Microelectronics - Circuit - Analysis - and - de (1) - 1-1000-499-1000 (051-100) .En - Es

526 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
Entonces esperamos que la frecuencia superior de 3 dB sea mayor que la observada en la

configuración de emisor común.
Para la parte de entrada del circuito, la frecuencia superior de 3 dB viene dada por
1
FHπ = (7.114 (a))
2πτpagπ
donde el ti[metro(e consta)nt es

]
rπ
τPAGπ = ‖Rmi‖ RS · Cπ (7.114 (b))
1 +β
En el análisis de la mano, asumimos que CL es un circuito abierto. CapacidadCµ voluntad
también producen una frecuencia superior de 3 dB, dada por
1
FHµ = (7.115 (a))
2πτPAGµ
donde la constante de tiempo es
τPAGµ = [RC‖RL] · Cµ (7.115 (b))
Si Cµ es mucho más pequeño que Cπ, esperaríamos la frecuencia de 3 dB FHπ debido a

Cπ para dominar la respuesta de alta frecuencia. Sin embargo, el factorrπ / (1 + β) en el
tiempo constante τPAGπ es pequeño; por lo tanto, las dos constantes de tiempo pueden ser del mismo orden
de magnitud.
EJEMPLO 7.14
Objetivo: Determine las frecuencias de las esquinas superiores y la ganancia de banda media de un circuito de
base común.
Considere el circuito que se muestra en la Figura 7.61 con parámetros de circuito. V + = 5 V,
V- = -5 V, RS = 0,1 k, R1 = 40 k, R2 = 5,72 k, RE = 0,5 k, RC = 5 k, y RL = 10 k. (Estos son los
mismos valores que los usados para el circuito de emisor común en el ejemplo
7.13.) Los parámetros del transistor son:β = 150, VSER(encendido) = 0,7 V,
VA = ∞, Cπ = 35 pF y Cµ = 4 pF.
Solución: El análisis de cd es el mismo que en el ejemplo 7.13; por lo tanto,ICQ = 1,03 mA,
gramom = 39,6 metros A / V y)rπ = 3,79] k. La constante de tiempo asociada conCπ es
[(
r π)
τ PAGπ= (1 + β ‖Rmi‖ RS ·C
[ ]π
3,79‖ (0,5)‖
= (0,1) × 103 (35 × 10-12) ⇒ 0,675 ns
151
La frecuencia superior de 3 dB correspondiente a Cπ es, por lo tanto
1 1
FHπ = = ⇒ 236 MHz
2πτPAGπ 2π (0,675 × 10-9)
La constante de tiempo asociada con Cµ en la parte de salida del circuito es
τPAGµ = [RC‖RL] · Cµ = [5‖10] × 103 (4 × 10-12) ⇒ 13,33 ns
La frecuencia superior de 3 dB correspondiente a Cµ es, por lo tanto
1 1
FHµ = = ⇒ 11,9 MHz
2πτPAGµ 2π (13,3 × 10-9)
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 527
Entonces, en este caso, FHµ es la frecuencia del polo dominante.

La magnitud de la mi dband vo∥ganancia
l( de edad) es
∥ r
R∥ ∥∥
1 +π)β
|Av | = g (R‖ R)L
METRO metro C
∥ r
Rmi ∥∥MI( + R S
1∥+β
∥π )
∥ ( 79
0,5
151
= (39,6) (5‖10) ∥ (∥ 3.) = 25,5

∥ 3,79
∥
0,5∥ + 0,1
151
Comentario: Los resultados de este ejemplo muestran que el ancho de banda de la base común
El circuito está limitado por la capacitancia. Cµ en la parte de salida del circuito. El ancho de
banda de este circuito en particular es de 12 MHz, que es aproximadamente un factor de cuatro
mayor que el ancho de banda del circuito emisor común del ejemplo 7.14.
Verificación por computadora: La figura 7.63 muestra los resultados de un análisis de PSpice del
circuito de base común. Los valores de la computadora sonCπ = 35,5 pF y Cµ = 3,89 pF, que
son los mismos que los del ejemplo 7.13. La curva marcada "Cπ sólo ”es la respuesta de
frecuencia del circuito si Cµ está descuidado. La curva marcada "Cπ y Cµ solo en-
incluye el efecto de ambos Cπ y Cµ. Como predijo el análisis de la mano, Cµ Domina la
respuesta de alta frecuencia del circuito.
La frecuencia de esquina es de aproximadamente 13,5 MHz y la ganancia de banda media es de 25,5,
ambas concuerdan muy bien con los resultados del análisis manual.
|AV |
40
10
Cpag solo
C L= 5 pF
Cpag y Cmetro
CL = 150 pF solo
1.0
0,1
104 105 106 107 108 109 fHz)
Figura 7.63 Resultados del análisis de PSpice para el circuito de base común
Las curvas marcadas "CL = 5 pF ”y“CL = 150 pF ”son la respuesta del circuito si el
transistor es ideal y solo se incluye una capacidad de carga. Estos resultados de nuevo
demuestre que si una capacitancia de carga de CL = Si se conectaran 150 pF a la salida, la respuesta del
circuito estaría dominada por esta capacitancia. Sin embargo, si una carga de 5 pF
condensador estaban conectados a la salida, la respuesta del circuito sería una función de
ambos CL y Cµ capacitancias, ya que las dos características de respuesta son casi
idénticas.
PROBLEMA DE EJERCICIO
*Ej 7.14: Considere el circuito de base común de la figura 7.64. El transistor para-
metros son β = 100, VSER(encendido) = 0,7 V, VA = ∞, Cπ = 24 pF y Cµ = 3 pF. (a) Determine las
frecuencias superiores de 3 dB correspondientes a los porcentajes de entrada y salida.
ciones del circuito equivalente. (b) Calcule el voltaje de banda media de señal pequeña
ganar. (Resp. (A)FHπ = 223 MHz, FHµ = 58,3 MHz, (b) Av = 0,869)
CC1 → ∞ CC2→ ∞
vo
RS = 1 kΩ
+ RE = RC =
vI -- 10 kΩ 10 kΩ RL =
- RB = + 1 kΩ
CB → ∞
10 V 100 kΩ 10 V
+ -
Figura 7.64 Figura del ejercicio Ej 7.14
Circuito de código de cascada
El circuito en cascodo, como se muestra en la Figura 7.65, combina las ventajas del transmisor
común y los circuitos de base común. La señal de entrada se aplica al emisor común
circuitoQ1), y la señal de salida del emisor común se alimenta al circuito base común (Q2).
La impedancia de entrada al circuito emisor común (Q1) es relativamente grande, y la
resistencia de carga vista por Q1 es la impedancia de entrada al emisor de Q2 y es
bastante pequeño. La baja resistencia de salida vista porQ1 reduce el molinero
factor de multiplicación en Cµ1 y por lo tanto extiende el ancho de banda del circuito.
La figura 7.66 (a) muestra el circuito equivalente de pequeña señal de alta frecuencia. La
Los condensadores de acoplamiento y bypass son equivalentes a cortocircuitos y resistencia ro por
Q2 se supone que es infinito.
V+
RC
R1
vO
CC2
RL CL
Q2
CB
R2
RS CC1
Q1
vI +
--
R3
Rmi Cmi
V-
Figura 7.65 Circuito de código de cascada

La impedancia de entrada al emisor de Q2 es Zes decir2. De la ecuación (7.113) en nuestro

análisis previo, w) mi∥tengo
( )
rπ2 ∥
∥( 1
Zes decir2 =
∥ (7.116)
1+β Carolina del Surπ2
La porción de entrada del circuito equivalente de pequeña señal se puede transformar en esa
que se muestra en la Figura 7.66 (b). La impedancia de entradaZes decir2 se muestra de nuevo.
La parte de entrada del circuito que se muestra en la figura 7.66 (b) se puede transformar en
el que se muestra en la figura 7.66 (c), que muestra la capacitancia de Miller. La capacidad de Miller
tance CMETRO1 se incluye en la entrada y la capacitancia Cµ1 se incluye en la salida
parte de la Q1 modelo. La posibilidad de incluirCµ en el circuito de salida se discutió
previamente en la Sección 7.4.4.
En el centro de este circuito equivalente, ro1 está en paralelo con rµ2 / (1 + β). Desde
ro1 suele ser grande[mi, se puede aproximar como un circuito abierto. La capacitancia de Miller
es entonces
( )]
rπ2
CMETRO1 = Cµ1 1 + gramo (7.117)
1+β
metro1
B2 Cmetro2
C2
Vo
+
Vpag 2 rpag 2 RC RL CL
Zes decir2
RS B1 Cmetro1
C1 - Cpag 2 gramometro2Vpag 2
mi2
R B=1 + Cpag 1
VI - + Vpag 1 rpag
1 ro1
R2 R3
- g Vpag1
mi1 metro1
(a)
Z
RS
es decir2
Cmetro1
+ -
rpag 2
+ R B1 rpag ro1
VI Vpag1 1 Vpag 2 Cpag 2
- C pag1 1+B
- gramometro1Vpag1
+
(B)
RS
+ -
rpag 2
VI + R B1 rpag1 ro1 C pag
- Vpag1 Vpag 2
1+B
2
Cpag1 Cmetro1
- CMETRO1
gramo
metro1Vpag1 +
(C)
Figura 7.66 (a) Circuito equivalente de alta frecuencia de configuración de cascodo, (b) circuito
equivalente de alta frecuencia reordenado, y (c) variación del circuito de alta frecuencia, incluida la
capacitancia Miller
Transistores Q1 y Q2 están sesgados con esencialmente la misma corriente; por lo tanto,
rπ1 =∼rπ2 y ∼
gramometro1 = gramometro2
Luego
gramometro1rπ2 = β
cuyos rendimientos
C METRO1
∼
= 2C µ1 (7.118)
La ecuación (7.118) muestra que este circuito en cascodo reduce en gran medida el factor de multiplicación
de Miller.
La constante de tiempo relacionada con Cπ2 implica resistencia rπ2 / (1 + β). Dado que esta resistencia es
pequeña, la constante de tiempo es pequeña y la frecuencia de esquina está relacionada con Cπ2
es muy grande. Por tanto, podemos descuidar los efectos deCµ1 y Cπ2 en el centro por-
ción del circuito.
La constante de tiempo para la parte de entrada del circuito es
τPAGπ = [RS‖RB1‖rπ1] (Cπ1 +CMETRO1) (7.119 (a))
dónde CMETRO1 = 2Cµ1. La frecuencia correspondiente de 3 dB es
1
FHπ = (7.119 (b))
2πτPAGπ
Asumiendo CL actúa como un circuito abierto, la constante de tiempo de la porción de salida de

el circuito, de la Figura 7.66, es
τPAGµ = [RC‖RL] (Cµ2) (7.120 (a))
y la frecuencia de esquina correspondiente es
1
FHµ = (7.120 (b))
2πτPAGµ
Para determinar la ganancia de voltaje de banda media asumimos que todas las capacitancias en el
El circuito de la figura 7.66 (c) son circuitos abiertos. El voltaje de salida es entonces
Vo = -gramometro2Vπ2 (RC‖RL) (7.121)
y
[ ∥ )]
∥ ( rπ 2
V 1 π1 ro∥1 ∥
Vπ2 = gmetro (7.122)
1 +β
Podemos descuidar el efecto de ro1 en comparación con rπ2 / (1 + β). Además, desde gramometro1rπ2 = β,
La ecuación (7.122) se convierte en
Vπ∼2 = Vπ1 (7.123)
y, desde la parte de entrada del circuito,

RB1‖rπ 1
Vπ1 = × VI (7.124)
RB1 r‖π1 + RS
Finalmente, combinando ecuaciones, nosotros fi[nd la banda media]la ganancia de voltaje es
Vo= -g (R ‖ R B‖1rπ1
AvM = C R)L (7.125)
VI RB1‖rπ1 + RS
metro2
Si comparamos la ecuación (7.125) con la ecuación (7.110) para el circuito de emisor común,
vemos que la expresión de la ganancia de banda media del circuito en cascodo es idéntica a la
del circuito de emisor común. El circuito cascodo logra una ganancia de voltaje relativamente
grande, mientras extiende el ancho de banda.
EJEMPLO 7.15
Objetivo: Determine las frecuencias de 3 dB y la ganancia de banda media de un circuito en cascodo.
Para el circuito de la Figura 7.65, los parámetros son: V + = 10 V, V- = -10 V,

RS = 0,1 k, R1 = 42,5 mil, R2 = 20,5 mil, R3 = 28,3 mil, RE = 5,4 k, RC =
5 k, RL = 10 k, y CL = 0. Los parámetros del transistor son: β = 150, VSER(encendido) =
0,7 V, VA = ∞, Cπ = 35 pF y Cµ = 4 pF.
Solución: Desde β es grande para cada transistor, la corriente del colector en reposo es
esencialmente el mismo en cada transistor y es ICQ = 1,02 mA. El parámetro de pequeña señal
metros son: rπ1 = rπ2 ≡ rπ = 3,82 ky gramometro1 = gramometro2 ≡ gramom = 39,2 mA / V.
De la ecuación (7.119 (a)), la constante de tiempo relacionada con la porción de entrada de la
circuito es
τPAGπ = [RS‖RB1‖rπ1] (Cπ1 +CMETRO1)
Desde RB1 = R2‖R3 y CMETRO1 = 2Cµ1, luego

