Unidad 2 - Diodos Semiconductores de Potencia

ELECTRÓNICA II
Departamento de Ingeniería Eléctrica
U ni da d 2
Diodos Semiconductores
de Potencia
ELECTRÓNICA II
Unidad 2: Diodos Semiconductores de Potencia
CONTENIDO
1 Introducción ............................................................................................................................................... 3
2 Características del diodo ........................................................................................................................... 4
3 Características de recuperación inversa ................................................................................................... 6
4 Tipos de diodos de potencia ...................................................................................................................... 8
4.1 Diodos de propósito general .............................................................................................................. 8
4.2 Diodos de recuperación rápida .......................................................................................................... 8
4.3 Diodos Schottky ................................................................................................................................. 8
4.4 Diodos de carburo de silicio............................................................................................................... 8
5 Conexión de diodos en serie ..................................................................................................................... 8
6 Conexión de diodos en paralelo ................................................................................................................ 9
7 Diodos con cargas ................................................................................................................................... 11
7.1 Diodo con carga RC ........................................................................................................................ 11
7.2 Diodo con carga RL ......................................................................................................................... 12
7.3 Diodo con carga LC ......................................................................................................................... 13
7.4 Diodo con carga RLC ...................................................................................................................... 14
8 Diodo de corrida libre ............................................................................................................................... 17
UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL - FACULTAD REGIONAL SANTA FE Página 2 de 18

LAVAISSE 610 - S3004EWB SANTA FE - ARGENTINA / TE +54 (342) 460 1579 / 2390 v1.1
www.frsf.utn.edu.ar Ing. Rodrigo Furlani
ELECTRÓNICA II
1 INTRODUCCIÓN
Los diodos de potencia desempeñan un papel importante en los circuitos electrónicos de potencia. Un diodo
funciona como un interruptor que efectúa diversas funciones, por ejemplo:
• Conmutadores en rectificadores.
• Inversión de cargas de capacitor y transferencia de energía entre componentes.
• Aislamiento de voltaje.
• Retorno de energía de la carga a la fuente de alimentación.
• Recuperación de energía almacenada.
Los diodos de potencia se parecen a los diodos de señal de unión pn, la diferencia radica en que tienen
mayores capacidades de manejo de potencia, tensión y corriente. Asimismo la velocidad de conmutación es
baja comparada con un diodo de señal.
Los dispositivos semiconductores de potencia se basan en el silicio monocristalino de alta pureza. Este se
cultiva en monocristales de varios metros de longitud, con el diámetro requerido (hasta 150[mm]), como se
puede apreciar en Figura 1. Posteriormente estos lingotes se rebanan en obleas delgadas las que luego
pasan por otras etapas de proceso para convertirse en dispositivos de potencia.
Figura 1. Lingote de Si monocristalino
El silicio es un elemento del grupo IV de la tabla periódica (cuatro electrones por átomo en su órbita
externa). Un material de silicio puro se denomina semiconductor intrínseco, su resistividad es muy baja para
ser un aislador y demasiado alta para ser un conductor. Esta resistividad así como los portadores de carga
disponibles para la conducción pueden modificarse, conformarse en capas y graduar mediante la
implantación de purezas específicas. Este proceso de agregado de impurezas se denomina dopado, e
implica agregar un átomo de la impureza por cada millón de átomos de silicio. Con distintas impurezas,
concentraciones y formas de dopado, así como con diferentes tecnologías de fotolitografía, corte láser,
grabado, aislamiento, y empaquetado, se producen los dispositivos de potencia terminados partiendo de
diversas estructuras de capas semiconductoras tipo p y tipo n.
• Material tipo n: al dopar al silicio puro con un elemento del grupo V de la tabla periódica -cinco
electrones en su órbita externa- (como fósforo, arsénico, o antimonio) cada átomo del dopante
forma un enlace covalente dentro de la estructura cristalina del silicio y queda un electrón suelto. El
proceso se denomina dopado n y el material que resulta se conoce como semiconductor tipo n.
Cuando se dopa en forma intensa se denomina dopado n+ y el material obtenido semiconductor n+.
• Material tipo p: si el silicio puro se dopa con un elemento del grupo III de la tabla periódica -tres
electrones en su órbita externa- (como boro, galio, o indio), en la estructura cristalina del silicio se
genera un sitio vacante denominado hueco. A semejanza del electrón, se puede considerar que un
hueco es un portador móvil de carga porque puede llenarse con un electrón adyacente (el cual a su
vez deja atrás un hueco). Estos huecos aumentan mucho la conductividad del material. Este
proceso de dopado se denomina dopado p y el material que resulta se denomina semiconductor tipo
p. Si está muy dopado se habla de un dopado p+, y al material resultante se le llama semiconductor
p+.

ELECTRÓNICA II
Figura 2. Material tipo n por dopaje con antimonio (izq) y material tipo p por dopaje con galio (der)
De acuerdo a lo anterior, hay electrones libres disponibles en un material del tipo n, y huecos libres en un
material del tipo p. En un material tipo p, a los huecos se los llama portadores de mayoría, y a los electrones
portadores de minoría. Análogamente, en el material tipo n los electrones son los portadores de mayoría y
los huecos los portadores de minoría. Estos portadores se generan en forma continua por agitaciones
térmicas, se combinan y recombinan de acuerdo con su tiempo de vida y alcanzan una densidad de
10 13
equilibrio de portadores de entre 10 a 10 por centímetro cúbico dentro de un rango que va de 0[ºC] a
1000[ºC]. Si se aplica un campo eléctrico en un material tipo p o tipo n, tendrá como efecto el paso de una
corriente a través del mismo.
2 CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

Un diodo es un dispositivo de unión pn que posee dos terminales. La unión pn se forma por aleación,
difusión y crecimiento epitaxial. La Figura 3 muestra un corte de una unión pn y el símbolo del diodo.
Figura 3. Unión pn y símbolo del diodo
Si al diodo se le aplica una diferencia de potencial que sea positiva respecto al cátodo, se dice que el diodo
está polarizado en forma directa y conducirá electricidad. El diodo, al conducir, presentará una caída de
tensión a través de él. Esta caída de tensión depende del material del diodo (0,7[V] para un diodo de silicio y
0,3[V] para un diodo de germanio) y también de la temperatura de la unión.
Si el potencial aplicado al diodo es negativo respecto al cátodo, se dice que el diodo está polarizado en
forma inversa. En estas condiciones circulará una pequeña corriente inversa (corriente de fuga o también
corriente de pérdida) del orden de micro o miliamperes. Esta corriente de fuga aumenta de forma paulatina
hasta que se alcanza la tensión de avalancha o de Zener. En la Figura 4 se puede observar la característica
tensión-corriente real de un diodo, así como la correspondiente ideal.

