Está en la página 1de 10

AUTOMATIZACIÓ

N
Y ROBÓTICA

LABORATORIO 2
TRANSISTORES

NOMBRE: Luis Jaldín Mena


CARRERA: Automatización y robótica
ASIGNATURA: electrónica aplicada
PROFESOR: Anjel Cena
FECHA: 03-09-22
AREA ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

Asignatura: Electrónica Aplicada a la


Automatización

Código: ENED10
1 LABORATORIO N° 2 EL TRANSISTOR

Antecedentes

Los transistores de acuerdo con su estructura interna se pueden clasificar en:

Para los transistores BJT diremos que están conformados por tres regiones 2N y 1P o 2P y 1N, existiendo
transistores NPN y PNP. Estas regiones se denominan Emisor (E), Base (B) y Colector (C).

Para el análisis del estado del transistor bipolar y evaluar su polarización se puede comparar el con dos
diodos contrapuestos, estos pueden ser de ánodo común o cátodo común dependiendo si el transistor es
NPN o PNP. Según muestra la figura 2

2
AREA ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

Asignatura: Electrónica Aplicada a la


Automatización

Código: ENED10
La característica fundamental del transistor bipolar en emisor común es amplificar la intensidad de
corriente que entra por su base (IB) tantas veces los permita su ganancia (β) para presentarla en su salida
como corriente colector (IC).

Para esta configuración se pueden extraer las siguientes ecuaciones

𝑉𝐵𝐵−𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶
2 𝑅𝐵 β 3= 𝐼𝐵

Esta amplificación fundamenta los tres estados de trabajo del transistor que son: Corte (se comporta como
un interruptor abierto y no deja circular corriente a través de él), Saturación (permite el paso de corriente
hasta su valor máx. como si fuese un interruptor cerrado) y Activo (en donde deja pasar corriente sin llegar
a su nivel máximo). Cuando el transistor trabaja en estado de corte y saturación se dice que están en
conmutación.
Z<

4 PROCEDIMIENTO
3
AREA ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

Asignatura: Electrónica Aplicada a la


Automatización

Código: ENED10

Para reconocer los terminales del transistor debemos configurar el tester en la función de diodo, si
medimos la unión base-emisor en forma directa al igual que los diodos indicará la tensión de conducción, el
mismo caso sucederá cuando se realice la medición en directa de la unión base-colector, no obstante, la unión
B-E indicará una mayor tensión que la unión B-C. Por último, si medimos los terminales colector-emisor en
ningún caso conducirá.

5 Medición base-emisor Medición base-colector


Medición colector-emisor

1.- Proceda a verificar el estado de los transistores y reconocer su estructura interna (NPN-PNP) para los
transistores que se indican en la tabla 1.

Transistor Vbe Vbc Vce Tipo (NPN-PNP)


2N2222 5V 60V 30V NPN
TIP31 5V 40V 40V PNP
TIP32 -5V -40V -40V PNP
2N3055 7V 100V 60V NPN
Tabla 1

2.- En base a las mediciones obtenidas indique los terminales Emisor, Base y Colector para cada transistor.

2N2222 TIP31 TIP32 2N3055

4
AREA ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

Asignatura: Electrónica Aplicada a la


Automatización

Código: ENED10

3.- Arme el siguiente circuito y mida las tensiones Vbb, Vcc, Vrb, Vbe, Vce y Vrc para completar la tabla 2:

RB Vbb Vrb Vbe Vcc Vce Vrc


1kΩ 5V 4.37V 0,63V 12V 0,07V 11,9V
47kΩ 5V 4,43V 0,57 12V 10,1V 1,93V
200kΩ 5V 4,47V 0,53V 12V 11,5V 0,47V

Tabla 1

4.- Proceda a medir las intensidades de corriente IB, IC e IE como se indican y complete la tabla 3 con los datos
obtenidos.

RB IB IC IE
1kΩ 4,37mA 25,4mA 29,8mA
47kΩ 0,09mA 4,11mA 4,21mA
200kΩ 0,02mA 0,99mA 1,01mA
Tabla 3

5
AREA ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

Asignatura: Electrónica Aplicada a la


Automatización

Código: ENED10

5.- Usando los datos obtenidos en las mediciones anteriores realice los cálculos necesarios para determinar
lo que se solicita a continuación.

RB Β IB Vrb IE Vrc Vce


1kΩ 5,81 4,37x10^-3 A 11938 V 29,77 A 11,9 V 0,07V
47kΩ 45,66 9,42x10^-5 A 1931,7 V 4,2 A 1,93 V 10,1 V
200kΩ 49,5 2,23x10^-5 465,3 V 1,01 A 0,47 V 11,5 V

Ingrese los cálculos realizados en el siguiente cuadro

6
AREA ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

Asignatura: Electrónica Aplicada a la


Automatización

Código: ENED10

6.- Conteste las preguntas que se plantean a continuación

6.a ¿Qué sucedió con la tensión en RC al modificar la resistencia de base (RB) y por qué?

Disminuyeron, debido al aumento de la resistencia de base, ya que según la ley de kirchof, la sumatoria de voltajes q
entran es igual a los que salen.
6.b ¿La ganancia (β) se mantuvo constante para los distintos valores de RB? Argumente.

No, con la resistencia de 1k ohm hubo un valor de ganancia de 5,8, esto debido al voltaje que le llegaba a la base
permitiendo el paso de corriente por el emisor, no así con los con las siguientes resistencias de 47k y 200k ohm,
estas mantuvieron una ganancia casi idéntica que rondaba los 49,5.

6.c ¿para que valores de resistencias el transistor se comportó con conmutador y por qué?

Para los valores de 47k y 200k, debido a que estas resistencias eran tan grandes no dejaban pasar voltaje hacia la
base lo que mantuvo cerrado el transistor.

7
AREA ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

Asignatura: Electrónica Aplicada a la


Automatización

Código: ENED10

7.- Implemente el siguiente circuito de aplicación. Pida ayuda al docente antes de energizar y probar

8.- Realice una síntesis de la función de cada componente.

Fuente de energía (VAC 220V): alimenta el circuito.

Línea (L1): transporte la energía del circuito

Conmutador (COM): abre o cierra el circuito

Diodo led: indica la presencia de energía en el circuito.

Transformador: transforma el voltaje de 220 V a 12 V

Transistor: cierra el circuito cuando el generador de pulso le manda una señal.

Resistencia: regula el voltaje que llega hasta el generador de pulso

Generador de pulso: genera señales eléctricas periódicas a las que se le configuran longitud, retardo, tasa de
repetición y similares.

8
AREA ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

Asignatura: Electrónica Aplicada a la


Automatización

Código: ENED10

9.- Agregue una portada INACAP con los datos requeridos y entregue al docente al término de la actividad.

9

También podría gustarte