τPAGπ = [(0,1)‖20,5‖28,3‖3,82] × 103 [35 + 2 (4)] × 10-12 ⇒ 4.16 ns
La frecuencia correspondiente de 3 dB es
1 1
FHπ = = ⇒ 38,3 MHz
2πτ PAGπ 2π (4.16 × 10-9)
De la ecuación (7.120 (a)), la constante de tiempo de la porción de salida del circuito es
τPAGµ = [RC‖RL]Cµ2 = [5‖10] × 103 (4 × 10-12) ⇒ 13,3 ns
y la frecuencia correspondiente de 3 dB es
1 1
FHµ = = ⇒ 12 MHz
2πτPAGµ 2π (13,3 × 10-9)
De la ecuación (7.125) [, la ganancia de voltaje de banda media es
RB1‖rπ1
|Av |M = gramometro2 (RC‖RL)
[RB1‖rπ1 + RS ]
(20,5‖28,3‖3,82)
= (39,2) (5‖10) = 126
(20,5‖28,3 ‖3,82) (0,1)
+
Comentario: Como fue el caso del circuito de base común, la frecuencia de 3 dB para el
El circuito cascodo está determinado por la capacitancia Cµ en la etapa de salida. El ancho de banda del
circuito en cascodo es de 12 Mz, en comparación con aproximadamente 3 MHz para el circuito común.
circuito emisor. Las ganancias de voltaje de banda media para los dos circuitos son esencialmente las mismas.
circuito cascodo. Del análisis manual, las dos frecuencias de las esquinas son 12 Mz y
38,3 MHz. Dado que estas frecuencias son bastante cercanas, esperamos que la respuesta real
muestre los efectos de ambas capacitancias. Esta hipótesis está verificada y demostrada
|AV |
200
100
Cpag solo
10 CL = 150 pF Cpag y Cmetro CL = 5 pF

solo
1
104 105 106 107 108 109 fHz)
Figura 7.67 Resultados del análisis de PSpice para el circuito cascode
en los resultados del análisis informático. Las curvas marcadas "Cπ sólo "y" "Cπ y Cµ
sólo "están bastante cerca entre sí, y sus pendientes son más empinadas que -6 dB / octava, que
muestra que más de un condensador está involucrado en la respuesta. A una frecuencia de 12 MHz,
la curva de respuesta está 3 dB por debajo de la ganancia asintótica máxima y la ganancia de banda
media es 120. Estos valores concuerdan estrechamente con los resultados del análisis manual.
Las curvas marcadas "CL = 5 pF ”y“CL = 150 pF ”muestra la respuesta del circuito si el
transistor es ideal y solo se incluye una capacitancia de carga.
*Ej 7.15: El circuito cascodo de la figura 7.65 tiene parámetros V + = 12V, V- = 0,

R1 = 58.8 mil, R2 = 33,3 mil, R3 = 7,92 mil, RC = 7,5 k, RS = 1 k, RE =
0,5 k, y RL = 2 k. Los parámetros del transistor son:β = 100, VSER(encendido) =
0,7 V, VA = ∞, Cπ = 24 pF y Cµ = 3 pF. DejarCL ser un circuito abierto. (a) Determine las
frecuencias de 3 dB correspondientes a las porciones de entrada y salida del
circuito equivalente. (b) Calcule la ganancia de voltaje de banda media de señal pequeña. (c) Correcto
tarde los resultados de las partes (a) y (b) con un análisis por computadora. (Resp. (A)FHπ =
7,15 MHz, FHµ = 33,6 MHz, b) |Av | =22,5)
7.6.3 Circuitos emisores y seguidores de fuente
En esta sección, analizamos la respuesta de alta frecuencia del seguidor de emisor. Analizaremos la
misma configuración básica del circuito que hemos considerado anteriormente. Los resultados y las
discusiones también se aplican al seguidor de la fuente.
La figura 7.68 muestra un circuito emisor-seguidor con la señal de salida en el emisor
acoplada capacitivamente a una carga. La figura 7.69 (a) muestra el circuito equivalente de
pequeña señal de alta frecuencia, con los capacitores de acoplamiento actuando eficazmente
como cortocircuitos.
Reorganizaremos el circuito para que podamos obtener una mejor visión del circuito.
comportamiento. Vemos esoCµ está ligado al potencial de tierra y también a que ro está en paralelo con
Rmi y RL. Podemos de fi nir
R′L = Rmi‖RL‖ro
En este análisis descuidamos el efecto de CL. La figura 7.69 (b) muestra una reordenación del
circuito.
V+
R1
RS CC1
+
CC2
vI
- vo
R2
Rmi RL CL
V-
Figura 7.68 Circuito seguidor-emisor
ZB'
RS B Cmetro
C RS VB
IB'
RB = + +
+ V I+- RB
VI
- R 1 RV2 pag rpag C pag ro
Cmetro
Vpag rpag Cpag
-
-
gramometroVpag
mi IB'
Vo Vo
Rmi RL CL RL '
gramometroVpag
(a) (B)
ZB'
RS VB
VI + RB Cpag
-
Cmetro
r pag
(1 + g Rm L ')
1 + gramometroRL '
RL '
(C)
Figura 7.69 (a) Circuito equivalente de alta frecuencia del seguidor de emisor, (b) reordenado de alta frecuencia
circuito equivalente de frecuencia, y (c) circuito equivalente de alta frecuencia con impedancia base de
entrada efectiva
Podemos encontrar la impedancia Z′ B mirando a la base sin capacitancia Cµ.

La corriente I B′ entrando en la combinación paralela de rπ y Cπ es lo mismo que eso
saliendo de la combinación. El voltaje de salida es entonces
Vo = (I ′ b + gramometroVπ)R′ L (7.126)
Voltaje Vπ es dado por
I′B
Vπ = (7.127)
yπ
dónde
yπ = (1 /rπ) + Carolina del Surπ
Voltaje VB es
Vb = Vπ + Vo
Por lo tanto,
Z′B= VB= V′ π + Vo (7.128)

IB IB′
Combinando las ecuaciones (7.126), (7.127) y (7.128), obtenemos
R′L
ZB′ = 1 + RL′ +
gramometro
(7.129 (a))
yπ yπ
Z B′ = 1 (1 + g m
R L)′+ R′ L (7.129 (b))
yπ
Sustituyendo la expresión por yπ, nosotros encontramos
1
Z B′ = × (1 + L) + R′
gramometro R′
L (7.130 (a))
1+ Carolina del Sur
π
rπ
Esto luego se puede escribir como
1
ZB′ = + R′L (7.130 (b))
1 Carolina del Surπ
+
rπ(1 + g Rm L)′ (1 + g m
R′ L)
Impedancia Z′ es espectáculo
B n en el circuito equivalente de la figura 7.6 9 (c). Equa-
ción (7.130 (b)) muestra que el efecto de la capacitancia Cπ se reduce en la configuración
de emisor-seguidor.
Dado que el circuito emisor-seguidor tiene un cero y dos polos, un análisis detallado de
el circuito es muy tedioso. De las ecuaciones (7.126) y (7.127), tenemos
′
Vo = Vπ (yπ + gramometro)RL (7.131)
que produce un cero cuando yπ + gramom = 0. Usando la definición de yπ, el cero ocurre en
Fo = (1 ) (7.132)
rπ
2πCπ
1+β
Desde rπ / (1 + β) es pequeño, frecuencia Fo suele ser muy alto.
Si hacemos una suposición simplificadora, podemos determinar un valor aproximado

de un polo. En muchas aplicaciones, la impedancia derπ (1 + gramometro R′ L) en paralelo con
C π/(1 + g R′)m
esL grande comparado t(o R′. Si
L descuidamos)t RL,′ entonces la constante de tiempo es
Cπ
τP = [RS‖RB‖ (1 + gramometro R′ L)rπ] Cµ + (7.133 (a))
1 + gramometro R′
L
y la frecuencia (o polo) de 3 dB es
1
FH = (7.133 (b))
2πτPAG
EJEMPLO 7.16
Objetivo: Determine la frecuencia de un cero y un polo en la respuesta de alta frecuencia
de un seguidor de emisor.
Considere el circuito emisor-seguidor de la figura 7.68 con parámetros V + = 5 V,
V- = -5 V, RS = 0,1 k, R1 = 40 k, R2 = 5,72 k, RE = 0,5 k, y RL =
10 k. Los parámetros del transistor son:β = 150, VSER(encendido) = 0,7 V, VA = ∞, Cπ =
35 pF y Cµ = 4 pF.
Solución: Como en los ejemplos anteriores, el análisis de cd produce ICQ = 1,02 mA. Allí-
delantero, gramom = 39,2 mA / V y rπ = 3,82 k. De la
ecuación (7.132), el cero ocurre en
1(
Fo = (1 ) = ) ⇒ 180 MHz
rπ 3,82 × 103
2πCπ 2π (35 × 10-12)
1+β 151
Para determinar la constante de tiempo para el cálculo del polo de alta frecuencia,
sabemos que
L=1
1 + gramometro R′
+ gramometro(Rmi‖RL) = 1 + (39,2) (0,5‖10) = 19,7
y
RB = R1‖R2 = 40‖5.72 = 5 k
Por tanto, la constante de tiempo es

( )
Cπ
= [R ‖RS ‖ (1B + g R′)r]mCL π+
τ PAG µ(
1 + gramometro R)L′
35
= [(0,1)‖5‖ (19,7) (3,82)] × 103 4+ × 10-12 ⇒ 0,566 ns
19,7
La frecuencia (o polo) de 3 dB es entonces
1 1
FH = = ⇒ 281 MHz
2πτPAG 2π (0.566 × 10-9)
Comentario: Las frecuencias para el cero y el polo son muy altas y no están muy separadas. Esto hace
que los cálculos sean sospechosos. Sin embargo, dado que las frecuencias son altas, el seguidor del
emisor es un circuito de ancho de banda amplio.
|AV |
C pag
solo
1
Cpag y Cmetro
solo
C L= 150 pF
0,1
0,01
104 105 106 107 108 109 fHz)
Figura 7.70 Resultados del análisis de PSpice para seguidor de emisor
seguidor del emisor. Del análisis manual, la frecuencia de 3 dB es del orden de 281 MHz. Sin embargo,
los resultados de la computadora muestran que la frecuencia de 3 dB es de aproximadamente 400
MHz. Debemos tener en cuenta que a estas altas frecuencias, es posible que sea necesario considerar
los efectos de los parámetros distribuidos en el transistor para predecir con mayor precisión la
respuesta de frecuencia.
También se muestra en la figura la respuesta de frecuencia debido a una capacitancia de carga
de 150 pF. Comparando este resultado con el circuito emisor común, por ejemplo, vemos que el
ancho de banda del circuito emisor-seguidor es aproximadamente dos órdenes de magnitud mayor.
7.6.4 Diseño de amplificador de alta frecuencia
Nuestro análisis muestra que la respuesta de frecuencia, o el punto de corte de alta frecuencia de un
amplificador, depende del transistor utilizado, los parámetros del circuito y la configuración del
amplificador.
También vimos que una simulación por computadora es más fácil que un análisis manual,
particularmente para el circuito emisor-seguidor. Sin embargo, los parámetros del transistor real
usado en el circuito deben usarse en la simulación si se quiere predecir la respuesta de frecuencia del
circuito con precisión. Además, a altas frecuencias, es posible que sea necesario incluir capacitancias
parásitas adicionales, como la capacitancia colector-sustrato. Esto no se hizo en nuestros ejemplos.
Finalmente, en amplificadores de alta frecuencia, las capacitancias parásitas de las líneas de
interconexión entre los dispositivos en un IC también pueden ser un factor en la respuesta general
del circuito.
Pon a prueba tu comprensión
*TYU 7.12 Para el circuito de la figura 7.71, los parámetros del transistor son: Kn =
1 mA / V2, VTN = 0,8 V, λ = 0, Cgs = 2 pF y Cgd = 0,2 pF. Determine: (a) la capacitancia de Miller,
(b) la frecuencia superior de 3 dB y (c) la ganancia de voltaje de banda media.
(d) Correlacione los resultados de las partes (b) y (c) con un análisis por computadora. (Resp.
(a) CM = 1,62 pF, (b) FH = 3,38 MHz, (c) |Av | =4.60)
*TYU 7.13 Para el circuito de la figura 7.72, los parámetros del transistor son: VTN = 1 V,
Kn = 1 mA / V2, λ = 0, Cgd = 0,4 pF y Cgs = 5 pF. Realice una simulación por computadora para
determinar la frecuencia superior de 3 dB y la pequeña señal de banda media
ganancia de voltaje. (Resp.FH = 64,5 MHz, |Av | =0,127)
+5V
R D= 5 kΩ C C→1 ∞ CC2→ ∞
R 1= 150 kΩ
vo
CC1 → ∞ Ryo = 10 kΩ
+ IG = R D= R L=
vI
- 4 kΩ 2 kΩ
Ryo = 20 kΩ 1 mA
vI +
-
R2 = -5V +5V
50 kΩ RS = CS → ∞ R = 100 kΩ C→∞
2 kΩ
GRAMO GRAMO
-5V
Figura 7.71 Figura del ejercicio TYU 7.12 Figura 7.72 Figura del ejercicio TYU 7.13
7.7 APLICACIÓN DE DISEÑO: UN AMPLIFICADOR DE DOS

ETAPAS CON CONDENSADORES DE ACOPLAMIENTO
Objetivo: • Diseñe un amplificador BJT de dos etapas con condensadores de

acoplamiento de manera que las frecuencias de 3 dB asociadas con cada etapa
sean iguales.
Especi fi caciones: Las dos primeras etapas de un amplificador BJT multietapa deben acoplarse
capacitivamente y la frecuencia de 3 dB de cada etapa debe ser de 20 Hz.
Enfoque de diseño: La configuración del circuito que se diseñará se muestra en la figura 7.73. Este
circuito representa las dos primeras etapas de un amplificador multietapa discreto.
Opciones: Suponga que los BJT tienen parámetros VSER(encendido) = 0,7 V, β = 200, y
VA = ∞.
VCC = 5 V
RC1 = RC2
3,5 milΩ
R 1= R1 =
55 kΩ 55 kΩ
CC1
Rhode Island CC2 Rhode Island
+ R2 = R 2=
vI - Rmi1 = R mi
=2
31 mil Ω 31 milΩ
1 kΩ 1 kΩ
Figura 7.73 Amplificador BJT de dos etapas con condensadores de acoplamiento para aplicaciones de diseño
Solución (análisis DC): Encontramos, para cada etapa,
RTH = R1‖R2 = 55‖31 = 19,83 mil
y
( ) ( )
R2 31
VTH = VCC = (5) = 1,802 V
R 1 + R2 31 + 55
Ahora
VTH - VSER (en) 1.802 - 0,7

IBQ = = ⇒ 4,99µA
RTH + (1 + β) Rmi 19,83 + (201) (1)
así que eso
ICQ = 0,998 mA
Solución (análisis de CA): La resistencia a la difusión de señales pequeñas es
βVT (200) (0,026)

rπ = = = 5,21 mil
ICQ 0,988
La resistencia de entrada que mira en cada terminal base es
Ryo = rπ + (1 + β)RE = 5.21 + (201) (1) = 206.2 k
Solución (diseño de CA): El circuito equivalente de pequeña señal se muestra en la figura 7.74.
La constante de tiempo de la primera etapa es
τA = (R1‖R2‖RI )CC1
CC1 CC2
g Vpag
VI + R1 R RI
metro
RC1 R1 R2 RI

