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Tesis
PARA OBTENER EL GRADO EN ING. ELECTROMECÁNICA
PRESENTAN:
ASESOR:
M.I. Alberto Juárez Castro.
El uso de la energía solar ha sido utilizado desde hace muchos años con
diferentes objetivos, pero fue alrededor de 1839 cuando el científico francés
Alexander Edmon Becquerel, en una ocasión experimentado con una pila
electrolítica sumergida en una sustancia de las mismas propiedades, observo
que después al exponerla a la luz generaba más electricidad, así fue como
descubrió el “efecto fotovoltaico” que consiste en la conversión de la luz del
sol en energía electica.
En 1885 el profesor w. Grylls Adams experimento con el selenio (elemento
semiconductor) como reaccionaba con la luz y descubrió que se generaba un
flujo de electricidad conocida como el efecto fotoeléctrico.
Charles Fritts en 1893, fue quien invento la primera célula solar, conformada
de láminas de revestimiento de selenio con una fina capa de oro, estas células
se utilizaron para sensores de luz en la exposición de cámaras fotográficas.
Albert Einstein invento más a fondo sobre el efecto fotoeléctrico y descubrió
que al iluminar con luz violeta (que es de alta frecuencia) los fotones pueden
arrancar los electrones de un metal y producir corriente eléctrica. Esta
investigación de permitió ganar el premio Nobel de Física en 1921.
El inventor estadounidense Russel Oh creo y patento las primeras células
solares de silicio en 1946, pero Gerald Pearson de laboratorios Bells por
accidente. Experimento en la electrónica creo una célula fotovoltaica más
eficiente con silicio, gracias a esto Dary Chaplin y Calvin Fuller.
1.5 Objetivo.
El objetivo de este trabajo de investigación es que mediante varias pruebas
realizadas determinar la eficiencia de los paneles fotovoltaicos de esta manera
tratar de mejorar su eficiencia mediante varias pruebas simuladas en software.
Hay variaciones en la cantidad de energía recibida, esto depende del año, hora
del día y la distancia que hay entre el sol y la tierra., figura 2.3. Otros
elementos por considerar son:
Geográficos.
Latitud.
Inclinación del suelo.
Atmosféricos.
Atmosfera (nubosidad).
Partículas en suspensión (naturales y antrópicas).
Vapor de agua, gases.
Otros.
Estación del año, hora del día.
Las variaciones de radiación varían dependiendo de la temporada del día,
en la siguiente Figura 2 se puede observar las diferentes variaciones que
hay en México, todo esto variara dependiendo de las estaciones de año.
Figura 2.- Radiación solar
Tabla 2.2.4.- Distribución Espectral de la energía radiada a partir de cuerpos negros a diferentes temperaturas
dQ
F=
dt
Esta es medida en Joules por segundos (equivalente a vatios que es una unidad
de potencia eléctrica). Por ejemplo, el flujo radiante del Sol es cercano a 3,86
x 1026 vatios. El flujo radiante por unidad de área (Energía/Área * Tiempo) es
llamado irradiancia (o densidad de flujo radiante). Esta magnitud de radiación
instantánea está expresada en unidades de potencia por unidad de superficie.
Por ejemplo, el piranometro de México mide la potencia promedio por metro
cuadrado cada minuto (W/m2). Estos valores se llevan a energía (en Wh/m 2) al
integrarlos en el tiempo (en este caso en una hora). La mejor manera de
satisfacer las necesidades de exactitud es realizando observaciones cada
minuto, incluso cuando los datos que finalmente se registrarán sean totales
integrados para períodos de hasta una hora o más (ej. acumulados diarios). Los
datos sencillos de un minuto pueden ser totales integrados o un flujo medio
calculado entre seis o más muestras.
En la tabla 5 se presentan las conversiones más importantes utilizadas en el
campo de la radiación.
UNIDAD Equivalencia
Vatio J/s
Wh 3600 J
Kwh 3.6 MJ
Wh 3.412 Btu
Caloría 4.187 Joule
Kcal/s 4.1868 Kw
MJ/m2 0.27778 Kwh/m2
Unidad Equivalencia
µW/cm² 0.01 W m-2
klux 18 µmol m-2 s-1
W m-2 4,6 µmol m-2 s-1
klux 4 W m-2
µmol m-2 s-1 1 µE m-2 s-1
klux 18 µE m-2 s-1
W m-2 4,6 µE m-2 s-1
donde Res es la distancia media entre la Tierra y el Sol (aprox. 1,5 x 1011 m)
y Rs es el radio solar (aprox. 7 x 108 m).
