TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

CAMPUS CUAUHTÉMOC

UNIDAD 1
Resumen De Los Capítulos 1-4

QUE PRESENTA:
Kevin Estrada Valenzuela.
NO. CONTROL: 19610740

INGENIERÍA MECATRÓNICA
Electrónica De potencia.

CATEDRÁTICO:
Mario Alberto Anchondo Cuilty.

CD. CUAUHTÉMOC, CHIH. 03 DE AGOSTO DE 2022

Capitulo 1: introduccion a la electronica analogica.
La demanda de control de energia para los sistemas de impulsion con motores y de controles
industriales ha existido durante muchos años y ha conducido al temprano desarrollo del sistema
ward-leonard para la obtencion de voltajes variables de cd con los cuales controlar los impulsos
de motores de cd. La electronica de potencia ha revolucionado el concepto de control de potencia
de conversion de energia y del control de accionamientos de motores electricos.
En la electronica de potencia se combinan la potencia, la electronica y el control.

1.2 Dispositivos Semiconductores de

Potencia.

Desde que se desarrolló el primer

tiristor de SCR a finales de 1957
habido progresos importantes lo cual
nos lleva que a partir de 1970 se
desarrollaron varios tipos de
dispositivos semiconductores de
potencia, la mayor parte de los
dispositivos se fabricaron en silicio.
Éstos son los diodos de potencia,
transistores y tiristores. Dentro de los
diodos de potencia encontramos los bjt, los mosfet, los transistores bipolares y algunos otros
que forman parte de estos dispositivos.
Diodos de potencia.
Un diodo tiene dos terminales: Un cátodo y un ánodo, estos mismos los podemos también
identificar por su propósito, el cual encontramos que existe uno de alta velocidad y un diodo de
schottky. Los diodos recuperación rápida son esenciales para una conmutación de alta
frecuencia de los convertidores de potencia. Los diodos schottky tienen bajo voltaje de estado
activo y un tiempo de recuperación muy pequeño, sus capacidades se limitan a 100v, 300 A.
Tiristores.-un tiristor tiene tres terminales: un ánodo un cátodo y una compuerta, cuando se
hace pasar una corriente pequeña por la terminal de la compuerta hacia el cátodo,el tiristor
conduce siempre que la terminal del ánodo tenga mayor potencial que el cátodo. Estos se
consiguen con capacidades de hasta 6000v, 4500 A, el tiempo de apertura de los mismos a
mejorado ya que tienen mejores voltajes y tiempos de respuesta más rápidos, ademas de tener
un mejor bloqueo inverso.
Los rct y los gatt se usan mucho para conmutación de alta velocidad, en especial en aplicaciones
de tracción. Para aplicaciones en corriente alterna de baja potencia se usan mucho los Triac.
Los GTO y los SITH son tiristores de auto apertura.
Un MTO es una combinación de un GTO y un MOSFET, su estructura es parecida a la de un
GTO y conserva las ventajas del GTO de alto voltaje.
ICGCT se integra un tiristor conmutado por compuerta con un activador de compuerta de tarjeta
de circuito impreso.
Transistores de potencia.

