TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE REYNOSA

DIODOS Y TRANSISTORES
“RESÚMEN DEL BJT”
PRESENTA
BUSTAMANTE VÁZQUEZ OSCAR LEONARDO 20580116
GUERRA LUNA DANIELA SARAHÍ 20580126
GUZMÁN GONZÁLEZ VIVIANA JANETH 20580127
RODRÍGUEZ BARRIENTOS CHRISTIAN JAVIER 19580819
TURRUBIATES ZAVALA VALERIA 20580145
JENNIFER VILLARREAL GONZALES 19580831

INGENIERÍA ELECTRÓNICA

MEBC. EDGAR OCXIEL OCHOA HERRERA

REYNOSA, TAMAULIPAS, MÉXICO. A 21 DE OCTUBRE DEL 2022
Integrantes del Equipo

1. Bustamante Vázquez Oscar Leonardo

2. Guerra Luna Daniela Sarahí
3. Guzmán González Viviana Janeth
4. Rodríguez Barrientos Christian Javier
5. Turrubiates Zavala Valeria
6. Villarreal Gonzales Jennifer

1 2 3

4 5 6
Contenido
Integrantes del Equipo .......................................................................................................................... 2
2. Transistores BJT ............................................................................................................................... 4
2.1. Características, parámetros y punto de operación. ........................................................................ 4
2.2. Configuraciones de polarización. ............................................................................................. 8
2.2.1. Emisor común ......................................................................................................................... 8
2.2.1.1. Polarización fija ............................................................................................................... 11
2.2.1.2 Configuración de polarización de emisor ......................................................................... 12
2.2.1.3. Polarización por divisor de voltaje................................................................................... 16
2.2.1.4. Polarización por realimentación de colector. .................................................................. 18
2.2.2. Base común .......................................................................................................................... 20
2.2.3. Colector común ..................................................................................................................... 21
2.3. Conmutación ................................................................................................................................ 22
Condiciones Ideales ........................................................................................................................ 22
Condiciones Reales......................................................................................................................... 23
Tiempos de transición entre estados. .............................................................................................. 23
2.4. Estabilidad ................................................................................................................................... 24
Factores de Estabilidad ................................................................................................................... 25
Referencias ......................................................................................................................................... 27
2. Transistores BJT

2.1. Características, parámetros y punto de operación.

Cuando se conecta un transistor tanto tipo NPN como PNP a voltajes de polarización de cd, como
lo muestra la siguiente figura, VBB polariza en directa la unión base-emisor y VCC polariza en
inversa la unión base-colector. Aunque se utilizan símbolos de batería distintos para representar los
voltajes de polarización, en la práctica los voltajes a menudo provienen de una sola fuente de
alimentación de cd.

Por ejemplo, VCC normalmente se toma directamente de la salida de la fuente de alimentación y

VBB (más pequeño) puede ser producido por un divisor de voltaje. Beta de cd (βCD) y alfa de cd
(αCD). La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del colector
(IC) entre la corriente de cd de la base (IB) y se expresa como beta de cd (βCD).

Los valores típicos de βCD van desde 20 hasta 200 o más, βCD normalmente se expresa como un
parámetro híbrido (h) equivalente, hFE en hojas de datos de los transistores. Todo lo que se tiene
que saber hasta ahora es que:

El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor (IE) es el alfa de
cd (αCD). La alfa es un parámetro menos utilizado que la beta en circuitos con transistores.
En general, los valores de αCD van desde 0.95 hasta 0.99 o más, aunque αCD siempre es menor
que 1. La razón es que IC siempre es un poco menor que IE en una cantidad de IB. Por ejemplo, si:

IE = 100 mA e IB = 1 mA, entonces IC = 99 mA y αCD = 0.99.

Curvas características del colector

Con un circuito como el mostrado en la siguiente figura se puede generar un conjunto de curvas
características del colector que muestren cómo varía la corriente en el colector, IC, con el voltaje en
el colector con respecto al emisor, VCE, con valores especificados de corriente de base, IB. Observe
en el diagrama del circuito que tanto VBB como VCC son fuentes de voltaje variable.