El anterior valor es muy similar al definido por las mediciones tomadas
durante la era espacial y que se muestran en la figura 5, donde se presenta
la constante solar medida por satélites en W/m2 durante el período 1978-2003.
En esta figura 5 se observa, que la constante varía con el tiempo, así como un
leve aumento en los mínimos de esta. También se aprecia el ciclo solar, en el
cual cada 11 años se presenta un máximo en la constante.
Las mediciones de la irradiación solar total (IST) basadas en satélites, han sido
corregidos con el fin de compensar las diferencias de calibración entre los
distintos instrumentos empleados para medir la IST (ver Figura 6).
Las variaciones de la constante solar dependen de la actividad solar asociada
al número de manchas presentes en la superficie solar y a cambios en la
distancia Tierra-Sol como consecuencia de la órbita elíptica terrestre. La
intensidad de la energía solar varía inversamente proporcional al cuadrado de
la distancia al Sol, entonces en el movimiento de translación de la Tierra
cambia la distancia Tierra-Sol durante el año originando una variación de la
radiación solar extraterrestre incidente sobre una superficie normal al rayo
solar como ilustra la Figura 7.
Ilustración 2.3.1.- Las celdas solares fotovoltaicas son pequeñas células hechas de
silicio cristalino o arseniuro de galio, ambos materiales fotoeléctricos y además
también son semiconductores.
La tensión que aparece entre las zonas, llamada barrera de potencial impide
que continúe el movimiento de cargas, ya que las cargas positivas de la zona
N repelen a los huecos que se acercan de P, y las cargas negativas de la zona P
repelen a los electrones que se acercan de N.
I m=I SC ¿
dV OC mV
=−2.3
dT C celula° C
AC Gef =PC + PQ
Figura 2.5. – Agrupación serie de células con una célula diferente al resto.
Figura 2.5.1.- Tensión de las células 1 y 4 para diferentes tensiones del módulo definido por
la agrupación serie.
Figura 2.5.2.- potencia de las células 1 y 4 para diferentes tensiones del módulo definido por
la agrupación serie
Figura 2.5.3.- Colocación de diodo de paso para evitar el fenómeno de punto caliente.
Figura 2.5.4.- Curva corriente- tensión de la agrupación serie de la figura 2.5.3 la corriente I 11
representa la corriente que circularía por la célula C11 si la célula C4 no representan problemas
Figura 3.2.- circuito equivalente para el modelo de diodo de una celda solar
S constante
Codigo en MATLAB
clear
clc
T=298; %condiciones ambientales a 29.85 °c
Tr=298; %condiciones estandar a 24.85°c
Ki=0.0062; % ISC
Kb=1.38065*10^-23; %constante de boltman
Ns=60; %celdas en serie
Np=1; %celdas en paralelo
Rp=360; %resistencia en paralelo del MF
Isc=8.80; %corriente de corto circuito
n=1.360; %factor de calidad
Voc=36.4; %voltaje de circuito abierto
q=1.6022*10^-19; %carga del electron
Eg0=1.166; %constante de la energia del semiconductor
alpha=0.473;
beta=636;
Eg=Eg0-(alpha*T*T)/(T+beta)*q; %temperatura nominal
Iso=Isc/(exp(q*Voc/(n*Ns*Kb*T))-1); %corriente de saturacion inversa
Vo=0:0.001:40;
S=[1000 800 600 400 200];
for i=1:5
Iph=(Isc+Ki*(T-Tr))*((S(i))/1000);
Irs=Iso*((T/Tr)^3)*exp(q*Eg/(Kb*n)*((1/Tr)-(1/T)));
I=Np*Iph-Irs*(exp(q*Vo./(Kb*T*n*Ns))-1)-(Vo/Rp);
P0=Vo.*I;
figure(1);
plot(Vo,I,'red');
title ('I-V curva @ temperatura constante 25 ªc');
axis([0 40 0 12]);
xlabel('Voltaje (V)');
ylabel('Corriente(A)');
hold on;
legend({'G=1000 w/m2','G=800 w/m2','G=600 w/m2','G=400 W/m2','G=200
w/m2'});
figure(2)
plot(Vo,P0,'blue');
title ('P-V curva @ temperatura constante 25 ªc');
axis([0 40 0 300]);
xlabel('Voltaje (V)');
ylabel('Potencia(W)');
hold on;
legend({'G=1000 w/m2','G=800 w/m2','G=600 w/m2','G=400 W/m2','G=200
w/m2'});
figure(3)
plot(I,P0,'black');
title ('P-I curva @ temperatura constante 25 ªc');
axis([0 10 0 300]);
xlabel('Corriente (A)');
ylabel('Potencia(W)');
hold on;
legend({'G=1000 w/m2','G=800 w/m2','G=600 w/m2','G=400 W/m2','G=200
w/m2'});
end
Resultado en grafica.
