TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO JFET

Diego David Aguilar 1002723349, Tania Collantes Jaimes 1090963405, Jean Carlos Cotrina
Vargas1093789152, Edwin Fabian Duran Angarita 1094167965, Yaison Emilio García Gómez
1092364681.
Curso Electrónica II, Grupo CR, Departamento de Ciencias Básicas, Universidad de Pamplona

RESUMEN:
Para este laboratorio 1 de Electrónica II, se desea ejecutar la práctica siguiendo los pasos planteados y coincidir la temática vista en el
aula de clase sobre el JFET Transistor Efecto de Campo, de esta forma identificaremos el modo de uso corroborando con la teoría, en
contraste con una representación más práctica, debido a esto se requiere realizar el montaje en una Protoboard, con su respectiva
simulación en Proteus 8, a si de este modo se podrá comparar las identificaciones obtenidas a la hora tomar las disímiles mediciones, para
esto se van a usar los diferentes componentes citados por guía de laboratorio como lo son: resistencias 1kohm 290 y 390 ohm,
potenciómetro de 10k ohm fuentes de alimentación en DC variable, cables de conexión, jumpers o cable conductor, multímetro, hoja de
característica, para saber sus particularidades y el transistor 2N3819 de canal N que será el protagonista en esta práctica, donde se podrá
asemejar y representar las regiones demostrativas de la curva de su drenador y transconductancia, de esta manera también identificaremos
su comportamiento con las diferentes configuraciones vistas en el aula de clase, usando el método Grafico, método Matemático, método
Abreviado, de esta forma vamos a rectificar y comparar las dos instancias en la parte física y teórica, donde se identifica la valides en los
dos casos, para esta sección partimos a realizar las configuraciones propuesta por el docente en los tres diagramas circuitales, a partir de
esto se requiere confirmar sus puntos de criterio, para su efecto la curva de trabajo, la tensión de estrangulamiento proporcional, la
determinación de su zona de trabajo usando la gráfica y las soluciones ideales, esto se realiza con lo anterior nombrado que son los tres
métodos y vinculado a esto es necesario resaltar que vamos a trabajar con energía eléctrica en DC.

Palabras Claves: Transistor1, JFET2, Canal3, Curva4, Trabajo5, Comportamiento6, Tension7, Polarizacion8.

ABSTRACT:
For this laboratory 1 of Electronics II, it is desired to execute the practice following the steps proposed and match the subject matter seen
in the classroom on the JFET Field Effect Transistor, in this way we will identify the mode of use corroborating with the theory, in
contrast to a more practical representation, Due to this it is required to make the assembly in a Protoboard, with its respective simulation
in Proteus 8, in this way it will be possible to compare the identifications obtained at the time of taking the dissimilar measurements, for
this we will use the different components cited by laboratory guide as they are: resistors 1kohm 290 and 390 ohm, potentiometer of 10k
ohm variable DC power supplies, connection cables, jumpers or conductor cable, multimeter, characteristic sheet, to know its
particularities and the transistor 2N3819 of channel N that will be the protagonist in this practice, where it will be possible to resemble and
represent the demonstrative regions of the curve of its drain and transconductance, in this way we will also identify its behavior with the
different configurations seen in the classroom, using the Graphical method, Mathematical method, Abbreviated method, In this way we
will rectify and compare the two instances in the physical and theoretical part, where the validity is identified in the two cases, for this
section we start to perform the configurations proposed by the teacher in the three circuit diagrams, from this it is required to confirm their
criterion points, For its effect the work curve, the proportional choke voltage, the determination of its working area using the graph and
the ideal solutions, this is done with the above named that are the three methods and linked to this it is necessary to emphasize that we will
work with DC power.

Key Words: Transistor1, JFET2, Channel3, Curve4, Work5, Behavior6, Voltage7, Polarizatio8.