Suponga que VBB se ajusta para que produzca un cierto valor de IB y que VCC es cero. En esta
condición, tanto la unión base-emisor como la unión base-colector están polarizadas en directa
porque la base está a aproximadamente 0.7 V, en tanto que el emisor y el colector están a 0 V.

La corriente de base circula a través de la unión base-emisor debido a la trayectoria de baja

impedancia hacia tierra y, por consiguiente, IC es cero. Cuando ambas uniones están polarizadas
en directa, el transistor se encuentra en la región de saturación de su operación.

Saturación: es el estado de un BJT en el cual la corriente en el colector alcanza un máximo

independientemente de la corriente en la base.
A medida que VCC se incrementa, VCE lo hace a medida que la corriente de colector se incrementa.
Esto es indicado por la parte de la curva característica entre los puntos A y B de la figura (b). IC se
incrementa a medida que VCC lo hace, porque VCE permanece a menos de 0.7 V debido a la unión
base-colector polarizada en directa.

Idealmente, cuando VCE excede de 0.7 V, la unión base-colector se polariza en inversa y el

transistor entra a la región lineal o activa de su operación. Una vez que la unión base-colector se
polariza en inversa, IC se nivela y permanece esencialmente constante para un valor dado de IB a
medida que VCE continúa incrementándose. En realidad, IC se incrementa muy poco a medida de
VCE se incrementa debido al ensanchamiento de la región de empobrecimiento base-colector. Esto
produce pocos huecos para recombinación en la base lo que efectivamente provoca un incremento
leve de βCD. Esto es mostrado por la parte de la curva característica entre los puntos B y C en la
figura(b). Para esta parte de la curva característica, la relación expresada como IC = βCDIB
determina el valor de IC.

Cuando VCE alcanza un voltaje suficientemente alto, la unión base-colector polarizada en inversa
entra en la condición de ruptura y la corriente de colector se incrementa con rapidez como lo indica
la parte de la curva a la derecha del punto C en la figura (b). Un transistor nunca debe ser operado
en esta región de ruptura.

Se produce una familia de curvas características cuando IC contra VCE se traza para varios valores
de IB, como lo ilustra la figura (c). Cuando IB = 0, el transistor se encuentra en la región de corte,
aunque existe un corriente de fuga muy pequeña en el colector, como se indica.

Corte: es el estado de no conducción de un transistor. La cantidad de corriente de fuga en el colector

con IB = 0 está exagerada en la gráfica en aras de la claridad.
Corte

Cuando IB = 0, el transistor se encuentra en la región de corte de su operación.

La terminal de la base abierta, lo que produce una corriente de cero en la base. En esta condición,
existe una cantidad muy pequeña de corriente de fuga en el colector, ICEO, debido principalmente
a portadores producidos térmicamente. Como ICEO es extremadamente pequeña, normalmente se
omite en el análisis de circuitos, de tal forma que VCE = VCC. En la región de corte, ni la unión base-
emisor ni la unión base-colector están polarizadas en directa. El subíndice CEO representa colector
con respecto a emisor con el base abierto.

Corte: La corriente de fuga en el colector (ICEO) es extremadamente pequeña y normalmente se

desprecia. Uniones base-emisor y base colector se polarizan en inversa.

Saturación: Conforme IB se incrementa a medida que VBB lo hace, IC también se incrementa y VCE
se reduce a causa de la caída de voltaje incrementada a través de RC. Cuando el transistor se va a
saturación, IC ya no se incrementa más pese al incremento adicional de IB. Las uniones base-emisor
y base-colector se polarizan en directa.