- 2
Rmi1
Figura 7.74 Circuito equivalente de pequeña señal de amplificador BJT de dos etapas con condensadores de
acoplamiento para aplicaciones de diseño
y la constante de tiempo de la segunda etapa es
τB = (RC1 + R1‖R2‖RI )CC2
Si la frecuencia de 3 dB de cada etapa debe ser de 20 Hz, entonces
1 1
τA = τB = = = 7.958 × 10-3 s
2π F3 dB 2π (20)
El condensador de acoplamiento de la primera etapa debe ser
τA 7.958 × 10-3
CC1 = = ⇒ 0,44µF
R1‖R ‖2 R I (55‖31‖206,2) × 103
y el condensador de acoplamiento de la segunda etapa debe ser
τB 7.958 × 10-3
CC2 = = ⇒ 0.386µF
RC+1 R ‖R1‖R 2 I (2.5 + 55‖31‖206,2) × 103
Comentario: Este diseño de circuito que utiliza dos condensadores de acoplamiento es un enfoque de fuerza bruta
para un diseño de amplificador de dos etapas y no se utilizaría en un diseño de circuito integrado.
Dado que la frecuencia de 3 dB para cada capacitor es de 20 Hz, este circuito se denomina filtro
de paso alto de dos polos.
7.8 RESUMEN
• En este capítulo, se discutió la respuesta de frecuencia de los circuitos de transistores. Se
determinaron los efectos debidos a los condensadores del circuito, como el acoplamiento, el
bypass y los condensadores de carga. Además, se analizaron circuitos equivalentes expandidos
de BJT y MOSFET para determinar la respuesta de frecuencia de los transistores.
• Se desarrolló una técnica de constante de tiempo para que los diagramas de Bode se puedan construir
sin la necesidad de derivar funciones de transferencia complejas. Las frecuencias de esquina altas y
bajas, o frecuencias de 3 dB, se pueden determinar directamente a partir de las constantes de tiempo.
• Los condensadores de acoplamiento y de derivación afectan las características de baja frecuencia de un circuito,
mientras que los condensadores de carga afectan las características de alta frecuencia de un circuito.
• Las capacitancias incluidas en los circuitos equivalentes de pequeña señal de los transistores
bipolares y MOS dan como resultado una ganancia de transistor reducida a altas frecuencias. La
frecuencia de corte es una cifra de mérito para el transistor y se define como la frecuencia a la
que la magnitud de la ganancia de corriente es la unidad.
• El efecto Miller es una multiplicación de la capacitancia base-colector o puerta-
drenaje debido a la retroalimentación entre la salida y la entrada del transistor. Este
efecto reduce el ancho de banda del amplificador.
• El amplificador de emisor común (fuente común), en general, muestra la mayor reducción en el
ancho de banda debido al efecto Miller. El amplificador de base común (puerta común) tiene un
ancho de banda mayor debido a un factor de multiplicación más pequeño. La configuración de
cascodo, una combinación de un emisor común y una base común, combina las ventajas de una
alta ganancia y un ancho de banda amplio.
• Como aplicación, se diseñó un ampli fi cador BJT de dos etapas para cumplir con las frecuencias especi fi
cadas de 3 dB.
CONTROL
Después de estudiar este capítulo, el lector debe tener la capacidad de:
Construya los diagramas de Bode de la magnitud de ganancia y la fase a partir de una función de
transferencia escrita en términos de la frecuencia compleja s.
Construya los diagramas de Bode de la magnitud de ganancia y la fase de los circuitos amplificadores
electrónicos, teniendo en cuenta los condensadores del circuito, utilizando la técnica de la constante de
tiempo. Determine la ganancia de corriente de cortocircuito versus la frecuencia de un BJT y determine
la capacitancia de Miller de un circuito BJT usando el híbrido expandidoπ circuito equivalente.
Determine el ancho de banda de ganancia unitaria de un FET y determine la capacitancia de

Miller de un circuito FET utilizando el circuito equivalente expandido de pequeña señal. Describa
las respuestas de frecuencia relativa de las tres configuraciones básicas del amplificador y el
amplificador de cascodo.
PREGUNTAS DE REVISIÓN
1. Describa la respuesta de frecuencia general de un ampli fi cador y defina los rangos
de baja frecuencia, banda media y alta frecuencia.
2. Describa las características generales de los circuitos equivalentes que se aplican a los
rangos de baja frecuencia, banda media y alta frecuencia.
3. Describa qué se entiende por función de transferencia del sistema en el s-dominio.
4. ¿Cuál es el criterio que define una frecuencia de esquina o de 3 dB?
5. Describa qué se entiende por fase de la función de transferencia.
6. Describe la técnica de la constante de tiempo para determinar las frecuencias de las esquinas.
7. Describa la respuesta de frecuencia general de un capacitor de acoplamiento, un capacitor de
derivación y un capacitor de carga.
8. Dibuje el híbrido expandidoπ modelo del BJT.
9. Describa la ganancia de corriente de cortocircuito frente a la respuesta de frecuencia de un BJT y
defina la frecuencia de corte.
10. Describe el efecto Miller y la capacitancia de Miller.
11. ¿Qué efecto tiene la capacitancia de Miller en el ancho de banda del amplificador?
12. Dibuje el circuito equivalente expandido de pequeña señal de un MOSFET.
13. Defina la frecuencia de corte de un MOSFET.
14. ¿Cuál es la mayor contribución a la capacitancia de Miller en un MOSFET?
15. ¿Por qué no hay un efecto Miller en un circuito de base común?
16. Describe la configuración de un ampli fi cador de cascodo.
17. ¿Por qué el ancho de banda de un amplificador de cascodo es mayor, en general, que el de un
amplificador de emisor común simple?
18. ¿Por qué el ancho de banda del amplificador seguidor-emisor es el más grande de los tres
amplificadores BJT básicos?
PROBLEMAS
Sección 7.2 Funciones de transferencia del sistema
7.1 (a) Determine la función de transferencia de voltaje T (s) = Vo (s) / VI (s) para el circuito que
se muestra en la Figura P7.1. (b) Dibuje la gráfica de magnitud de Bode y determine
mina la frecuencia de la esquina. (c) Determine la respuesta de tiempo del circuito a una
función de paso de entrada de magnitudVYo o.
C2 = 10 metroF
R 1= 1 kΩ
VI Vo VI Vo
C =1 1 metroF R2 = 10 kΩ
Figura P7.1 Figura P7.2
7.2 Repita el problema 7.1 para el circuito de la figura P7.2.

7.3 Considere el circuito de la figura P7.3. (a) Obtenga la expresión para el voltaje
función de transferencia T (s) = Vo (s) / VI (s). (b) ¿Cuál es la constante de tiempo
asociada con este circuito? (c) Encuentre la frecuencia de esquina. (d) Dibuje el Bode
gráfica de magnitud de la función de transferencia de voltaje.
7.4 Considere el circuito de la figura P7.4 con una fuente de corriente de señal. El circuito
los parámetros son Ryo = 30 k, RP = 10 k, CS = 10 µF, y CP = 50 pF.
R1 = 10 kΩ
CS
vI vo
Vo
R2 = 20 kΩ C2 = 10 metroF II RI RPAG CPAG
(a) Determine la constante de tiempo de circuito abierto asociada con CS y la

constante de tiempo de cortocircuito asociada con CPAG . (b) Determine la esquina
frecuencias y la magnitud de la función de transferencia T (s) = Vo (siI (s)
en la banda media. (c) Dibuje la gráfica de magnitud de Bode.
7.5 Considere el circuito que se muestra en la figura P7.5. (a) ¿Cuál es el valor de la tensión
función de transferencia de edad Vo /VI a muy bajas frecuencias? (b) Determine la función
de transferencia de voltaje a frecuencias muy altas. (c) Derive la expresión para
la función de transferencia de voltaje T (s) = Vo (s) / VI (s). Pon la expresión
en la forma T (s) = K (1 + sτA)/(1 + sτB). ¿Cuáles son los valores de K, τA, y τ¿B?
R1 = 10 kΩ
vI vo
C1 = 10 metroF
R2 = 20 kΩ
Figura P7.5
*7,6 (a) Derive la función de transferencia de voltaje T (s) = Vo (s) / VI (s) para el circuito que
se muestra en la figura 7.10, teniendo en cuenta ambos condensadores. (b) Deje
RS = RP = 10 k, CS = 1 µF, y CP = 10 pF. Calcule la magnitud real de la
función de transferencia enFL = 1 / [(2π) (RS + RPAG)CS] y en
FH = 1 / [(2π) (RS‖RPAG)CPAG]. ¿Cómo se comparan estas magnitudes con la
magnitud máxima de RPAG/(RS + RPAG)? (c) Repita la parte (b) para RS =
RP = 10 k y CS = CP = 0,1 µF. Una función de transferencia de voltaje está dada por T
7.7 (f) = 1 / (1 + jf / fT)3. (un espectáculo
que la respuesta real en f = fT está aproximadamente 9 dB por debajo del valor
máximo. ¿Cuál es el ángulo de fase a esta frecuencia? (b) ¿Cuál es la pendiente
de la gráfica de magnitud para F FT? ¿Cuál es el ángulo de fase en esta frecuencia?
rango de frecuencia?
7.8 Dibuje las gráficas de magnitud de Bode para las siguientes funciones:
s
(a) T1 (s) =
s + 100
5
(B) T2 (s) =
s/2000 + 1
(C) T3 (s) = 200 (s + 10)

(s + 1000)
7,9 (a) (i) Dibuje la gráfica de magnitud de Bode para la función

10 (s + 10) (s + 100)
T (s) =
(s + 1) (s + 1000)
(ii) ¿Cuáles son las frecuencias de las esquinas? (iii) Determine |T (ω) | por ω → 0.
(iv) Determine |T (ω) | por ω → ∞.
(b) Repita el inciso (a) para la función
8s2
T (s) =
(0,2s + 1)2
7,10 (a) Determine la función de transferencia correspondiente al diagrama de Bode de la
magnitud que se muestra en la figura P7.10. (b) ¿Cuál es la ganancia real en
(I) ω = 50 rad / s, (ii) ω = 150 rad / s, y (iii) ω = 100 krad / s.
T ( jw)
102 5× 10 4 w (rad / s)
Figura P7.10
7.11 Considere el circuito que se muestra en la Figura 7.15 con parámetros RS = 0,5 k,
rπ = 5,2 k, gramom = 29 mA / V y RL = 6 k. Las frecuencias de las esquinas son
R1 FL = 30 Hz y FH = 480 kHz. (a) Calcule la ganancia de voltaje de banda media.
(b) ¿Cuáles son las constantes de tiempo de circuito abierto y cortocircuito? (c) Deter-
+ +
R2
mía CC y CL.
*7.12 Para el circuito que se muestra en la Figura P7.12, los parámetros son R1 = 10 k,
vI vo
R2 = 10 k, R3 = 40 k, y C = 10µF. (a) ¿Cuál es el valor de la tensión
R3 C función de transferencia de edad Vo /VI a muy bajas frecuencias? (b) Determine el
- - valor de la función de transferencia de voltaje a frecuencias muy altas. (c) Derivar
la expresión de la función de transferencia de voltaje T (s) = Vo (s) / VI (s).
Pon la expresión en la forma T (s) = K (1 + sτA)/(1 + sτB). ¿Cuáles son los
Figura P7.12 valores de K, τA, y τ¿B?
7.13 El circuito que se muestra en la Figura 7.10 tiene parámetros RS = 1 k, RP = 10 k,
y CS = CP = 0,01 µF. Con PSpice, trace la magnitud y la fase de la función de
transferencia de voltaje. Determine el valor máximo de la tensión.
trans
√ Fer función. Determine las frecuencias en las que la magnitud es
1/2 del valor pico.
Sección 7.3 Respuesta de frecuencia: circuitos de transistores
7.14 El transistor que se muestra en la Figura P7.14 tiene parámetros VTN = 0,4 V,
Kn = 0,4 mA / V2, y λ = 0. El transistor está polarizado en IDQ = 0.8mA.
(a) ¿Cuál es la máxima ganancia de voltaje? (b) ¿Cuál es el ancho de banda?
V + = 2,5 V VCC = 2,5 V V + = 2,5 V
RD = RC IDQ =
1 kΩ 100 metroA
Vo Vo Vo
VI
VI CL = 1 pF CL = 0,08 pF VI CL = 0,5 pF
Figura P7.14 Figura P7.15 Figura P7.16
7.15 Considere el circuito que se muestra en la figura P7.15. El transistor tiene parámetros
β = 120 y VA = ∞. El ancho de banda del circuito es de 800 MHz y el inactivo
El voltaje colector-emisor es VCEQ = 1.25 V. (a) Determine RC , (b) encontrar ICQ,
y (c) determinar la ganancia máxima.
7.16 El transistor en el circuito que se muestra en la Figura P7.16 tiene parámetros
VTN = 0,4 V, Kn = 50µAV2, y λ = 0,01 V-1. (a) Deriva la expresión
para la función de transferencia de voltaje T (s) = Vo (s) / VI (s). (b) Determine la
ganancia de voltaje máxima. (c) ¿Cuál es el ancho de banda?
7.17 Para el circuito de emisor común de la figura P7.17, los parámetros del transistor
están: β = 100, VSER(encendido) = 0,7 V, y VA = ∞. (a) Calcule la frecuencia de la esquina
inferior. (b) Determine la ganancia de voltaje de banda media. (c) Dibuje el Bode
gráfico de la magnitud de la ganancia de voltaje.
VCC = 12 V VDD = 9 V
RC = RD
1 kΩ
R1 = 10 kΩ R1
Ren vO
vO
RS = 0,5 kΩ CC
CC = 0,1 metroF
vI + vI + R2
-
R2 = 1,5 kΩ RE = - RS =
0,1 kΩ 0,5 kΩ
D7.18 (a) Diseñe el circuito que se muestra en la figura P7.18 de manera que IDQ = 0,8 mA,
VDSQ = 3,2 V, Ren = 160 k, y FL = 16 Hz. Los parámetros del transistor son
Kn = 0,5 mA / V2, VTN = 1,2 V y λ = 0. (b) ¿Cuál es la ganancia de voltaje de banda
media? (c) Determine la magnitud de la ganancia de voltaje en (i)f = 5 Hz,
(ii) f = 14Hz y (iii) f = 25Hz. (d) Dibuje el diagrama de Bode de la magnitud y fase
de la ganancia de voltaje.
D7.19 El transistor en el circuito de la figura P7.19 tiene parámetros Kn =
0,5 mA / V2, VTN = 1 V y λ = 0. (a) Diseñe el circuito de manera que IDQ =
1 mA y VDSQ = 3 V. (b) Derive la expresión para la función de transferencia
T (s) = yoo (s) / VI (s). ¿Cuál es la expresión de la constante de tiempo del circuito?
(c) Determine CC de manera que la frecuencia más baja de 3 dB sea de 10 Hz. (d) Verifique los
resultados de las partes (a) y (c) con una simulación por computadora.
+5V
+9V
RD
CC
RS = 12 kΩ
Ro
vo
Io RL = 4 kΩ
CC
vI + RG = RL =
-
100 kΩ 10 kΩ
RS vI + RG =
-
50 kΩ
-5V -9V
*D7.20 El transistor del circuito de la figura P7.20 tiene parámetros Kp =

