Universidad Tecnológica de Panamá

C.R.U de Azuero

Materia: Electrónica de Potencia

Laboratorio # 1: FUNCIONAMIENTO TRANSISTORES BJT Y

MOSFET DE POTENCIA

Profesor: Orlando González

Estudiante: José Broce

9-752-1023

Grupo: 7IE251

Año: 2020
Objetivos: Simular circuito en Multisim y ver los puntos de operación del BJT y
MOSFET efectuando las mediciones solicitadas y elaborar un gráfico descriptivo.

Teoría:
Para la realización de este laboratorio se deben tener las siguientes
consideraciones:
• Se utilizará BJT NPN 2N2222 al cual se le realizaran mediciones bajo las
condiciones solicitadas.
• MosFet canal N utilizado como interruptor.
• Vamos a considerar las regiones de corte y saturación para este caso del
MOSFET Canal-n. Si el voltaje entre la compuerta y GND e menor que el voltaje
de umbral, el MOSFET está en corte. Es decir, fuente y drenaje no tienen
conducción. Si el voltaje de la compuerta (G) sea lo suficientemente grande como
para que la fuente y drenaje se comporte como un corto circuito entonces estaría
en saturación.
• Tomar en cuenta que estos circuitos se están realizando en un simulador por
ende aparecerán en condiciones de inicio valores de voltajes y corrientes menores
a microamperios, mili voltios, mili watts que no deben tomarse en cuenta.
Procedimientos:
1. Elabore en Multisim el circuito 1 suministrado.
2. Ajuste los parámetros de VB valor mínimo 0.3𝑉 valor máximo 5𝑉 incremento
2%.
3. Varíe VB y anote los valores de 𝐼𝐵, 𝐼𝐶, 𝑉𝐶𝐸. Hasta que VB sea igual a 5𝑉.
4. Observe los valores de 𝑉𝐶𝐸 cuando el transistor sale de la región de corte, entra
en la región operativa y entra en la región de saturación.
5. Observe el LED 1 en qué regiones enciende y verifique la potencia en el
transistor 𝑄1.
6. Con los valores medidos en el procedimiento 1 elabore un gráfico similar al
gráfico suministrado con 10 valores de 𝐼𝐵, donde se representen los tres estados
de operación del BJT.
7. Elabore en Multisim el circuito de la figura 2.
8. Ajuste los parámetros de 𝑉𝐵2 valor mínimo 1.5V, valor máximo 4.5V incremento
1%.
9. Varíe 𝑉𝐵2 y anote los valores de 𝑉𝐺, 𝑉 , 𝐼𝐷, 𝑉𝐷𝑆, 𝑃𝑄1 para cada variación de
𝑉𝐵2.
10. Con los valores medidos en el procedimiento 9 elabore un gráfico similar al
gráfico 2 con 5 valores de 𝑉𝐺 donde se demuestra el estado de conducción del
MOSFET.
11. Una vez terminados los pasos anteriores haga una comparativa entre el BJT y
el MOSFET.
Para el Transistor BJT:
Circuito armado:

Tabla de datos:

IB IC VCE
1.31E-07 7.25E-08 10.5
3.56E-06 0.000607 9.53
2.45E-05 0.0041 5.9
4.26E-05 0.00602 3.95
6.55E-05 0.00817 1.77
7.48E-05 0.00965 0.28
1.12E-04 0.00976 0.165
1.31E-04 0.00978 0.141
1.68E-04 0.00979 0.133
2.15E-04 0.00981 0.117

Gráfica:

BJT IC vs VCE

0.00965 0.00976 0.00978 0.00979 0.00981

0.00817

0.00602
IC

0.0041

0.000607
0.0000000725
10.5 9.53 5.9 3.95 1.77 0.28 0.165 0.141 0.133 0.117
VCE

Para el MOSFET:
Circuito armado:

Tabla de datos:
VDS (V) ID (A)
7.34E-11
10.1
0.00395
4.73
0.00582
2.83
0.00689
1.74
0.00854
0.0772
0.00856
0.0623

Gráfico:

MOSFET ID vs VDS
0.00854 0.00856

0.00689

0.00582
ID

0.00395

7.34E-11
10.1 4.73 2.83 1.74 0.0772 0.0623
VDS

Comparativa entre el BJT y el MOSFET:

  Observamos en el BJT que entre mayor sea la corriente de base, mayor
será la del colector. En el MOSFET la corriente de Gate es prácticamente 0.
 En el MOSFET la región de corte se da cuando el VGS es menor que el
voltaje umbral.
 Los BJT tienen un gran rango de corriente de base en las cuales el voltaje
base-emisor tiende a 0.7 V.
 La característica de salida del MOSFET encuentra la región activa cuando
el VDS es mayor que VGS-Vumbral.
 Ambos actúan como conmutadores en la región de corte-no conducción
cuando están normalmente apagados.

Conclusiones:
 En este laboratorio pude observar como los cambios de corriente y voltaje
afectan el funcionamiento de los BJT Y MOSFET, viendo en qué rangos de
voltaje se aprecian los cambios de estado o regiones de operación de los
mismos.
 Se observa que en el MOSFET el LED se enciende cerca de los 2.35 V lo
que nos indica que ese es el voltaje para que inicie su conducción.
 Se observa en el circuito de BJT que el LED enciende cerca de los 1.35 V,
indicando la región activa del mismo.
 La gráfica del MOSFET no es tan precisa como la del BJT debido a que
tiene menos datos.