ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX

Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

Recibido:
Aceptado:

LABORATORIO POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES.

Homier Alexis Mendoza Angarita
Código: 1093800485
Erickson Stiven Palomino Diaz
Código: 1006440442
Catalina Molina Celis
Código: 1005720130
Michael Stiven Moreno silgado
Código: 1010106793

Universidad de Pamplona, Facultad de Ingenierías y

Arquitectura, Grupo de Investigación en Circuitos Eléctricos.
Autopista Internacional Vía Los Álamos Villa
Antigua, Villa del Rosario, Norte de Santander,
Colombia.
E-mail:

Resumen: En el informe se realiza un análisis del funcionamiento de un

transistor BJT en dos de sus polarizaciones. Y se dará solución a ambas
polarizaciones hallando sus corrientes (Ib+Ic+Ie) y el voltaje Vce para hallar su
punto Q en la gráfica del transistor, se usarán programas como proteus, matlab
para poder simular su funcionamiento

Palabras clave: Transistor, Emisor, Base, Colector, Beta, Polarización,

Divisor de tensión,

Summary: The report analyzes the operation of a BJT transistor in two of its
polarizations. And a solution to both polarizations will be found by finding their
currents (Ib + Ic + Ie) and the voltage Vce to find their point Q on the transistor
graph, programs such as proteus, matlab will be used to simulate their
operation.

Keywords: Transistor, Emitter, Base, Collector, Beta, Polarization, Voltage

Divider.

1
Universidad de Pamplona
I. I. D. T. A.
 ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX
Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

mucho a entender cómo se usa.

 INTRODUCCIÓN

Transistores BJT (de unión dipolar). Están

formados por dos uniones PN y constan de 3
terminales (colector, base y emisor), que se
corresponden con las tres zonas de material
semiconductor. Por el emisor entra un flujo de
portadores que a través de la base llega al
colector.

Un transistor puede ser usado como un

interruptor (ya sea a la máxima corriente, o
encendido ON, o con ninguna corriente, o
apagado OFF) y como amplificador (siempre
conduciendo corriente). La cantidad
amplificada de corriente es llamada ganancia
de corriente, β o HFE.

Aplicaciones de los Transistores:

Los transistores tienen multitud de

aplicaciones, entre las que se encuentran:
1) Amplificación de todo tipo (radio,
televisión, instrumentación).
2) Generación de señal (osciladores,
generadores de ondas, emisión de
2. MARCO TEORICO: radiofrecuencia).
Tipos de transistores 3) Conmutación, actuando de interruptores
(control de relés, fuentes de alimentación
Hay dos tipos de transistores estándar,
conmutadas, control de lámparas, modulación
NPN y PNP, con diferentes símbolos de
por anchura de impulsos PWM).
circuito. Las letras hacen referencia a las
4) Detección de radiación luminosa
capas de material semiconductor usado
(fototransistores).
para construir el transistor. La mayoría de
los transistores usados hoy son NPN
Probando un transistor Los transistores pueden
porque este es el tipo más fácil de construir
dañarse por calor cuando los estamos soldando
usando silicio. Si tú eres novato en la
o por uso indebido en un circuito. Si tú
electrónica es mejor que te inicies
sospechas que un transistor puede estar dañado
aprendiendo cómo usar un transistor NPN.
hay dos maneras fáciles de probarlo:1.
Los terminales son rotulados como base
Probarlo con un multímetro Usa un multímetro,
(B), colector (C) y emisor (E). Estos
polímetro o un simple téster (batería, resistor y
términos se refieren al funcionamiento
LED) para verificar por conducción cada par de
interno del transistor, pero no ayuda
terminales. Coloca un multímetro digital en la
posición diodo test o un multímetro analógico
2
Universidad de Pamplona
I. I. D. T. A.
 ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX
Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

en el rango de baja resistencia. Prueba cada

par de terminales en ambos sentidos (seis en
total):

1) La juntura base-emisor (BE) debería

comportarse como un diodo y
conducir sólo en un sentido.
2) La juntura base-colector (BC)
debería comportarse como un diodo
y conducir sólo en un sentido.
3) Entre colector-emisor (CE) no
debería conducir en ningún sentido.

Para un transistor PNP los diodos

están invertidos, pero puede usarse
el mismo procedimiento de prueba.