Recta de carga de CD

Las condiciones de corte y saturación pueden ser ilustradas en relación con las curvas
características de colector con el uso de una recta de carga. La siguiente figura muestra una recta
de carga de cd trazada sobre una familia de curvas que conecta el punto de corte y el punto de
saturación. La parte inferior de la recta de carga se encuentra en el punto de corte ideal donde IC =
0 y VCE = VCC. La parte superior de la recta de carga se encuentra en el punto de saturación donde
IC = IC (sat) y VCE = VCE (sat). Entre el punto de saturación y el punto de corte a lo largo de la recta
de carga se encuentra la región activa de la operación del transistor.

2.2. Configuraciones de polarización.

2.2.1. Emisor común

La configuración de transistor que más frecuentemente se encuentra aparece en la siguiente figura

para los transistores PNP y NPN. Se llama configuración en emisor común porque el emisor es
común o sirve de referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es común para las
terminales base y colector).
 Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su dirección convencional real. Aun cuando
la configuración del transistor cambió, las relaciones de corriente previamente desarrolladas para la
configuración en base común siguen siendo válidas. Es decir, IE _ IC + IB e IC _ aIE.
Para la configuración en emisor común, las características de salida son una gráfica de la corriente
de salida (IC) con el voltaje de salida (VCD) para un intervalo de valores de la corriente de entrada
(IB). Las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (IB) contra el voltaje de
entrada (VBE) para un intervalo de valores del voltaje de salida (VCE). Observe que en las
características de la siguiente figura la magnitud de IB está en micro amperes en comparación con
los miliamperes de IC.

En el modo de cd los niveles de IC e IB están relacionados por una cantidad llamada beta y definida
por la siguiente ecuación:

En situaciones de ca en Bca se define de la siguiente manera:

El nombre formal de Bca es factor de amplificación de corriente en directa en emisor común.

Es posible desarrollar una relación entre b y a por medio de las relaciones presentadas hasta ahora.
Con B = IC / IB, tenemos IB = IC / B y con a = IC / IE tenemos IE = IC /a. Sustituyendo en
Y dividiendo ambos miembros de la ecuación entre IC resulta:

De modo que:

Además, recuerde que:

Pero utilizando la equivalencia de

De donde, vemos que

Beta es un parámetro particularmente importante porque crea un vínculo directo entre los niveles de
los circuitos de salida y entrada para una configuración en emisor común. Es decir:

Y puesto que

Tenemos

Polarización
La polarización correcta de un amplificador en emisor común se determina de manera parecida a la
de la configuración en base común.
 2.2.1.1. Polarización fija

El circuito de polarización fija de la figura 4.2 es la configuración de polarización de cd más simple.

Aun cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y cálculos aplican igualmente bien para
una configuración del transistor pnp tan sólo con cambiar todas las direcciones de la corriente y las
polaridades del voltaje. Las direcciones de la corriente de la figura 4.2 son las direcciones reales y
la notación de doble subíndice estándar define los voltajes

Polarización en directa de la unión base-emisor

Considere primero la malla del circuito base-emisor de la figura 4.4. Al escribir la ley de voltajes de
Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj para la malla, obtenemos

Observe la polaridad de la caída de voltaje a través de RB como la estableció la dirección indicada

de IB. Resolviendo la ecuación para la corriente IB obtenemos:
El voltaje a través de RB es el voltaje aplicado a VCC en un extremo menos la caída a través de la
unión base a emisor Además como el voltaje de alimentación VCC y el voltaje de base a emisor VBE
son constantes, la selección de un resistor de base RB establece el límite de la corriente de base
para el punto de operación.

2.2.1.2 Configuración de polarización de emisor

La red de polarización de cd de la siguiente figura contiene un resistor emisor para mejorar la

estabilidad del nivel en relación con la de la configuración de polarización fija.

