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El Diodo segn SPICE

Germn Gonzlez Daz e Ignacio Mrtil de la Plaza


Adaptado y formateado por Francisco J. Franco

d
Para modelar adecuadamente el comportamiento del diodo, el lenguaje de simulacin SPICE

ri
utiliza alrededor de 25 parmetros dependiendo de cada dialecto en particular. A continuacin se

d
explica el signicado de los parmetros ms generales en relacin con la fsica del dispositivo y las

a
ecuaciones que los ligan. Por sencillez consideraremos una unin N+ P abrupta, en la cual las trampas

M
estn en la energa correspondiente al centro de la banda prohibida y las secciones ecaces de captura

e
para electrones y huecos son iguales. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que los parmetros SPICE

d
son vlidos para cualquier tipo de diodo, sea Schottky, LED, etc. Simplemente, hay que ajustar de
se
manera apropiada el valor numrico de cada trmino.
n
la

Para usar la misma nomenclatura que SPICE tomamos:


te
de
lu

VD , o cada de tensin en la unin (a travs de la zona de carga espacial, con exclusin de la


os
p

posible cada en la resistencia serie o en las zonas neutras).


m
n

s
m

.e

ID , o corriente a travs del diodo.


o
alu

m
C

VJ (VJ1 ), o potencial de contacto de la unin


c
de
d

.u

VT , o tensin trmica, es decir k T /q . siendo k la constante de Boltzmann, de valor 1.3810-23


a
so

w
id

J/K, y q la carga del electrn, de valor 1.60910-19 C.


u

w
rs
ra

Asimismo, en todo diodo existe una resistencia serie parsita, RS (RS), en la que se produce una
e
Pa
iv

pequea cada de tensin que modica el valor efectivo de VD .


:/
n
U

p
tt

1. Corrientes en el diodo
h

La corriente que atraviesa el diodo es:

ID = IF W D IREV (1)

donde IF W D modela no solamente la corriente ideal, sino tambin la de generacin-recombinacin y


la alta inyeccin. IREV modela los mecanismos de ruptura de la unin. Se supone que ID es positiva
1 Todos los trminos en negrita y sin subndices SON parmetros SPICE

1
El Diodo segn SPICE

si uye de la zona P a la N. La expresin de IF W D es:

IF W D = KIN J IN RM + KGEN IREC (2)

donde IN RM modela la corriente ideal del diodo, KIN J modela el fenmeno de alta inyeccin y el
producto IN RM modela tanto la corriente de generacin cuando estamos en polarizacin inversa
como la de recombinacin cuando estamos en polarizacin directa. La expresin de IN RM es:

VD
   
IN RM = IS exp 1 (3)
N VT
donde IS , representado en SPICE como IS, es la corriente de saturacin ideal del diodo y N es el

d
factor de idealidad. Obviamente como estamos tratando con la zona ideal, N valdr por defecto 1.

ri
Para el caso de unin N+ P, que estamos tratando, la corriente ser:

d
a
M
qn2i Dn
IS = (4)
Ln NA

e
d
El paso a alta inyeccin se controla a travs de KIN J , cuya expresin depende de un parmetro
se
SPICE, IKF, y es:
n
la

1. Para IKF > 0, KIN J =


q
IKF
te

IKF +IN RM
de
lu

2. Para IKF 0, KIN J = 1


os
p
m
n

donde IKF (IKF) es la corriente para la cual se da el cambio entre el rgimen ideal y el de alta
s
m

.e

inyeccin.
o
alu

m
C

Puede observarse de la frmula anterior que cuando la corriente IN RM es mucho ms pequea


c

que IKF el producto tiende a valer IN RM , mientras que cuando la tensin aplicada es tal que IN RM
de
d

.u
a

es mayor que IKF, el producto en la ecuacin 2 tiende a valer:


so

w
id
u

w
rs

VD
q  
IN RM KIN J = IS IKF exp (5)
ra

2VT
e
Pa
iv

Si se comparan estas expresiones con las expresiones fsicas para el diodo propuesto se encuentra sin
:/
n

dicultad:
U

4q Dn ni
tt

IKF = (6)
Ln
h

El valor exacto de IKF no es sencillo de encontrar experimentalmente puesto que corresponde con el
encuentro entre la extrapolacin de la zona ideal y de la de alta inyeccin, que es un valor que no se
alcanza experimentalmente ya que, al valor de tensin en que se cambia de rgimen, le corresponde
una corriente IKF2 , como se puede demostrar con unos sencillos clculos.
Si IKF no se especica toma valor por defecto innito con lo que que KIN J se hace 1 en todo
el rango de corrientes.