0,5 mA / V2, VTP = -2 V y λ = 0. (a) Determine Ro. (b) ¿Cuál es el ex-
presión para la constante de tiempo del circuito? (c) DetermineCC de manera que la
frecuencia más baja de 3 dB sea de 20 Hz.
7.21 Para el circuito de la figura P7.21, los parámetros del transistor son β = 120,
VSER(encendido) = 0,7 V, y VA = 50 V. (a) Diseñe un circuito con polarización estable tal que
IEQ = 1,5 mA. (b) Utilizando los resultados del inciso a), encuentre la ganancia de voltaje de
banda media de señal pequeña. (c) Determine la resistencia de salidaRo. (d) ¿Cuál es el
menor frecuencia de esquina de 3 dB?
VCC = 12 V
R1 VDD
CC1→ ∞
Ro
RD
CC2 = 2 metroF
vo Vo
vI +
- R2 RE = RL = RSi
4 kΩ 4 kΩ VI CL
CI
7.22 (a) Para el circuito que se muestra en la figura P7.22, escriba la función de transferencia de voltaje
T (s) = Vo (s) / VI (s). Asumir λ> 0 para el transistor. (b) ¿Cuál es la expresión de la
constante de tiempo asociada con la porción de entrada del circuito?
cuit? (c) ¿Cuál es la expresión de la constante de tiempo asociada con la
parte de salida del circuito?
7.23 Considere el circuito que se muestra en la figura P7.23. (a) Escriba la función de transferencia
T (s) = Vo (s) / VI (s). Asumir λ = 0 para el transistor. (b) Determine la expresión
para la constante de tiempo asociada con la porción de entrada del circuito.
cuit. (c) Determine la expresión para la constante de tiempo asociada con el
parte de salida del circuito.
RS CC CC1 = 4,7 metroF CC2 = 1 metroF

VI Vo vO
RS = 200 Ω
CI RD
+ RL RE =
vI + RC = RL =
VGRAMO - 4 kΩ
- 2 kΩ 47 milΩ
+
VDD
-
V- = –5 V V+=5V
7.24 Los parámetros del transistor en el circuito de la figura P7.24 son

VSER(encendido) = 0,7 V, β = 100 y VA = ∞. (a) Determine los parámetros quiescentes y
de pequeña señal del transistor. (b) Encuentre las constantes de tiempo asociadas
ciado con CC1 y CC2. (c) ¿Existe un dominante -Frecuencia de 3 dB?
Estimar el-Frecuencia de 3 dB.
7.25 Se coloca un capacitor en paralelo con RL en el circuito de la figura P7.24. La
la capacitancia es CL = 10 pF. Los parámetros del transistor son los mismos que se dieron en
el problema 7.24. (a) Determine la parte superior-Frecuencia de 3 dB. (b) Encuentre el
valor de alta frecuencia en el que la magnitud de la ganancia de voltaje de señal pequeña es una décima
parte del valor de banda media.
7.26 Los parámetros del transistor en el circuito de la figura P7.26 son Kp =
1 mA / V2, VTP = -1,5 V y λ = 0. (a) Determine los parámetros inactivos y de
pequeña señal del transistor. (b) Encuentre las constantes de tiempo asociadas
atado con CC1y C . (c) ¿Existe
C2 una frecuencia de polo dominante? Estimar el
-Frecuencia de 3 dB.
CC2 = 1 metroF
R S= 200 Ω
vo
CC1 = 4,7 metroF
R1 = 1,2 kΩ RD = 1,2 kΩ
vI +
- RL = 50 kΩ
+ -
5V 5V
- +
Figura P7.26
*D7.27 Se diseñará un amplificador MOSFET con la configuración de la figura P7.27 para su

uso en un circuito telefónico. La magnitud de la ganancia de voltaje debe ser 10 en el
rango de banda media, y el rango de frecuencia de banda media debe extenderse de
200 Hz a 3 kHz. [Nota: el rango de frecuencia de un teléfono no se corresponde con
el de un sistema de alta fidelidad]. Se deben especificar todos los parámetros de
resistencia, condensador y MOSFET.
VDD = 9 V V + = 10 V
RD RB = 430 milΩ
R1
vo RS = 500 Ω
RSi = 200 Ω
CC
CC
vs + vo
vI + CL -
- R2
RE = 2,5 milΩ
7.28 El circuito en la figura P7.28 es una etapa de salida simple de un amplificador de audio.
Los parámetros del transistor son β = 200, VSER(encendido) = 0,7 V, y VA = ∞. Delaware-
termine CC tal que el más bajo -La frecuencia de 3 dB es de 15 Hz.
7.29 Reconsidere el circuito de la figura P7.28. Los parámetros del transistor son
β = 120, VSER(encendido) = 0,7 V, y VA = ∞. Los parámetros del circuito son V + =
3,3 V y RS = 100. (un descubrimientoRB y Rmi tal que IEQ = 0.25mA y
VCEQ = 1.8 V. (b) Utilizando los resultados del inciso a), encuentre el valor de CC semejante
que FL = 20 Hz. (c) Determine la ganancia de voltaje de banda media. D7.30 Los
parámetros del transistor en el circuito de la figura P7.30 sonβ = 100,
VSER(encendido) = 0,7 V, y VA = ∞. La constante de tiempo asociada con CC1 es un factor
de 100 más grande que la constante de tiempo asociada con CC2. (a) Determinar CC2
tal que el -La frecuencia de 3 dB asociada con este condensador es
25 Hz. (b) DetermineCC1.
D7.31 Considere el circuito que se muestra en la figura P7.30. La constante de tiempo asociada
con CC2 es un factor de 100 más grande que la constante de tiempo asociada con
CC1. (a) Determinar CC1 tal que el -Frecuencia de 3 dB asociada con este
el condensador es de 20 Hz. (b) EncuentraCC2.
VCC = 5 V
R1 = 1,2 kΩ
RS = 300 Ω
CC1 CC2
vs + vo
- R2 = 1,2 kΩ
RE = 50 Ω RL = 10 Ω
Figura P7.30
7.32 Considere el circuito que se muestra en la figura P7.32. Los parámetros del transistor son
β = 120, VSER(encendido) = 0,7 V, y VA = ∞. (un descubrimiento RC tal que
VCEQ = 2.2 V. (b) Determine la ganancia de banda media. (c) Derive la expresión
para las frecuencias de esquina asociadas conCC y CE. (d) Determinar CC
y Cmi tal que la frecuencia de esquina asociada con Cmi es FE = 10 Hz y la

frecuencia de esquina asociada con CC es FC = 50 Hz.
+5V
V+=3V RD
RC vO
Ryo =
CC
10 kΩ vo
RL = 20 kΩ
vI +
vI + Cmi -
-
CS = 5 metroF
IQ = RS
0,2 mA
V- = -3 V -5 V
*D7.33 Para el transistor en el circuito de la figura P7.33, los parámetros son:

Kn = 0,5 mA / V2, VTN = 0,8 V y λ = 0. (a) Diseñe el circuito de manera que
IDQ = 0,5 mA y VDSQ = 4 V. (b) Determine las frecuencias de 3 dB. (c) Si elRS La resistencia
se reemplaza por una fuente de corriente constante que produce el mismo
IDQ corriente de reposo, determine las frecuencias de esquina de 3 dB.
7.34 La figura P7.34 muestra el circuito equivalente de ca de dos
circuitos fuente en cascada. Los parámetros del transistor sonKnorte1 = Knorte2 =
0,8 mA / V2, λ1 = λ2 = 0,02 V-1, y IDQ1 = IDQ2 = 0,5 mA. Los parámetros del
circuito sonRD = 5 k y CL = 12 pF. (a) Obtenga las expresiones para las
funciones de transferencia de voltaje (i)T1 (s) = Vo1 (s) / VI (s), (ii) T2 (s) =
Vo (s) / Vo1 (s), y (iii) T (s) = Vo (s) / VI (s). (b) Determine las frecuencias de –3 dB
para (i) T1 (s), (ii) T2 (s), y (iii) T (s). (c) Dibuje el diagrama de Bode para
la magnitud de la función de transferencia T (s).
V+
Rmi
Cmi
RD RD
Vo1 vI - + vO
Vo
VI RC
METRO1 CL METRO2
CL
V-
*7.35 El circuito de emisor común de la figura P7.35 tiene un capacitor de derivación de

emisor. (a) Obtenga la expresión para la ganancia de voltaje de pequeña señal
Av (s) = Vo (s) / VI (s). Escriba la expresión en una forma similar a la de la ecuación
(7.60). (b) ¿Cuáles son las expresiones para las constantes de tiempo?
τA y τ¿B?
D7.36 Considere el circuito de la figura P7.35. Los voltajes de polarización sonV + = 3V y

V- = -3V. Los parámetros del transistor sonβ = 90, VEB (encendido) = 0,7 V y
VA = ∞. (a) Diseñe el circuito de manera que ICQ = 0,15 mA y VECQ = 2.2V.
(b) Determine la ganancia de voltaje de banda media. (c) ParaCE = 3µF, determine las
frecuencias de las esquinas.
7.37 Considere el circuito de base común de la figura 7.33 del texto. El transistor
los parámetros son β = 90, VEB (encendido) = 0,7 V, y VA = ∞. Una capacitancia de carga
de CL = 3 pF está conectado en paralelo con RL. (a) Determine la ganancia de voltaje de
banda media. (b) Determine la frecuencia superior de 3 dB.
D7.38 Considere el circuito que se muestra en la figura 7.25 (a). Los voltajes de polarización se cambian
a V + = 3 V y V- = -3 V.La resistencia de carga es RL = 20 k. Los parámetros
del transistor sonKp = 0,1 mA / V2, VTP = -0,6 V y λ = 0. (a) Diseñe el circuito
de manera que IDQ = 0.2mA y VSDQ = 1.9 V. (b) Determine el valor de CL
que produce una frecuencia de esquina de FH = 4 MHz.
7.39 Para el circuito de la figura P7.39, los parámetros del transistor son: Kn =
0,5 mA / V2, VTN = 2 V y λ = 0. Determine el valor máximo de CL
tal que el ancho de banda sea al menos BW = 5 MHz. Indique cualquier aproximación
o suposiciones que haces. ¿Cuál es la magnitud de la ganancia de voltaje de banda media
de señal pequeña? Verifique los resultados con una simulación por computadora.
VDD = 10 V
V + = 12 V
R1 = 234 milΩ
Ryo = 2 kΩ R C= 5,1 kΩ
RB = 1 MΩ
CC2 = vo
CC1 = 10 metroF RS = 1 kΩ
10 metroF
Vo RL =
CL = 10 pF
vI + 500 kΩ
- R2 =
RS = RL = CL
CC = 10 metroF
166 milΩ
0,5 kΩ 4 kΩ vI +
-
7.40 Los parámetros del transistor en el circuito de la figura P7.40 son β = 100,
VSER(encendido) = 0,7 V, y VA = ∞. Desprecie los efectos de capacitancia del transistor.
(a) Dibuje los tres circuitos equivalentes que representan el amplificador
en el rango de baja frecuencia, rango de banda media y rango de alta frecuencia.
(b) Dibuje la gráfica de magnitud de Bode. (c) Determine los valores de |Am |dB, FL,
y FH.
7.41 En el amplificador de fuente común de la figura 7.25 (a) del texto, se debe agregar un
capacitor de derivación de la fuente entre la terminal de la fuente y el potencial de tierra.
Los parámetros del circuito son RS = 3,2 k, RD = 10 k, RL = 20 k, y
CL = 10 pF. Los parámetros del transistor sonVTP = -2 V, KP = 0,25 mA / V2,
y λ = 0. (a) Derive la expresión de ganancia de voltaje de pequeña señal, como una función
de s, que describe el comportamiento del circuito en el rango de alta frecuencia.
(b) ¿Cuál es la expresión de la constante de tiempo asociada con la frecuencia superior de 3
dB? (c) Determine la constante de tiempo, la frecuencia superior de 3 dB y la ganancia de
voltaje de banda media de señal pequeña.
*7.42 Considere el circuito de base común de la figura P7.42. Elija los parámetros de transistor
apropiados. (a) Usando un análisis por computadora, genere el diagrama de Bode de la
magnitud de la ganancia de voltaje desde una frecuencia muy baja hasta el rango de
frecuencia de banda media. ¿A qué frecuencia está la magnitud de ganancia de voltaje 3
dB por debajo del valor máximo? ¿Cuál es la pendiente de la curva a frecuencias muy
bajas? (b) Utilizando el análisis PSpice, determine la magnitud de la ganancia de voltaje.
tude, resistencia de entrada RI , y resistencia de salida Ro en la banda media.
+4V
RE = 1 kΩ
CC1 = 1 metroF CC2 = 10 metroF CC1 = 1 metroF CE = 5 metroF
vo
RS = 1 kΩ RS = 1 kΩ CC2 = 1 metroF
RE = RC = vI - + RB = 5 kΩ vo
+ 10 kΩ 6,5 milΩ RL =
vI - 5 kΩ
+ - RC = RL =
20 V 25 V 4 kΩ 4 kΩ
- +
-6V
*7.43 Para el circuito de emisor común de la figura P7.43, elija los parámetros de transistor
apropiados y realice un análisis por computadora. Genere el diagrama de Bode de la
magnitud de la ganancia de voltaje desde una frecuencia muy baja hasta el rango de
frecuencia de banda media. ¿A qué frecuencia está la magnitud de ganancia de voltaje 3
dB por debajo del valor máximo? ¿Un condensador domina esta frecuencia de 3 dB? ¿Si es
así, Cuál?
*7.44 Para el amplificador multitransistor de la figura P7.44, elija los parámetros de
transistor apropiados. La frecuencia más baja de 3 dB debe ser menor o igual a
20 Hz. Suponga que los tres condensadores de acoplamiento son iguales. DejarCB → ∞.
Utilizando un análisis por computadora, determine los valores máximos del acoplamiento
condensadores. Determine la pendiente del diagrama de Bode de la ganancia de voltaje.
tude a muy bajas frecuencias.
+ 10 V + 10 V
RS = 10 kΩ RC2 = 2,2 milΩ