Codigo Tconstante.
clear
clc
T=298; %condiciones ambientales a 29.85 °c
Tr=298; %condiciones estandar a 24.85°c
Ki=0.0065; % ISC
Kb=1.38065*10^-23; %constante de boltman
Ns=36; %celdas en serie
Np=1; %celdas en paralelo
Rp=360.002; %resistencia en paralelo del MF
Iscr=3.8; %corriente de corto circuito
n=1.360; %factor de calidad
Voc=21.1; %voltaje de circuito abierto
q=1.6022*10^-19; %carga
Eg0=1.166;
alpha=0.473;
beta=636;
Eg=Eg0-(alpha*T*T)/(T+beta)*q; %temperatura nominal
Iso=Iscr/(exp(q*Voc/(n*Ns*Kb*T))-1); %corriente de saturacion inversa
Vo=0:0.001:60;
S=[1000 800 600 400 200];
for i=1:5
Iph=(Iscr+Ki*(T-Tr))*((S(i))/1000);
Irs=Iso*((T/Tr)^3)*exp(q*Eg/(Kb*n)*((1/Tr)-(1/T)));
I=Np*Iph-Irs*(exp(q*Vo./(Kb*T*n*Ns))-1)-(Vo/Rp);
P0=Vo.*I;
figure(1);
plot(Vo,I,'red');
title ('I-V curva @ temperatura constante 25 ªc');
axis([0 23 0 5]);
xlabel('Voltaje (V)');
ylabel('Corriente(A)');
hold on;
legend({'G=1000 w/m2','G=800 w/m2','G=600 w/m2','G=400 W/m2','G=200
w/m2'});
figure(2)
plot(Vo,P0,'blue');
title ('P-V curva @ temperatura constante 25 ªc');
axis([0 23 0 65]);
xlabel('Voltaje (V)');
ylabel('Potencia(W)');
hold on;
legend({'G=1000 w/m2','G=800 w/m2','G=600 w/m2','G=400 W/m2','G=200
w/m2'});
figure(3)
plot(I,P0,'black');
title ('P-I curva @ temperatura constante 25 ªc');
axis([0 4 0 65]);
xlabel('Corriente (A)');
ylabel('Potencia(W)');
hold on;
legend({'G=1000 w/m2','G=800 w/m2','G=600 w/m2','G=400 W/m2','G=200
w/m2'});
end
Graficas
Variadores h
clear
clc
T=298; %condiciones ambientales a 29.85 °c
Tr=298; %condiciones estandar a 24.85°c
Ki=0.0062; % ISC
Kb=1.38065*10^-23; %constante de boltman
Ns=60; %celdas en serie
Np=1; %celdas en paralelo
Rp=[5 10 50 100 500]; %resistencia en paralelo del MF
Isc=8.80; %corriente de corto circuito
n=1.360; %factor de calidad
Voc=36.4; %voltaje de circuito abierto
q=1.6022*10^-19; %carga del electron
Eg0=1.166; %constante de la energia del semiconductor
alpha=0.473;
beta=636;
Eg=Eg0-(alpha*T*T)/(T+beta)*q; %temperatura nominal
Iso=Isc/(exp(q*Voc/(n*Ns*Kb*T))-1); %corriente de saturacion inversa
Vo=0:0.001:40;
S=1000;
for i=1:5
Iph=(Isc+Ki*(T-Tr))*((S)/1000);
Irs=Iso*((T/Tr)^3)*exp(q*Eg/(Kb*n)*((1/Tr)-(1/T)));
I=Np*Iph-Irs*(exp(q*Vo./(Kb*T*n*Ns))-1)-(Vo/Rp(i));
P0=Vo.*I;
figure(1);
plot(Vo,I,'red');
title ('I-V curva @ temperatura constante 25 ºc y a una irradiancia de
1000 w/m2');
axis([0 40 0 12]);
xlabel('Voltaje (V)');
ylabel('Corriente(A)');
hold on;
legend({'Rsh=5 ohms','Rsh=10 ohms','Rsh=50 ohms','Rsh=100 ohms','Rsh=500
ohms'});
figure(2)
plot(Vo,P0,'blue');
title ('P-V curva @ temperatura constante 25 ºc y a una irradiancia de
1000 w/m2');
