Materiales semiconductores tipo P y N

Con el proceso de dopaje se obtienen materiales semiconductores de Ge o Si de tipos diferentes. El

resultante de combinar Ge/Si con impurezas pentavalentes es de tipo N porque artificialmente se
crean más cargas negativas que positivas y en el caso de utilizar impurezas trivalentes se crea un
material de tipo P porque la cantidad de cargas positivas es mayor que las cargas negativas

Fósforo
Galio

Profesor Pedro J. Márquez A.

 Diodo de unión P-N
Los materiales semiconductores tipo P y N por sí solos no son útiles ni prácticos para la conducción
eléctrica, pero al unirse para formar una unión P-N se produce uno de los componentes más
importantes de la tecnología electrónica como lo es el diodo de unión o diodo rectificador.

P N

Profesor Pedro J. Márquez A.

 Diodo de unión P-N
En el momento que se forma la unión P-N se produce un desplazamiento de cargas en ambos materiales
por gradiente de concentración, en el material P hay mayor concentración de cargas positivas que
negativas y en el material N totalmente lo opuesto, esto trae como consecuencia que en la unión se
produzca un proceso de recombinación de cargas eléctricas opuestas generando una zona de
vaciamiento de cargas libres la cual tiene asociada una diferencia de potencial que se opone a la
posterior circulación de cargas llegándose a un equilibrio.

Portador
Minoritario

Portador
Minoritario

Profesor Pedro J. Márquez A.

 Potencial de barrera
La acumulación de cargas eléctricas opuestas separadas una distancia d es similar a lo que
se produce en un condensador de placas paralelas y de forma equivalente se desarrolla un
campo eléctrico con su respectiva diferencia de potencial. Por definición:

A esta diferencial de potencial (V) se le asocian las siguientes definiciones:

•Voltaje de unión, voltaje desarrollado en la unión P-N

•Voltaje de barrera, voltaje que se opone a la conducción eléctrica
•Voltaje de umbral, voltaje mínimo necesario para permitir una corriente
considerable a través del diodo en polarización directa.

Profesor Pedro J. Márquez A.

Diferencias entre diodos de Ge, Si y GaAs
Todos los dispositivos electrónicos tienen ventajas y desventajas así funcionen de forma similar, los
diodos de Ge, Si y el más reciente GaAs (Arseniuro de Galio) conducen una corriente importante en
un sentido (positivo) y muy poca corriente en sentido opuesto como se aprecia en la gráfica. Tienen
importantes diferencias en la región inversa donde quedaría como el mejor dispositivo el diodo de
GaAs (casi cero la corriente) de igual forma en la región directa la diferencia es notoria, donde “gana”
el diodo de Ge y “pierde” el diodo de GaAs y queda como dispositivo con propiedades intermedias el
diodo de Si tanto en la región inversa como en la región directa. Esto es lo que ha pasado en el
transcurso del tiempo.

Profesor Pedro J. Márquez A.

 Justificación del símbolo eléctrico
Cuando el diodo se polariza directamente circula una corriente de ánodo a cátodo en el orden de los
miliamperios y cuando se polariza en sentido inverso circula una corriente muy pequeña
(microamperios para el Ge y nanoamperios para el Si) lo que permite concluir que el diodo se puede
considerar como un interruptor controlado por el voltaje aplicado entre sus extremos. El símbolo está
conformado por una flecha (sentido de la corriente positiva) perpendicular a una raya que señala la
oposición a la circulación de la corriente hasta vencer el potencial de barrera (V).

Profesor Pedro J. Márquez A.

Semiconductores 01, Estructura Atómica, Intrínseco, Extrínseco, Impurezas pentavalentes,
trivalentes
https://www.youtube.com/watch?v=cy50YR7kr8c

Semiconductores 02, La unión PN, Semiconductor tipo P, Semiconductor tipo N

https://www.youtube.com/watch?v=lYAIJo26rMk

Semiconductores 03, Unión PN polarizada en directa, Diodo polarizado en directa

https://www.youtube.com/watch?v=H_5DTSGEiEg

Semiconductores 04, Unión PN polarizada en inversa, Diodo polarizado en inversa

https://www.youtube.com/watch?v=X0XscX9ugp0&list=PLvs4GyVYMn61K4WdJLTtU7iPnINdHU
HHM&index=4

Profesor Pedro J. Márquez A.

 Polarización del diodo
El diodo de unión P-N se puede polarizar de dos maneras:
1. Directamente: cuando se aplica una tensión positiva al ánodo y negativa al cátodo
2. Inversamente: cuando se aplica una tensión negativa al ánodo y positiva al cátodo

Profesor Pedro J. Márquez A.

 Polarización del diodo
Polarización
Directa

Portador
Minoritario

Id
Portador
Minoritario
Polarización
Inversa

Portador
Minoritario

-Id
Portador
Minoritario

Profesor Pedro J. Márquez A.

 Tipos de diodos
Dentro de la gama de diodos de unión se encuentran los siguientes:

Profesor Pedro J. Márquez A.

 Tipos de diodos
Dentro de la gama de los diodos rectificadores se tiene la siguiente serie o familia:

Profesor Pedro J. Márquez A.

El diodo de unión P-N fue el primer dispositivo desarrollado teniendo como base materiales
semiconductores, aunque ya se disponía de un dispositivo que realizaba las mismas funciones
(diodo de vacío), pero resolvió algunos de los problemas de su predecesor como eran el tamaño
físico y el consumo de energía y quizás más importante, sentó las bases para el desarrollo de los
siguientes componentes por desarrollar: los transistores de unión (BJT) y los transistores de
efecto de campo (FET y MOSFET) y los Circuitos Integrados, de los cuales se hablará más
adelante.

Profesor Pedro J. Márquez A.

Otros dispositivos desarrollados a partir del conocimiento de las propiedades de los materiales
semiconductores son los siguientes:

 LDR: resistencia dependiente de la luz

 Termistores: resistencia dependiente de la temperatura
 Fototransistores
 Opto acopladores

Profesor Pedro J. Márquez A.