Los transistores de potencia son 4; bjt, mosfet, igbt y sit, estos tienen tres patitas, base, emisor
y colector. Los transistores bipolares de alta potencia se suelen usar en convertidores de potencia
con frecuencias menores a los 10 kilo hertz y se aplican bien incapacidades de 1200 V y 400
amperes, por otra parte los mosfet se usan en convertidores de potencia y se consigue con
capacidad relativamente bajas de potencia de 1000 V y 100 amperes, en un intervalo de
frecuencia de varias decenas de kilo hertz, luego tenemos los igbt qué son transistores de
potencia de voltaje controlado. En forma inerte son más rápidos que los bjt pero no tan rápido
como los mosfet, sin embargo ofresen características muy superiores de activación. Los sit son
un dispositivo de potencia y alta frecuencia los tiempos de cerrado y apertura son muy cortos
teniendo una capacidad de 1200 V y 300 amperes una conmutación de 100 kilo hertz.
Características de control de los dispositivos de potencia.
Los dispositivos semiconductores pueden trabajar como conmutadores con señales de control,
la salida necesaria se obtiene haciendo variar el tiempo de conmutación, cuándo un dispositivo
semiconductor de potencia se encuentra en modo de conducción normal hay una caída de voltaje
pequeña a través de el.
Características y especificaciones de los interruptores.
La motivación del desarrollo es lograr las características de un super dispositivo.
Características ideales: Tenemos que cuando el interruptor está cerrado tiene que conducir una
gran cantidad de corriente directa, tiene que tener una caída de voltaje baja en estado cerrado y
una baja resistencia en el estado cerrado.
En este estado debe resistir un voltaje alto directo inverso, una baja corriente de fuga y una
resistencia en estaba abierto elevada.
Éste debe tener la mayor velocidad de apertura y de cerrado con altas frecuencias.
Tiene que tener impedancias térmicas muy pequeñas, la capacidad de sostener cualquier
corriente de falla durante largo tiempo y un coeficiente térmico negativo además de requerir que
su precio sea bajo.
Especificaciones del interruptor.
Capacidades de voltaje voltajes picos repetitivos directo inverso y caída de voltaje en sus
capacidades de corriente, tiene que tener corrientes promedio raíz cuadrada, media, pico, no
repetitivo y de fuga, en estado abierto en su velocidad encontramos que tiene que tener la menor
velocidad entre los cambios de estado cerrado abierto y viceversa tiene que tener las mínimas
pérdidas de conmutación tiene que tener las mejores áreas de operación segura y la mejor
resistencia térmica.
Tipos de circuitos electrónicos de potencia.
Para el control o el acondicionamiento de potencia eléctrica, es necesaria la conversión de
potencia eléctrica de una forma y que las características de conmutación de los dispositivos de
potencia permitan esas conversiones.
Rectificadores de diodo. convierte el voltaje de corriente alterna en voltaje fijo de corriente
directa.
Convertidores de corriente alterna a corriente alterna. estos se utilizan para obtener un
voltaje variable de corriente alterna con una fuente fija de corriente alterna y un convertidor
monofásico con un triac.
Convertidores de corriente directa a corriente directa. El puntaje promedio de salida se
controla siendo variar el tiempo de conducción del transistor
Convertidores de corriente directa corriente alterna. se hace con cuatro transistores en los
cuales dos conducen durante medio periodo y otros dos conducen durante la otra mitad el voltaje
de salida es alterna.
Diseño de equipo electrónica de potencia.
Para esto lo podemos dividir en cuatro partes el diseño de circuitos de potencia, protección
dispositivos de potencia, la determinación de la estrategia de control y el diseño de circuitos
lógicos y de compuerta. Cabe mencionar que antes de construir un prototipo el diseñador de
investigar los efectos de sus parámetros y de modificar el diseño si es necesario hasta obtener el
deseado.
Determinación del valor cuadra tico medio de las formas de onda.
Para determinar con exactitud las pérdidas por conducción se debe conocer los valores RMS,
tenemos que tener en cuenta que las formas de onda de corriente casi nunca son senoidales o
rectángulos sencillos y eso puede ocasionar algunos problemas para calcular los valores RMS.
Esto los podemos calcular con la siguiente fórmula.
En donde t es el periodo. si se puede descomponer una
forma de ondas armónica cuyos valores RMS se pueden
calcular en forma individual, los valores RMS la forma de
onda real se pueden aproximar en forma satisfactoria
combinando los valores RMS de los armónicos esto es el valor RMS en la forma de ondas que
se puede calcular con la siguiente ecuación.

Efectos periféricos.
El funcionamiento de los convertidores de potencia son principalmente la conmutación
dispositivos semiconductores de potencia, pero claro que estos introducen armónicos de
corriente de voltaje en el sistema que está suministrando la potencia, estos armónicos pueden
causar problemas de distorsión de voltaje de salida. Tenemos entre ellos el THD, DF y el IPF,
las cuales son medidas de calidad de una forma de onda. Para determinarlos se requiere
determinar el contenido de armónicos de la forma de onda. Para hablar el funcionamiento de un
convertidor de voltaje y las corrientes a la entrada y a la salida se expresan en una serie de
Fourier. La calidad de un convertidor de potencia se aprecia por la calidad de sus formas de
onda de voltaje de corriente.
Módulos de potencia.
Los dispositivos de potencia se consiguen como unidades aisladas o como módulos. Con
frecuencia un convertidor de potencia requiere 2,4,6 dispositivos dependiendo de su topología
los módulos de potencia con modulos dobles, cuádruple y 6 se consiguen para casi todas las
clases dispositivos de potencia los módulos tienen la ventaja de menos pérdidas en estado
cerrado y buenas características de las antes mencionadas.
Módulos inteligentes
Existen circuitos de excitación de compuerta o módulos individuales los cuales integran el
módulo de potencia y el circuito periférico, este mismo consiste en el selecciónamiento de la
entrada o la salida respecto a la interconexión con el sistema de señal de alto voltaje, un circuito
de protección y de diagnóstico. Los usuarios sólo deben conectar las fuentes de poder externas
para que esto funcione. Los circuitos analógico se usan para crear los sensores necesarios para
la autoprotección y para proporcionar ciclo rápido de retroalimentación, qué puedes suspender
sin peligro la operación cuando las condiciones del sistema no sean adecuadas para el mismo.
Tenemos que tener en cuenta que a medida que se desarrolla la tecnología estos dispositivos
semiconductores y también los circuitos que estos integran nos dan un mayor potencial para
poder incorporarlos en electrónica de potencia, tenemos ya una gran cantidad de dispositivos de
potencia que se consiguen fácilmente en el comercio mas sin embargo el desarrollo de los
mismos no ha parado en lo más mínimo siempre están buscando las mejores cualidades para
estos y hacer que sean lo más eficientes accesibles y oportunos para su trabajo.