1. Introducción dopando entre los regiones opuestas de

Para este laboratorio de transistores de efecto de
campo JFET, exploraremos las características y el
funcionamiento de los transistores de efecto de
campo de Unión JFET, que son un tipo común de
transistor utilizado en aplicaciones de amplificación y
conmutación un JFET ya que es un dispositivo
semiconductor que controla el flujo de corriente a
través del canal n y p de material de semiconductores
1
semiconductores tipo p y tipo n en este caso vamos a
utilizar el tipo n el control lo se logra mediante la
aplicación de tensión de polarización a la región de
control a lo que cambia la anchura del canal y por lo
tanto la corriente que fluye a través de él durante ese
laboratorio vamos a aprender cómo medir las
características de los JFET como la resistencia del
canal y la corriente de saturación y cómo se debe
utilizar el JFET en un circuito de amplificación

2
también veremos cómo el JFET se compara con otros eléctrico bajo la capa del óxido que incide
tipos de transistores y cuando es más adecuado su uso perpendicularmente sobre la superficie del
y las propiedades eléctricas del material. El JFET en semiconductor p y podemos corroborar
el efecto de campo controla el flujo de la corriente a
través del canal del transistor, vamos a diferenciar las
configuraciones de los circuitos y analizar cómo el
efecto de campo afecta el comportamiento de nuestro
transistor. Además, en este laboratorio se
proporcionará una comprensión práctica y profunda
del funcionamiento en los materiales
semiconductores. Para la aplicación se ha venido
presentando en cuanto a los transistores BJT, su
condición en lo que soporta la corriente y la
dependencia a la que se ven sometidas, por
instalación, por su mal esquema, lo más relevante es
el efecto desprendimiento, por estos motivos se ha
llevado a que sean sustituidos por transistores más
avanzados de los efecto de campo que son los
MOSFET, estos transistores han desplazo al BJT, es
relevante ya que este transistor consta de una baja
potencia y son excelentes para aplicaciones de baja
tensión, de este mismo modo consta de una
conmutación resistiva a altas frecuencias, como lo
son las fuentes de alimentación conmutadas, los
motores sin escobillas y un ámbito amplio en las
aplicaciones en la robótica, la mayoría de
procedimientos, abarca la parte de los drivers de
estado sólido, motores, lámparas, etc. Este dispositivo
su máxima característica, es que su funcionamiento es
como un dispositivo de control, se encarga de
controlar el flujo de energía que transfiere a la carga,
estos dispositivos alcanzan una gran eficiencia donde
varían su ciclo de trabajo, donde se encarga de
regular la tensión de salida, de modo que se realiza
la conmutación.
El presente laboratorio nos muestra como
componente principal el uso del Transistor De Efecto
de campo JFET 2N3819 canal N, cual cuenta con
electrones portadores principales, el voltaje de G
aplicando positivo (+) al momento de operar, este nos
permite el paso a través de él dependiendo de
dependiendo de un voltaje que llega a su terminal
Gate, de esta misma forma la diferencia de tensión
entre el electrodo de la puerta y el subrayado induce
un canal conductor entre los contactos de drenador y
surtidor gracias al efecto de campo el término de
enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad eléctrica debido a un aumento del
conjunto de portadores de carga en la correspondiente
al canal, el mosset a utilizar tipo n se crea un campo
3
qué cuanto mayor sea la tensión de la puerta gate  1 resistencia de 1kΩ
mayor será el campo eléctrico y por lo tanto la carga
en un canal, una vez tenemos establecido el canal la
corriente se origina aplicando una tensión positiva
en el drenador respecto a la tensión de fuente.
Las polarizaciones para el transistor JFET están la
región óhmica, que se comporta como una
resistencia, se alimenta la compuerta y se usa la
resistencia RG para la polarización en el punto de
alimentación en el voltaje del drenador, las
condiciones para esto es polarizar la compuerta con
una resistencia RG, el ID es menor igual al IDS, la
polarización en región activa cortan del drenador,
fluye el IS*RS, VG=0V, seguido de esto
identificaremos las diferentes polarizaciones y se
procede a tomar las mediciones en la práctica física
y el montaje para poder corroborar, con las
simulaciones de proteus.
2. Objetivo General
 Comprender el efecto de campo en los
transistores JFET y cómo afecta su
comportamiento eléctrico, según sus
propiedades.
2.1 Objetivos específicos
 Analizar las características eléctricas de los
transistores JFET
 Explicar el principio de funcionamiento del
efecto de campo de los transistores.
 Analizar la relación entre las polarizaciones
del transistor JFET y su comportamiento en
las mismas.
 Realizar las mediciones experimentales para
comparar las características teóricas con las
medidas obtenidas en el laboratorio.
 Analizar y comprender de manera
insondable la práctica del laboratorio para
resolver problemas teóricos y analizar los
resultados de las mediciones
3. Materiales
Materiales:
 2 transistores 2N5484 y 2N3819 canal N.
 Hoja de características impresa
del dispositivo.
 1 Fuente de alimentación en DC variable.
 4 cables de conexión (Caimanes
o bananas).
4
  1 potenciómetro de 10kΩ necesidades
 1 resistencia de 290Ω, 390Ω o de 490Ω.
 1 protoboard.
 Jumpers o cable conductor utp.
 1 osciloscopio.
 1 multímetro.