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I I
-VBR
0 V 0 V
Corriente de fuga Vγ
en sentido inverso
Figura 4. Características tensión-corriente real (izq) e ideal (der)
La característica V-I real puede modelarse por la denominada ecuación de diodo de Schockley ( 1 ):
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ∙ �𝑒 𝑉𝐷⁄𝑛𝑉𝑇 − 1� (1)
donde:
• ID es la corriente a través del diodo
• VD es la tensión aplicada al diodo (con ánodo positivo respecto al cátodo)
•
-6 -15
Is es la corriente de fuga (o de saturación en sentido inverso), normalmente entre 10 [A] a 10 [A]
• n es una constante empírica llamada coeficiente de emisión o factor de idealidad, cuyo valor varía
de 1 a 2 y depende del material y la construcción física del diodo. Para los diodos de germanio el
valor teórico es n=1. Para los de silicio el valor teórico es n=2, aunque en la mayor parte de los
diodos prácticos n oscila entre 1,1 a 1,8.
En la ecuación ( 1 ) VT es una constante llamada voltaje térmico cuyo valor se obtiene de:
𝑘𝑇 (2)
𝑉𝑇 =
𝑞
donde:
•
-19
q es la carga del electrón 1,6022 x 10 [C] (coulomb)
• T es la temperatura expresada en grados Kelvin
•
-23
k es la constante de Boltzmann 1,3806 x 10 [J/K]
Retomando la curva real V-I de la Figura 4, en la misma se distinguen tres regiones:

• Región de polarización directa, donde VD > 0
• Región de polarización inversa, donde VD < 0
• Región de ruptura, donde VD < -VBR
Región de polarización directa:

En esta región interesa distinguir la denominada tensión umbral del diodo Vγ (0,6[V] a 0,7[V] en un diodo de
silicio). Si el voltaje VD aplicado al diodo es menor a esta tensión Vγ, la corriente ID en el diodo es muy
pequeña. Por ejemplo, suponiendo 𝑉𝐷 = 0,1[𝑉], 𝑛 = 1, y 𝑉𝑇 = 25,7[𝑚𝑉], si se aplica la ecuación ( 1 ) resulta
que la corriente circulante por el diodo es 𝐼𝐷 = 47,96 𝐼𝑆 . Esto se debe interpretar como que la corriente ID del
diodo es bastante mayor que la corriente de fuga IS.

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Cuando el voltaje VD aplicado al diodo es mayor que la tensión umbral Vγ, la corriente aumenta rápidamente
y hace que la caída de tensión en el diodo se ubique entre 0,7[V] a 1,2[V].
Región de polarización inversa:

En esta región VD es negativo. Si se analiza la ecuación ( 1 ), se puede observar que cuando |𝑉𝐷 | es
bastante mayor a VT (lo cual ocurre cuando 𝑉𝐷 < −0,1[𝑉]), el término exponencial de la ecuación se torna
muy pequeño en comparación con la unidad, con lo cual se puede despreciar y entonces la corriente en el
diodo puede decirse que es 𝐼𝐷 ≈ −𝐼𝑆 . Esto indica que la corriente en el diodo ID en sentido inverso es
constante e igual a la corriente de fuga IS.
Región de ruptura:
También se conoce como región de ruptura o de avalancha. En esta región el voltaje inverso aplicado al
diodo es alto. Cuando la magnitud de esta tensión supera la denominada tensión de ruptura VBR, la corriente
en sentido inverso del diodo aumenta rápidamente. Si en estas condiciones no se limita de alguna forma
esta corriente inversa, el diodo puede destruirse.
3 CARACTERÍSTICAS DE RECUPERACIÓN INVERSA

En un diodo polarizado directamente la corriente se debe al efecto neto de los portadores de mayoría y de
minoría. Estando en diodo en conducción directa, si a continuación su corriente se reduce a cero (ya sea
por el circuito externo al diodo o por la aplicación de un voltaje externo en sentido inverso), el diodo
continuará conduciendo por los portadores de minoría que quedan almacenados en la unión pn y en la
masa del material semiconductor. Estos portadores minoritarios necesitan un determinado tiempo para
recombinarse con cargas opuestas y quedar neutralizados, dicho tiempo se conoce como tiempo de
recuperación inversa y se representa como trr.
En la Figura 5 se muestran dos curvas características de recuperación inversa de diodos de unión, siendo la
más común la de recuperación suave. El tiempo de recuperación inversa trr se mide a partir del cruce inicial
de la corriente del diodo con cero, hasta que la corriente en sentido inverso llega al 25% de su valor máximo
IRR.
IF trr IF trr
ta ta
0 0
t t
0,25 IRR
di/dt di/dt
IRR tb IRR tb
Figura 5. Características de recuperación en sentido inverso: recuperación suave (izq) y recuperación abrupta (der)
El trr está formado por dos componentes ta y tb. El ta se debe al almacenamiento de cargas en la zona de la
juntura, y representa el tiempo desde el cruce por cero de la corriente hasta el pico de corriente en sentido
inverso IRR. El tb se debe al almacenamiento de carga en la masa del material semiconductor. La relación
tb/ta se denomina factor de suavidad (SF, softness factor). A fines prácticos interesan el tiempo total de
recuperación trr y el valor pico de la corriente en sentido inverso IRR.
𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑎 + 𝑡𝑏 (3)
La corriente pico en sentido inverso se puede expresar en función de la velocidad de cambio de la corriente
en sentido inverso 𝑑𝑖�𝑑𝑡, según la ecuación ( 4 ):