3
Universidad de Pamplona
I. I. D. T. A.
 ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX
Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

Polarización de transistores
Polarizació
Esquema Ecuación Recta de carga
n

Emisor
común

Estabilizad
or con
resistencia
de emisor

Se coloca
un resistor
con el fin
de mejorar
la
estabilizad

3. Materiales, Equipos e Insumos.

•Software de simulación.
•Proteus.
•Matlab.
4. Reactivos.
N/A

5. Procedimiento

1.Diseñe un circuito de polarización emisor

común el cual a su salida se obtenga Vce =
6.5v o 9,5V con beta=150, dicho transistor
debe estar en zona activa, luego se aumente
beta primero un 50% y luego un 100%, VCC-ICRC-VCE=0
incluya los resultados en la tabla n°1. 12V-IC(1KΩ)-6,5V=0
Realice la gráfica de la recta del transistor IC = (12-6,5)/1000
donde se muestre los diferentes puntos de IC=5,5mA
trabajo del transistor. IC=βIB
IB=IC/β
IB=5,5mA/150
IB=36,6uA
RB=(VCC-0,7V) / IB
4
Universidad de Pamplona
I. I. D. T. A.
 ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX
Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

RB=(12V-0,7V) / 36,6uA
RB=308181,8KΩ ≈308KΩ
IE=(β+1) IB
IE= (150+1)36,6uA
IE=5,52ma
VCe=6,5v
BETA =225

VCC-IBRB-VBE=0 IB=(VCC-0,7V) / RB
IB=(12V-0,7V) / 308181,8Ω
IB=36,6uA
IC= βIB
IC= (300) (36,6uA)
IC=10,98mA
IE=(β+1) IB
IE= (300+1) (36,6uA)
VCC-IBRB-VBE=0 IB=(VCC-0,7V) / RB IE=11,01mA
IB=(12V-0,7V) / 308181,8Ω VCC-ICRC-VCE=0 VCE=VCC-ICRC
IB=36,6uA VCE=12-(10,98mA) (1KΩ)
IC= βIB VCE=1,02V Isat=VCC/RC=12V/1KΩ
IC= (225) (36,6uA) IC=8,235mA Isat=12mA
IE=(β+1) IB Vcorte=VCC=12V
IE= (225+1) (36,6uA)
IE=8,271mA TEORICO TADLA:
VCC-ICRC-VCE=0 VCE=VCC-ICRC B IB(mA) IE(mA) IC(mA) Vce(V)
VCE=12-(8,235mA) (1KΩ)
VCE=3,765V 150 36,6 5,52 5,5 6,5

225 36,6 8,271 8,235 3,765

300 36,6 11,01 10,98 1,02

BETA=300

5
Universidad de Pamplona
I. I. D. T. A.
 ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX
Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

BETA =300

2. Realizar la simulación del circuito

del ítem número 1 en Proteus, ubicando los
medidores necesarios para evidenciar los
valores de corrientes y tensiones del
circuito, incluir los resultados en la tabla
n°2, realice la gráfica de la recta del
transistor donde se muestre los diferentes
puntos de trabajo del transistor.

BETA=150

TABLA DE PROTEUS
B IB(mA) IE(mA) IC(mA) Vce(V)

150 36,3 5,48 5,45 6,5

225 36,3 8,2 8,16 3,84

300 36,2 10,9 10,9 1,13

BETA=225

6
Universidad de Pamplona
I. I. D. T. A.
 ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX
Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

4. Repita el inciso 1,2 y 3, ahora

aplicado a una polarización con Malla 2
estabilizador con resistencia de emisor.
VCC-VRC-VCE-VRE=0
VCC-(IC*RC)-VCE-(IE*RE) =0
1
VCC-(IC*RC)-VCE-((β+1) (IB)*RE) =0

IS= VCC/(RC+RE)
IS= 12v/(228.3791Ω+500Ω)
IS=16.4749mA

Malla 1
RC=(VCC-VCE-((β+1)(IB)*RE))/IC
VBB-VRB-VBE-VRE=0 RC=228.3791Ω.
VBB-(IB*RB)-VBE-(IE*RE) =0
IE= IB*(β+1) Resultados
VBB-(IB*RB)-VBE v-((IB*(β+1)) *RE) =0 RC=228.3791Ω
VBB-VBE-IB(RB+RE(β+1)) =0 IC=7.5166mA
IE=7.5667mA
IB=(VBB-VBE) /(RB+RE(β+1)) IB= 0.0501108mA
IS=16.4749mA
IB=(12v-0.7v) / (150kΩ+500Ω (150+1))

IB= 50.1108µA  RC=R2 resistencia de emisor

En base a IB reemplazamos en IE

IE= IB*(β+1) IE=50.1108µA *(150+1)

IE=7.5667Ma

IC=β*IB
IC=150*50.1108µA
IC=7.5166mA

7
Universidad de Pamplona
I. I. D. T. A.
 ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX
Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

IB= 0.0429658mA
IS=16.4749mA
Malla 1 VCE=4.9370v

VBB-VRB-VBE-VRE=0
VBB-(IB*RB)-VBE-(IE*RE)=0

IE= IB*(β+1)
VBB-(IB*RB)-VBE v-((IB*(β+1))*RE)=0
VBB-VBE-IB(RB+RE(β+1))=0

IB=(VBB-VBE)/(RB+RE(β+1))