Q1
CC1 CC2 CC3
+ RB1 = vo
vI -- Q2
10 kΩ
Rmi1 = Rmi2 = RL =
4,7 milΩ 4,7 milΩ
3 kΩ
RB2 =
CB
10 kΩ
- 10 V - 10 V
Figura P7.44
Sección 7.4 Respuesta de frecuencia: Transistor bipolar
7.45 Un transistor bipolar tiene FT = 4 GHz, βo = 120, y Cµ = 0,08 pF cuando se

opera a ICQ = 0,25 mA. Determinargramometro, Fβ, y Cπ.
7.46 A bipolar de alta frecuencia∣ el transistor está polarizado en ICQ = 0.4mA y tiene pa-
rametros Cµ = 0,075 pF, FT =∣∣2 GHz y βo = 120. (a) Determine Cπ
y Fβ. (b) Determinar h fe∣ en (i) f = 10 MHz, (ii) f = 20 MHz y
(iii) f = 50 MHz.
7.47 (a) La frecuencia FT de un transistor bipolar es de 540 MHz cuando se
polariza en ICQ = 0,2 mA. Los parámetros del transistor sonCµ = 0,4 pF y
βo = 120. Determina Fβ y Cπ. (b) Utilizando los resultados del inciso a), determine
FT y Fβ cuando el transistor está polarizado en ICQ = 0.8mA.
7.48 El circuito de la figura P7.48 es un híbridoπ circuito equivalente que incluye el
ayuda rB. (a) Derive la expresión para la función de transferencia de ganancia de voltaje
Av (s) = Vo (s) / VI (s). (b) Si el transistor está polarizado en ICQ = 1 mA, y si
RL = 4 k y βo = 100, determine la ganancia de voltaje de banda media para (i) rb =
100 y (ii) rb = 500. (c) ParaC1 = 2.2 pF, determine el -3 dB
frecuencia para (i) rb = 100 y (ii) rb = 500 .
r B= 200 Ω Cm = 0,8 pF
rB
Vo
+ +
rpag
= Cp = 0,04 Vpag RL =
VI - + Vpag
VI + Vpag rpag RL 2,5 milΩ 10 pF 2,5 milΩ
- C1
gramometroVpag
-
7.49 Considere el circuito de la figura P7.49. Calcule la impedancia vista por el

fuente de señal VI en (a) f = 1 kHz, (b) f = 10 kHz, (c) f = 100 kHz y
(D) f = 1 MHz.
*7.50 En la figura P7.50 se muestra un circuito equivalente de emisor común. (a) ¿Cuál
es la expresión de la capacitancia de Miller? (b) Derive la expresión para el
ganancia de voltaje Av (s) = Vo (s) / VI (s) en términos de la capacitancia de Miller y
otros parámetros del circuito. (c) ¿Cuál es la expresión para los 3 dB superiores?
¿frecuencia?
RS rB Cmetro
Vo
+
VI + RB Vpag rpag Cpag RL
-
- gramometroVpag
Figura P7.50
7.51 Para el circuito de emisor común de la figura 7.41 (a) del texto, suponga que
rs = ∞, R1‖R2 = 5 k, y RC = RL = 1 k. El transistor está polarizado en
ICQ = 5 mA y los parámetros son: βo = 200, VA = ∞, Cµ = 5 pF y
FT = 250 MHz. Determine la frecuencia superior de 3 dB para la ganancia de corriente de
pequeña señal.
*7.52 Para el circuito de emisor común de la figura P7.52, suponga que la derivación del emisor
condensador Cmi es muy grande y los parámetros del transistor son: βo = 100,
VSER(encendido) = 0,7 V, VA = ∞, Cµ = 2 pF y FT = 400 MHz. Determine las frecuencias
inferior y superior de 3 dB para la ganancia de voltaje de señal pequeña. Utilizar el
híbrido simplificadoπ modelo para el transistor.
+ 15 V
RC =
4 kΩ
R1 = 60 kΩ
vO
CC1 = 0,1 metroF
RS = 2 kΩ
+ R2 = 5,5 milΩ
vI - RE =
Cmi → ∞
0,2 kΩ
Figura P7.52
7.53 Considere el circuito de la figura P7.52. La resistenciaRS se cambia a 500 y todos los
demás valores de resistencia se incrementan en un factor de 10. El transistor
Los parámetros son los mismos que se enumeran en el problema 7.52. Determine el inferior y el superior-
Frecuencias de 3 dB para la magnitud de la ganancia de voltaje y encuentre la ganancia de banda media.
7.54 Los parámetros del circuito que se muestra en la Figura P7.52 se cambian a
V + = 5V, RS = 0, R1 = 33 k, R2 = 22 k, RC = 5 k, y RE = 4 k. Los parámetros
del transistor sonβo = 150, Cµ = 0,45 pF y FT = 800 MHz.
(a) Determine ICQ y VCEQ. (b) Determinar Cπ, Fβ, y la capacitancia de Miller CM. (c)
Encuentre la frecuencia superior de 3 dB.
Sección 7.5 Respuesta de frecuencia: el FET
7.55 Los parámetros de un MOSFET de canal n son k′ n = 80µAV2, W = 4µmetro,

L = 0,8µmetro, Cgs = 50 fF y Cgd = 10 fF. El transistor está polarizado en
IDQ = 0,6 mA. DeterminarFT.
7.56 Encontrar FT para un MOSFET sesgado en IDQ = 120µA y VGS - VTN = 0,20 V.
Los parámetros del transistor son Cgs = 40 fF y Cgd = 10 fF.
7.57 Complete los valores de los parámetros que faltan en la siguiente tabla para un MOSFET.
Dejar Kn = 1,5 mA / V2.
ID (µA) FT (GHz) CgsfF) CgdfF)
50 60 10
300 60 10
3 60 10
250 2.5 8
7.58 (a) Un MOSFET de canal n tiene una movilidad de electrones de 450 cm2 /V – sy a
longitud del canal de 1,2 µmetro. DejarVGS - VTN = 0.5V. Determine el corte
frecuencia FT. (b) Repita el inciso a) si la longitud del canal se reduce a
0,18 µmetro.
7.59 En la figura P7.59 se muestra un circuito equivalente de fuente común. La

transconductancia del transistor esgramom = 3 mA / V. (a) Calcule el Miller equivalente
capacidad. (b) Determine la frecuencia superior de 3 dB para la pequeña señal
ganancia de voltaje.
ryo = 10 kΩ Cgd = 12 fF
Vo
+
+ Vgs
Cgs = ro = RD =
VI -- 80 fF 120 kΩ 10 kΩ
-
gramometroVgs
Figura P7.59
7.60 (Sta) rting con la definición de frecuencia de ganancia unitaria, según lo dado por Equa-
ción (7,97), n Por ejemplo, seleccione la capacitancia de superposición, suponga C gd
∼
= 0 y C ∼ gs =
2WLCbuey,
un espectáculo que
3
√D
µnorte ID
FT = 3·
2πL 2CbueyWL
Desde ID es proporcional a W, esta relación indica que para aumentar FT,
la longitud del canal L debe ser pequeño.
7.61 Los parámetros de un MOSFET ideal de canal n son W / L = 8,
µn = 400 cm2 /V – s, Cbuey = 6,9 × 10-7 F / cm2, y VTN = 0.4 V. (a) Determine la
resistencia máxima de la fuente tal que la transconductancia gramometro se
reduce en no más del 20 por ciento de su valor ideal cuando VGS = 3 V.
(b) Utilizando los resultados del inciso a), encuentre cuánto gramometro se reduce de su ideal
valor cuando VGS = 1 V.
*7.62 La figura P7.62 muestra el circuito equivalente de alta frecuencia de un FET, en
incluyendo una fuente de resistencia rs. (a) Obtenga una expresión para la ganancia
de corriente de baja frecuencia Ayo = Io /II . (b) Asumiendo RI es muy grande, obtenga
una expresión para la función de transferencia de ganancia actual AI (s) = yoo (siI (s).
(c) ¿Cómo se comporta la magnitud de la ganancia de corriente cuando rs aumenta?
Cgd
Vo
+
Vgs Cgs
g V gs
- metro
II RI RL
rs Io
Figura P7.62
7.63 Para el circuito FET de la figura P7.63, los parámetros del transistor son: Kn =
1 mA / V2, VTN = 2 V, λ = 0, Cgs = 50 fF y Cgd = 8 fF. (a) Dibuje el circuito
equivalente de alta frecuencia simplificado. (b) Calcule el equivalente
Capacitancia Miller. (c) Determine la frecuencia superior de 3 dB para la ganancia de voltaje de
señal pequeña y encuentre la ganancia de voltaje de banda media.
VDD = +10 V
RD =
5 kΩ
R1 = 500 kΩ
vO
CC = 10 metroF
Ryo = 1 kΩ
vI + R2 = 225 milΩ
-
Figura P7.63
Sección 7.6 Respuesta de alta frecuencia de circuitos de transistores
7.64 La ganancia de voltaje de banda media de un amplificador MOSFET de fuente común es

Av = -15 V / V. Las capacitancias del transistor sonCgs = 0,2 pF y
Cgd = 0,04 pF. (a) Determine la capacitancia de Miller de entrada. (b) ¿Qué resistencia
de entrada equivalente (resistencia de polarización y resistencia de fuente de señal)
resulta en una frecuencia de esquina superior de 5 MHz?
7.65 En el circuito de la figura P7.65, los parámetros del transistor son: β = 120,
VSER(encendido) = 0,7 V, VA = 100 V, Cµ = 1 pF y FT = 600 MHz. (a) Deter-
mía Cπ y la capacitancia de Miller equivalente CMETRO. Indique cualquier aproximación
o suposición que haga. (b) Encuentre la frecuencia superior de 3 dB y
la ganancia de voltaje de banda media.
+5V
RC = 4 kΩ
R1 = 33 milΩ
vo
C C1 = 1 metroF
CC 2 = 2 metroF
RS = 2 kΩ
RL =
5 kΩ
vI + R2 = 22 milΩ
- CE =
RE =
4 kΩ 10 metroF
Figura P7.65
*7.66 En el circuito de la figura P7.66, los parámetros del transistor son: β = 120,
VSER(encendido) = 0,7 V, VA = ∞, Cµ = 3 pF y FT = 250 MHz. Asume el
condensador de derivación del emisor Cmi y el condensador de acoplamiento CC2 son muy grandes.
(a) Determine las frecuencias superior e inferior de 3 dB. Utilice el simpli fi cado
híbrido-π modelo para el transistor. (b) Dibuje el diagrama de Bode de la magnitud de la
ganancia de voltaje.
VCC = +10 V
RC = 5 kΩ
R1 = 40 kΩ
vo
CC1 = 4,7 metroF
CC2 → ∞
RS = 0,5 kΩ RL =
2,5 milΩ
vI + R2 = 5 kΩ
- RE =
Cmi → ∞
0,5 kΩ
Figura P7.66
7.67 Los parámetros del transistor en el circuito de fuente común de la figura

ure P7.67 son: Kp = 2 mA / V2, VTP = -2 V, λ = 0,01 V-1, Cgs = 10 pF,
y Cgd = 1 pF. (a) Determine la capacitancia de Miller equivalenteCMETRO.
(b) Encuentre la frecuencia superior de 3 dB y la ganancia de voltaje de banda media.
+9V
RS = 1,2 kΩ
Ryo = 2 kΩ CS
+ RG = vO
vI
- 100 kΩ
RD = 1 kΩ
-9V
Figura P7.67
7.68 Los voltajes de polarización del circuito que se muestra en la figura P7.67 se cambian a
V + = 3 V y V- = -3 V. Las resistencias de entrada son Ryo = 4 k y
RG = 200 k. Los parámetros del transistor sonKp = 0,5 mA / V2, VTP =
-0,5 V, λ = 0, Cgs = 0,8 pF y Cgd = 0,08 pF. (a) Diseñe el circuito de tal manera
que IDQ = 0,5 mA y VSDQ = 2 V. (b) Encuentre la ganancia de voltaje de banda media.
(c) Determine la capacitancia de Miller equivalente. (d) Encuentre los 3 dB superiores
frecuencia.
7.69 Para el circuito de fuente común PMOS que se muestra en la figura P7.69, el transistor
los parámetros son: VTP = -2 V, Kp = 1 mA / V2, λ = 0, Cgs = 15 pF y
Cgd = 3 pF. (a) Determine la frecuencia superior de 3 dB. (b) ¿Cuál es la capacitancia de
Miller equivalente? Indique cualquier suposición o aproximación que
fabricar. (c) Encuentre la ganancia de voltaje de banda media.
+ 10 V
RS = 0,5 kΩ
R1 = 8 kΩ +5V
CC1 = 2 metroF CS = 10 metroF