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𝑑𝑖 (4)
𝐼𝑅𝑅 = 𝑡𝑎
𝑑𝑡
El tiempo de recuperación inversa trr se puede entonces definir como el intervalo de tiempo entre el instante
en que la corriente pasa por cero durante el cambio de conducción directa a inversa, y el momento en que
la corriente en sentido inverso ha bajado al 25% de su valor pico IRR. El tiempo trr depende de la temperatura
de la juntura, de la velocidad de caída de la corriente en sentido directo, y de la corriente en sentido directo
antes de la conmutación IF.
La carga de recuperación inversa QRR es la cantidad de portadores de carga que atraviesan al diodo, en
dirección inversa, debido a un cambio de la conducción directa a la condición de bloqueo inverso. Su valor
se determina como el área encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperación inversa, de acuerdo
a la ecuación ( 5 ):
𝑡𝑟𝑟
(5)
𝑄𝑅𝑅 = � 𝑖(𝑡)𝑑𝑡
Dado que el área que representa a QRR se puede aproximar por dos triángulos rectángulos, la ecuación ( 5 )
puede aproximarse por la ecuación ( 6 ):
1 1 1 (6)
𝑄𝑅𝑅 ≅ 𝐼𝑅𝑅 ∙ 𝑡𝑎 + 𝐼𝑅𝑅 ∙ 𝑡𝑏 = 𝐼𝑅𝑅 ∙ 𝑡𝑟𝑟
2 2 2
Despejando IRR de ( 6 ) resulta:
2𝑄𝑅𝑅 (7)
𝐼𝑅𝑅 ≅
𝑡𝑟𝑟
Igualando ( 7 ) con ( 4 ) se obtiene:
2𝑄𝑅𝑅 (8)
𝑡𝑟𝑟 ∙ 𝑡𝑎 =
𝑑𝑖 ⁄𝑑𝑡
Si tb es despreciable en comparación con ta, lo cual suele ser el caso, entonces 𝑡𝑟𝑟 ≈ 𝑡𝑎 y la ecuación ( 8 )
se convierte en:
2𝑄𝑅𝑅 (9)
𝑡𝑟𝑟 ≅ �
𝑑𝑖 ⁄𝑑𝑡
Reemplazando ( 9 ) en ( 7 ) resulta:
𝑑𝑖 ( 10 )
𝐼𝑅𝑅 = �2𝑄𝑅𝑅
𝑑𝑡
Observando las ecuaciones ( 9 ) y ( 10 ), se puede observar que el tiempo de recuperación inversa trr y la
corriente pico de recuperación inversa IRR dependen de la carga de recuperación inversa QRR y de la
variación de la corriente inversa 𝑑𝑖�𝑑𝑡. Asimismo, QRR depende de la corriente del diodo en sentido directo
IF. Tanto la corriente pico de recuperación inversa IRR como la carga de recuperación inversa QRR y el factor
de suavidad FS son de interés al momento de diseñar un circuito, y son parámetros que los fabricantes
incluyen en sus hojas de datos.
Si un diodo se encuentra polarizado inversamente, circula una corriente de fuga originada por los portadores
de minoría. Si en esta condición el diodo se polariza en forma directa, se observará que se requiere de un
cierto tiempo llamado tiempo de recuperación directa para que todos los portadores de mayoría en la juntura
puedan contribuir al flujo de corriente. En la práctica este tiempo es despreciable frente al trr.
Como conclusión, es importante notar que durante el tiempo de recuperación inversa trr el diodo se
comporta como un cortocircuito, no es capaz de bloquear el voltaje en sentido inverso, y permite la
circulación de corriente en sentido inverso. Al finalizar el trr la corriente se interrumpe y el diodo se bloquea.
El parámetro trr es importante en las aplicaciones de conmutación.

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4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

En el caso ideal, un diodo no debería tener tiempo de recuperación inversa. En la realidad este tiempo de
recuperación es finito. En muchas aplicaciones no son importantes los efectos del tiempo de recuperación y
entonces se pueden usar diodos de propósito general. En otras aplicaciones es necesario trabajar con
diodos de bajo tiempo de recuperación que suelen ser más costosos. Dependiendo de las características de
recuperación y de las técnicas de fabricación, los diodos de potencia se pueden clasificar en:
• Diodos normales o de propósito general.
• Diodos de recuperación rápida.
• Diodos Schottky.
• Diodos de carburo de silicio.
4.1 Diodos de propósito general

Los diodos rectificadores de propósito general tienen un tiempo de recuperación inversa relativamente
grande, del orden de los 25[µs]. Se utilizan en aplicaciones donde no es crítico el tiempo de recuperación,
por ejemplo en rectificadores y convertidores con frecuencias de hasta 1[kHz]. Tienen capacidades de hasta
varios miles de amperes y tensiones de hasta 5[kV].
4.2 Diodos de recuperación rápida

Los diodos de recuperación rápida tienen un tiempo de recuperación bajo, normalmente menos de 5[µs]. Se
utilizan en convertidores de CC a CC y de CC a CA en los que la frecuencia de conmutación es elevada.
Tienen capacidades de hasta 3[kV] y de algunos cientos de amperes.
4.3 Diodos Schottky

Un diodo Schottky se obtiene depositando una capa de metal sobre una delgada capa de silicio tipo n. Esto
genera una barrera de potencial que simula el comportamiento de una unión pn. La acción rectificadora sólo
depende de los portadores de mayoría, y en consecuencia no queda exceso de portadores de minoría que
se recombinen. El efecto de recuperación entonces sólo se debe a la capacitancia propia de la juntura del
semiconductor. Esto hace que posean un muy bajo tiempo de recuperación, del orden de 1[ns].
Un diodo Schottky tiene una caída de tensión en sentido directo relativamente baja, asimismo la corriente de
fuga es mayor que la de un diodo de unión pn. Tienen capacidades de hasta 100[V] y no más de 400[A].
4.4 Diodos de carburo de silicio