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El Diodo segn SPICE

Con respecto a las corrientes de generacin y recombinacin las expresiones de IREC y KGEN
son:
VD
   
IREC = ISR exp 1 (7)
NR VT
" 2 #M/2
VD
KGEN = 1 + 0,005 (8)
VJ
Siendo ISR (ISR), NR (NR), VJ (VJ) y M (M) parmetros que se pueden proporcionar al modelo
SPICE. En estas expresiones, ISR es la corriente de saturacin del mecanismo de recombinacin, NR
es el factor de idealidad de este mecanismo (nominalmente, 2) y M es el ndice de gradualidad de la
unin, que vale 1/2 para uniones abruptas y 1/3 para graduales. Si estamos en polarizacin inversa,

d
VD es negativo por lo que la exponencial desaparece y, en el trmino KGEN , 0.005 es despreciable

ri
 2
frente a 1 VVDJ , por lo que el producto queda:

d
a
M
M
VD

IF W D = ISR 1 (9)
VJ

e
d
Si se recuerda la expresin de la corriente de generacin es JGEN = qni W

donde era:
se
   
n

ET Ei Ei ET
n exp + p exp
la

kT kT
(10)
te

=
n p NT
de
lu

expresin que queda reducida a:


os
p

2
(11)
m
n

=
m

NT
.e
o
alu

si las trampas estn en el centro de la banda y las secciones ecaces son iguales para electrones y
m
C

huecos. Por otra parte, la anchura de la zona espacial es dependiente de la tensin de forma:
c
de
d

.u
a

W = (VJ VD )M (12)
so

w
id
u

w
rs

De las anteriores relaciones se deduce inmediatamente que:


ra

w
e
Pa
iv

1
:/

ISR = q ni NT W0 (13)
n

2
U

p
tt

donde W0 es la anchura de vaciamiento a potencial aplicado nulo.


h

En polarizacin directa aparece la exponencial multiplicando a ISR y el trmino KGEN prcti-


camente se hace igual a 1, puesto que VD se aproxima a VJ. El trmino constante 0.005 se aade
para que esta desaparicin sea ms efectiva en polarizacin directa.
El trmino IREV modela, como ya se ha dicho, la ruptura. Para ello usa dos exponenciales de la
forma:
IREV = IREV,HIGH + IREV,LOW (14)

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El Diodo segn SPICE

donde
VD + BV
 
IREV,HIGH = IBV exp (15)
NBV VT
VD + BV
 
IREV,LOW = IBV L exp (16)
NBV L VT
En estas expresiones BV es el potencial de ruptura, siendo complementado en SPICE con los
parmetros IBV (IBV ), IBVL (IBV L ), NBV (NBV ) y NBVL (NBV L ). Todos los parmetros se
entienden como positivos y han de hallarse experimentalmente.

2. Capacidades

d
ri
Como ya conocemos a travs de la fsica del dispositivo, existen dos capacidades diferentes que

d
a
se modelan por separado, siendo la capacidad total la suma:

M
CT = CD + CJ (17)

e
d
donde CT es la capacidad total, CD es la capacidad de difusin o de trnsito y CJ es la capacidad
se
de vaciamiento o de unin.
n
la

La capacidad de difusin, CD es, segn SPICE:


te
de
lu

CD = T gD (18)
os
p
m
n

donde T , simbolizado en SPICE como TT, es el tiempo caracterstico de acumulacin de los


m

.e
o
alu

portadores en las zonas neutras y gD es la conductancia del diodo denida como:


m
C

c
de

d
d

(19)
.u

gD = (KIN J IN RM + KGEN IREC )


a

dVD
so

w
id

De acuerdo con el modelo de admitancias, la capacidad de difusin CD (o Ct segn SPICE) vale:


u

w
rs
ra

w
e


Pa

CD = gD (20)
iv

2
:/
n

con lo que la asimilacin TT = /2 es inmediata. Recordemos que esta es un tiempo promedio


U

p
tt

entre los tiempos de vida de los electrones y huecos denido como:


h

DP pn0 p Ln + Dn np0 n Lp
= (21)
DP pn0 Ln + Dn np0 Lp

expresin que, para el caso que estamos analizando, coincide con el tiempo de vida para los electrones
en la zona P.
Con respecto a la capacidad de transicin o de unin, SPICE usa dos frmulas diferentes depen-
diendo del margen de tensin de polarizacin. Para ello introduce un parmetro que llama FC, de