IQ = 0,5 mA
Ryo = 0,5 kΩ CC1 CC2
C22 metro F
C=
vo vo
vI +
-- RS = 50 Ω
R2 = 22 milΩ
RD = RL = + RE = RL =
2 kΩ vI
5 kΩ - 0,5 kΩ RB = 100 kΩ 1 kΩ
CB
- 10 V
*7.70 En el circuito de base común que se muestra en la figura P7.70, el parámetro del transistor
ters son: β = 100, VSER(encendido) = 0,7 V, VA = ∞, Cπ = 10 pF y Cµ = 1 pF.
(a) Determine las frecuencias superiores de 3 dB correspondientes a la entrada y
porciones de salida del circuito equivalente. (b) Calcule el valor medio de pequeña señal.
ganancia de voltaje de banda. (c) Si un condensador de cargaCL = 15 pF está conectado
entre la salida y tierra, determine si la frecuencia superior de 3 dB será dom-
inactivo por el CL condensador de carga o por las características del transistor.
*7.71 Repita el problema 7.70 para el circuito de base común de la figura P7.71. Asumir
VEB (on) = 0,7 para el transistor pnp. Los parámetros restantes del transistor
son los mismos que se dan en el problema 7.70.
R S= 1 kΩ CC1 CC2
CC1 = 1 metroF CC2 = 2 metroF
vo
vo
RE = RC = Ryo = 2 kΩ
+ 10 kΩ 6,5 milΩ R L= RS = RD = R L=
vI - vI +
+ - 5 kΩ - 10 kΩ 5 kΩ 4 kΩ
20 V 25 V
- +
V - = –5 V V + = +5 V
*7.72 En el circuito de puerta común de la figura P7.72, los parámetros del transistor son:
VTN = 1 V, Kn = 3 mA / V2, λ = 0, Cgs = 15 pF y Cgd = 4 pF. Determine la frecuencia
superior de 3 dB y la ganancia de voltaje de banda media.
7.73 Considere el circuito de puerta común de la figura P7.73 con parámetros V + =
5 V, V- = -5 V, RS = 4 k, RD = 2 k, RL = 4 k, RG = 50 k, y
RI C C1 CC2
vo
vI +
- RS RD RL
RGRAMO CGRAMO V -
V+
Figura P7.73
Ryo = 0,5 k. Los parámetros del transistor son:Kp = 1 mA / V2, VTP =

-0,8 V, λ = 0, Cgs = 4 pF y Cgd = 1 pF. Determine la frecuencia superior de 3 dB y la
ganancia de voltaje de banda media.
*7.74 Para el circuito en cascodo de la figura 7.65 del texto, los parámetros del circuito son
los mismos que se describen en el ejemplo 7.15. Los parámetros del transistor son:
βo = 120, VA = ∞, VSER(encendido) = 0,7 V, Cπ = 12 pF y Cµ = 2 pF. (a) Si
CL es un circuito abierto, determine las frecuencias de 3 dB correspondientes a las
porciones de entrada y salida del circuito equivalente. (b) Determine la mitad
ganancia de voltaje de banda. (c) Si una capacitancia de cargaCL = 15 pF están conectados a
la salida, determine si la frecuencia superior de 3 dB está dominada por la carga
capacitancia o por las características del transistor.
PROBLEMAS DE SIMULACIÓN DE COMPUTADORAS

7.75 En la figura P7.75 se muestra un amplificador emisor-seguidor. Usando una simulación por
computadora, determine la frecuencia superior de 3 dB y el voltaje de banda media
ganancia para: (a) RL = 0,2 k, (b) RL = 2 k, y (c) RL = 20 k. Utilice un transistor
estándar. Explique cualquier diferencia entre los resultados de la
tres partes.
+ 10 V
RC = 2 kΩ
RS = 1 kΩ CC vO
+ 10 V Q1
vI - + RB =
RS = 2 kΩ
20 kΩ Q2
CC1 CC2
vI + RB = vo Rmi1
- 100 kΩ Rmi2 =
Cmi
RE = 10 kΩ
RL
10 kΩ
- 10 V - 10 V
7.76 El circuito de transistor de la figura P7.76 es una configuración de par Darlington. Usando una
simulación por computadora, determine la frecuencia superior de 3 dB y la
ganancia de voltaje de banda media para (a) Rmi1 = 10 k, (b) Rmi1 = 40 k, y

(C) Rmi1 = ∞. Utilice transistores estándar. Explique las diferencias entre los
resultados de las tres partes.
7.77 Considere el amplificador de fuente común de la figura P7.77 (a) y el amplificador de cascodo de la
figura P7.77 (b). Usando transistores estándar, determine la frecuencia superior de 3 dB y la
ganancia de voltaje de banda media para cada circuito usando una simulación por computadora.
Compare las frecuencias de 3 dB y las ganancias de voltaje de banda media.
V + = +10 V
V + = +10 V
RD = 3 kΩ
R1 = 179,5 milΩ
R1 = 179,5 milΩ
vo
RD = 3 kΩ CC2
RL =
CC2
METRO
2
CGRAMO 10 kΩ
R2 = vo CGRAMO
175 kΩ R2 =
Ryo = 2 kΩ 175 kΩ
R L= 10 kΩ
Ryo = 2 kΩ CC1
CC1 METRO1
vI +
-
R3 = 145,5 milΩ vI +
- R3 = 145,5 milΩ
RS = CS RS =
10 kΩ CS
10 kΩ
V- = –10 V V - = –10 V
(a) (B)
Figura P7.77
7.78 Considere transistores idénticos en el circuito de la figura P7.78. Asume los dos
los condensadores de acoplamiento son ambos iguales a CC = 4,7µF.Utilizando una simulación por
computadora, determine las frecuencias inferiores y superiores de 3 dB, así como las frecuencias medias.
ganancia de banda. ¿Qué valor de capacitancia de carga cambiará el ancho de banda en un
factor de dos?
+ 10 V
RI = 2 kΩ CC1
METRO1
CC2 CC3
vI + RG = METRO2 vo
- 400 kΩ
RS1 = RS2 = RD = RL =
10 kΩ 10 kΩ 5 kΩ 2 kΩ
- 10 V - 10 V + 10 V
Figura P7.78
PROBLEMAS DE DISEÑO
[Nota: Cada diseño debe verificarse con un análisis por computadora].
*D7.79 (a) Diseñe un amplificador de emisor común usando un transistor 2N2222A polarizado
a ICQ = 1 mA y VCEQ = 10 V. Las fuentes de alimentación disponibles son ±15 V,
la resistencia de carga es RL = 20 k, la resistencia de la fuente es RS = 0,5 k, la entrada y
la salida están acopladas en ca al ampli fi cador, y la frecuencia inferior de 3 dB
frecuencia debe ser inferior a 10 Hz. Diseñe el circuito para maximizar la banda media
ganar. ¿Cuál es la frecuencia superior de 3 dB? (b) Repita el diseño paraICQ =
50 µA. Suponga FT es el mismo que el caso cuando ICQ = 1 mA. Compare la ganancia de
banda media y el ancho de banda de los dos diseños.
*D7.80 Diseñe un amplificador bipolar con ganancia de banda media de |Av | =50 y una frecuencia
más baja de 3 dB de 10 Hz. Los transistores disponibles son 2N2222A, y los disponibles
las fuentes de alimentación son ±10V. Todos los transistores del circuito deben estar polarizados a una
aproximadamente 0,5 mA. La resistencia de carga esRL = 5 k, la resistencia de la fuente
es RS = 0.1 ky la entrada y la salida están acopladas en ca al amplificador. Compare el
ancho de banda de un diseño de una etapa con el de un diseño de cascodo.
*D7.81 Un amplificador de emisor común está diseñado para proporcionar una ganancia de banda media
particular y un ancho de banda particular, utilizando el dispositivo A de la Tabla P7.81. Asumir
ICQ = 1 mA. Investigue el efecto sobre la ganancia de banda media y el
ancho de banda si los dispositivos B y C se insertan en el circuito.
¿banda ancha? ¿Cuál es el producto de ancho de banda de ganancia en cada caso?
Cuadro P7.81 Especificaciones de dispositivo para el problema 7.81
Dispositivo FT (Megahercio) Cµ (pF) β rB ( )
A 350 2 100 15
B 400 5 100 10
C 500 2 50 5
*D7.82 En la figura P7.82 se muestra un circuito equivalente simplificado de alta frecuencia de

un amplificador de emisor común. La señal de entrada se acopla al ampli fi cador.
mediante CC1, la señal de salida se acopla a la carga a través de CC2, y el amplificador
proporciona una ganancia de banda media de |Am | y una frecuencia superior de 3 dB de
FH. Compare este diseño de amplificador de una etapa con uno en el que se
utilizan tres etapas de amplificador entre la señal y la carga. En las tres etapas
amplificador, suponga que todos los parámetros son iguales, excepto gramometro para cada etapa
es un tercio de la del amplificador de una sola etapa. Compare las ganancias de banda media y
los anchos de banda.
RS C C1 Cmetro CC2
Vo
+
VI + Vpag rpag Cpag RC RL
--
- gramometroVpag
Etapa del amplificador
Figura P7.82
8
Capítulo
Etapas de salida y
Amplificadores de potencia
En capítulos anteriores, nos ocupamos principalmente de las ganancias de voltaje de señal pequeña,
ganancias de corriente y características de impedancia de amplificadores lineales. En este capítulo,
analizamos y diseñamos circuitos que deben entregar una potencia especificada a una carga. Por lo tanto,
nos preocuparemos por la disipación de potencia en los transistores, especialmente en la etapa de salida, ya
que la etapa de salida debe entregar la potencia de la señal. Sin embargo, la linealidad en la señal de salida
sigue siendo una prioridad. Una cifra de mérito para la característica de linealidad de la etapa de salida es la
distorsión armónica total que está presente.
Se definen varias clases de amplificadores de potencia. Se determinan las eficiencias de
potencia ideales y reales de estas clases de amplificadores.
AVANCE
En este capítulo, haremos lo siguiente:
• Describe el concepto de amplificador de potencia.

• Describa las características de los transistores de potencia BJT y MOSFET y analice las
características de temperatura y flujo de calor de los dispositivos que utilizan disipadores de
calor.
• Defina las diversas clases de amplificadores de potencia y determine la eficiencia
energética máxima de cada clase de amplificador.
• Analice varias configuraciones de circuitos de amplificadores de potencia de clase A.
• Analice las características de una etapa de salida de clase B ideal.
• Analice y diseñe varias configuraciones de circuitos de etapas de salida de clase AB.
• Como aplicación, diseñe una etapa de salida utilizando MOSFET como dispositivos de
salida.
559
8.1 AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Objetivo: • Describir el concepto de amplificador de potencia.
Es posible que se requiera un amplificador de etapas múltiples para entregar una gran cantidad de energía a
una carga pasiva. Esta potencia puede tener la forma de una gran corriente suministrada a una resistencia de
carga relativamente pequeña, como un altavoz de audio, o puede tener la forma de una gran tensión
suministrada a una resistencia de carga relativamente grande, como una fuente de alimentación conmutada.
La etapa de salida del amplificador de potencia debe diseñarse para cumplir con los requisitos de potencia. En
este capítulo, sólo nos interesan los amplificadores de potencia que utilizan BJT o MOSFETS, y no
consideraremos otros tipos de electrónica de potencia que, por ejemplo, utilizan tiristores.
Dos funciones importantes de la etapa de salida son proporcionar una resistencia de

salida baja para que pueda entregar la potencia de la señal a la carga sin pérdida de ganancia y
mantener la linealidad en la señal de salida. Una resistencia de salida baja implica el uso de
configuraciones de circuito emisor-seguidor o fuente-seguidor. Una medida de la linealidad de
la señal de salida es ladistorsión armónica total (THD). Esta cifra de mérito es el valor rms de
los componentes armónicos de la señal de salida, excluida la fundamental, expresada como
porcentaje de la fundamental.
Una preocupación particular en el diseño de la etapa de salida es entregar la potencia de
señal requerida a la carga de manera eficiente. Esta especificación implica que la potencia
disipada en los transistores de la etapa de salida debe ser lo más pequeña posible. Los
transistores de salida deben ser capaces de entregar la corriente requerida a la carga y deben
ser capaces de sostener el voltaje de salida requerido.
Inicialmente discutiremos los transistores de potencia y luego consideraremos varias etapas de salida
de los amplificadores de potencia.
8.2 TRANSISTORES DE PODER
Objetivo: • Describir las características de los transistores de potencia BJT y MOSFET y

analizar las características de temperatura y flujo de calor de los dispositivos que utilizan
disipadores de calor.
En nuestras discusiones anteriores, hemos ignorado las limitaciones físicas del transistor
en términos de corriente, voltaje y potencia máximos. Asumimos implícitamente que los
transistores eran capaces de manejar la corriente y el voltaje, y podían manejar la
potencia disipada dentro del transistor sin sufrir ningún daño.
Sin embargo, dado que ahora estamos hablando de amplificadores de potencia, debemos
preocuparnos por las limitaciones de los transistores. Las limitaciones incluyen: corriente nominal
máxima (del orden de amperios), voltaje nominal máximo (del orden de 100 V) y potencia nominal
máxima (del orden de vatios o decenas de vatios).1 Consideraremos estos efectos en el BJT y luego en
el MOSFET. La limitación de potencia máxima está relacionada con la
1Debemos tener en cuenta que, en general, la corriente nominal máxima y la tensión nominal máxima no pueden ocurrir al
mismo tiempo.
Capítulo 8 Etapas de salida y amplificadores de potencia 561
temperatura máxima permitida del transistor, que a su vez es función de la velocidad a la que se
elimina el calor. Por lo tanto, consideraremos brevemente los disipadores de calor y el fl ujo de calor.
8.2.1 BJTs de poder
Los transistores de potencia son dispositivos de gran superficie. Debido a las diferencias en la
geometría y las concentraciones de dopaje, sus propiedades tienden a variar de las de los dispositivos
de pequeña señal. La Tabla 8.1 compara los parámetros de un BJT de pequeña señal de propósito
general con los de dos BJT de potencia. La ganancia de corriente es generalmente menor en los
transistores de potencia, típicamente en el rango de 20 a 100, y puede ser una fuerte función de la
corriente y temperatura del colector. La figura 8.1 muestra la ganancia de corriente típica frente a las
características de corriente del colector para el BJT de potencia 2N3055 a varias temperaturas. A altos
niveles de corriente, la ganancia de corriente tiende a disminuir significativamente, y las resistencias
parásitas en las regiones de base y colector pueden volverse significativas, afectando las
características de los terminales del transistor.
La corriente de colector nominal máxima IC,calificado puede estar relacionado con: la corriente
máxima que los cables que conectan el semiconductor a los terminales externos pueden
resolver; la corriente del colector a la que la ganancia de corriente cae por debajo de un valor mínimo
especificado; o la corriente que conduce a la máxima disipación de potencia cuando el transistor está
en saturación.
Cuadro 8.1 Comparación de las características y máximo

clasificaciones de un BJT de pequeña señal y potencia
Energía
BJT de pequeña señal Poder BJT BJT
Parámetro (2N2222A) (2N3055) (2N6078)
VCE (máx.) (V) 40 60 250