El carburo de silicio (SiC) es un material relativamente nuevo en la electrónica de potencia, sus propiedades
físicas mejoran mucho las del silicio (Si) y las del arseniuro de galio (GaAs). Los diodos fabricados en este
material poseen las siguientes propiedades:
• No tienen tiempo de recuperación inversa.
• Presentan un comportamiento ultrarrápido en conmutación.
• La temperatura no influye sobre el comportamiento de conmutación.
5 CONEXIÓN DE DIODOS EN SERIE

En aquellas aplicaciones en las cuales las tensiones inversas del circuito superan las máximas admisibles
de los diodos, la solución consiste en la conexión en serie de dos o más diodos para aumentar sus
posibilidades de bloqueo inverso.
Consideremos dos diodos conectados en serie y polarizados inversamente, como se muestra en la Figura 6.
En la práctica, las características V-I de dos diodos del mismo tipo difieren debido a las tolerancias en sus
procesos de fabricación. Esto no afecta la conducción en polarización directa, pero sí tiene un efecto
negativo en la polarización inversa ya que si bien ambos diodos conducirán la misma corriente inversa IS,
puede que la tensión aplicada no se distribuya uniformemente en los diodos, haciendo que las tensiones VD1
y VD2 en cada diodo resulten muy diferentes. En la Figura 6 también puede observarse la característica V-I

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de ambos diodos, que al no ser exactamente iguales hacen que para una misma corriente inversa IS las
tensiones inversas en cada diodo sean diferentes.
I
D1 +
VD1 -VD1 -VD2
- 0 V
IS
VS
+
VD2 IS
D2
-
Figura 6. Circuito (izq) y características V-I (der)
Una solución para este problema es la utilización de una resistencia en paralelo con cada diodo, como
puede verse en la Figura 7, de forma de lograr que la tensión en cada diodo sea la misma. Debido a la
partición igual de voltajes, la corriente de fuga en cada diodo será distinta, verificándose la ecuación ( 11 ):
𝐼𝑆 = 𝐼𝑆1 + 𝐼𝑅1 = 𝐼𝑆2 + 𝐼𝑅2 ( 11 )
Asimismo se verifica que:

𝑉𝐷1 ( 12 )
𝐼𝑅1 =
𝑅1
𝑉𝐷2 ( 13 )
𝐼𝑅2 =
𝑅2
Reemplazando ( 12 ) y ( 13 ) en ( 11 ) resulta:
𝑉𝐷1 𝑉𝐷2 ( 14 )
𝐼𝑆1 + = 𝐼𝑆2 +
𝑅1 𝑅2
Siendo la ecuación ( 14 ) la utilizada para el cálculo de las resistencias.
I
IS IR1 IS1
R1 D1 +
VD1 -VD1 = -VD2
- 0 V
VS
IS1
+
R2 D2 VD2 IS2
-
IR2 IS2
Figura 7. Diodos en serie con resistencias en paralelo (izq) y curvas características (der)
6 CONEXIÓN DE DIODOS EN PARALELO

En aplicaciones de alta potencia puede ocurrir que la corriente circulante sea superior a la máxima
soportada por un único diodo, por lo que se suele recurrir a la conexión en paralelo de los mismos para
aumentar la capacidad de corriente total, tal como puede verse en la Figura 8. Sin embargo, como se
aprecia en la misma figura, puede ocurrir que la corriente no se distribuya uniformemente en los diodos.
Esto es debido a las pequeñas diferencias en las características V-I de los diodos. En efecto, dado que los
diodos se encuentran en paralelo, las tensiones directas serán iguales en ambos diodos, no así las
corrientes.

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ID1 D1 I
ID1
ID
D2 ID2
ID = ID1 + ID2
ID2 VD V
Figura 8. Diodos en paralelo (izq) y curvas características (der)
Puede ocurrir entonces que uno de los diodos tome una corriente mayor que la máxima que puede soportar,
haciendo que se queme el mismo. Esto se puede minimizar seleccionando diodos de muy similares
características (por ejemplo los integrados en una única cápsula), con lo cual la distribución de corrientes
resultará más equitativa.
En condiciones de estado permanente, una forma de lograr un reparto uniforme de corrientes es mediante
la utilización de resistencias de equilibrio en serie con los diodos, como se puede observar en la Figura 9.
Esta solución se utiliza en aplicaciones de baja potencia por la desventaja que implica el consumo de
potencia de las resistencias, además del inconveniente de que también se aumenta la caída de tensión en
el circuito. Las resistencias se eligen de tal forma que la caída de tensión en ellas sea del orden de la caída
de tensión en los diodos. Las resistencias tienen el efecto de hacer que la característica V-I de los diodos
tenga una menor pendiente, con lo cual las corrientes ID1 e ID2 de los diodos no resultan tan disímiles.
I
ID1
ID1 D1
ID1
ID
ID2
D2 ID2
ID = ID1 + ID2
ID2
VD VD+VR V
Figura 9. Diodos en paralelo con resistencias de equilibrio (izq) y curvas características (der)
En condiciones más dinámicas y de mayor potencia, se utilizan inductores acoplados para el reparto
equitativo de corrientes, de acuerdo a la Figura 10. Si aumenta la corriente por D1, también aumenta la
𝐿 ∙ 𝑑𝑖�𝑑𝑡 en L1 y se induce una tensión correspondiente pero de polaridad opuesta en L2. Esto genera una
trayectoria de baja impedancia en la rama de D2, y la corriente se transfiere hacia D2. Este sistema es el
más eficiente a pesar de los transitorios que se producen durante la conmutación, y de los costos (los
inductores pueden ser caros y voluminosos, especialmente en altas potencias).

