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Estructura
Se trata de materiales en los que, para formar el enlace, los átomos completan su última
capa atómica alcanzando la estructura electrónica estable que puede ser manipulada
eléctricamente. Los electrones se comparten (enlace covalente puro). En Figura 2.1 se
muestra la estructura molecular del silicio ( Si ), material semiconductor por excelencia
empleado en la industria microelectrónica.
Figura 2.2 Bandas de Energía de (a) Conductor (b) Semiconductor (c) Aislante
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II III IV V VI
4 5 6 7
Be B C N 8O
12
Mg 13 Al 14 Si 15 p 16 S
30
Zn 31 Ga 32 Ge 33 As 34 Se
48
Cd 49 In 50 Sn 51 Sb 52 Te
80
Hg 81 Tl 82 Pb 83 Bi 84 Po
Tabla 2.1 Parte de la tabla periódica en la que figuran los elementos que juegan un
papel importante en la electrónica de semiconductores
Los semiconductores naturales deben ser preparados para ser usados como
semiconductores grado electrónico.
Deben de purificarse, solo deben quedar impurezas en partes por millón (ppm)
Deben poseer una Red cristalina pura y ordenada
Se usan Silicio y Germanio generalmente.
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Dopado. Si a los semiconductores intrínsecos se les combina adecuadamente con
elementos del III y con elementos del V grupo se forman los SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS.
2.1.1 Semiconductores Extrínseco Tipo N. Los elementos del V grupo que se usan en la
electrónica junto con el silicio y germanio son: fósforo, arsénico, antimonio y bismuto
que al combinarse con los semiconductores intrínsecos forman los Semiconductores
Extrínseco tipo N.
Figura 2.4 Semiconductor Extrínseco tipo N, (a) Bandas de Energía, (b) Enlace
Covalente
2.1.2 Semiconductores Extrínseco Tipo N. Mientras que los III grupo son: Boro,
Aluminio, Indio y Galio que al combinarse con los semiconductores intrínsecos forman
los Semiconductores Extrínseco tipo P.
Figura 2.5 Semiconductor Extrínseco tipo N, (a) Bandas de Energía (b) Enlaces
Covalentes
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El semiconductor Extrínseco es un material en el cual podemos controlar el movimiento
de portadores y por ende la conductividad del material mediante electricidad, podemos
afirmar que un semiconductor extrínseco puede ser controlado eléctricamente para ser
un buen Aislante o un buen conductor sin que el material se deteriore.
En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo, y por cada
hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos
eléctricos internos.
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El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N.
En consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando una zona de carga, que es
positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 2.7).
En el ejemplo de gases, los gases difunden completamente hasta llenar las dos estancias
de la caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia de lo que ocurre
con los gases, en este caso están difundiendo partículas cargadas. La distribución de
cargas formada en la región de la unión provoca un campo eléctrico desde la zona N a
la zona P. Este campo eléctrico se opone al movimiento de portadores según la
difusión, y va creciendo conforme pasan más cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza
de la difusión y la del campo eléctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En
ese momento está ya formado el diodo de unión PN, y como resultado del proceso se
ha obtenido:
Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.
Zona N, semiconductora, con una resistencia RN.
Zona de agotamiento (deplexión): No es conductora, puesto que no posee
portadores de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los
extremos actúa una barrera de potencial.
Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el momento en
el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningún aporte de
energía, excepto el de la agitación térmica.
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El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 2.8) en principio no permite el
establecimiento de una corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la zona de deplexión
no es conductora.
Figura 2.9 Diodo PN bajo la acción de una tensión mayor que la de barrera
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2.2.1.2 Polarización inversa
Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona N y
negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos
portadores son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de
deplexión. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula
(Figura 2.10).
Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no se
alcanza la tensión de barrera (VON). El paso de conducción a corte no es instantáneo: a
partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye
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progresivamente, hasta quedar limitada sólo por las resistencias internas de las zonas P
y N. La intensidad que circula por la unión aumenta rápidamente. En el caso de los
diodos de silicio, VON se sitúa en torno a 0.7 v.
a)
b)
Figura 2.11: a) Característica I-V de un diodo real. b) Características I-V de un diodo
Ideal
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Diferencias entre el diodo de unión PN y el diodo ideal
Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son:
La resistencia del diodo en polarización directa no es nula.