2.0 Diodos semiconductores de potencia y circuitos.

El silicio es un elemento del grupo cuatro tiene cuatro electrones por átomos en su órbita externa
y su resistividad es demasiado baja para hacer un aislador y demasiada alta para hacer un
conductor y este es el material del cual están hechos los semiconductores resistividad de un
semiconductor intrínseco y sus portadores de carga disponibles para la conducción se pueden
cambiar con la implementación de la implantación de impurezas a este proceso le llamamos el
dopado.
Con el material que lo podemos dopar, lo podemos clasificar tambiédn en tipo N y el tipo P si
es el del inicio tenemos con una pequeña cantidad de un elemento del grupo cinco por ejemplo
tenemos el fósforo y el arsénico antimonio se le llama el dopado N si por el contrario nos vamos
con un elemento del grupo tres como es el boro, el galio, o indio entonces lo podremos llamar
como un semiconductor del tipo P en consecuencia hay electrones libres disponibles en un
material de tipo N y huecos libres disponibles son un material de tipo p gracias a lo que ya
mencionamos anteriormente de esta forma a los huecos se le llama portadores de mayoría y ha
los electrones se le llama portadores de minoría, en el tipo N los electrones portadores son de
mayoría y los huecos son portadores de minoría por las cualidades que tiene el que sea un tipo
N y el tipo p.
Características del Diodo
Un diodo de potencia es un dispositivo de unión PN con dos terminales cuando el potenciales
positivo con respecto al cátodo se dice que el diodo está polarizado directo y conduce
electricidad por otro lado cuando el potencial del cátodo es positivo con respecto al ánodo se
dice que el diodo está polarizado inverso, bajo condiciones de polarización inversa pasa una
corriente pequeña inversa, la cual está en el orden de los micros, esta corriente de fuga aumenta
la magnitud en forma paulatina hasta que llega el voltaje de avalancha o de zener.
El coeficiente de misión N depende del material y de la construcción física del diodo para los
diodos de germanio se considera que N es uno y para los de silicio el valor teórico es de dos
para la mayor parte de los dos prácticos de silicio el valor de N está entre 1.1 y 1.8.
 Nos encontramos también
con una ecuación en la v es
una constante lo cual es un
voltaje térmico y se define
por La ecuación 2.1

A una temperatura específica la corriente de fuga i es constante para un diodo, dado la Curva
característica del diodo la cual se representa en la imagen de arriba en la cual encontramos sus
diferentes regiones como lo es la región de polarización directa donde Vd es mayor a cero donde
la región de polarización inversa se encuentra en un valor de Vd menor a cero y la región de
rompimiento dónde Vd Es menor o igual a Vbr.
Región de polarización directa.
En esta región V es mayor al voltaje cero la corriente en el diodo es muy pequeña y si el voltaje
es menor al voltaje específico el diodo conduce en forma total.
Imaginemos un voltaje pequeño de diodo en el cual V es igual a .1v, n=1 y Vt=25.7m.
Podemos determinar lo con la ecuación dada;

Región de polarización inversa.

En esta región V es menor a cero lo cual nos indica que es negativo.

Región de rompimiento. El voltaje en sentido inverso es alto por lo general con una magnitud
mayor a 1000 V. El funcionamiento en la región de rompimiento no será destructivo siempre y
cuando la disipación de la corriente que dentro de un nivel de seguridad que se especifica en las
hojas del datos de fabricante.
Ejemplo Calcula la corriente de saturación.
La caída directa de voltaje de un diodo de potencia es: Vd=1.2v Id=300 A n=2 y. Vt=25mV
La solución se encuentra con la aplicación de la ecuación 2.1(esquina superior derecha). Cuál
es la cual se puede calcular la corriente de fuga.

Característica de recuperación inversa.

