esté sometido
Se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores,
como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le
incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
El tipo de semiconductor que sea si es un intrínseco (hecho del mismo material Si, Ge)
no conducirá corriente y se comportara como un aislante ya que a completa su capa
de valencia con 8 electrones. Mientras que un extrínseco fue sometido a un dopaje lo
que quiere decir que tiene impurezas negativas (electrones) o positivas (huecos) ya sea
respectivamente N, P. El punto del dopaje es aumentar su conductividad por ejemplo
en una unión PN.

6.- ¿Puede un semiconductor soportar una sobrecarga de corriente?


No, un dispositivo semiconductor no puede soportar una sobrecarga de
corriente, cuando esto sucede, el diodo resultará dañado permanentemente.

CONCLUSIONES:
Recuerde que esta parte será redactada y argumentada bajo el criterio individual de cada
participante del equipo. Deberá resaltar los aspectos más importantes referidos a los
experimentos realizados. Sea objetivo en sus observaciones

Benhumea Hernandez Victoria:

El diodo que es un semiconductor es solo conductor bajo ciertas condiciones. El diodo tiene 2
polarizaciones, cuando se polariza directamente y cuando se polariza de manera inversa.
Polarizado de manera directa permite el paso de la corriente en solo una dirección y actúa como
interruptor cerrado y si esta polarizado de manera inversa no permitirá el paso de la corriente.
Cuando un diodo toca su zona de ruptura es cuando comenzará a conducir la electricidad.

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Villa Rodríguez Karlo Iván: se pudo lograr una mejor comprensión de como funcionan las ondas, y
el armado de los circuitos, además de la comprensión de cómo afecta el flujo de la energía
dependiendo de los electrones aplicados y el tamaño de la resistencia

Reyes Galicia Denise: Concluyo que los diodos son importantes para la sustitución de los bulbos,
es esta práctica realizada pudimos ver cómo funciona un diodo dependiendo a las condiciones que
estaban escritas, va que variaba resistencia y los Hertz, gracias a esta actividad, pudimos notar
como se forman graficas con ayuda del material prestado. Permite que la corriente fluya en una
dirección, pero no permite a la corriente fluir en la dirección opuesta. También es importante
saber que los diodos tienen una polaridad determinada por un ánodo y un cátodo. La mayoría de
los diodos permiten que la corriente fluya solo cuando se aplica tensión al ánodo positivo. Los
diodos también se conocen como rectificadores porque cambian corriente alterna a corriente
continua pulsante.

Cardoso Miramontes Brian :El diodo es un dispositivo semi conductor. Es llamado así porque es
solo conductor bajo ciertas condiciones. El diodo esta compuesto por dos partes, un lado positivo
al que llamamos ánodo o lado ‘p’ y un lado negativo al que llamamos cátodo o lado ‘n’.Un aspecto
muy importante que no debe quedarse fuera es que la corriente se conducirá en un diodo
polarizado de manera directa en dirección a la flecha

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