IB=(12v-0.7v)/(150kΩ+500Ω(225+1))
IB= 42.9658µA Malla 1

IE= IB*(β+1) VBB-VRB-VBE-VRE=0

IE=42.9658µA *(225+1) VBB-(IB*RB)-VBE-(IE*RE)=0
IE=9.7103mA
IB=(VBB-VBE)/(RB+RE(β+1))
IC=β*IB IB=(12v-0.7v)/(150kΩ+500Ω(300+1))
IC=225*42.9658µA IB= 37.6034µA
IC=9.6673mA
IE= IB*(β+1)
Malla 2 VBB-(IB*RB)-VBE v-((IB*(β+1))*RE)=0
VBB-VBE-IB(RB+RE(β+1))=0
VCC-VRC-VCE-VRE=0
Reemplazo a IE IE=37.6034µA *(300+1)
VCC-(IC*RC)-VCE-((β+1)(IB)*RE)=0 IE=11.3188mA
Despejo a VCC
IC=β*IB
Ahora se halla la Corriente de saturación IS IC=300*37.6034µA
IC=11.2810mA
IS= VCC/(RC+RE)
IS= 12v/(228.3791Ω+500Ω) Malla 2
IS=16.4749mA
VCC-VRC-VCE-VRE=0
VCC-(IC*RC)-VCE-(IE*RE)=0 VCC-(IC*RC)-VCE-(IE*RE)=0
VCC=-(IC*RC)+VCC-((β+1)(IB)*RE) VCC-(IC*RC)-VCE-((β+1)(IB)*RE)=0

VCE=-(9.6673mA*228.3791Ω)+12v- IS= VCC/(RC+RE)

((225+1)(42.9658µA)*500Ω) IS= 12v/(228.3791Ω+500Ω)
VCE=4.9370v IS=16.4749mA
VCC=-(IC*RC)+VCC-((β+1)(IB)*RE)
RC=228.3791Ω VCE=3.8456V
IC=9.6673mA
IE=9.7103mA
8
Universidad de Pamplona
I. I. D. T. A.
 ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX
Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

TABLA TEORICA
B IB(mA) IE(mA) IC(mA) Vce(V) 2 B=300

150 0.0501108 7.5667 7,5166 6,5

225 0.0429658 9.7103 9,6673 4,9370

300 0.0376034 11.3188 11,2810 3,8456

TADLA PROTEUS
B IB(mA) IE(mA) IC(mA) Vce(V)
150 0.0496 7.49 7,44 6,55

225 0.0425 9.60 9,56 5,02

300 0.0371 11.2 11,1 3,86

2 B=15O

2 B=225
4) compare los resultados de las diferentes
tablas y calcule el porcentaje de error de
cada una con respecto al teórico.
%e: ((teo-prac)/teo)(100)

ERROR= B=150

IB(mA)= :
((0.0501108-0.0496)/ 0.0501108)
(100)=1.019%
9
Universidad de Pamplona
I. I. D. T. A.
 ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX
Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

IE(mA) CONCLUSIONES:
((7.5667-7.49)/ 7.5667)(100)= 1.013%
1) Si observamos en la práctica el beta “β”
IC(mA) no depende del transistor para los
((7,5166-7,44)/ 7,5166)(100)= 1.019% valores medidos.

Vce 2) Para poder identificar el punto Q solo

((6.5-6,55)/ 6.5)(100)= 0.7% debe tenerse en cuenta el circuito en Dc
para saca Ic y Vce.
ERROR=225

IB(mA)= : 3) En la práctica para poder obtener

((0.0429658-0.0425)/ 0.0429658) VCEQ se debe medir VC a VE en DC
(100)=1.084% solamente.

IE(mA) 4) Siempre debemos analizar la hoja de

((9.7103-9.60)/ 9.7103)(100)= 1.135% datos del transistor para analizar sus
ganancias y parámetros con los que se
IC(mA) va a trabaja.
((9,6673-7,44)/ 9,56)(100)= 1.109%
5) Los errores entre los valores teóricos y
Vce prácticos no superan el 2%
((4,9370-5,02)/ 4,9370)(100)= 1.681%

ERROR=300

IB(mA)= :
((0.0376034-0.0371)/ 0.0376034)
(100)=1.338%

IE(mA)
((11.3188-11.2)/ 11.3188)(100)= 1.049%

IC(mA)
((11,2810-11,1)/ 11,2810)(100)= 1.6044%

Vce
((3,8456-3,86)/ 3,8456)(100)= 0.314%

1
Universidad de Pamplona
I. I. D. T. A.