Una vez que un diodo está en modo de conducción directa y a continuación su corriente en
sentido directo, se reduce ha cero, el diodo continúa conduciendo por los portadores de minoría
que quedan almacenados en la unión pn.
Los portadores de minoría tienen un determinado tiempo para recombinarse con cargas opuestas
y así por lo dicho quedar neutralizados, a esto se le llama tiempo de recuperación inversa lo que
podemos encontrar es que la recuperación suave es la más común. El intervalo de tiempo entra
en instante en que la corriente pasa por cero durante el cambio de conducción directa a la
condición de bloqueo inverso y el momento en que la corriente en sentido inverso baja del 25%
de la variable de pico depende la temperatura de unión de la velocidad de la caída y el sentido
directo antes de la conmutación.
La carga recuperación inversa es la cantidad de portadores de carga que atraviesan al diodo en
el sentido de dirección inverso.

Se puede saber el tiempo de recuperación inversa y la corriente de pico, dependen de la carga

de almacenamiento y esta su vez depende de la corriente del diodo. Si un diodo está en condición
de polarización inversa pasa una corriente de fuga debido a los portadores de minoría en ese
caso a la aplicación de un voltaje en sentido directo forzaría al diodo a que condujera la corriente
en sentido directo pero para esto se requiere un cierto tiempo. Durante el tiempo de recuperación
el diodo se comportan de forma eficaz como cortocircuito y no es capaz de bloquear el voltaje
en sentido inverso así deja pasar la corriente en sentido inverso.

Tipos de diodos de potencia.

En un caso ideal éste no debería de tener un tiempo de recuperación sin embargo en la vida real
es algo más diferente, lo cual hace que encontremos diodos específicos en los cuales
encontramos los normales, los de recuperación rápida y los schottky.

Los diodos de propósito general. Son aquellos como los rectificadores los cuales tienen un
tiempo de recuperación la cual es mayor a los demás tipos estos se encuentran en aplicaciones
de baja velocidad en donde no es tan exigente la velocidad de este caso estos fácilmente cubren
corrientes menores a un Amper y arriba de miles de amperes y las especificaciones de voltaje
van desde los 50 V hasta los 5 kV,
Los diodos de recuperación rápida. al contrario de los diodos normales estos tienen un tiempo
mucho más corto en el rango de los 5 µs se usan en circuitos convertidores de corriente directa
corriente directa y de corriente directa a corriente alterna donde se importa la velocidad de
conmutación ya que de esto depende la frecuencia los podemos encontrar desde los 50 V hasta
los 3 kV ir de menos de una Amper hasta 200 amperes. Para voltajes mayores de 400 v los
diodos de recuperación rápida se suelen fabricar por difusión y el tiempo de recuperación se
controla difusión de platino.

Diodos schottky Esto se hacen cargo de eliminar el problema del almacenamiento de carga de
unión pn, ya que estos tienen un potencial de barrera la cual simula el comportamiento de una
unión pn. La acción rectificadora sólo depende de los portadores mayoría.
La carga recuperada de un diodo de este tipo es mucho menor que la de un diodo equivalente
pn.
Diodos de carburo de silicio
El carburo de silicio es un material relativamente nuevo en electrónica potencia, sus
características mejoran muchísimo más a las del silicio normal estos tienen ultrabajas pérdida
de potencia y gran fiabilidad no tienen un tiempo de recuperación inversa tienen un
comportamiento ultrarrápido en conmutación y la temperatura no influyen sobre el
comportamiento de conmutación.

Diodos conectados en serie.

Los diodos se conectan en serie para
aumentar sus posibilidades de
bloqueo inverso en la condición de
polarización directa ambos diodos
conduce a la misma cantidad de
corriente y en la caída de voltaje de
cada diodo en sentido directo sería
casi igual sin embargo en la condición
de bloqueo inverso cada diodo debe
conducir la misma corriente de fuga y
en consecuencia los voltajes de
bloqueo pueden ser distintos en forma
apreciable para encontrarle una
solución a esto hay que forzar la
partición de voltajes iguales
conectando una resistencia en
paralelo con cada diodo y debido a
esto la corriente de fuga de cada diodo
sería distinta.
Diodos conectados en paralelo.
Cuándo se conectan dos o más diodos en paralelo y es para aumentar la capacidad de conducción
de corriente y cumplir con los requisitos que se desean la repartición de corriente entre los diodos
debe estar de acuerdo con sus respectivas caídas de voltaje directo esto se puede lograr con
inductancia iguales o bien, conectando resistencias, este problema lo podemos solucionar
encontrando diodos con caídas iguales pero habría que hacer pruebas y sabemos que la vida real
no existe dicho caso.

