FACULTAD NACIONAL DE INGENIERIA

INGENIERIA ELECTRICA E INGENIERIA ELECTRONICA

PRACTICA N° 3
ELECTRONICA I ELT 2580 - C FECHA DE ENTREGA:
DOCENTE: Ing. Antonio Pacheco Tarqui TERCER PARCIAL
AUXILIAR: Univ. Liss Kruscaia Nina Ferreya

1. Explicar detalladamente las características de un

transistor MOSFET

2. En el circuito se tiene un circuito de polarización

fija con JFET y la siguiente información:
UGG = - 6[V], IDSS = 14[mA]
UDD = 16[V], UD = 10[V]
CALCULAR
UDS
ID
RD
PRD
PDS

3. En el siguiente circuito de polarización por divisor

de tension con transistor JFET con los datos
proporcionados:
ID=8[mA]
IDSS=15[mA]
UDD=20[V]
UP = -6[V]
UDS = 6 [V]
URS= 4[V]
Determinar: El valor de las 4 resistencias
R1, R2, RD, RS
 4. El circuito de polarización por divisor de
tension con MOSFET de enriquecimiento se
tiene :
UDD = 15[V]
URS = 5[V]
ID= 14[mA]
UDS = 6[V]
UT = 2[V]
K = 0.27[mA/V2]

CALCULAR
UGS
RD
RS
UGG
R1
R2
PRD
PDS

5. Polarizar el transistor para que trabaje como interruptor electrónico. Hallando RC,
PRC, IB, RB, PRB

UCC=20[V]
UBB=5[V]
IC=20[mA]
𝛽𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛=10
𝑈𝐶𝐸_𝑆𝑎𝑡=0.4

NOTA: Enviar al classroom en la fecha correspondiente.