Transistor 2N3819 canal N: El transistor 2N3819

es un tipo de transistor de efecto de campo de
unión (JFET) de canal n. Como su nombre indica,
es un dispositivo de tres terminales con una
compuerta, un drenador y una fuente, y su
operación se basa en la modulación de la
conductividad de un canal de tipo n en un sustrato
de tipo p mediante la aplicación de un campo
eléctrico a través de la compuerta. El canal n del
JFET actúa como una resistencia variable que
controla el flujo de corriente a través del
dispositivo. Cuando se aplica una tensión negativa
a la compuerta, se reduce la anchura del canal y,
por lo tanto, aumenta la resistencia, lo que limita la
corriente de drenador. Por otro lado, cuando se
aplica una tensión positiva a la compuerta, se
ensancha el canal y disminuye la resistencia,
permitiendo que fluya más corriente a través del
dispositivo, el transistor 2N3819 se utiliza
comúnmente en circuitos de amplificación de señal
de baja frecuencia y en aplicaciones de
conmutación de señal.

Fuente de alimentación en DC variable: Una

fuente de alimentación en DC variable es un
dispositivo electrónico que proporciona una salida
de voltaje de corriente continua (DC) ajustable y
controlable por el usuario. La fuente de
alimentación convierte la corriente alterna (AC) de
la línea eléctrica en una salida de voltaje DC
constante y regulada, que se puede ajustar para
cumplir con los requisitos de voltaje de un circuito
o dispositivo en particular. La mayoría de las
fuentes de alimentación en DC variables utilizan un
regulador de voltaje ajustable, que controla la
cantidad de voltaje entregado a la carga. Esto se
logra mediante la adición de un circuito de control
de voltaje, como un potenciómetro o una interfaz
de usuario digital, que permite al usuario ajustar la
salida de voltaje de la fuente de alimentación a un
valor deseado. Estas fuentes de alimentación en
DC variables son ampliamente utilizadas en
electrónica y en la industria de las comunicaciones,
ya que permiten el ajuste preciso de la tensión y la
corriente de salida para adaptarse a las
5
específicas del circuito o dispositivo que se ancho de pulso y el tiempo de subida y bajada.
está alimentando. Además, también se pueden
utilizar en la carga de baterías y en la prueba y
verificación de equipos electrónicos.

Resistencia: es una propiedad que se opone al

flujo de corriente eléctrica en un material
conductor. Se mide en ohmios y se representa por
la letra R. Una resistencia eléctrica es un
componente pasivo que se utiliza en circuitos
electrónicos para limitar la corriente eléctrica o
para dividir la tensión en un circuito. Las
resistencias se fabrican en una amplia variedad de
valores y potencias para adaptarse a diferentes
aplicaciones en electrónica y electricidad.

Potenciómetro: es un componente eléctrico que

permite ajustar la resistencia eléctrica en un
circuito mediante la rotación de un eje. Consiste
en una resistencia variable y un contacto móvil
que se desliza a lo largo de la resistencia,
permitiendo así variar la cantidad de resistencia
eléctrica en el circuito. Los potenciómetros
electrónicos se utilizan comúnmente en
aplicaciones como el control de volumen en
amplificadores de audio, el ajuste de brillo y
contraste en pantallas LCD y la regulación de la
velocidad de motores eléctricos. Los
potenciómetros electrónicos están disponibles en
una amplia variedad de valores de resistencia y
tamaños para adaptarse a diferentes aplicaciones

Protoboard: (también conocido como placa de

pruebas, breadboard o placa de ensayo) es un
componente físico utilizado en electrónica para
prototipar circuitos eléctricos sin necesidad de
soldadura. Consiste en una placa de plástico con
agujeros y contactos de metal que permiten
insertar y conectar los componentes eléctricos de
forma temporal y sin dañarlos.

