EJEMPLOS DEL DOCUMENTO “TIRISTORES”

por: Dionisio Gallardo R. 6-720-495

DIODO DE CUATRO CAPAS.
Ejemplo 2-1. El diodo de cuatro capas empleado en el circuito de la figura 2-3 tiene una tensión
Venc= 10 V, Vs= 1 V, IS= 1.5 mA e Ienc= 200 uA. Si la fuente de tensión es V=50 V, calcule el
máximo y mínimo valor de R1 para la operación correcta del circuito.
Inicialmente se hace un análisis
de tensiones

V =I R1+ V C

Despejando R1
V −V C
R 1=
I
Para el cálculo del valor mínimo
de R1 V C =V S e I =I S

50−1
R1 mín = =32.67 k Ω
1.5 mA
Para el cálculo del valor máximo de R1 V C =V enc e I =I enc

50−10
R1 máx = =200 k Ω
200 uA
Ejemplo 2-2. Dado el circuito de la figura 2-4 en donde V enc= 10 V, Vs= 1 V e IS= 6 mA. Graficar
VD(t) y VR(t).

Ejemplo 2-3. A partir del circuito de la figura 2-7. Graficar V C y VR2. Si Venc=10 V, Ienc=500 uA,
VS=1.5 V e IS=10 mA.
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RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Ejemplo 2-4. El circuito de la figura 2-13 tiene una fuente de alimentación de 30sin(3πt) y
RL=20Ω. Determine:
a) El SCR apropiado de las especificaciones técnicas de la sección 2.3.2.
b) La corriente y la tensión de encendido requerida.
c) La tensión a la cual se apagará

Ejemplo 2-5. Dado el circuito de la figura 2-14, encontrar la potencia de salida en la carga, si
RL=15 Ω, VAK=1 V, VP=0.5 V e IP(máx)=2.5 mA, RP=1 kΩ.
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Ejemplo 2-6. Del circuito de la figura 2-16, encontrar el ángulo de disparo, el ángulo de
conducción y el ángulo de bloqueo.

Ejemplo 2-7. Si el circuito de la figura 2-16 tiene una fuente de c-a igual a 20sen(377t) y un
resistor de carga de 15Ω, y es encendido en algún lugar entre 10° y 90° con una corriente de disparo
de 15uA y una tensión de encendido de 2 V, determine los valores apropiados de los resistores R 1 y
R3 y el potenciómetro R2 con una corriente de I=155 uA a los 10°. El diodo es de silicio.

Ejemplo 2-8. A partir de los datos del ejemplo 2-7, calcular:

a. El ángulo de disparo
b. El tiempo de encendido
c. Graficar VP, IP, VAK, VL en función del tiempo.

Ejemplo 2-9. Calcular el factor de forma para θC=180°

Ejemplo 2-10. Si el circuito de la figura 2-19, D 1= D2 (de silicio) C1= 1 uF, RL= 10Ω,
Vent=50sen377t, θC(máx)=150°, Venc=20V, IP=200uA, IS = 1 mA, VP=0.5V.
Calcular (si el θr =10° a θC(máx)):
a. R1 y R2
b. PL

Ejemplo 2-10. Dado el circuito de la figura 2-24; E=120 V, R L=47Ω, C=1.2uF, VENC=±30V,
IENC=1 mA, IS=10 mA, la tensión de encendido del DIAC es 25 V. Encontrar:
a. Cuál es el valor de R1 con R2 en su menor valor
b. ¿Qué tiempo tarda en encenderse inicialmente el DIAC de acuerdo con las condiciones
anteriores?
c. ¿Cuál es el máximo valor de R2?
d. ¿Cuáles son la máxima y la mínima frecuencia de oscilación del circuito?
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Ejemplo 2-11. Del circuito de la figura 2-30b; Dado C 1 = C2 =0.47 uF, R3 =1 kΩ, RL =100Ω, el
ángulo de disparo máximo de 100° y el ángulo de disparo mínimo de 75°. La tensión de encendido
del DIAC y el TRIAC es ±35V, VS =28V, IENC =10 uA, IS =45uA, si VENT =120sen(377t). Encontrar:
a. Resistencia 1 y la resistencia 2.
b. Factor de forma
c. Voltaje efectivo con ángulo de conducción máximo
d. Potencia entregada a la carga con ángulo de conducción máximo.