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N
Y ROBÓTICA
LABORATORIO 2
TRANSISTORES
Código: ENED10
1 LABORATORIO N° 2 EL TRANSISTOR
Antecedentes
Para los transistores BJT diremos que están conformados por tres regiones 2N y 1P o 2P y 1N, existiendo
transistores NPN y PNP. Estas regiones se denominan Emisor (E), Base (B) y Colector (C).
Para el análisis del estado del transistor bipolar y evaluar su polarización se puede comparar el con dos
diodos contrapuestos, estos pueden ser de ánodo común o cátodo común dependiendo si el transistor es
NPN o PNP. Según muestra la figura 2
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La característica fundamental del transistor bipolar en emisor común es amplificar la intensidad de
corriente que entra por su base (IB) tantas veces los permita su ganancia (β) para presentarla en su salida
como corriente colector (IC).
𝑉𝐵𝐵−𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶
2 𝑅𝐵 β 3= 𝐼𝐵
Esta amplificación fundamenta los tres estados de trabajo del transistor que son: Corte (se comporta como
un interruptor abierto y no deja circular corriente a través de él), Saturación (permite el paso de corriente
hasta su valor máx. como si fuese un interruptor cerrado) y Activo (en donde deja pasar corriente sin llegar
a su nivel máximo). Cuando el transistor trabaja en estado de corte y saturación se dice que están en
conmutación.
Z<
4 PROCEDIMIENTO
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Para reconocer los terminales del transistor debemos configurar el tester en la función de diodo, si
medimos la unión base-emisor en forma directa al igual que los diodos indicará la tensión de conducción, el
mismo caso sucederá cuando se realice la medición en directa de la unión base-colector, no obstante, la unión
B-E indicará una mayor tensión que la unión B-C. Por último, si medimos los terminales colector-emisor en
ningún caso conducirá.
1.- Proceda a verificar el estado de los transistores y reconocer su estructura interna (NPN-PNP) para los
transistores que se indican en la tabla 1.
2.- En base a las mediciones obtenidas indique los terminales Emisor, Base y Colector para cada transistor.
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3.- Arme el siguiente circuito y mida las tensiones Vbb, Vcc, Vrb, Vbe, Vce y Vrc para completar la tabla 2:
Tabla 1
4.- Proceda a medir las intensidades de corriente IB, IC e IE como se indican y complete la tabla 3 con los datos
obtenidos.
RB IB IC IE
1kΩ 4,37mA 25,4mA 29,8mA
47kΩ 0,09mA 4,11mA 4,21mA
200kΩ 0,02mA 0,99mA 1,01mA
Tabla 3
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5.- Usando los datos obtenidos en las mediciones anteriores realice los cálculos necesarios para determinar
lo que se solicita a continuación.
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6.a ¿Qué sucedió con la tensión en RC al modificar la resistencia de base (RB) y por qué?
Disminuyeron, debido al aumento de la resistencia de base, ya que según la ley de kirchof, la sumatoria de voltajes q
entran es igual a los que salen.
6.b ¿La ganancia (β) se mantuvo constante para los distintos valores de RB? Argumente.
No, con la resistencia de 1k ohm hubo un valor de ganancia de 5,8, esto debido al voltaje que le llegaba a la base
permitiendo el paso de corriente por el emisor, no así con los con las siguientes resistencias de 47k y 200k ohm,
estas mantuvieron una ganancia casi idéntica que rondaba los 49,5.
6.c ¿para que valores de resistencias el transistor se comportó con conmutador y por qué?
Para los valores de 47k y 200k, debido a que estas resistencias eran tan grandes no dejaban pasar voltaje hacia la
base lo que mantuvo cerrado el transistor.
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7.- Implemente el siguiente circuito de aplicación. Pida ayuda al docente antes de energizar y probar
Generador de pulso: genera señales eléctricas periódicas a las que se le configuran longitud, retardo, tasa de
repetición y similares.
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9.- Agregue una portada INACAP con los datos requeridos y entregue al docente al término de la actividad.
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