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DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES EN
ELECTRONICA DE POTENCIA
En electrónica los dispositivos semiconductores se dividen dividir en tres grupos de acuerdo al
grado de controlabilidad.
CLASIFICACION:
DEFINICION:
1. Dispositivos no controlados:
Su comportamiento como circuito abierto mientras no haya más tensión en el ánodo que en el
cátodo, cuando entra en conducción presenta la caída de tensión directa ( <1.5)
Si el diodo se polariza directamente la conducción no cesa hasta que la corriente se
anula.
Este tiene dos clases: a) DIAC de tres capas: es similar a un transistor bipolar sin
conexión a base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. b)
DIAC de cuatro capas: consiste en dos diodos shock ley conectados en anti
aralelo dándole la caracter
Símbolo electrónico
tiristor sencillo
La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como
rectificadores es que su entrada en conducción estará controlada por la señal de
puerta. De esta forma se podrá variar la tensión continua de salida si se hace
variar el momento del disparo ya que se obtendrán diferentes ángulos de
conducción del ciclo de la tensión o corriente alterna de entrada. Además el tiristor
se bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya
que en este momento empezará a recibir tensión inversa.
· Controles de relevador.
Ø cumple con las funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador Actualmente se encuentran
prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores,
grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras,
automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores,
calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos celulares.
Ø Los transistores de potencia se dividen en diferentes tipos como:
IGBT: Transistores de puerta aislada, generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja
saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El
circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en
particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en
maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y
por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automóvil,
tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor, electrodoméstico, televisión,
domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc,
sus principales propiedades son: el manejo de altas potencias y tenciones, y
menos perdidas que mosfet.
MOSFET: transistor de efecto de campo FET de Metal Oxido Semiconductor" o
FET de compuerta aislada, es un arreglo de cientos de transistores integrados en
un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente total.
Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares
presentan limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensión, Es un dispositivo
extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para
estrangular o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en
conmutación. Su velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda
minimizando, así, lo que se denomina distorsión por fase.
La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que
el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo
Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de
puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS
se emplean para tratar señales de muy baja potencia.
Tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el
PNP es llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N"
está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al
drenaje (drain):
ofrecen dos ventajas sobre los MESFET’s y los JFET’s y ellas son:
Capacitancia en el MOSFET
varistos
grafica de varistos