Osciloscopio: Es un instrumento de medición

electrónico utilizado para visualizar y analizar
señales eléctricas variables en el tiempo.
Funciona mostrando una gráfica de la señal
eléctrica en una pantalla, donde el eje vertical
representa la amplitud de la señal y el eje
horizontal representa el tiempo. Los osciloscopios
se utilizan comúnmente en la electrónica para
medir y analizar señales eléctricas como ondas
sinusoidales, cuadradas o triangulares, pulsos y
otras formas de onda. Pueden medir parámetros
como la frecuencia, el voltaje, la corriente, el
6
Multímetro: instrumento de medición electrónico
utilizado para medir varios parámetros eléctricos en
un circuito, como voltaje, corriente y resistencia. Los
multímetros suelen ser portátiles y se utilizan
comúnmente en la electrónica, la electricidad y otras
disciplinas que involucran circuitos eléctricos.
Además de las mediciones básicas, algunos
multímetros también pueden medir frecuencia,
capacitancia, continuidad y diodos.
Materiales Reactivos:
 Energía Eléctrica en DC
4. Metodología
4.1 Paso 1
Se realizaron los circuitos visto en la guía de
laboratorio realizándolos en el simulador proteus, y se
pasaron a realizar el montaje de forma física en el
Protoboard, colocamos todos los componentes
conectando sus puntos de forma similar a la
simulación a continuación, en la figura 1, vemos la
simulación de 2N3819.
Figura 1 Simulación Primer Circuito - Tomada del simulador Proteus 8
4.2 Paso 2. Realizamos las mediciones en DC,
utilizando el multímetro con su respectiva
conexión a sus positivos y negativos de todos
los puntos de la configuración y procedemos a
llenar las diferentes tablas para cada inciso, sí
RD=1kΩ. para la RD se retira para hacer la
medición, se mantienen el voltaje en 0, al
momento que iniciamos.
4.3 Paso 3. Se gráfico la curva del drenador de
7
acuerdo con las características que antes
teníamos de esta forma se grafica en un Excel,
ID vs VDS.
4.4 Paso 4. Del mismo modo se agregó al montaje
una resistencia RS=200Ω al circuito entre la salida
del terminal “S” (source) y tierra, como se muestra
en la figura de la guía, se realizó la simulación
primero que todo, luego procedimos a agregarla a
montaje físico.
Figura 2 Simulación del segundo Circuito - toma de captura del
simulador
4.5 Paso 5. En este paso volvimos a realizar el paso
2, donde medimos nuevamente, pero con las dos
resistencias que se agregaron que fueron RS: 220
ohm y la de RD: 1K ohm.
4.6 Paso 6. se varía el voltaje puerta-fuente (VGS) y
se registraron los valores tomados de la corriente del
drenador (ID) hasta que ID sea igual a cero.
4.7 Paso 7. Se Gráfico la curva de transferencia
de acuerdo con las características antes
tomadas.
4.8 Paso 8. Se remplazo la resistencia RS por
un potenciómetro de 10kΩ nos aseguramos que
su valor estuviera en su mínimo antes de
realizar la medición, variamos su valor
lentamente y se fueron registrando los valores
de VGS e ID en las tablas. A continuación,
agregamos la simulación de la figura 3.
Figura 3 simulación del circuito 3 con potenciómetro- captura tomada
pór estudiantes Figura 5 Medición del circuito 1

4.9 Paso 9. Se grafico el comportamiento del Tabla 1 RD 1K

voltaje puerta-fuente vs corriente del drenador
para los diferentes valores del potenciómetro, VGS 0v
de forma ascendente a como tomamos los VS 0v
valores. VDS 4.96 v
VD 4.96 v
ID 0 mA
5. Resultados y Análisis IG 0A
Montaje 1: En la siguiente tabla 1 del paso 2, donde IDSS 20 mA
realizamos las mediciones del DC, se tomaron como VP 8v
se muestra en la figura 5 en la figura 4 vemos el
montaje realizado con su resistencia de 1k y el
Tabla 2 Condiciones y IDSS
transistor 2N3918
RD Condición 1 IDSS
1kΩ VGS=0v 10 mA
Condición 2 VGS
ID=0A <1v

Graficamos la curva del drenador con las

características vistas podemos ver en la siguiente
grafica 5.

