Circuitos CMOS

Vanessa Vargas
Pablo Ramos

Área de Sistemas Digitales

Departamento de Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones
{vcvargas} {pframos} @espe.edu.ec
 Introducción

 Modelo atómico de Bohr

Cargas opuestas se atraen.

Cargas iguales se repelen.

Tomado de Blinklearning.com
Estructura Atómica de Materiales Semiconductores

Tomado de: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, R. Boylestad, L Nashelsky

 Conducción Eléctrica

 Bandas de energía  Átomos de cobre (CU)

----- ++++
------ +++
----- ++++

Tomado de: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, R. Boylestad, L Nashelsky

 Enlace Covalente y Materiales Intrínsecos

Tomado de: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, R. Boylestad, L Nashelsky

 Características de los materiales semiconductores

 Portadores libres  Factor de movilidad

Con el aumento de la temperatura, un número mayor de electrones de valencia absorben suficiente energía
térmica para romper el enlace convalente y contribuir al número de electrones libres

Tomado de: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, R. Boylestad, L Nashelsky

 Materiales Extrínsecos
 Material tipo n  Material tipo p

A temperatura ambiente, en un
material de Si intrínseco hay
alrededor de un electrón libre por
cada 1012 átomos. Si el nivel de
dopado es de 1 en 10 millones (107 ),
la razón 1012 / 107 = 105 indica que la
concentración de portadores se ha
incrementado en una razón de
100,000:1.

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material extrínseco.
Tomado de: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, R. Boylestad, L Nashelsky
 El Diodo Semiconductor

Tomado de: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, R. Boylestad, L Nashelsky

 MOSFET Enriquecimiento Canal n

Tomado de: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, R. Boylestad, L Nashelsky

 Características de Transferencia MOSFET n y p

Tomado de: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, R. Boylestad, L Nashelsky

 CMOS: Complementary MOS

Se considera las bubbles

Siempre y cuando el canal p esté
Conectado a VDD
Y canal n esté conectado a VSS

Tomado de: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, R. Boylestad, L Nashelsky

 CMOS: Complementary MOS

Tomado de: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, R. Boylestad, L Nashelsky

 MODELO DE CONMUTACIÓN CMOS

Modelo de
conmutación para
un inversor: (a)
entrada en bajo;
(b) entrada en alto

Tomado de: Digital design, principles and practices, J, Wakerly.

 BIBLIOGRAFÍA

• Boylestad, R., & Nashelsky, L., (2013). Electrónica: Teoríea de Circuitos y Dispositivos Electrónicos .
New Delhi, India: Pearson.
• Wakerly, J.,(2005). Digital design, principles and practices. N.J.,US: Pearson.
PREGUNTAS