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El Diodo segn SPICE

forma que:
VD M
 
Si VD < F C VJ , entonces CJ = CJ0 1 VJ
 
Si VD > F C VJ , entonces CJ = CJ0 (1 F C)(1+M ) 1 F C (1 + M ) + M VD
VJ

El valor por defecto de FC es 0.5, lo que indica que para la zona de potenciales inversos o incluso
ligeramente directos la expresin de la capacidad de transicin es la habitual, siendo CJ0 (CJO) la
capacidad de unin medida a potencial cero.

3. Efectos de la temperatura sobre corrientes y poten-

d
ri
ciales

d
a
M
En SPICE se puede especicar una temperatura nominal, que ser la habitual de funcionamien-
to para todos los dispositivos y que llamaremos TN OM (TNOM en .OPTIONS). Sin embargo

e
podemos simular el circuito a otras temperaturas. Llamaremos T a la temperatura como variable

d
(TEMP en .OPTIONS). Por lo tanto hay que especicar las ecuaciones segn las cuales todos
se
las corrientes y tensiones dependen de la temperatura.
n
la
te
de

3.1. Dependencia de las corrientes de saturacin


lu
os
p

Las corrientes de saturacin son los parmetros ms fuertemente dependientes de la temperatura


m
n

y, por tanto los ms importantes de modelar correctamente. SPICE usa la siguiente expresin para
m

.e
o
alu

la dependencia de la corriente de saturacin ideal:


m
C

c
de
d

" #  XT I/N


T EG T
.u


IS (T ) = IS exp 1 (22)
a

TN OM N q VT TN OM
so

w
id
u

Recordemos que IS, TNOM y N son parmetros SPICE denidos previamente, EG (EG) es el
rs
ra

ancho de banda prohibida del semiconductor y XTI es el exponente de la dependencia con la


e
Pa
iv

temperatura. Valdr por defecto 3, por las razones que a continuacin veremos. Esta expresin es
:/
n

sencilla de deducir si tenemos en cuenta la expresin de la corriente de saturacin ideal, mostrada


U

en la ecuacin 4, en la que:
tt

EG
 
n2i = NC NV exp (23)
h

k T
!3/2
2 me kT
NC = 2 (24)
h
!3/2
2 mh kT
NV = 2 (25)
h
de donde se deduce la expresin de SPICE sin ms que operar.

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El Diodo segn SPICE

Respecto a la corriente de saturacin en la zona dominada por la recombinacin la expresin


usada es: " #  XT I/NR
T EG T

ISR (T ) = ISR exp 1 (26)
TN OM NR q VT TN OM
Puede reconocerse que la expresin es similar a la ecuacin 22 reemplazando N por NR. Esta
expresin es inmediata si se tiene en cuenta que esta corriente depende de ni mientras que la
anterior (zona ideal) dependa de n2i .

3.2. Dependencia de los dems parmetros

d
La dependencia de IKF es mucho ms dbil que la de las corrientes de saturacin. Para el caso de

ri
una unin N+ P, vimos que su expresin estaba recogida en la ecuacin 6, por lo que las variaciones

d
con la temperatura solamente pueden provenir del coeciente de difusin a travs de la movilidad.

a
M
SPICE considera sucientemente preciso un ajuste lineal de la forma:

e
IKF (T ) = IKF (1 + TIKF (T TN OM )) (27)

d
se
siendo, evidentemente, TIKF (TIKF) el coeciente lineal de variacin con la temperatura del codo
n

de paso a alta inyeccin (IKF (IKF), T (TEMP) y TN OM (TNOM) han sido denidos con
la
te

anterioridad).
de
lu

Con respecto a la tensin de ruptura (BV) la expresin es algo ms complicada porque se supone
os
p

la posibilidad de ajuste lineal y cuadrtico:


m
n

s
m

.e
o

h i
BV (T ) = BV 1 + TBV 1 (T TN OM ) + TBV 2 (T TN OM )2 (28)
alu

m
C

c
de

Con TBV 1 (TBV1) y TBV 2 (TBV2) dos parmetros trmicos. De la misma forma la resistencia
d

.u
a

serie (debida a zonas neutras y contactos) es similar a otras resistencias:


so

w
id
u

w
rs

h i
RS (T ) = RS 1 + TRS1 (T TN OM ) + TRS2 (T TN OM )2 (29)
ra

w
e
Pa
iv

siendo RS (RS), TRS1 (TRS1) y TRS2 (TRS2) diversos parmetros SPICE.