Curva del Drenador

25
20
orriente del drenador

Figura 4 Montaje físico con 2N3819 Y Res 1k- Tomada por estudiantes 15
10
5
Series1
0

0102030
Voltaje drenador-fuente (VDS)

Figura 6 ID vs VDS

8
 Curva de transferencia
Montaje 2: Comparación de los datos obtenidos en el
2,5
simulados y los datos del montaje de la medición, 2
como podemos observar los valores son similares,

Corriente del drenador

1,5
casi mínimo el desfaz. Como lo vemos en la tabla 3 1
que está a continuación del simulador y la tabla 4, en 0,5
0
la siguiente figura vemos el montaje realizado con las
dos resistencias de 220 ohm y 1kohm.
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0
Voltaje drenador-fuente (VDS)

Figura 8 Curva de trasferencia del Montaje 2

Para la figura 8 de la curva de trasferencia, representa

la corriente el drenador controlada por la tensión de la
compuerta, la cual establece el tamaño de la región de
agotamiento en el canal del dispositivo esta nos
muestra la relación entre la corriente del drenador y la
tensión de la compuerta en el rango operativo, como
se puede validar en la Figura 8, Nos permitió
Figura 7 Montaje y medición con las dos resistencias 1kohm y 220 ohm
determinar la operación.

Tabla 3 VGS (V) vs ID (A) SIMULADOR

Montaje 3: En este reemplazamos la resistencia RS
VGS(V) ID(A) por un potenciómetro de 10 k nos aseguramos que
0 2.35 mA está en su valor mínimo, los tomamos desde el menor
-1 1,75 mA a mayor registramos los valores en la siguiente tabla
-2 1,12 mA para comparar con los tomados del simulador, a
-3 0,752 mA continuación las diferentes tablas 5, 6, 7 ,8, 9 para
-4 0,34 mA este inciso, a continuación la figura 9 nos muestra el
-5 0,11 mA montaje, y la figura 10, nos muestra la variación en el
VGS.
La tabla 4 nos muestra los valores medidos
Tabla 4 valores Medidos

VGS(V) ID(A)
0 2,15 mA
-1 1,69mA
-2 1,05 mA
-3 0.57 mA
-4 0.5 mA
-5 0.24 mA
Figura 9 Montaje con Potenciómetro - tomada por los estudiantes

Grafica de la curva de transferencia la podemos ver a

continuación en la figura 6, del montaje 2

9
 Tabla 9 VGS= -3 vs ID Simulación

% CON VGS=-3 ID(A)

0 9.12 mA
10 3.42 mA
50 0.75 mA
100 0.38 mA

De esta forma con los datos de las tablas anteriores

vamos a verificar con las tomas de las diferentes
Figura 10 Variación de VGS (0,-1,-2,-3) mediciones de modo físico, a continuación, con las
Tabla 5 VGS vs ID (0,-1,-2,-3,) Simulación
tablas. 10, 11, 12, 13, ,14.
Tabla 10 VGS vs ID Medición Física (0,-1,-2,-3)
% VGS(V) ID(A)
0 0 9.98 mA % VGS(V) ID(A)
10 -1 1.60 mA 0 0 9.95 mA
50 -2 0.55 mA 10 0 0.38 mA
100 -3 0.38 mA 50 0 0.32 mA
100 0 0.3 mA
Tabla 6 VGS= 0 vs ID Simulación

% CON VGS=0 ID(A) Tabla 11 VGS= 0 vs ID Medición Física

0 9.98 mA % CON VGS=0 ID(A)

10 0.73 mA 0 9.5 mA
50 0.17 mA 10 0.41 mA
100 0.09 mA 50 0.38 mA
100 0.3 mA
Tabla 7 VGS= -1 vs ID Simulación
Tabla 12 VGS= -1 vs ID Medición Física
% CON VGS=-1 ID(A)
0 11 mA % CON VGS=-1 ID(A)
10 1.60 mA 0 10 mA
50 0.36 mA 10 0.38 mA
100 0.19 mA 50 0.34 mA
100 0.34 mA
Tabla 8 VGS= -2 vs ID Simulación

Tabla 13 CON VGS=-2 ID(A) Medición Física

% CON VGS=-2 ID(A)
0 10.1 mA % CON VGS=-2 ID(A)
10 2.5 mA 0 9.5 mA
50 0.55 mA 10 0.47 mA
100 0.28 mA 50 0.43 mA
100 0.4 mA