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ID1 D1 L1
ID
D2 L2
ID2
Figura 10. Diodos en paralelo con inductores acoplados
7 DIODOS CON CARGAS
7.1 Diodo con carga RC

En la Figura 11 se puede observar un circuito con diodo y carga RC serie. Para simplificar el análisis se
considerará al diodo como ideal (tiempo de recuperación inversa trr y caída de tensión directa Vγ ambas
valiendo cero). La tensión de la fuente VS es continua y constante.
En el instante t = 0 se cierra el interruptor S1 y comienza a circular la corriente i. La ecuación que rige al
sistema es:
1 ( 15 )
𝑉𝑆 = 𝑖(𝑡) ∙ 𝑅 + � 𝑖(𝑡)𝑑𝑡 + 𝑣𝐶 (𝑡 = 0)
𝐶
i
S1 D1 VS/R
t=0 0,368 VS/R

+ 0
R vR
i vC t
-
VS
+
C vC 0,632 VS
- τ = RC
0
τ t
Figura 11. Circuito de diodo con carga RC serie, y formas de onda
Interesa conocer las expresiones tanto de la corriente como de las tensiones en el capacitor y en la
resistencia, lo que implica la resolución de la ecuación ( 15 ). Esto se puede realizar operando en el dominio
de Laplace, o bien utilizando la ecuación genérica ( 16 ) para celdas RC serie:
−𝑡� ( 16 )
𝑣𝐶 (𝑡) = 𝑉𝐹 + (𝑉𝐼 − 𝑉𝐹 )𝑒 𝑅𝐶
donde:
• vC(t) es la tensión en el capacitor en el instante de tiempo t.
• VI es el valor de tensión inicial en el capacitor.
• VF es el valor de tensión final del capacitor cuando t = ∞
Si consideramos que inicialmente el capacitor se encuentra descargado, entonces VI es cero. Por otro lado,
si el circuito se cargara indefinidamente, la tensión en el capacitor sería la de fuente, con lo que VF valdría
VS. Reemplazando valores en la ecuación ( 16 ) resulta:

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−𝑡� ( 17 )
𝑣𝐶 (𝑡) = 𝑉𝑆 + (0 − 𝑉𝑆 )𝑒 𝑅𝐶
Operado resulta:
−𝑡� ( 18 )
𝑣𝐶 (𝑡) = 𝑉𝑆 ∙ �1 − 𝑒 𝑅𝐶 �
donde el producto RC se conoce como constante de tiempo del circuito, y se simboliza con la letra griega τ
(Tau). La evolución temporal de vC(t) se puede ver en la Figura 11.
La tensión en la resistencia se obtiene de la ecuación ( 19 ):
𝑉𝑆 = 𝑣𝑅 (𝑡) + 𝑣𝐶 (𝑡) ( 19 )
Reemplazando ( 18 ) en ( 19 ) y despejando, resulta:

−𝑡� ( 20 )
𝑣𝑅 (𝑡) = 𝑉𝑆 ∙ 𝑒 𝑅𝐶
Por último, la corriente se obtiene del cociente entre la tensión en la resistencia y la propia resistencia, es
decir dividiendo la ecuación ( 20 ) por R, con lo resulta:
𝑉𝑆 −𝑡� ( 21 )
𝑖(𝑡) = ∙ 𝑒 𝑅𝐶
𝑅
La evolución de la corriente puede verse en la Figura 11.
Veremos más adelante que hay casos en donde resulta necesario conocer la máxima rapidez de cambio de
la tensión en el capacitor. Esta se obtiene derivando la ecuación ( 18 ) y evaluándola en 𝑡 = 0, obteniéndose
la expresión ( 23 ):
𝑑𝑣𝐶 𝑉𝑆 −𝑡� ( 22 )
= ∙ 𝑒 𝑅𝐶
𝑑𝑡 𝑅𝐶
𝑑𝑣𝐶 𝑉𝑆 ( 23 )
� =
𝑑𝑡 𝑡=0 𝑅𝐶
7.2 Diodo con carga RL

En la Figura 12 se observa un circuito y carga RL serie. Se realizarán las mismas consideraciones para el
diodo que en el punto anterior (diodo ideal, 𝑡𝑟𝑟 = 0, 𝑉𝛾 = 0). La fuente VS provee una tensión continua y
constante.
En el instante 𝑡 = 0 se cierra el interruptor S1 y comienza a circular la corriente i. La ecuación que rige al
sistema está dada por:
𝑑𝑖(𝑡) ( 24 )
𝑉𝑆 = 𝑖(𝑡) ∙ 𝑅 + 𝐿
𝑑𝑡
S1 D1 vL
VS
t=0
+ 0,368 VS
R vR
i - 0
VS t
i
+ IS=VS/R
L vL 0,632 IS
-
τ = L/R
0
τ t
Figura 12. Circuito de diodo con carga RL serie, y formas de onda

ELECTRÓNICA II
Interesa conocer las expresiones de la corriente así como de las tensiones en el inductor y en la resistencia,
lo que implica la resolución de la ecuación( 24 ). Esto se puede realizar operando en el dominio de Laplace,
o bien utilizando la ecuación genérica ( 25 ) para celdas RL serie:
𝑖𝐿 (𝑡) = 𝐼𝐹 + (𝐼𝐼 − 𝐼𝐹 )𝑒 −𝑡𝑅⁄𝐿 ( 25 )
donde:
• iL(t) es la corriente en el inductor en el instante de tiempo t.
• II es el valor de corriente inicial en el inductor.
• IF es el valor de corriente final del inductor cuando 𝑡 = ∞.
Si consideramos que la corriente inicial del inductor es nula, entonces II es cero. Asimismo, cuando t tienda
𝑉
a infinito, la corriente del circuito estaría limitada solamente por R, con lo que IF valdría 𝑆�𝑅. Reemplazando
valores en la ecuación ( 25 ) resulta:
𝑉𝑆 𝑉𝑆 ( 26 )
𝑖𝐿 (𝑡) = + �0 − � 𝑒 −𝑡𝑅⁄𝐿
𝑅 𝑅
Operando resulta:
𝑉𝑆 ( 27 )
𝑖𝐿 (𝑡) = �1 − 𝑒 −𝑡𝑅⁄𝐿 �
𝑅
La tensión en el inductor se obtiene de la ecuación ( 28 ):
𝑑𝑖 ( 28 )
𝑣𝐿 (𝑡) = 𝐿 = 𝑉𝑆 ∙ 𝑒 −𝑡𝑅⁄𝐿
𝑑𝑡
donde la relación L/R es la constante de tiempo del circuito, y se simboliza con la letra griega τ (Tau). Las
formas de onda de iL(t) y de vL(t) se pueden ver en la Figura 12.
Más adelante veremos que hay casos donde también interesa conocer la máxima rapidez de cambio del
valor de la corriente. Esta se obtiene derivando la ecuación ( 27 ) y evaluándola en 𝑡 = 0, obteniéndose la
expresión ( 30 ):
𝑑𝑖𝐿 𝑉𝑆 −𝑡𝑅⁄𝐿 ( 29 )
= ∙𝑒
𝑑𝑡 𝐿
𝑑𝑖𝐿 𝑉𝑆 ( 30 )
� =
𝑑𝑡 𝑡=0 𝐿
7.3 Diodo con carga LC