axis([0 40 0 300]);
xlabel('Voltaje (V)');
ylabel('Potencia(W)');
hold on;
legend({'Rsh=5 ohms','Rsh=10 ohms','Rsh=50 ohms','Rsh=100 ohms','Rsh=500
ohms'});
figure(3)
plot(I,P0,'black');
title ('P-I curva @ temperatura constante 25 ºc y a una irradiancia de
1000 w/m2');
axis([0 10 0 300]);
xlabel('Corriente (A)');
ylabel('Potencia(W)');
hold on;
legend({'Rsh=5 ohms','Rsh=10 ohms','Rsh=50 ohms','Rsh=100 ohms','Rsh=500
ohms'});
end
Variadores s
clear
clc
T=298; %condiciones ambientales a 29.85 °c
Tr=298; %condiciones estandar a 24.85°c
Ki=0.0062; % ISC
Kb=1.38065*10^-23; %constante de boltman
Ns=60; %celdas en serie
Np=1; %celdas en paralelo
Rp=360; %resistencia en paralelo del MF
Isc=8.80; %corriente de corto circuito
n=1.360; %factor de calidad
Voc=36.4; %voltaje de circuito abierto
q=1.6022*10^-19; %carga del electron
Eg0=1.166; %constante de la energia del semiconductor
alpha=0.473;
beta=636;
Eg=Eg0-(alpha*T*T)/(T+beta)*q; %temperatura nominal
Iso=Isc/(exp(q*Voc/(n*Ns*Kb*T))-1); %corriente de saturacion inversa
Rs=[ 0.0001 0.01999 0.1 0.13 0.18];
Vo=0:0.001:40;
S=1000;
for s=1:5
Iph=(Isc+Ki*(T-Tr))*((S)/1000);
Irs=Iso*((T/Tr)^3)*exp(q*Eg/(Kb*n)*((1/Tr)-(1/T)));
I=Iph;
V=(Vo-I*Rs(s));
I=Np*Iph-Irs*(exp(q*V./(Kb*T*n*Ns))-1)-(V./Rp);
P0=Vo.*I;
figure(1);
plot(Vo,I,'red');
title ('I-V curva @ temperatura constante 25 ºc a irradiancia 1000
w/m2');
axis([0 40 0 12]);
xlabel('Voltaje (V)');
ylabel('Corriente(A)');
hold on;
legend({'Rs=0.0001 ohms','Rs=0.019 ohms','Rs=0.1 ohms','Rs=0.13
ohms','Rs=0.18 ohms'});
figure(2)
plot(Vo,P0,'blue');
title ('P-V curva @ temperatura constante 25 ºc a irradiancia 1000
w/m2');
axis([0 40 0 300]);
xlabel('Voltaje (V)');
ylabel('Potencia(W)');
hold on;
legend({'Rs=0.0001 ohms','Rs=0.019 ohms','Rs=0.1 ohms','Rs=0.13
ohms','Rs=0.18 ohms'});
figure(3)
plot(I,P0,'black');
title ('P-I curva @ temperatura constante 25 ºc a irradiancia 1000
w/m2');
axis([0 10 0 300]);
xlabel('Corriente (A)');
ylabel('Potencia(W)');
hold on;
legend({'Rs=0.0001 ohms','Rs=0.019 ohms','Rs=0.1 ohms','Rs=0.13
ohms','Rs=0.18 ohms'});
end
variando T
clear
clc
T=298; %condiciones ambientales a 29.85 °c
Tr=298; %condiciones estandar a 24.85°c
Ki=0.0062; % ISC
Kb=1.38065*10^-23; %constante de boltman
Ns=60; %celdas en serie
Np=1; %celdas en paralelo
Rp=360; %resistencia en paralelo del MF
Isc=8.80; %corriente de corto circuito
n=1.360; %factor de calidad
Voc=36.4; %voltaje de circuito abierto
q=1.6022*10^-19; %carga del electron
Eg0=1.166; %constante de la energia del semiconductor
alpha=0.473;
beta=636;
Eg=Eg0-(alpha*T*T)/(T+beta)*q; %temperatura nominal
Iso=Isc/(exp(q*Voc/(n*Ns*Kb*T))-1); %corriente de saturacion inversa