10
Tabla 14 GS= -3 vs ID Medición Física
VDS=15-(20× 10−3) ×(1× 103=-5V
VS= ID.RS= 0,015×290=4,35V
% CON VGS=-3 ID(A) Condición 1: VGS=0
0 8.5 mA IDSS=(1- - ID )=0,015A
VGS
10 0.51 mA 1 − VP
50 0.49 mA
100 0.48 mA Condición 2: ID=0A
VGS=(1- - 0×8−3
20×10 )=1V
Grafica del comportamiento con el potenciómetro el ID→VGS=0,-2,-3,-4,-5
ID vs El porcentaje del Potenciómetro, a ID=(-1 80)=0.015A
continuación, podemos observar el comportamiento
en los incisos 0, ID=(-1 −0)=1,875
8
-1, -2, -3, según el porcentaje en el potenciómetro, en
la figura siguiente podemos corroborar su conducta VGS=-2→ID=3,75
VGS=-3→ID=5,625

VGS=-4→ID=7,5
Potenciometro con ID
VGS=-5→ID=9,375
12
10
Corriente del drenador

8
6 vgs=0
4 vgs=1 vgs=2 vgs=3
2 6. Conclusiones
0

050100150  En las mediciones experimentales y al

Porcentaje del potenciometro comparar las características teóricas con las
medidas obtenidas en el laboratorio se puede
ver que a pesar de que en el datasheet que
Figura 11 Comportamiento del Potenciómetro vs la ID
obtuvimos se podía apreciar una cierta
Ecuaciones información sobre el orden de las terminales
del transistor, la realidad era que el orden era
1) VGS=0 otro, confirmando incluso con un datasheet
VS=0 especifico la información puede cambiar y
VDS=-5V variar el valor
VD=0
ID=00.2  Se comprende de manera indescifrable la
IDSS=20mA práctica del laboratorio para resolver
VP=8 problemas teóricos, donde analizamos los
VGS=15V resultados de las mediciones y se puede decir
que al trabajar con los valores negativos en el
voltaje VGS hay que tener cuidado con la
ID=IDSS (1- -VGS)
VP conexión que se realiza ya que al conectarlo
de revés no solo obtendremos valores
ID=15(1- 80)=0.015A incorrectos, sino que se corre el riesgo de
superar el voltaje vp y entrar a la zona de
VD=15-0.015×1000=0 saturación.
VDS=15-(20× 10−3) ×(1× 103=-5V
2)
11
ID=15(1- 80)=0.015A

12
  Se Comprendido que el efecto de campo en A. MALVINO, B. (2007).
los transistores JFET, para su región óhmica Electrónica:
el transistor se comporta como un resistor
variable controlado por la tensión de la
puerta, en esta región se pueden medir la
resistencia de entrada y la resistencia de
salida del transistor, lo pudimos corroborar
con la práctica.

 Se comprendió el principio de funcionamiento

del efecto de campo de los transistores, que se
da en su zona activa, dónde se pudo medir la
ganancia de voltaje y la impedancia de
entrada del transistor, donde el voltaje es la
relación entre la señal de entrada y la salida,
también cuando se realiza las mediciones con
el potenciómetro este si no se conecta de la
manera adecuada tanto en físico como en el
simulador saldrán datos erróneos que pueden
entorpecer las conclusiones, mas las distintas
mediciones.

 Para las curvas del drenador y la

transconductancia del JFET, se puede
observar que la corriente de drenador se
mantiene constante a medida que la tensión
del drenador aumenta mientras que el en
corte se mantendría la región del drenador
sencillamente en cero.

 Se pudo corroborar que para la

transconductancia la medida de la
sensibilidad del transistor la da la tensión de
la compuerta por esta razón se cambia la
corriente de drenador a la variación de la
tensión, de la misma manteniendo constante
la tensión del drenador, de esta forma se
puede calcular a partir de la pendiente de la
curva del drenador en la región de
amplificación si se solicitara.

7. Referencias Bibliográficas
L. BOYLESTAD, R. (2009). Electrónica:
teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.
México: Pearson.

L. FLOYD, T (2008). Electrónica:

Dispositivos electrónicos. México: Pearson.

13
Principios de Electrónica. Madrid: McGraw-
Hill.
Anexos:

14
15