Diodos con cargas RC y RL.

En el diagrama que se mostrará continuación se muestra un circuito con un diodo y una carga
RCI para simplificar se considera que el diodo es ideal cuando se cierra el interruptor en el
momento de igual a cero la corriente y que fluye por el capacitor se puede terminar partiendo
de los siguiente.

Diodos con cargas LC y Rl

A continuación se va a circuito con un diodo y carga LC
Diodos de corrida libre.
Si se cierra el interruptor cómo se llama esta en la figura siguiente durante un tiempo se establece
una corriente a través de la carga si después este mismo se abre se proporciona una trayectoria
para la corriente hacia la carga inductiva en el caso contrario se produciría un voltaje muy alto
y se disiparía el calor en el interruptor en forma de chispas la Trayectoria se proporciona
normalmente conectando un diodo éste lo conocemos como de corrida libre.

Tenemos dos métodos: El método uno habla que durante este modo la corriente en el diodo qué
es parecida a la de la siguiente ecuación.-
El método dos comienza cuando se abre el interruptor y la corriente en la carga comienza pasar
por el diodo de masa libre calculándose la siguiente forma.

Recuperación de la energía aprisionada con un diodo

En un circuito práctico es preferible mejorar la eficiencia regresando la energía almacenada la
fuente de abastecimiento lo podemos generar agregando al inductor un segundo devanado y
conectándolo con un diodo el inductor del devanado secundario se comportan como un
transformador respecto al voltaje uno y viceversa el devanado secundario facilita el regreso de
la energía.
3.0 Rectificadores con diodos
Rectificadores monofásicos de media onda
Un rectificador monofásico de media onda es un tipo muy simple de rectificador no se usan
aplicaciones industriales sin embargo es bueno conocerlo, el medio ciclo negativo del voltaje
de entrada el diodo está en condición de bloqueo lo cual hace que sólo tenga la media onda
positiva.

Rectificador de media onda en el circuito más simple la electrónica de potencia se usan fuentes
de poder de bajo costo y para artículos electrónicos como radios.
Parámetros de rendimiento
un rectificador es un proceso de potencia qué tiene que producir un voltaje a la salida y también
debe de mantener la corriente de entrada tan Sinusoidal como sea posible y en fase con el voltaje
de entrada para que el factor de potencia sea cercano a la unidad la calidad del procesamiento
de la potencia en el rectificador requiere tener el conocimiento de las armónicas de la corriente
de entrada el voltaje de salida y la corriente de salida se pueden usar los desarrollos de la serie
de Fourier para determinar el contenido armónicas de voltajes y corrientes.
Lo que nos hace llegar a las siguientes fórmulas.

Rectificadores monofásicos de onda completa

Un circuito rectificador de onda completa con un transformador con derivación central se verá
en la figura siguiente cada mitad del transformador con un diodo correspondiente actúa como
un rectificador de media onda y la salida de un rectificador de onda completa se ve en la figura
siguiente consumo no fluye corriente de corriente directa por el transformador no hay problema
de saturación de su núcleo.
El funcionamiento con los diodos para la rectificación es simple en el semi ciclo positivo Los
diodos uno y dos son los que conducen mientras que durante el semi ciclo negativo los diodos
3 y 4 son los que conducen ahora.
Rectificador monofásico de una completa con carga RL.
Con una carga resistido a la corriente de carga tiene forma de antical al voltaje de salida en la
práctica la mayor parte de las cargas son inductiva hasta cierto grado y la corriente depende de
los valores de resistencia. Lo cual nos hace llegar en la fórmula final:
Aquí tenemos un segundo caso donde la corriente discontinua donde la fórmula final llega a:

Rectificadores polifásicos en estrella

Para las mayores potencias se utilizan rectificadores trifásicos y polifásicos la serie furier del
voltaje de salida indica que la salida contiene armónicas y que es la componente fundamental
contiene una frecuencia doble en la práctica de normal usar un filtro para reducir el nivel de
armónicas en la carga el tamaño del filtro disminuye al aumentar la frecuencia de las armónicas
en circuito rectificador se puede extender a múltiples fases si se tiene levantados polifásicos en
el secundario del Transformador se puede considerar que este circuito equivale a Q
rectificadores.
Rectificador trifásico en puente
Se utiliza frecuentemente en aplicaciones de alta potencia es un rectificador de onda completa
y puede operar con o sin transformador produce rizos de seis pulsos en el voltaje de salida lo
cual es que tengamos seis diodos los cuál es el número del uno al seis cada uno conduce durante
120°
Ya que el voltaje en la línea está 30° adelantados el voltaje de fase los voltaje instantáneos a la
línea a línea se pueden producir y describir con una ecuación y el voltaje promedio con otra

Tenemos ecuaciones con las cuales podemos determinar Vm, Im y definir el voltaje instantáneo
de salida.

