EL DIODO SEMICONDUCTOR

CIRCUITOS
ELECTRONICOS I
EL DIODO SEMICONDUCTOR
• Un diodo está formado físicamente por la unión de dos materiales
semiconductores, uno de tipo n y el otro de tipo p
EL DIODO SIN POLARIZACION
• En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y
los huecos en la región de la unión se combinan y provocan una
carencia de portadores libres en la región próxima a la unión, como se
muestra en la figura.
EL DIODO SIN POLARIZACION
• Sin ninguna polarización aplicada a través de un diodo semiconductor,
el flujo neto de carga en una dirección es cero.
• En otras palabras, la corriente en condiciones sin polarización es cero.
EL DIODO CON POLARIZACION
INVERSA
• Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n
con la terminal positiva conectada al material tipo n y la negativa
conectada al material tipo p, el número de iones positivos
acumulados en la región de empobrecimiento del material tipo n se
incrementará por la gran cantidad de electrones libres atraídos por el
potencial positivo del voltaje aplicado.
• Por las mismas razones, el número de iones negativos repelidos de la
región de empobrecimiento se incrementará en el material tipo p.
EL DIODO CON POLARIZACION
INVERSA
EL DIODO CON POLARIZACION
DIRECTA
• La condición de polarización en directa o “encendido” se establece
aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial
negativo al tipo n.
• La aplicación de un potencial de polarización en directa VD
“presionará” a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el
material tipo p para que se recombinen con los iones próximos al
límite y reducirá el ancho de la región de empobrecimiento como se
muestra en la figura.
EL DIODO CON POLARIZACION
DIRECTA
EL DIODO CON POLARIZACION
DIRECTA
• En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, el
ancho de la región de empobrecimiento continuará reduciéndose
hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la unión, lo que
produce un crecimiento exponencial de la corriente.
• Se puede demostrar por medio de la física de estado sólido que las
características generales de un diodo semiconductor se pueden
definir mediante la siguiente ecuación, conocida como ecuación de
Shockley, para las regiones de polarización en directa y en inversa:
CURVA CARACTERISTICA
• La ecuación se muestra
gráficamente en la figura.
• La dirección definida de la
corriente convencional en la
región de voltaje positivo
corresponde a la punta de flecha
del símbolo de diodo.
• En la región negativa, se alcanza
rápidamente la corriente de
saturación inversa muy pequeña.
CURVA CARACTERISTICA
• El material semiconductor del
diodo condiciona el valor VD del
polarización.
• Los tres materiales má susados
son: Silicio (Si), Germanio (Ge) y
Arseniuro de Galio (GaAs).
EFECTOS DE LA TEMPERATURA
• En la región de polarización en
directa las características de un
diodo de silicio se desplazan a la
izquierda a razón de 2.5 mV por
grado centígrado de incremento
de temperatura.
• En la región de polarización en
inversa la corriente de saturación
en inversa de un diodo de silicio
se duplica por cada 10°C de
aumento de la temperatura.
EL DIODO IDEAL
• El diodo semiconductor se comporta
como un interruptor mecánico en el
sentido de que puede controlar el
flujo de corriente entre sus dos
terminales.
• Sin embargo, también es importante
tener en cuenta que el diodo
semiconductor es diferente del
interruptor mecánico en el sentido
de que cuando éste se cierra sólo
permite que la corriente fluya en una
dirección.
EL DIODO IDEAL
• La curva característica ideal se
puede generalizar como,lo
muestra la figura, comparándola
con la real.
• Esta generalización al diodo ideal
se puede hacer bajo ciertas
circunstancias específicas que no
siempre son adecuadas.
MODELO DEL DIODO
• Puede resultar una aproximación
más exacta, la que se conoce
como MODELO LINEAL POR
SEGMENTOS, en el cual se trata
de aproximar la zona de
polarización directa a un
comportamiento lineal.
MODELO DEL DIODO
• Esta generalización se puede simplificar aún más, aproximando la
resistencia dinámica del diodo en la región de polarización directa, a
un valor nulo.
• Una generalización más gruesa llevaría al modelo de diodo ideal
comentado previamente.
• En la figura siguiente se resumen estar tres formas de representar y
modelar un diodo semiconductor y el circuito equivalente de cada
una.
MODELO DEL DIODO