La Figura 13 muestra un circuito con diodo, una carga LC serie, y una fuente de continua de valor VS.
Asumiendo que las condiciones iniciales son capacitor sin carga y corriente nula en el inductor, si en el
tiempo 𝑡 = 0 se cierra el interruptor S1, la ecuación que modela al circuito es:
𝑑𝑖(𝑡) 1 ( 31 )
𝑉𝑆 = 𝐿 ∙ + � 𝑖(𝑡)𝑑𝑡)
𝑑𝑡 𝐶
Para la resolución de la ecuación ( 31 ) trabajaremos en el dominio de Laplace, realizando la transformación
resulta:
𝑉𝑆 1 ( 32 )
= 𝑠𝐿𝐼(𝑠) + 𝐼(𝑠)
𝑠 𝑠𝐶
Despejando I(s) de ( 32 ) se obtiene:
𝑉𝑠�
𝐼(𝑠) = 𝐿 ( 33 )
𝑠 2 + 1�𝐿𝐶
Si definimos a 𝜔0 = 1� la ecuación ( 33 ) resulta:
√𝐿𝐶

ELECTRÓNICA II
𝑉𝑠�
𝐼(𝑠) = 2 𝐿 2
( 34 )
𝑠 + 𝜔0
Realizando la transformada inversa de Laplace de la ecuación ( 34 ), se obtiene la expresión en el dominio
del tiempo de la corriente i(t):
𝐶 ( 35 )
𝑖(𝑡) = 𝑉𝑠 ∙ � ∙ sen(𝜔0 𝑡) = 𝐼𝑃 ∙ sen(𝜔0 𝑡)
𝐿
La tensión vC(t) en el capacitor resulta:
1 𝑡
𝑣𝐶 (𝑡) = � 𝑖(𝑡)𝑑𝑡 = 𝑉𝑆 (1 − cos 𝜔0 𝑡) ( 36 )
𝐶 0
De las expresiones anteriores se puede observar que en el momento 𝑡 = 𝑡0 = 𝜋√𝐿𝐶 la corriente i(t) cae a
cero y la tensión en el capacitor vL(t) alcanza el valor 2𝑉𝑆 . De no estar presente el diodo D1 la corriente
invertiría su sentido una y otra vez resultando en un circuito oscilante.
i
IP
S1 D1
t=0
+
0
L vL t0/2 t
i -
VS vC
+ 2VS
C vC
-
VS
0
t0 t
Figura 13. Circuito de diodo con carga LC serie, y formas de onda
7.4 Diodo con carga RLC

La Figura 14 representa un circuito con diodo y carga RLC serie, donde la fuente V es de continua.
S1 D1
R
t=0
i +
L vL
V -
+
C vC
-
Figura 14. Circuito de diodo con carga RLC serie
La ecuación que modela al circuito es:

ELECTRÓNICA II
𝑑𝑖(𝑡) 1 ( 37 )
𝐿 + 𝑅𝑖(𝑡) + � 𝑖(𝑡)𝑑𝑡 = 𝑉
𝑑𝑡 𝐶
Para resolver la ecuación ( 37 ), como primer paso la derivamos respecto al tiempo y dividimos ambos
miembros por L, quedando:
𝑑 2 𝑖 𝑅 𝑑𝑖 𝑖 ( 38 )
+ + =0
𝑑𝑡 2 𝐿 𝑑𝑡 𝐿𝐶
Pasando ( 38 ) al dominio de Laplace resulta:
𝑅 1 ( 39 )
𝑠2 + 𝑠+ =0
𝐿 𝐿𝐶
La ecuación ( 38 ) es una ecuación lineal homogénea de segundo orden, cuya solución dependerá del valor
que tomen las raíces de ( 39 ).
Estas raíces tendrán un valor dado por:
𝑅 𝑅 2 1 ( 40 )
𝑠1 , 𝑠2 = −± �� −
2𝐿 2𝐿 𝐿𝐶
Denominando como 𝛼 = 𝑅�2𝐿 al factor de amortiguamiento, y a 𝜔0 = 1� a la frecuencia de resonancia,
√𝐿𝐶
reemplazando los mismos en la ecuación ( 40 ) queda:
( 41 )
𝑠1 , 𝑠2 = −𝛼 ± �𝛼 2 − 𝜔02
Según los valores que tomen las raíces s1 y s2, la solución de la ecuación ( 38 ) será uno de los siguientes
tres casos:
Caso 1: si 𝛼 > 𝜔0 las raíces serán reales, distintas, y de signo negativo. La respuesta será
sobreamortiguada y la solución de ( 38 ) tendrá la forma:
𝑖(𝑡) = 𝐾1 ∙ 𝑒 𝑠1𝑡 + 𝐾2 ∙ 𝑒 𝑠2𝑡 ( 42 )
donde K1 y K2 son constantes que se determinan a partir de las condiciones iniciales del circuito. Sabemos
que en el instante 𝑡 = 0 la corriente será cero porque la inductancia no permite un cambio brusco de la
misma, entonces con esta consideración la ( 42 ) queda:
𝑖(0) = 0 ⇒ 𝐾1∙ 𝑒 0 + 𝐾2∙ 𝑒 0 = 0 ⇒ 𝐾1 = −𝐾2 ( 43 )
𝑖(𝑡) = 𝐾1 ∙ (𝑒 𝑠1𝑡 − 𝑒 𝑠2𝑡 ) ( 44 )
También sabemos que el capacitor no permite un cambio brusco de tensión, por lo que en 𝑣𝑐 (0) = 0.
Dijimos también que en 𝑡 = 0 la corriente es 0, esto significa que la tensión en la resistencia 𝑣𝑅 (0) = 0. Esto
significa que en 𝑡 = 0 toda la caída de potencial ocurre en la inductancia, es decir que 𝑣𝐿 (0) = 𝑉. Entonces:
𝑑𝑖
𝐿 � = 𝑉 ⇒ 𝐾1 ∙ 𝐿 ∙ (𝑠1 − 𝑠2 ) = 𝑉 ⇒ 𝐾1 ∙ 𝐿 ∙ �𝛼 + �𝛼 2 − 𝜔02 − 𝛼 + �𝛼 2 − 𝜔02 � = 𝑉 ( 45 )
𝑑𝑡 𝑡=0
Operando y despejando K1 resulta:
𝑉
𝐾1 = ( 46 )
2𝐿�𝛼 2 − 𝜔02
Reemplazando ( 46 ) en ( 44 ) tenemos:
𝑉 𝑉 �−𝛼+�𝛼 2 −𝜔02 �𝑡 �−𝛼−�𝛼 2 −𝜔02 �𝑡 ( 47 )