Comparaciones de rectificadores con Diodos.

El objetivo de un rectificador es proporcionar un voltaje de salida de corriente directa cuando
terminaba potencia salida es más conveniente expresar los parámetros de rendimiento en
términos de Vcd y Pcd.
Diseño de circuito rectificadores
El diseño de un rectificadora implica determinar las especificaciones de los diodo
semiconductor en las capacidades de los diodos se suen especificar en función de la corriente
promedio corriente RMS corriente pico y voltaje pico inverso.
Voltaje de salida con filtro LC.
Se supondría que el valor de c es muy grande porque su voltaje este libro de riesgo y tenga un
valor promedio l es la inductancia total incluyendo la de la fuente o de la línea en general se
coloca en un lado de la entrada para que tuve como inductancia de corriente alterna y no como
reactor de corriente directa.
Efectos de los inductancia de la fuente y de la car.
Se supuso que la fuente no tenía inductancia ni resistencia sin embargo en Transformadores y
en fuentes reales ésta siempre están presentes y los rendimientos de los rectificadores cambia
ligeramente el efecto de la inductancia de la fuente que es más significativo que el de la
resistencia se especifica en el siguiente diagrama el diodo que tiene el voltaje más positivo es el
que conduce la corriente no puede caer a cero en forma inmediata y la transferencia de corriente
no puede ser instantánea la corriente disminuye ya causa un voltaje inducido a través de la
inductancia y el voltaje de salida se vuelve cero al mismo tiempo la corriente a través aumenta
desde cero induce un voltaje igual a través de la inductancia dos el voltaje de salida viene hacer
V02 igual VBC menos V02 el resultado es que los voltajes de ánodo en los diodos D uno y d
tres son iguales y ambos diodos conducen durante cierto periodo llamado ángulo de
conmutación a esta transferencia de corriente de un diodo a otro se llama conmutación.

Para terminar existen diferentes tipos de rectificadores dependiendo de las conexiones de los
diodos y del transformador de entrada se definieron los parámetros de rendimiento de los
rectificadores y se demostrado que esos rendimientos varían en distintos tipos los rectificadores
generan armónicas en la carga y en la línea alimentación las cuales se pueden reducir mediante
Filtros también los rendimientos de los rectificadores están influidos por las inductancia Ch de
La Fuente y de la carga.

Transistores de potencia
Los transistores de potencia tienen características controladas encendido y apagado los
transistores se utilizan como elementos de conmutación se operan en la región desaturación y
produce una pequeña caída de voltaje en el estado encendido la velocidad de conmutación de
los transistores modernos es mucho mayor que la de los tiristores Y se emplean frecuentemente
convertidores de corriente directa corriente directa y corriente directa corriente alterna con
diodos conectados en paralelo inverso sus especificaciones nominales de voltaje de corriente
son menores que las de los tiristores Se emplean en aplicaciones de baja a mediana potencia.
Podemos encontrarnos con cinco diferentes tipos los transistores bipolares de unión los
transistores defecto de campo de metal óxido semiconductor los transistores de inducción
estática los transistores bipolares de compuerta aislada y los colmos.

Transistores bipolares de unión Un transistor bipolar se forma agregando una segunda región
Pn Éstos contienen tres terminales las cuales son el colector emisor y la base hay dos regiones
n+ Para el emisor del transistor npn y dos p+ para el emisor pnp.

