LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM

U.N.M.S.M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

 Aybar Velásquez Johnny Romario

 16190062

CURSO TEMA

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EL TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

INFORME FECHAS NOTA

PREVIO REALIZACIÓN ENTREGA

NUMERO

09 06 DE JULIO DEL 07 DE JULIO DEL

2017 2017

GRUPO
PROFESOR

JUEVES DE 2 pm – 4 pm ING. LUIS PARETTO QUISPE

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LABORATORIO 9: EL TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

INFORME PREVIO

Tema: Transistor monounion (UJT).

Objetivos:

a. Verificar en forma estática el estado operativo de un UJT.

b. Verificar y determinar las características de funcionamiento de un UJT.

Información básica:

El transistor monounión: Es un tipo de transistor compuesto por una barra de silicio tipo
N o P en cuyos extremos se tienen los terminales Base 1 (B 1) y Base 2 (B2). En un punto
de la barra más próximo a B 2 se incrusta un material de tipo P o N dando lugar al terminal
de emisor.

Símbolo de un Circuito equivalente de un transistor

UJT monounión tipo N

Cuando se polariza el transistor la barra actúa como un divisor de tensión apareciendo

una VEB1 de 0,4 a 0,8v. Al conducir el valor de RB1 se reduce notablemente. Observa el
circuito equivalente.

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Observando el circuito de polarización de la figura se advierte que al ir aumentando la

tensión Vee la unión E-B1 se comporta como un diodo polarizado directamente. Si la
tensión Vee es cero, con un valor determinado de V bb, circulará una corriente entre bases
que originará un potencial interno en el cátodo del diodo (Vk). Si en este caso
aumentamos la tensión Vee y se superan los 0,7v en la unión E-B1 se produce un aumento
de la corriente de emisor (IE) y una importante disminución de RB1, por lo tanto un aumento
de VBE1. En estas condiciones se dice que el dispositivo se ha activado, pasando por la
zona de resistencia negativa hacia la de conducción, alcanzando previamente la V EB1 la
tensión de pico (Vp).
Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda por debajo de la
intensidad de valle (Iv).De lo anterior se deduce que la tensión de activación Vp se alcanza
antes o después dependiendo del menor o mayor valor que tengamos de tensión entre
bases VBB.

Se utiliza en circuitos de descarga en generadores de impulso, circuitos de bases de

tiempos y circuitos de control de ángulo de encendido de tiristores.

El encapsulado de este tipo de transistores son los mismos que los de unión.

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Procedimiento:

CUESTIONARIO PREVIO
Armar el circuito de la Figura 1, iniciando los potenciómetros P1 y P2 en 0 Ω, Debiendo estar los 2
miliamperímetros en el rango de 30 mA. (Por lo menos); llenar la Tabla 2.

VALORES Ve(v) Ie (mA) Vb1 (v) Vb2 (v) Ib (mA)

TEORICOS 0 0 19.02381 0.116 2.077

Al no haber disparo Ie=0 A por ende Ve=0 V

20
Ib1mín= 470+56+ 9100 =2.077 mA

Vb1=20−(2.077 ×10 ¿¿−3) ( 470 )=19.0238 V ¿

Vb2=( 2.077 ×10−3 ) ( 56 )=0.116 V

1. Ajustar gradualmente el valor de P1 hasta llegar al valor de Vp observando los

miliamperímetros, visualizando el instante de disparo del UJT; llenar la Tabla 3.

VALORES Ve(v) Ie(mA) Vb1(v) Vb2(v) Ib(mA) P1(Ω)

TEORICOS 13.8 4.402 18.2046 0.213 3.82 4.896k

Ve=Vp

Vp=ŋVBB+0.7= (0.655) (20)+0.7

Vp=13.8 V

Vp 13.8
Ie= ŋ R = =4.402 mA
BB + R 2 ( 0.655 ) ( 4700 ) +56
mín

V BB =I (ℜ+ R 1) V P=I P1

V BB VP
I= I=
ℜ+ P1 P1

20 13.8
I= =
2200+ P1 P1

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6.2 P1=30360

P1=4.896 KΩ

20
Ib1= 470+56+ 4700 =3.82 mA

Vb1=20−(3.82 ×10¿¿−3) ( 470 ) =18.2046V ¿

Vb2=( 3.82 ×10−3) ( 56 )=0.2139 V

Ajustar gradualmente el valor de P2 observando el miliamperímetro de Ie, hasta llegar al instante

de obtención de la corriente de valle (retorno a Off); llenar la Tabla 4.

VALORES Ve(v) Ie(mA) Vb1(v) Vb2(v) Ib(mA) P1(Ω) P2(Ω)

TEORICOS 14.324 4 19.023 0.116 2.077 4.896 k 4.971k

La corriente de valle es Ie= 4 mA

Vp=Ie(ŋRBBmin +R2)
Vp=4 x 10−3 ( 0.75 ( 4700 ) +56)
Vp=14.324 V Ve=Vp
Ve=14.324 V
20
Ib= =2.077 mA
470+56+ 9100

Vb1=20−(2.077 ×10 ¿¿−3) ( 470 )=19.023 V ¿

Vb2=( 2.077 ×10−3 ) ( 56 )=0.116 V

El P1 no se modificado su valor entonces P1= 4.896 kΩ

V BB −V b 2=I e × P 2

V BB −V b 2 20−0.116
P 2= = =4.971 kΩ
Ie 4 ×10−3

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Conclusiones:

 Se puede comprobar como el transistor proporcionara los momentos de disparo

por momentos específicos en el que variara la corriente y el voltaje emisor.
 Asimismo también podemos ver que con la introducción del potenciómetro 1 se
llegara al momento de disparo con la variación de este elemento.

Bibliografía:

 http://www.unicrom.com/buscar.asp
 http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/electronic/unijun.html
 http://es.slideshare.net/luznellygonzalez/exposicion-transistores
 Boylestad- Fundamentos de circuitos elctrinocos.
 Separatas de la clase de laboratorio y teoría dispositivos electrónicos.