𝑖(𝑡) = ∙ (𝑒 𝑠1𝑡 − 𝑒 𝑠2𝑡 ) = ∙ �𝑒 −𝑒 �
2𝐿�𝛼 2 − 𝜔02 2𝐿�𝛼 2 − 𝜔02

ELECTRÓNICA II
𝑉 ��𝛼 2 −𝜔02 �𝑡 �−�𝛼 2 −𝜔02 �𝑡 ( 48 )

𝑖(𝑡) = ∙ �𝑒 −𝛼𝑡 ∙ 𝑒 − 𝑒 −𝛼𝑡 ∙ 𝑒 �
2𝐿�𝛼 2 − 𝜔02
𝑉 ��𝛼 2 −𝜔02 �𝑡 �−�𝛼 2 −𝜔02 �𝑡 ( 49 )

𝑖(𝑡) = ∙ 𝑒 −𝛼𝑡 ∙ �𝑒 −𝑒 �
2𝐿�𝛼 2 − 𝜔02
𝑒 𝑥 −𝑒 −𝑥
Recordando que senh 𝑥 = , reemplazando en ( 49 ) la expresión de la corriente resulta:
2
𝑉
𝑖(𝑡) = ∙ 𝑒 −𝛼𝑡 ∙ senh ��𝛼 2 − 𝜔02 ∙ 𝑡� ( 50 )
𝐿�𝛼 2 − 𝜔02
Caso 2: si 𝛼 = 𝜔0 las raíces serán reales, iguales, y de signo negativo (s1 = s2 = -α). La respuesta será
críticamente amortiguada y la solución de ( 38 ) tendrá la forma:
𝑖(𝑡) = 𝐾1 ∙ 𝑒 −𝛼𝑡 + 𝐾2 ∙ 𝑡 ∙ 𝑒 −𝛼𝑡 ( 51 )
Con los mismos considerandos para 𝑡 = 0 que en el caso 1, resulta:
𝑖(0) = 0 ⇒ 𝐾1 ∙ 𝑒 0 + 𝐾2 ∙ 0 ∙ 𝑒 0 = 0 ⇒ 𝐾1 = 0 ( 52 )
𝑖(𝑡) = 𝐾2 ∙ 𝑡 ∙ 𝑒 −𝛼𝑡 ( 53 )
Luego:
𝑑𝑖 𝑉
𝐿 � = 𝑉 ⇒ 𝐾2 ∙ 𝐿 ∙ (−𝛼 ∙ 𝑡 ∙ 𝑒 −𝛼𝑡 + 𝑒 −𝛼𝑡 )|𝑡=0 = 𝑉 ⇒ 𝐾2 = ( 54 )
𝑑𝑡 𝑡=0 𝐿
Reemplazando ( 54 ) en ( 53 ) se obtiene la expresión final de la corriente, la cual resulta:
𝑉 ( 55 )
𝑖(𝑡) = ∙ 𝑡 ∙ 𝑒 −𝛼𝑡
𝐿
Caso 3: si 𝛼 < 𝜔0 las raíces serán complejas conjugadas. La respuesta será subamortiguada y la solución
de ( 38 ) tendrá la forma:
𝑖(𝑡) = 𝑒 −𝛼𝑡 ∙ �𝐾1 ∙ cos ��𝜔02 − 𝛼 2 ∙ 𝑡� + 𝐾2 ∙ sen ��𝜔02 − 𝛼 2 ∙ 𝑡�� ( 56 )
Con los mismos considerandos para 𝑡 = 0 que en el caso 1, resulta:
𝑖(0) = 0 ⇒ 𝐾1 = 0 ( 57 )
Reemplazando ( 57 ) en ( 56 ):
𝑖(𝑡) = 𝑒 −𝛼𝑡 ∙ 𝐾2 ∙ sen ��𝜔02 − 𝛼 2 ∙ 𝑡� ( 58 )
Luego:
𝑑𝑖
𝐿 � = 𝑉 ⇒ 𝐾2 ∙ 𝐿 ∙ �−𝛼 ∙ 𝑒 −𝛼𝑡 ∙ sen ��𝜔02 − 𝛼 2 ∙ 𝑡� + 𝑒 −𝛼𝑡 ∙ cos ��𝜔02 − 𝛼 2 ∙ 𝑡� ∙ �𝜔02 − 𝛼 2 � =𝑉 ( 59 )
𝑑𝑡 𝑡=0 𝑡=0
𝑉
𝐾2 ∙ 𝐿 ∙ �𝜔02 − 𝛼 2 = 𝑉 ⇒ 𝐾2 = ( 60 )
𝐿 ∙ �𝜔02 − 𝛼 2
Reemplazando ( 60 ) en ( 59 ) se obtiene la expresión final de la corriente, la cual es:
𝑒 −𝛼𝑡 ∙ 𝑉
𝑖(𝑡) = ∙ sen ��𝜔02 − 𝛼 2 ∙ 𝑡� ( 61 )
𝐿∙ �𝜔02 − 𝛼2