La tensión para la que comienza la conducción es VON.
En polarización inversa aparece una pequeña corriente.
A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en conducción por
avalancha.
En la Figura 2.13 vemos representadas más claramente estas diferencias entre los
comportamientos del diodo de unión PN e ideal.
Los más utilizados son los de silicio, y son los que presentan los 0.6~0.7 voltios de
tensión de umbral (Vγ=Voltaje Gama), mientras que los de germanio poseen una
tensión de 0.3 voltios. El voltaje de umbral es función de los materiales con los cuales se
fabrica el diodo.
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A significa Ánodo (+) y la K significa Cátodo (-). En la
imagen de su aspecto físico observamos una franja
blanca, esta representa al cátodo.
Aplicaciones-
Se utilizan en fuentes de alimentación con o sin transformador conectadas a Corriente
Alterna para obtener una Corriente directa o continua.
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Rectificador de Onda Completa
Con Derivación
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Ondas sin capacitor
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Vin VD1
RLim
I zener I Load
Vin máx VZ ( Z Z I Zener máx ) Vin mín VZ ( Z Z I Zener mín )
RLim mín RLim máx
ZZ VZ ZZ VZ
I zener máx 1 I zener mín 1
RLoad máx RLoad máx RLoad mín RLoad mín
El color que adquiera la luz emitida por este dispositivo dependerá de los materiales
utilizados en la fabricación de este. En realidad dependerá del material semiconductor,
que dará una luz que puede ir entre el ultravioleta y el infrarrojo, incluyendo en el
medio toda la gama de colores visibles al ojo humano.
En el año 1962 fue creado el primer dispositivo LED, su creador fue Nick Holonyak, uno
de los ingenieros de General Electric. Sin embargo, este tipo de dispositivo no tiene una
gran popularidad hasta hace solo unos años atrás, cuando el científico japonés, Shuji
Nakamura, descubre, en 1993, una fórmula más económica para crear luz azul
utilizando Nitruro de Galio y Nitruro de Indio.
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utilizamos para, por ejemplo, poder ver la pantalla de este computador. Para la
fabricación de luz blanca es necesario mezclar partes iguales de luz roja, verde y azul.
De este modo, si nos acercamos a la pantalla y observamos con mucho detalle, veremos
que ésta se encuentra formada por miles y diminutos puntos de estos tres colores.
Como se dijo anteriormente, los dipositivos LED pueden emitir luz de una amplia gama
de colores, sin embargo, aquellos que emiten luz infrarroja, son denominados IRED
(Infra Red Emitting Diode). Estos dispositivos son ampliamente utilizados en aparatos de
uso cotidiano de nuestros hogares, como por ejemplo en equipos de sonido y todo tipo
de controles remoto.
Muchas son las ventajas de la utilización de diodos LED, entre las que encontramos su
reducido tamaño en comparación a una ampolleta común, dando ambas la misma
luminosidad. Por otra parte, su duración es considerablemente mayor, ya que un diodo
LED tiene la capacidad de mantenerse encendido por 50.000 horas, es decir, por 6 años
en continuo. Sin embargo, su alto precio hace que estos dispositivos aún no sean de
uso común en nuestros hogares, pero comienzan a ganar terreno y una gran
importancia en nuestras calles con los semáforos, asi como también se abren paso en el
mercado de los deportes extremos, por ejemplo, en linternas de montaña.
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En la curva característica se observa que cuando
+V o -V es menor que la tensión de disparo, el
DIAC se comporta como un circuito abierto
Cuando +V o -V es mayor que la tensión de
disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito
2.3.5 Fotodiodo
Fotodiodo de unión NP
Cuando no llega ninguna radiación luminosa a esta región, los electrones no tienen
energía suficiente para atravesarla y por ello la corriente será prácticamente nula.