Características en estado permanente

Aunque existen tres configuraciones posibles conector como un base emisor común la
configuración emisor común es la que generalmente se utiliza en aplicaciones de conmutación
existen tres regiones operación de corte activo y saturación en la región de corte el transistor
está abierto o apagado en la región activa el Transistor actúa como un amplificador la unión
colector base está polarizada inversamente en la unión colector emisor tiene polarización directa
en la región de saturación la corriente va a ser suficientemente alta como para el voltaje del
colector emisor se abajo y el transistor actúa como un interruptor.
 Características de conmutación
Una unión pn Con polarización directa contiene dos capacitancia es en paralelo una capacitancia
de la capa de agotamiento y una de difusión unión unión de este tipo con polarización inversa
sólo tiene la capacitancia de agotamiento a causa de las capacitancia internas El transistor no
enciende instantáneamente siempre existe un retardo el cual es llamado tiempo de retardo para
que hay un flujo de corriente por el colector este retardo se requiere para cargar la capacitancia
de la unión hasta el voltaje polarización directa el tiempo de subida t depende De la constante
de tiempo determinada por la capacitancia de la unión el caso normal la corriente va a ser >la
necesaria para saturar el transistor el resultado de esto es que excede la carga de vida de los
portadores minoritarios y se almacena en la región de la base cuando el voltaje de entrada se
invierte y la corriente base también cambia la corriente de colector no cambia durante un tiempo
esto llamado tiempo almacenamiento y se requiere t Para remover la carga de saturación de la
base como Vbe todavía dispositivo aproximadamente. 7 V invierte su dirección debido al
cambio de polaridad la corriente en sentido inverso ayuda a descargar la base y remover la carga
extra de Bazzi una vez removida la carga adicional la capacitancia de la unión se carga hasta el
voltaje de entrada y la corriente básica de acero la carga almacenada extra durante el apagado
Esta carga y cional se remueve primero en el tiempo el tiempo de encendido y la suma del
tiempo de retardo y el tiempo de su vida y el tiempo de apagado o tiempo desactivación es la
suma del tiempo almacenamiento y el tiempo de caída.
Límites de conmutación
Segunda avalancha es un fenómeno destructivo se debe al flujo de corriente por una pequeña
porción de la base reproduce puntos calientes localizados si está alcanza una temperatura
excesiva puede dañar al transistor.
Área de operación segura en polarización directa durante las condiciones de activación y estado
activo la temperatura limita la capacidad de manejo de potencia de un transistor.
Área de operación segura polarización inversa el tiempo de apagado debe sostener una gran
corriente y un alto voltaje el voltaje del colector a emisor debe mantenerse en un nivel seguro.
Pérdida de disipación de potencia la disipación máxima de potencia sexual especificar a una
temperatura a 25 °C y la temperatura ambiental aumenta el transistor no puede disipar la
potencia por otra parte si la temperatura de la unión es igual a 0 °C el dispositivo puede disipar
la potencia máxima lo cual no es práctico en consecuencia se debe tener en cuenta la temperatura
ambiental y la resistencia está mi casa al interpretar las especificaciones de los dispositivos.
Voltajes de ruptura el voltaje absoluto máximo entre dos terminales con la tercera terminal
abierta en corto o polarizada en forma directa o inversa un voltaje de ruptura permanece
relativamente constante durante la corriente aumenta con rapidez los fabricantes mencionan los
siguientes voltajes de ruptura.:Vebo El voltaje máximo entre la terminal del emisor y la de la
base con la terminal de Collector en circuito abierto.
V cev El voltaje máximo entre la terminal del conector en la terminal de la emisora un voltaje
negativo específico aplicando entre la base y el emisor.
Vceo El voltaje máximo de sostén entra a la terminal del conector y la terminal del emisor con
la base en circuito abierto.

Mosfet de potencia.
Un bjt Es un dispositivo controlado por corriente y requiere corriente de base para que pase
corriente en el colector un mosfet de potencia es un dispositivo controlado por voltaje la
velocidad de conmutación es muy alta y los tiempos de conmutación son del orden de
nanosegundos esto nos podemos encontrar en dos tipos los cuales son decremental es y
incrementales los decremental y son con un canal N se forma sobre un sustrato de silicio de tipo
P con dos regiones de silicio N+ muy dopado para formar conexiones de baja resistencia la
compuerta está aislada del canal por una capa muy delgada de óxido las tres terminales son
compuerta drenaje y fuente el sustrato se conecta a la fuente y puede ser positivo o -100 negativo
algunos de los electrones en el área del canal N son repelidos Y se crea una región de
agotamiento abajo de la capa de óxido dando como resultado un canal más angosto que puede
hacerse hasta desaparecer si se hace positivo el canal se incrementa haciéndose más ancho por
lo tanto aumenta la corriente.
Un mosfet De canal N de tipo incremental no tiene canal físico si V es positivo un voltaje
inducido atrás de los electrones del sustrato P y los acumula en la superficie bajo la carga de
óxido si V es mayor o igual a un valor llamado voltaje umbral se acumula una cantidad suficiente
de electrones para formar un canal N virtual ya que un mosfet decremental Permanece activo
con cero voltaje de compuerta y mientras que uno de tipo incremental permanece agotado con
cero voltaje el incremental es el que se utiliza como dispositivos de conmutación en electrónica
potencia cuando la puerta tiene un voltaje lo bastante positivo despertó la fuente atrae a los
electrones de la capa N hacia la capa P.
Esto requieren poca energía de compuerta y tienen una velocidad muy grande conmutación y
bajas pérdidas de conmutación las desventajas de estos es su alta resistencia en sentido directo
en estado activo por lo siguiente tiene grandes pérdidas en estado activo.
Características en estado permanente.
Los mosfet Son dispositivos controlados por voltaje en la compuerta toma una corriente de fuga
muy pequeña del orden de los nano amperes la ganancia de corriente no es un parámetro
importante encontramos la región de corte la región de estrechamiento saturación y la región
lineal debido a la gran corriente drenaje y a voltaje de drenaje estos operan en la región lineal.