ELECTRÓNICA II
En la Figura 15 se pueden apreciar las formas de onda de corriente para los tres casos anteriores. Debe
hacerse notar que en el caso 3 (respuesta subamortiguada), si en el circuito RLC no estuviera presente el
diodo, la corriente realizaría excursiones tanto positivas como negativas en su oscilación. Al estar presente
el diodo, la corriente estará limitada solamente al primer semiciclo positivo, como se muestra en la Figura
16.
i
Caso 1 (sobreamortiguado)
Caso 2 (amortiguamiento crítico)
Caso 3 (subamortiguado)
t
Figura 15. Formas de onda de corriente para circuito RLC serie con diodo
RLC sin diodo

RLC con diodo
Figura 16. RLC subamortiguado con diodo y sin diodo
8 DIODO DE CORRIDA LIBRE

Considerando el circuito de la Figura 17, al cerrar el interruptor S1 durante un tiempo t1 se establecerá una
corriente a través de la carga. Si posteriormente se abre el interruptor S1, la energía almacenada como
campo magnético en la bobina L generaría una tensión elevada y se disiparía en forma de calor a través del
interruptor, como un arco eléctrico. Esto somete al interruptor S1 a un estrés eléctrico que con el tiempo lo
irá dañando. Para evitar esto se utiliza un diodo Dm denominado diodo de corrida libre, de forma de
proporcionar una trayectoria para la corriente de la carga inductiva. La operación del circuito se puede
entonces dividir en dos momentos o modos. El modo 1 comienza cuando se cierra el interruptor S1 durante
un tiempo t1, y el modo 2 dura un tiempo t2 y comienza cuando se abre el interruptor S1. En la Figura 17 se
muestran los circuitos equivalentes para ambos modos, donde i1 e i2 son las corrientes instantáneas para
los modos 1 y 2 respectivamente, y t1 y t2 son las duraciones de cada modo.

ELECTRÓNICA II
D1
S1 i i1 i2
R R R
VS Dm VS
L L L I1
Circuito Modo 1 Modo 2

Figura 17. Circuito con diodo de marcha libre (izq) y circuitos equivalentes (der)
Modo 1: durante este modo la corriente i1 en el diodo es, de acuerdo a la ecuación ( 27 ):
𝑉𝑆 ( 62 )
𝑖1 (𝑡) = �1 − 𝑒 −𝑡𝑅⁄𝐿 �
𝑅
Al abrirse el interruptor luego de un tiempo 𝑡 = 𝑡1(al final del modo 1), la corriente en ese instante será:
𝑉𝑆 ( 63 )
𝐼1 = 𝑖1 (𝑡 = 𝑡1 ) = �1 − 𝑒 −𝑡1𝑅⁄𝐿 �
𝑅
Modo 2: este modo comienza cuando se abre el interruptor S1 y la corriente de carga comienza a circular
por el diodo de marcha libre Dm. La corriente i2 se obtiene adecuando la ecuación ( 25 ) para este caso,
resultando:
𝑖2 (𝑡) = 𝐼1 ∙ 𝑒 −𝑡𝑅⁄𝐿 ( 64 )
En la Figura 18 se pueden observar las formas de onda de la corriente de carga, donde i1 corresponde a la
conducción por D1 e i2 corresponde a la conducción por Dm.
i
I1
i1
i2
0
t1 t2 t
Figura 18. Formas de onda


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ELECTRÓNICA II

Departamento de Ingeniería Eléctrica

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Figura 1. Lingote de Si monocristalino

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2 CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

Figura 3. Unión pn y símbolo del diodo

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL - FACULTAD REGIONAL SANTA FE Página 4 de 18

Unidad 2: Diodos Semiconductores de Potencia

Figura 4. Características tensión-corriente real (izq) e ideal (der)

Retomando la curva real V-I de la Figura 4, en la misma se distinguen tres regiones:

Región de polarización directa:

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Región de polarización inversa:

3 CARACTERÍSTICAS DE RECUPERACIÓN INVERSA

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Unidad 2: Diodos Semiconductores de Potencia

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL - FACULTAD REGIONAL SANTA FE Página 7 de 18

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4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

4.1 Diodos de propósito general

4.2 Diodos de recuperación rápida

4.3 Diodos Schottky

4.4 Diodos de carburo de silicio

5 CONEXIÓN DE DIODOS EN SERIE

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL - FACULTAD REGIONAL SANTA FE Página 8 de 18

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Figura 6. Circuito (izq) y características V-I (der)

𝐼𝑆 = 𝐼𝑆1 + 𝐼𝑅1 = 𝐼𝑆2 + 𝐼𝑅2 ( 11 )

Asimismo se verifica que:

6 CONEXIÓN DE DIODOS EN PARALELO

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Figura 10. Diodos en paralelo con inductores acoplados

7 DIODOS CON CARGAS

7.1 Diodo con carga RC

t=0 0,368 VS/R

Figura 11. Circuito de diodo con carga RC serie, y formas de onda

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Reemplazando ( 18 ) en ( 19 ) y despejando, resulta:

7.2 Diodo con carga RL

Figura 12. Circuito de diodo con carga RL serie, y formas de onda

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𝑖𝐿 (𝑡) = 𝐼𝐹 + (𝐼𝐼 − 𝐼𝐹 )𝑒 −𝑡𝑅⁄𝐿 ( 25 )

7.3 Diodo con carga LC

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Unidad 2: Diodos Semiconductores de Potencia

Figura 13. Circuito de diodo con carga LC serie, y formas de onda

7.4 Diodo con carga RLC

Figura 14. Circuito de diodo con carga RLC serie

La ecuación que modela al circuito es:

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𝑖(𝑡) = 𝐾1 ∙ 𝑒 𝑠1𝑡 + 𝐾2 ∙ 𝑒 𝑠2𝑡 ( 42 )