IC(máx.) (A) 0,8 15 7
PAGD(máx.) (W) (en T = 25 ° C) 1.2 115 45
β 35-100 5-20 12–70
FT (Megahercio) 300 0,8 1
1000
Emisor común
500 VCE = 4 V
300 TC = 100 ° C
DC ganancia de corriente hFE
25
100
50 - 55
30
10
5
3
0,01 0,03 01 03 1 3 10 20
Corriente del colector IC (A)
Figura 8.1 Características típicas de cd beta (hFE versus IC) para 2N3055
10
9
8
Corriente del colector IC (mamá)

IB = 75
7
6 60
5
45
4
3 30
2
15
1
Corriente base IB = 0 metroA
0 20 40 60 80 100 120 140

Voltaje de colector a emisor VCE (V)
Figura 8.2 Características típicas de corriente de colector versus voltaje colector-emisor de un

transistor bipolar, que muestran efectos de ruptura
La limitación de voltaje máximo en un BJT generalmente se asocia con la ruptura de

avalancha en la unión base-colector con polarización inversa. En la configuración de emisor
común, el mecanismo de voltaje de ruptura también involucra la ganancia del transistor,
así como el fenómeno de rotura en la unión pn. TípicoIC versus VCE
Las características se muestran en la Figura 8.2. El voltaje de ruptura cuando la base
nal está en circuito abiertoIB = 0) es VCEO . A partir de los datos de la Figura 8.2, este valor es
aproximadamente 130 V.
Cuando el transistor está polarizado en la región activa, la corriente del colector comienza a
aumentar significativamente antes de la tensión de ruptura VCEO se alcanza, y todas las curvas tienden
a fusionarse en el mismo voltaje colector-emisor una vez que se ha producido la ruptura.
El voltaje al que se fusionan estas curvas se denota VCE (sus) y es el voltaje mínimo
necesario para mantener el transistor en avería. A partir de los datos de la figura 8.2,
El valor de VCE (sus) es de aproximadamente 115 V.
Otro efecto de descomposición se llama segundo desglose, que ocurre en un BJT
operando a alto voltaje y una corriente bastante alta. Leves faltas de uniformidad en la densidad de
corriente producen regiones locales de mayor calentamiento que disminuye la resistencia del
material semiconductor, lo que a su vez aumenta la corriente en esas regiones. Este efecto da como
resultado una retroalimentación positiva, y la corriente continúa aumentando, produciendo un
aumento adicional de temperatura, hasta que el material semiconductor puede realmente derretirse,
creando un cortocircuito entre el colector y el emisor y produciendo un permanente
falla.
La disipación de potencia instantánea en un BJT viene dada por
pagQ = vCEIC + vSERIB (8,1)
La corriente de base es generalmente mucho menor que la corriente del colector; por lo tanto, a un
buena aproximación, la disipación de potencia instantánea es
pag
Q = ∼vCEIC (8,2)
La potencia promedio, que se encuentra integrando la ecuación (8.2) en un ciclo de

la señal, es ∫ T
1
PAGQ = vCEIC D t (8,3)
T 0
IC (A) IC (A)
IC, max Máximo

1.0
límite actual
1.0
PAGT
PAGT
VCE, (sus)
Segundo
0,5 Segundo
desglose
0,10 desglose
VCE, (sus)
0,01
0 10 30 50 70 90 VCE (V) 1 10 100 VCE (V)
(a) (B)
Figura 8.3 El área de operación segura de un transistor bipolar graficada en: (a) escalas lineales y
(b) escalas logarítmicas
La potencia media disipada en un BJT debe mantenerse por debajo de un valor máximo
especificado, para garantizar que la temperatura del dispositivo permanezca por debajo de un valor
máximo. Si asumimos que la corriente del colector y el voltaje colector-emisor son cuanti
corbatas, luego en el potencia nominal máxima PAGT para el transistor, podemos escribir
PAGT = VCE IC (8,4)
Las limitaciones máximas de corriente, voltaje y potencia se pueden ilustrar en la

IC versus VCE características, como se muestra en la Figura 8.3. La limitación de potencia media
PAGT es una hipérbola descrita por la ecuación (8.4). La región donde el transistor se puede
operar de forma segura se conoce comoárea de operación segura (SOA) y está limitado por
IC,max, VCE (sus), PAGT, y la segunda curva de características de ruptura del transistor. La figura 8.3
(a) muestra el área de operación segura, usando escalas lineales de corriente y voltaje;
La figura 8.3 (b) muestra las mismas características utilizando escalas logarítmicas.
La IC-vCE El punto de operación puede moverse momentáneamente fuera del área de operación
segura sin dañar el transistor, pero esto depende de qué tan lejos Q-se mueve el punto
fuera del área y por cuánto tiempo. Para nuestros propósitos, asumiremos que el dispositivo debe
permanecer dentro del área de operación segura en todo momento.
EJEMPLO 8.1
Objetivo: Determine las clasificaciones de corriente, voltaje y potencia requeridas de un BJT de
potencia.
Considere el circuito de emisor común de la figura 8.4. Los parámetros son
RL = 8 y VCC = 24 V. VCC
Solución: Para VCE =∼ 0, la corriente máxima del colector es

VCC 24 RL
IC(max) = = = 3A
RL 8
vO
Para IC = 0, el voltaje máximo colector-emisor es
vI
VCE (max) = VCC = 24V La línea
de carga está dada por
VCE = VCC - IC RL
Figura 8.4 Figura para el
y debe permanecer dentro del área de operación segura, como se muestra en la Figura 8.5. ejemplo 8.1
IC (A)
IC, max
3
VCE, (sus)
2
0 12 24 VCE (V)
Figura 8.5 Línea de carga de CC dentro del área de operación segura
Por tanto, la disipación de potencia del transistor es
PAGT = VCE IC = (VCC - IC RL)IC = VCC IC - I 2 C RL
La corriente a la que ocurre la potencia máxima se encuentra estableciendo la derivada de esta

ecuación igual a cero de la siguiente manera:
dPT
= 0 = V -CC
2IR CL
d yoC
cuyos rendimientos
VCC 24
IC = = = 1,5 A
2RL 2 (8)
El voltaje C – E en el punto de máxima potencia es
VCE = VCC - IC RL = 24 - (1,5) (8) = 12 V
La máxima disipación de potencia en el transistor ocurre en el centro de la línea de carga. Por

lo tanto, la disipación máxima de potencia del transistor es
PAGT = VCE IC = 12 (1,5) = 18 W
Comentario: Para encontrar un transistor para una aplicación determinada, normalmente se utilizan factores
de seguridad. Para este ejemplo, se necesitaría un transistor con una clasificación de corriente superior a 3 A,
una clasificación de voltaje superior a 24 V y una clasificación de potencia superior a 18 W.
Ej 8.1: Considere el circuito de emisor común que se muestra en la figura 8.4. Asume el
El transistor tiene factores limitantes de: IC,max = 5 A, VCE (sus) = 30 V y PAGT = 25W.
Ignorando los efectos de la segunda descomposición, determine el mínimoRL tal que el
Q-El punto del transistor permanece dentro del área de operación segura durante: (a)
VCC = 24 V y (b) VCC = 12 V. En cada caso, determine la corriente máxima del colector y la
disipación máxima de potencia del transistor. (Resp. (A)RL = 5,76, IC,max = 4,17 A,
PAGQ,max = 25W; (B)RL = 2,4, IC,max = 5 A, PAGQ,max = 15W)
Los transistores de potencia, que están diseñados para manejar grandes corrientes, requieren grandes
áreas de emisor para mantener densidades de corriente razonables. Estos transistores generalmente están
diseñados con anchos de emisor estrechos para minimizar la resistencia de la base parásita,
Base
Emisor
Base Emisor
Terminal Terminal
p base
Figura 8.6 Una estructura de transistor bipolar interdigitado que muestra la vista superior y la
vista transversal
y puede fabricarse como un estructura interdigitada, como se muestra en la Figura 8.6. Además, las
resistencias de balasto del emisor, que son pequeñas resistencias en cada pata del emisor,
generalmente se incorporan en el diseño. Estos resistores ayudan a mantener corrientes iguales en
cada unión B – E.
8.2.2 MOSFET de potencia
La Tabla 8.2 enumera los parámetros básicos de dos MOSFET de potencia de canal n. Las corrientes
de drenaje están en el rango de amperios y los voltajes de ruptura están en el rango de cientos de
voltios. Estos transistores también deben operar dentro de un área de operación segura como se
discutió para los BJT.
Cuadro 8.2 Características de dos MOSFET de potencia
Parámetro 2N6757 2N6792
VDS (máx.) (V) 150 400

ID(max) (en T = 25 ° C) 8 2
PAGD (W) 75 20
Los MOSFET de potencia se diferencian de los transistores de potencia bipolares tanto en los principios
operativos como en el rendimiento. Las características de rendimiento superior de los MOSFET de potencia
son: tiempos de conmutación más rápidos, sin segunda avería y tiempo de respuesta y ganancia estable en
un amplio rango de temperatura. La figura 8.7 (a) muestra la transconductancia
10 10
80 metros prueba de pulso
VDS = 15 V
8 8
Transconductancia (siemens)
Corriente de drenaje ID (A)

TJ = –55 ° C
6 6
TJ = 25 ° C
TJ = +125 ° C
4 4
TJ = 125 ° C TJ = 25 ° C
TJ = –55 ° C
2 2
VDS = 15 V
80 metros prueba de pulso
0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 4 5 6 7
Corriente de drenaje ID (A) Voltaje de puerta a fuente (V)
(a) (B)
Figura 8.7 Características típicas de los MOSFET de alta potencia: (a) transconductancia frente a corriente de
drenaje; (b) características de transferencia
del 2N6757 frente a la temperatura. La variación con la temperatura de la transconductancia del

MOSFET es menor que la variación en la ganancia de corriente del BJT que se muestra en la Figura 8.1.
Los MOSFET de potencia a menudo se fabrican mediante un proceso vertical o de doble difusión,
llamado VMOS o DMOS, respectivamente. La sección transversal de un dispositivo VMOS se muestra
en la Figura 8.8 (a) y la sección transversal del dispositivo DMOS se muestra en la Figura 8.8 (b). El
proceso DMOS se puede utilizar para producir una gran cantidad de celdas hexagonales
empaquetadas en un solo chip de silicio, como se muestra en la Figura 8.8 (c). Además, dichos
MOSFET se pueden conectar en paralelo para formar dispositivos de gran área, sin la necesidad de
una resistencia de balasto de emisor equivalente para igualar la densidad de corriente. Un chip
MOSFET de una sola potencia puede contener hasta 25.000 celdas en paralelo.
Dado que el camino entre el drenaje y la fuente es esencialmente resistivo, el en
resistencia rdson) es un parámetro importante en la capacidad de potencia de un MOSFET. La
figura 8.9 muestra un típicordson) característica en función de la corriente de drenaje. Valores
en el rango de decenas de miliohmios.
Varias celdas de origen Puerta de silicio

interconectado por
metalización Múltiple
células fuente
Fuente Puerta Fuente Puerta

Fuente Fuente
p-base pag pag L

n + p-base n+
n+ n+ Canal
Canal
W
región de n-deriva región de n-deriva pag je
na
n+ ed
re
d
te
en
rri
Co
n+ n+
norte
Drenar
Drenar Drenar
metalización
(a) (B) (C)
Figura 8.8 (a) Sección transversal de un dispositivo VMOS; (b) sección transversal del dispositivo DMOS;
(c) Estructura HEXFET
1.0
VGS = 10 V
VGS = 20 V
RDS (en), drenaje a fuente en resistencia (Ω)
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
RDS (en), medido con corriente
pulso de 2.0metros duración
0.4 inicial Tj = 25 °C (efecto de calentamiento
de 2.0metroEl pulso es mínimo)
0,3
0 10 20 30 40 50 60 70
ID, corriente de drenaje (A)
Figura 8.9 Resistencia típica de drenaje a fuente versus características de corriente de drenaje de un
MOSFET
8.2.3 Comparación de Power MOSFET y BJT
Dado que un MOSFET es un dispositivo controlado por voltaje de alta impedancia de entrada, el circuito de
control es más simple. La puerta de un MOSFET de potencia de 10 A puede ser impulsada por la salida de un
circuito lógico estándar. Por el contrario, si la ganancia de corriente de un BJT de 10 A esβ = 10, entonces se
requiere una corriente base de 1 A para una corriente de colector de 10 A. Sin embargo, esta corriente de
entrada requerida es mucho mayor que la capacidad de control de salida de la mayoría de los circuitos
lógicos, lo que significa que el circuito de control para los BJT de potencia es más complicado .
El MOSFET es un dispositivo portador mayoritario. La movilidad del portador mayoritario
disminuye con el aumento de la temperatura, lo que hace que el semiconductor sea más resistivo.
Esto significa que los MOSFET son más inmunes a los efectos de fuga térmica y la segunda
Fenómenos de ruptura experimentados en bipolares. La figura 8.7 (b) muestra los típicosID
versus VGS características a varias temperaturas, lo que demuestra claramente que a altos niveles de
corriente, la corriente en realidad disminuye con el aumento de temperatura, para un determinado
voltaje de puerta a fuente.
8.2.4 Disipadores de calor
La potencia disipada en un transistor aumenta su temperatura interna por encima del

temperatura ambiente. Si el dispositivo o la temperatura de la uniónTj sube demasiado, el transistor
puede sufrir daños permanentes. Deben tomarse precauciones especiales en el paquete.
transistores de potencia envejecidos y en la provisión de disipadores de calor para que el calor pueda ser
conducido desde el transistor. Las figuras 8.10 (a) y (b) muestran dos esquemas de empaque, y la figura 8.10
(c) muestra un disipador de calor típico.
Para diseñar un disipador de calor para un transistor de potencia, primero debemos considerar
el concepto de resistencia termica θ, que tiene unidades de ° C / W. La diferencia de temperatura,
T2 - T1, a través de un elemento con una resistencia térmica θ es
T2 - T1 = PAGθ (8,5)
(a) (B) (C)
Figura 8.10 Dos esquemas de empaquetado: (a) y (b) para transistores de potencia y (c) disipador de
calor típico
dónde PAG es la potencia térmica a través del elemento. La diferencia de temperatura es el

análogo eléctrico del voltaje, y la potencia o el flujo de calor es el análogo eléctrico de la
corriente.
Las hojas de datos de los fabricantes para dispositivos de potencia generalmente dan el máximo
temperatura de la unión operativa o del dispositivo Tj,max y la resistencia térmica desde la
Tdev
unión hasta la carcasa θjc = θdev-caso 2 Por definición, la resistencia térmica entre
caso y disipador de calor es θcaso-snk, y entre el disipador de calor y el ambiente es θsnk-amb.
qdev-caso
La diferencia de temperatura entre el dispositivo y el ambiente ahora se puede
escrito de la siguiente manera, cuando se utiliza un disipador de calor:
Tcaso
Tdev - Tamb = PAGD(θdev-caso + θcaso-snk + θsnk-amb) (8,6)