Características de conmutación
Si no tiene señal de compuerta uno de tipo incremental se puede considerar como dos Diodos
conectados espalda con espalda el transistor del tipo N P N tiene una región con polarización
inversa de drenaje a la fuente y una forma una capacitancia C la región de base a emisor de un
transistor N P N se pone en corto en el dado del microcircuito se puede considerar que éste tiene
un diodo interno.
Coolmos
Tiene menos resistencia en estado activo en comparación con el dispositivo anterior y las
pérdidas de conmutación son cinco meses menores.
 Los portadores mayoritarios sólo
proporcionan la conductividad
eléctrica como no hay contribución
de corriente y por las pérdidas de
connotación son iguales a las de
dispositivo anterior se aumenta el
dopado de la capa que sostiene el
voltaje se inserta en bandas
verticales P para compensar el
exceso de carga N de este modo se
pueden obtener una distribución casi
horizontal del campo para mayores
voltajes de bloqueo sólo se tiene que
aumentar la profundidad de las
columnas estos dispositivos se
pueden usar en aplicaciones hasta el
límite de potencia de dos K V A.
Pueden reemplazar a los dispositivos anteriores en la mayor parte de los casos y en alguna
habitación en el circuito encontramos que frecuencias de conmutación mayores a los 100 kilo
hertz los dispositivos ofrecen una mejor capacidad de manejo de corriente como por ejemplo un
aria mínima requerida de microcircuito para determinar la corriente.

Sit
En esencia es la versión del tubo triodo De vacío pero en estado sólido es un dispositivo
estructura vertical con multi canales cortos.

Éste científico aún J F E

T excepto por la
construcción vertical y
de compuerta enterrada
Tiene corta longitud de
canal baja resistencia de
compuerta en serie baja
capacidad entre
compuerta y fuente y
pequeña resistencia
térmica pueden operar
con potencias de 100
kilos VA 100 kilo hertz o
de 10 V A a 10 giga Hearts y la velocidad de conmutación puede ser de hasta 100 kilos Hearts.
IGBT.
Se combinan las ventajas de los B J T y los M O S F E T este tiene alta impedancia de entrada
como los segundos y pocas pérdidas de connotación está activado como los primeros no tiene
ningún problema de segunda avalancha.

Esto se hacen con cuatro capas alternas de P N P N. Éstos tienen dos estructuras de perforación
y de no perforación en estructura de perforación el tiempo de conmutación se reduce usando
una capa de cumplimiento N muy dopada en la estructura de no perforación los portadores tienen
una vida mayor que en la primera lo que causa modulación de conductividad de la región de
corrimiento y reduce la caída de voltaje en estado encendido.
Esto sólo se encienden aplicándole un voltaje de compuerta positivo y requiere un circuito de
control muy simple.
Operación en serie y en paralelo
Pueden funcionar en serie para aumentar su capacidad de manejo de voltaje es muy importante
que los transistores conectados en serie se encienda y apague en forma simultánea ya que si no
pueden quedar sujetos al voltaje total del circuito de colector a emisor esto se conectan en
paralelo si un dispositivo no puede manejar la demanda de corriente.
Debemos tener en cuenta que existen los modelos spice de los anteriores casos manejados.

Conclusión.
En conclusión nos damos cuenta que en la actualidad la electrónica de potencia depende en
gran parte de lo que con semi conductores se produce ya hablando de diodos, transistores
integrados y todo lo demás, hemos aprendido cómo funciona y cómo se da paso desde el origen
aló que voy conocemos como los integrados y su evolución a lo que hoy podemos encontrar en
el mercado, las diferentes formas de cómo integrar todo lo que tenemos en un circuito que
complazca lo que nosotros necesitamos para tener un control adecuado, además de saber
realmente lo que tenemos en las placas de control y así mejorar el mantenimiento de las mismas.
Nos podemos dar cuenta que a veces no utilizamos también los integrados que tenemos a
nuestro alcance de la forma correcta y gracias a lo que hemos aprendido nos damos cuenta de
Para que realmente cada cosa hemos aprendido como tener los datos adecuados y tener el
conocimiento de nuestro sistema de control aplicado a la electrónica de potencia.