Malla base-emisor
Al escribir la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de las manecillas
del reloj obtenemos la siguiente ecuación:

+VCC - IBRB - VBE - IERE = 0

Donde

IE = (β + 1)IB

Sustituyendo IE en la ecuación:

VCC - IBRB - VBE – ( β+I )IBRE = 0

Entonces, agrupando los términos resulta lo siguiente:

-IB(RB + (β + 1)RE) + VCC - VBE = 0

Al multiplicar por (-1), tenemos:

IB(RB + β + 1)RE) - VCC + VBE = 0

Con:

IB(RB + (β + 1)RE) = VCC - VBE

y resolviendo para IB da:

El resistor emisor, el cual forma parte de la malla colector-emisor, “aparece como” (β + 1) RE en la

malla base-emisor. Como β por lo general es de 50 o más, el resistor emisor aparece con un valor
mucho más grande en el circuito de la base. En general, por consiguiente, para la configuración de
la siguiente figura.
Malla colector-emisor

Al escribir la ley de voltajes de Kirchhoff para la malla indicada en el sentido de las manecillas del
reloj, obtenemos

+IERE + VCE + ICRC - VCC = 0

Sustituyendo IE = IC y agrupando los términos da

VCE - VCC + IC(RC + RE)= 0

El voltaje de subíndice único VE es el voltaje del emisor a tierra y está determinado por

en tanto que el voltaje del colector a tierra se determina a partir de

VCE = VC - VE

O
El voltaje en la base con respecto a tierra se determina partir de

Estabilidad de polarización mejorada

La adición de un resistor emisor a la polarización de cd del BJT mejora la estabilidad, es decir, las
corrientes de polarización en cd y los voltajes permanecen próximos a los valores establecidos por
el circuito cuando las condiciones externas, como la temperatura y la beta del transistor, cambian.

Nivel de saturación

El nivel de saturación del colector o su corriente máxima en un diseño de polarización de emisor se

determina con el mismo procedimiento aplicado a la configuración de polarización fija.

La adición del resistor del emisor reduce el nivel de saturación en el colector por debajo del obtenido,
con una configuración de polarización fija con el mismo resistor del colector.

Análisis por medio de la recta de carga

El análisis por medio de la recta de carga de la red de polarización del emisor es ligeramente
diferente del de la configuración de polarización fija.

El nivel de IB determinado por la ecuación

define el nivel de IB en las características de la siguiente figura (denotado IBQ).

La ecuación de la malla colector-emisor que define la recta de carga es

VCE = VCC - IC(RC + RE)

Al elegir IC = 0 mA tenemos

como se obtuvo para la configuración de polarización fija. Al elegir VCE = 0 V obtenemos

Los diferentes niveles de IBQ, desde luego, mueven el punto Q hacia arriba o hacia abajo de la línea
de carga.

2.2.1.3. Polarización por divisor de voltaje.

En la configuración de polarización anterior, la corriente de polarización y el voltaje eran funciones

de la ganancia de corriente b del transistor. Sin embargo, como b es sensible a la temperatura, sobre
todo si se trata de transistores de silicio, y como el valor real de beta en general no está muy bien
definido, conviene desarrollar un circuito de polarización que dependa menos de, o que en realidad
sea independiente, de la beta del transistor. Si se analiza de una forma exacta, la sensibilidad a los
cambios en beta es muy pequeña. Si los parámetros del circuito se seleccionan apropiadamente,
los niveles resultantes de y son casi totalmente independientes de beta. Recuerde por los análisis
anteriores que el nivel fijo de y define un punto Q como se muestra en la siguiente figura.
EJEMPLO.

Determine el voltaje de polarización VCE y la corriente IC para la configuración de polarización del

divisor de voltaje de la siguiente figura.

Análisis aproximado

La sección de entrada de la configuración del divisor de voltaje la puede representar la red de la figura 4.36. La resistencia
Ries la resistencia equivalente entre la base y tierra del transistor con un resistor del emisor R E. Recuerde que la resistencia
reflejada entre la base y el emisor está definida por Si Ries mucho más grande que la resistenciaR2, la corriente IB será mucho
menor que I2(la corriente siempre busca la ruta de menor resistencia) e I 2 será aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la
aproximación de que IB es en esenciade 0 A comparada con I1o I2, entonces I1I2y R1y R2se pueden considerar como elementos
en serie. El voltaje a través de R2, el cual es en realidad el voltaje de la base se puede determinar utilizando la regla del divisor
de voltaje (de ahí el nombre de la configuración). Es decir:
2.2.1.4. Polarización por realimentación de colector.