:/
n

El potencial de contacto vara con la temperatura de forma distinta a los anteriores:


U

p
tt

T T T
 
VJ (T ) = VJ 3VT ln EG (30)
h

+ EG (T )
TN OM TN OM TN OM

En esta expresin pueden reconocerse algunos parmetros SPICE como VJ, TNOM, o EG. Otro
parmetro adicional es la evolucin de EG en funcin de la temperatura, que, en el caso del silicio,
SPICE calcula en eV como:
T2
EG (T ) = 1,16 0,000702 (31)
T + 1108

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El Diodo segn SPICE

Otros semiconductores no se han implementado en SPICE. Esta expresin puede deducirse a partir
de:
NA ND
!
VJ = VT ln (32)
n2i
Finalmente, la variacin con la temperatura de la capacidad de transicin se expresa como:
!!!
VJ (T )
CJ0 (T ) = Cj0 1 + M 0,0004(T TN OM )+ 1 (33)
VJ

La mayor parte de los parmetros incluidos ya se denieron con anterioridad.

d
ri
4. Ruido

d
a
El ruido en el diodo proviene por una parte de la resistencia asociada a zonas neutras y contactos

M
(blanco) y el ruido proveniente de la conduccin a travs de la zona de vaciamiento (shot y icker ).
El ruido de la resistencia se modela como una fuente de corriente alterna que, suponiendo un ancho

e
d
de banda de 1Hz, tiene una densidad espectral de potencia por unidad de ancho de banda:
se
4k T
(34)
n

IN2 =
la

RS
te
de
lu

RS es la resistencia parsita, que se modela en SPICE como RS. El ruido generado intrnsecamente
os

en el diodo no es blanco como el anterior y su expresin es:


p
m
n

s
m

.e

AF
ID
o

IN2 = 2q ID + KF (35)
alu

m
C

f
c
de
d

donde KF (KF) y AF (AF) dos parmetros llamados coeciente y exponente de ruido.


.u
a
so

w
id
u

w
rs

5. Ejemplos de diodos reales


ra

w
e
Pa
iv

A continuacin, se muestran los modelos SPICE de algunos diodos sobradamente conocidos y


:/
n

de amplio uso en el diseo electrnico con componentes discretos.


U

p
tt

5.1. 1N4148
h

Diodo de silicio de conmutacin rpida. Versin proporcionada por Fairchild Semiconductors.

.model D1N4148 D(Is=5.84n N=1.94 Rs=.7017 Ikf=44.17m Xti=3 Eg=1.11 Cjo=.95p

+ M=.55 Vj=.75 Fc=.5 Isr=11.07n Nr=2.088 Bv=100 Ibv=100u Tt=11.07n)

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El Diodo segn SPICE

5.2. BAT54

Diodo Schottky tpico. Versin proporcionada por Fairchild Semiconductors.

.model BAT54 D(Is=31.12n N=1.048 Rs=1.256 Ikf=0 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=13.36p M=.3913

+ Vj=.3905 Fc=.5 Isr=2.465u Nr=2 Bv=50 Ibv=10u)

5.3. BZX284-6V2

Diodo Zener con tensin de ruptura en torno a 6.2 V. Versin proporcionada por NXP.

d
.model BZX284-B6V2 D (IS=2.6665E-18 N=.82284 RS=.51617 IKF=11.760E-3

ri
d
+ CJO=167.78E-12 M=.37745 VJ=.86869 ISR=48.886E-9 BV=6.3329 IBV=.94329

a
M
+ TT=121.76E-9)

e
d
5.4. LXHL-BW02
se
Diodo LED de GaAs. Versin proporcionada por LTSPICE-IV.
n
la
te

.model LXHL-BW02 D(Is=4.5e-20 Rs=.85 N=2.6 Cjo=1.18n Iave=400mA Vpk=5)


de
lu

Puede apreciarse que aparecen dos parmetros no convencionales propios de este dialecto SPICE
os
p

(IAVE, VPK). Ambos estn relacionados con la capacidad de disipacin del dispositivo.
m
n

s
m

.e
o
alu

m
C

c
de
d

.u
a
so

w
id
u

w
rs
ra

w
e
Pa
iv

/
:/
n
U

p
tt
h

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 8