Vo=0:0.001:40;
S=1000;
Iph=(Isc+Ki*(T-Tr))*((S)/1000);
Irs=Iso*((T/Tr)^3)*exp(q*Eg/(Kb*n)*((1/Tr)-(1/T)));
I=Np*Iph-Irs*(exp(q*Vo./(Kb*T*n*Ns))-1)-(Vo/Rp);
P0=Vo.*I;
figure(1);
plot(Vo,I,'red');
title ('I-V curva @ Irradiancia constante 1000 w/m2');
axis([0 40 0 12]);
xlabel('Voltaje (V)');
ylabel('Corriente(A)');
hold on;
legend({'T=20 ºC','T=25 ºC','T=30 ºC','T=40 Cº','T=45 ºC'});
figure(2)
plot(Vo,P0,'blue');
title ('P-V curva @ Irradiancia constante 1000 w/m2');
axis([0 40 0 300]);
xlabel('Voltaje (V)');
ylabel('Potencia(W)');
hold on;
legend({'T=20 ºC','T=25 ºC','T=30 ºC','T=40 Cº','T=45 ºC'});
figure(3)
plot(I,P0,'black');
title ('P-I curva @ Irradiancia constante 1000 w/m2');
axis([0 10 0 300]);
xlabel('Corriente (A)');
ylabel('Potencia(W)');
hold on;
legend({'T=20 ºC','T=25 ºC','T=30 ºC','T=40 Cº','T=45 ºC'});
3.2.1 Efectos de la variación de radiación solar
En esta sección, comenzamos con el análisis de la irradiancia, a una constante
temperatura (25oC), para mostrar el comportamiento de la tensión, la corriente
y la potencia.
Tabla 3.1: Análisis de voltaje, corriente y potencia bajo cambios de radiación solar a 25oC.
Alcanzan sus valores más altos en esa condición. Además, las variables se ven
afectadas en la siguiente medida, el cambio de voltaje de 20,32 V a 18,2 V,
que representa un cambio de 9.10% mientras que en la corriente ocurre un
cambio de 3.83 A a 0.86 A que baja hasta el 23,88% de la energía máxima
posible, esto ocurre al 20,00% del total irradiancia.
Tabla 3.2: Análisis de voltaje, corriente y potencia bajo cambios de temperatura a 1000 W / m
Tabla 3.3: Análisis de voltaje, corriente y potencia bajo cambios de resistencia en derivación en 1000
W / m2 y 25oC.
Simulasion final
4.2.- conclusiones y recomendaciones.
Conclusión
Recomendación
Finalmente la recomendación en esta simulación es la continua mejora,
obteniendo más parámetros mayor punto óptimo de potencia, las simulaciones
nos ayuda para realizar diversos ejercicios y ejemplos que puede llevar a cabo
un sistema fotovoltaico de potencia, sin embargo en la calidad de la energía
vimos para mejor rendimiento de los equipos se necesita tener en óptimos
condiciones es decir en un lugar limpio y sin humedad a temperatura
ambiente, no tener riesgo del efecto joule ya que puede quitar el 50% de vida
útil. En realidad, el punto optimo de un sistema fotovoltaico se puede mejorar
en diversas simulaciones en diferentes programas y hacer una comparativa
entre ellos.
Referencias
Sistema de potencia.
Memoria descriptive de un panel fotovoltaico.
Ing. Erick Jonathan Ortega.
Salamanca, Guanajuato. 2016.