También se puede obtener un mejor nivel de estabilidad introduciendo una trayectoria de

realimentación desde el colector a la base, como se muestra en la figura 4.39. Aun cuando el punto
Q no esto talmente independiente de beta (incluso en condiciones aproximadas), por lo común la
sensibilidad a los cambios de beta o las variaciones de la temperatura se presenta menos en las
configuraciones de polarización de emisor o de polarización fija. El análisis se realizará de nuevo,
examinando primero la malla base-emisor y luego aplicando los resultados a la malla colector-
emisor.

Malla base-emisor La figura 4.40 muestra la malla base-emisor para la configuración de

realimentación del volta-je. Es importante observar que la corriente a través de no es, sino (donde).
Sin embargo, el nivel de e excede por mucho el nivel normal de y por lo común se emplea la
aproximación.
La malla colector-emisor de la red de la figura 4.39 aparece en la figura 4.41. Al aplicar la ley de
voltajes de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de las manecillas del reloj el
resultado es

el cual es exactamente el que se obtuvo para las configuraciones de polarización de emisor y del
divisor de voltaje.
2.2.2. Base común

La configuración en base común se diferencia en que la señal aplicada está conectada al emisor y
la base está en, o un poco arriba, del potencial de tierra. Es una configuración bastante popular
porque en el dominio de ca tiene una muy baja impedancia de entrada, una alta impedancia de salida
y una buena ganancia.

En la figura 4.49 aparece una configuración en base común típica. Observe que en esta
configuración se utilizan dos fuentes y la base es la terminal común entre la terminal del emisor de
entrada y la terminal del colector de salida. El equivalente de cd del lado de entrada de la figura 4.49
aparece en la figura 4.50.

Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff obtendremos

- VEE + IERE + VBE = 0

Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff a todo el perímetro de la red

- VEE + IERE + VCE + ICRC - VCC = 0
Y
VCE = VEE + VCC - IERE - ICRC
Porque
IE = IC20
El voltaje VCB se determina aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff a la malla de salida para obtener
VCB + ICRC - VCC = 0
O
VCB = VCC - ICRC
Utilizando
IC = IE21
Tenemos

2.2.3. Colector común

En esta sección analizaremos una configuración donde la salida se toma de la terminal del emisor
como se muestra en la figura 4.46. La configuración de la figura 4.46 no es sólo la única donde la
salida se puede tomar de la terminal del emisor. De hecho, cualquiera de las configuraciones que
se acaban de describir se pueden utilizar mientras haya un resistor en la rama del emisor.

El equivalente de cd de la red de la figura 4.46 aparece en la figura 4.47

Al aplicar la regla de voltajes de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos
- IBRB - VBE - IERE + VEE = 0
Y utlizando IE = (β + I) IB
IBRB + (β + 1)IBRE = VEE - VBE
De modo que

Si aplicamos la ley de voltajes de Kirchhoff a la red de entrada obtendremos

-VCE - IERE + VEE = 0
Y

2.3. Conmutación

Condiciones Ideales

• Interruptor abierto (corte):

• Interruptor cerrado (saturación):

* Estos valores dependen del circuito.

Condiciones Reales

• Interruptor abierto (corte):

• Interruptor cerrado (saturación):

* Estos valores dependen del circuito, pero tienen limitaciones del propio transistor (constructivas).

Tiempos de transición entre estados.

•Tiempo de retardo (td ). En inglés delay time, se define como el tiempo que tarda el componente a
conducir, desde que se activa la señal de mando hasta que alcanza el 10 % de su valor final.

•Tiempo de subida (tr ). En inglés rise time, se define como el tiempo que tarda el componente en
subir su conducción del 10 % al 90 %.