Cuando la radiación luminosa es de la longitud de onda adecuada e incide en la zona
de difusión, se crean pares electrón - hueco que son atraídos por el campo eléctrico
aplicado, resultando una corriente inversa por la unión NP proporcional a la energía
absorbida y por lo tanto al flujo luminoso que incide sobre la unión, tal y como se
muestra en la siguiente curva característica de un fotodiodo genérico:
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Puede verse que el elemento se comporta como un generador de corriente casi
constante hasta que se alcanza su tensión de ruptura, tras lo cual se produce una
avalancha de portadores y la destrucción del dispositivo. Los fotodiodos pueden
fabricarse sobre material base de silicio o de germanio y, en cualquier caso, la unión se
forma por el proceso de difusión para obtener una superficie de unión grande y
uniforme. La sensibilidad relativa del silicio y la del germanio son similares, quedando la
respuesta de este último más próxima a las frecuencias del infrarrojo y teniendo el
primero una respuesta más uniforme en la radiación visible. Sin embargo, el silicio
presenta una serie de ventajas sobre el germanio tal y como se detallan a continuación:
Las corrientes que pueden obtenerse con los fotodiodos son muy limitadas, por ello se
recurre a un proceso de amplificación, siendo aquellos meros sensores de muy pequeña
potencia
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El primero en notar el efecto fotoeléctrico fue el físico
francés Edmundo Bequerel, en 1839. Él encontró que
ciertos materiales producían pequeñas cantidades de
corriente eléctrica cuando eran expuestos a la luz. En
1905, Albert Einstein describió la naturaleza de la luz y el
efecto fotoeléctrico, en el cual está basada la tecnología
fotovoltaica. Por este trabajo, se le otorgó más tarde el
premio Nobel de física. El primer módulo fotovoltaico fue
construido en los Laboratorios Bell en 1954. Fue descrito
como una batería solar y era más que nada una
curiosidad, ya que resultaba demasiado costoso como
para justificar su utilización a gran escala. En la década de
los 60´s, la industria espacial comenzó por primera vez a
hacer uso de esta tecnología para proveer la energía eléctrica a bordo de las naves
espaciales. A través de los programas espaciales, la tecnología avanzó, alcanzó un alto
grado de confiabilidad y se redujo su costo. Durante la crisis de energía en la década de
los 70´s, la tecnología fotovoltaica empezó a ganar reconocimiento como una fuente
de energía para aplicaciones no relacionadas con el espacio.
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función de la luz que incide sobre ella, cuanto más luz recibe más bajo es su valor
óhmico y cuanto menos luz recibe más alto es su valor óhmico.
Ejemplo
Básicamente este circuito se conoce como un divisor de tensión resistivo, en este caso
formado por una resistencia fija en serie con la LDR.
En los dos circuitos tenemos una tensión de entrada Vin, esta tensión se reparte por las
dos resistencias ya que están en serie (ley de mallas de Kirchhoff),la tensión de la LDR y
la fija dependerá de la resistencia eléctrica de ambas.
El funcionamiento del circuito de la izquierda es como sigue: cuando incide luz sobre la
LDR esta baja su resistencia eléctrica aumentando la tensión sobre la resistencia fija,
como consecuencia obtendremos un tensión de salida Vout baja (Nivel lógico 0), por
contra si mantenemos la LDR en la oscuridad aumenta su resistencia eléctrica
disminuyendo la tensión en bornes de la resistencia fija y obteniendo una tensión de
salida alta (Nivel lógico 1).
El circuito de la derecha tiene un comportamiento inverso al de la izquierda por la
disposición de las resistencias. Su funcionamiento es como sigue: si aplicamos luz sobre
la LDR baja su resistencia y en consecuencia obtenemos una tensión Vout alta (Nivel
lógico 1),en la oscuridad aumenta su resistencia y tenemos en su salida Vout un nivel
bajo (Nivel lógico 0).
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2.3.8 Termistores (Resistor dependiente de la temperatura) NTC y PTC
Termistores (Resistor dependiente de la temperatura) NTC y PTC
Un termistor es un ejemplo clásico de dispositivo electrónico fabricado con
semiconductores intrínsecos, tiene típicamente un coeficiente que lo hace dependiente
de la temperatura, es decir su resistencia eléctrica depende de la temperatura, si lo hace
de forma negativa, es decir si al aumentar la temperatura disminuye su resistencia se
dice que es NTC (Negative Temperature Coeficient) o PTC (Positive Temperature
Coeficient) si lo hace de manera opuesta.
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Diodo túnel o Esaki (poseen una curva I-V,
especial)
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