•Tiempo de almacenamiento (ts ). En inglés storage time, se define como el tiempo que tarda el
componente, desde que se desactiva la señal de mando, hasta que disminuye su conducción un 10
%, es decir, desde el 100 % al 90%.

•Tiempo de caída (tf ). En inglés fall time, se define como el tiempo que tarda el componente en bajar
su conducción desde el 90 % al 10 %.
•Tiempo de conmutación a conducción (tON). En inglés turn-on time, es el tiempo que tarda en
conducir el 90 % de la corriente, por lo tanto, es la suma del tiempo de retardo más el tiempo de
subida.

•Tiempo de conmutación a corte (tOFF). En inglés turn-off time, es el tiempo que tarda en disminuir
su conducción un 90 %, es decir el tiempo que tarda en bajar su conducción hasta un 10 % del total.
Es la suma del tiempo de almacenamiento más el tiempo de caída

2.4. Estabilidad

La estabilidad de un sistema mide la sensibilidad de una red a la variación de sus parámetros. En

cualquier amplificador que emplea un transistor la corriente del colector IC es sensible a cada uno
de los siguientes parámetros.

• B: Se incrementa con el incremento de la temperatura

• VBE: se reduce aproximadamente 2.5 mV por grado Celsius (°C) de incremento de la
temperatura.
• ICO (corriente de saturación inversa): duplica su valor por cada 10°C de incremento de la
temperatura.

Cualquiera de, o todos, estos factores pueden hacer que el punto de polarización se aparte del punto
de operación designado. La siguiente tabla revela cómo cambian los niveles de ICO y VBE con el
incremento de la temperatura para un transistor particular. A la temperatura ambiente
(aproximadamente 25°C) ICO 0.1 nA, en tanto que a 100°C (punto de ebullición del agua) ICO es
casi 200 veces más grande, en 20 nA. Con la misma variación de la temperatura, se incrementa de
50 a 80 y VBE se reduce de 0.65 a 0.48 V. Recuerde que IB es bastante sensible al nivel de VBE,
sobre todo a niveles superiores al valor de umbral.
El efecto de los cambios de la corriente de fuga y de la ganancia de corriente en el punto de
polarización de cd se demuestra por medio de las características del colector de emisor común de
la figura 4.88a y b. La figura 4.88 muestra cómo cambian las características del colector del transistor
con un cambio de temperatura de 25°C a 100°C. Observe que el incremento de la temperatura de
fuga no sólo hace que la curva se eleve, sino que también incrementa la beta, como lo revela la
mayor separación entre las curvas.

Factores de Estabilidad

Un factor de estabilidad se define por cada uno de los parámetros que afectan la estabilidad de
la polarización, como sigue:

En cada caso, el símbolo delta significa cambio de esa cantidad. El numerador de cada ecuación es
el cambio de la corriente de colector establecida por el cambio de la cantidad en el denominador.
Para una configuración particular, si un cambio de ICO no produce un cambio significativo en IC, el
factor de estabilidad definido por será demasiado pequeño. En otras palabras:

Las redes que son bastante estables y relativamente insensibles a variaciones de la temperatura
tienen factores de estabilidad bajos.

En cierto modo parecería más propio considerar las cantidades definidas por las ecuaciones (4.59)
a (4.61) como factores de sensibilidad porque: Cuanto más alto es el factor de estabilidad, más
sensible es la red a las variaciones de ese parámetro. El estudio de factores de estabilidad requiere
tener conocimientos de cálculo diferencial. Nuestro propósito, sin embargo, es revisar los resultados
del análisis matemático y tener una valoración total de los factores de estabilidad de algunas de las
configuraciones de polarización más populares.
Referencias

1. Boylestad Robert L., Nashelsky Louis (2009) Electrónica Teoría de Circuitos y

Dispositivos Electrónicos, México, Décima edición, Editorial Prentice Hall.

2. Ochoa, E. (2022). Transistor Bipolar BJ. Recuperado de

file:///C:/Users/danie/Downloads/Tema%202%20Transistor%20Bipolar%20BJT.p
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