PAGD qcase-snk
dónde PAGD es la potencia disipada en el dispositivo. La ecuación (8.6) también puede modelarse
Tsnk mediante sus elementos eléctricos equivalentes, como se muestra en la figura 8.11. La temperatura
La diferencia entre los elementos, como la carcasa y el disipador de calor, es la disipación
qsnk-amb energía PAGD multiplicado por la resistencia térmica aplicable, que es θcaso-snk para este
ejemplo.
Tamb Si no se utiliza un disipador de calor, la diferencia de temperatura entre el dispositivo y
Figura 8.11 Eléctrico ambiente se escribe como
circuito equivalente para el fl

Tdev - Tamb = PAGD(θdev-caso + θcaso-amb) (8,7)
ujo de calor del dispositivo al
ambiente dónde θcaso-amb es la resistencia térmica entre la carcasa y el ambiente.
EJEMPLO 8.2
Objetivo: Determine la disipación de potencia máxima en un transistor y determine la
temperatura de la caja del transistor y el disipador de calor.
Considere un MOSFET de potencia para el que los parámetros de resistencia térmica son:
θdev-caso = 1,75 ◦C / W θcaso-snk = 1 ◦C / W
θsnk-amb = 5 ◦C / W θcaso-amb = 50 ◦C / W
La temperatura ambiente es Tamb = 30 ° C, y la temperatura máxima de la unión o del

dispositivo es Tj,max = Tdev = 150 ° C.
2 En esta breve discusión, usamos una notación de subíndice más descriptiva para ayudar a aclarar la discusión.
Solución (potencia máxima): Cuando no se utiliza un disipador de calor, la potencia máxima del dispositivo
la disipación se encuentra a partir de la ecuación (8.7) como
Tj,max - Tamb 150 - 30

PAGD,max = = = 2,32 W
θdev-caso + θcaso-amb 1,75 + 50
Cuando se usa un disipador de calor, la disipación de potencia máxima del dispositivo se encuentra en la
ecuación (8.6) como
Tj,max - Tamb
PAGD,max =
θdev-caso + θcaso-snk + θsnk-amb
150 - 30
= = 15,5 W
1,75 + 1 + 5
Solución (temperatura): La temperatura del dispositivo es T = 150 ° C y el ambiente

la temperatura es Tamb = 30 ° C. El fl ujo de calor esPAGD = 15,5 W.La temperatura del disipador de calor
(consulte la Figura 8.11) se obtiene a partir de
Tsnk - Tamb = PAGD · θsnk-amb
o
Tsnk = 30 + (15,5) (5) ⇒ Tsnk = 107,5 ◦C
La temperatura de la carcasa se obtiene a partir de
Tcaso - Tamb = PAGD · (θcaso-snk + θsnk-caso)
o
Tcaso = 30 + (15,5) (1 + 5) ⇒ T = 123 ◦C
Comentario: Estos resultados ilustran que el uso de un disipador de calor permite que se disipe más
energía en el dispositivo, mientras se mantiene la temperatura del dispositivo en o por debajo de su

límite máximo.
Ej 8.2: Un BJT de potencia está funcionando con una corriente de colector promedio de IC = 2
A y un voltaje medio colector-emisor de VCE = 8 V. Los parámetros del dispositivo son
θdev-caso = 3 ◦C / W, θcaso-snk = 1 ◦C / W y θsnk-amb = 4 ◦C / W. La temperatura
ambiente es de 25◦C.Determine las temperaturas del (a) dispositivo, (b) caja y
(c) disipador de calor. (Resp. (A) 153◦C, (b) 105 ◦C, (c) 89 ◦C)
La disipación de energía máxima segura en un dispositivo es una función de: (1) la

diferencia de temperatura entre la unión y la carcasa, y (2) la resistencia térmica
entre el dispositivo y la carcasa θdev-caso, o
Tj,max - Tcaso
PAGD,max = (8,8)
θdev-caso
Una parcela de PAGD,max versus Tcaso, llamó al curva de reducción de potencia del transistor, se
muestra en la Figura 8.12. La temperatura a la que cruza la curva de reducción de potencia
el eje horizontal corresponde a Tj, máx. A esta temperatura, no se puede tolerar ningún aumento de
temperatura adicional en el dispositivo; por lo tanto, la disipación de potencia permitida debe
ser cero, lo que implica una señal de entrada cero.
PAGD, max
PAGD, calificado
TOC = 25 °C Tj, max Tcaso
Figura 8.12 Una curva de reducción de potencia
La potencia nominal de un dispositivo se define generalmente como la potencia a la que el

dispositivo alcanza su temperatura máxima, mientras que la temperatura de la carcasa permanece en
ambiente o temperatura ambiente, es decir, Tcaso = 25 ° C. Mantener la carcasa a temperatura
ambiente implica que la resistencia térmica entre la carcasa y el ambiente es cero,
o que se utiliza un disipador de calor infinito. Sin embargo, no es posible un disipador de calor infinito.
Con valores distintos de cero de θcaso-snk y θsnk-amb, la temperatura de la carcasa se eleva por encima de
la ambiente y no se puede alcanzar la potencia nominal máxima del dispositivo. Este efecto
puede verse examinando el modelo de circuito equivalente en la figura 8.11. Si el dispositivo
la temperatura está en su valor máximo permitido de Tdev = Tj,max, entonces como Tcaso en-
pliegues, la diferencia de temperatura en θdev-caso disminuye, lo que significa que la
potencia a través del elemento debe disminuir.
EJEMPLO 8.3
Objetivo: Determine la disipación de potencia máxima segura en un transistor.
Considere un BJT con una potencia nominal de 20 W y una temperatura máxima de unión.
tura de Tj,max = 175 ◦C. El transistor está montado en un disipador de calor con parámetros
θcaso-snk = 1 ◦C / W y θsnk-amb = 5 ◦C / W.
Solución: De la ecuación (8.8), la resistencia térmica de dispositivo a caja es
Tj,max - Tjefe 175 - 25

θdev-caso = = = 7.5 ◦C / W
PAGD,calificado 20
De la ecuación (8.6), la máxima disipación de potencia es
Tj,max - Tamb
PAGD,max =
θdev-caso + θcaso-snk + θsnk-amb
175 - 25
= = 11,1 W
7.5 + 1 + 5
Comentario: La disipación de energía máxima segura real en un dispositivo puede ser menor que el
valor nominal. Esto ocurre cuando la temperatura de la caja no se puede mantener a la temperatura
ambiente, debido a los factores de resistencia térmica distintos de cero entre la caja y el ambiente.
Ej 8.3: La potencia nominal de un BJT de potencia es PAGD,clasificado = 50 W, la temperatura de

unión máxima permitida es Tj,max = 200 ° C, y la temperatura ambiente es
Tamb = 25 ◦C.La resistencia térmica entre el disipador de calor y el aire es θsnk-amb =
2 ◦C / W, y entre la carcasa y el disipador de calor es θcaso-snk = 0,5 ◦C / W. Encuentre la
disipación de energía máxima segura y la temperatura de la carcasa. (Resp.PAGD,max =
29,2 W, Tcaso = 98 ° C)
Pon a prueba tu comprensión
TYU 8.1 Considere el circuito de fuente común que se muestra en la figura 8.13. Los parametros
están RD = 20 y VDD = 24 V.Determine la corriente, el voltaje y la potencia requeridos
clasificaciones del MOSFET. (Resp.ID(máx.) = 1,2 A, VDS (máx.) = 24 V, PAGD(max) =
7,2 W)
TYU 8.2 El circuito emisor-seguidor que se muestra en la figura 8.14 está polarizado con VCC =
12V. La ganancia de corriente del transistor esβ = 80, y los factores limitantes del transistor son
IC,max = 250mA y VCE (sus) = 30V. El transistorQ-El punto es permanecer dentro del área de
operación segura en todo momento. (a) Determine el valor mínimo deRE. (b) Determine la
potencia nominal mínima requerida del transistor. (Resp. (A)RE = 96, (b) PAGQ = 1,5 W)
TYU 8.3 (a) Suponga el fl ujo de potencia a través de un material con un parámetro de
resistencia térmica de θ = 1.8 ◦C / W es P = 6W. Determine la diferencia de temperatura
resultante en todo el material. (b) La resistencia térmica de un material esθ = 2.5 ◦C / W. Si
la diferencia de temperatura en el material esT = 100 ◦C, encuentre el fl ujo de energía a
través del material. (Resp. (A)T = 10,8 ◦C, (b) P = 40W)
+ VCC
V DD
vI
ID RD
vO
+
VI VDS Rmi
-
- VCC
Figura 8.13 Figura para Figura 8.14 Figura para

el ejercicio TYU 8.1 y el el ejercicio TYU 8.2
ejemplo 8.4
8.3 CLASES DE AMPLIFICADORES
Objetivo: • Definir varias clases de amplificadores de potencia e investigar las

características, incluida la eficiencia energética, de algunos de estos
amplificadores.
IC IC
ICQ
0 pag 2pag 3pag 4pag ωt 0 pag 2pag 3pag 4pag ωt

(a) (B)
IC IC
ICQ
0 pag 2pag 3pag 4pag ωt 0 pag 2pag 3pag 4pag ωt

(C) (D)
Figura 8.15 Características de corriente del colector frente al tiempo: (a) amplificador de clase A, (b) amplificador de
clase B, (c) amplificador de clase AB y (d) amplificador de clase C
Algunos amplificadores de potencia se clasifican según el porcentaje de tiempo que los transistores
de salida están conduciendo o "encendidos". Cuatro de las principales clasificaciones son: clase A,
clase B, clase AB y clase C. Estas clasificaciones se ilustran en la figura 8.15 para una señal de entrada
sinusoidal. Enoperación de clase A, un transistor de salida es
sesgado en una corriente de reposo IQ y conduce durante todo el ciclo de la señal de entrada.
Paraoperación de clase B, un transistor de salida conduce solo la mitad de cada seno
ciclo de entrada de onda. Enoperación de clase AB, un transistor de salida está polarizado en un pequeño
corriente de reposo IQ y conduce durante un poco más de medio ciclo. En contraste, en
operación de clase C un transistor de salida conduce durante menos de medio ciclo. Estas
cuatro tipos de amplificadores de potencia utilizan los transistores de salida como fuente de corriente.
Analizaremos la polarización, las líneas de carga y la eficiencia energética de cada clase de estos
amplificadores de potencia.
Otra clasi fi cación de amplificadores de potencia, que incluye clase D, clase E y clase
F, usa los transistores de salida como interruptores. La salida del amplificador es, en general, un altoQ
resonante RLC circuito. Cuando el interruptor está cerrado, se suministran corriente y energía al
circuito resonante de salida. En el caso ideal, cuando el interruptor está cerrado, no hay voltaje a
través del interruptor, y cuando el interruptor está abierto, no hay corriente a través del interruptor.
En ambos casos, la potencia ideal disipada en el interruptor es cero. La eficiencia energética de estos
amplificadores puede entonces acercarse al 100 por ciento.
La intención de este capítulo es proporcionar las características básicas de algunos de estos
amplificadores de potencia. Como es habitual, existen otros tipos de amplificadores de potencia y electrónica
de potencia que están más allá del alcance de este texto, incluido el diseño de circuitos de radiofrecuencia
(RF) de alta frecuencia.
8.3.1 Operación Clase A
Los amplificadores de pequeña señal considerados en los capítulos 4 y 6 estaban todos sesgados para el
funcionamiento de clase A. En la figura 8.16 (a) se muestra una configuración básica de emisor común. El
circuito de polarización se ha omitido, por conveniencia. Además, en esteampli fi cador estándar de clase A
configuración, no se utilizan inductores ni transformadores.
IC
Hora
VCC 2ICQ
T Q-punto
PAGQ
IC RL ICQ
0
Línea de carga DC
VCC ICQ
vO vCE 2
+ VCEQ VCC
vI vCE 0
- Hora
0 T T Hora
T 2
(a) (B) (C)
Figura 8.16 (a) Amplificador de emisor común, (b) línea de carga de CC y (c) disipación de potencia
instantánea en función del tiempo en el transistor
La línea de carga de cd se muestra en la Figura 8.16 (b). LaQ-se supone que el punto está en el
centro de la línea de carga, de modo que VCEQ = VCC /2. Si se aplica una señal de entrada sinusoidal, se
inducen variaciones sinusoidales en la corriente del colector y la tensión colector-emisor.
edad. Las variaciones absolutas posibles se muestran en la figura, aunque los valores de
vCE = 0 y IC = 2ICQ realmente no se puede alcanzar.
La disipación de potencia instantánea en el transistor, descuidando la base
actual, es
pagQ = vCEIC (8,9)
Para una señal de entrada sinusoidal, la corriente del colector y el voltaje colector-emisor pueden
ser escrito
IC = ICQ + Ipag pecadoωt (8.10 (a))
y
VCC
vCE = - V pecado
pag ωt (8.10 (b))
2
Si consideramos las variaciones absolutas posibles, entonces Ip = ICQ y Vpag = VCC /2.
Por lo tanto, la disipación de potencia instantánea en el transistor, de la ecuación
ción (8,9), es
VCC ICQ (1 - pecado2 ωt)

pagQ = (8,11)
2
La figura 8.16 (c) es una gráfica de la disipación de potencia instantánea del transistor.
Dado que la disipación de potencia máxima corresponde al valor de reposo (ver Figura 8.5), el
transistor debe ser capaz de manejar una disipación de potencia continua de
VCC ICQ /2 cuando la señal de entrada es cero.
La eficiencia de conversión de energía se define como
potencia de carga de señalPAGL)

η= (8.12)
suministro de energía(PAGS)
dónde PAGL es la potencia de CA promedio entregada a la carga y PAGS es la potencia media

suministrada por el VCC fuentes de energía). Para el ampli fi cador estándar de clase A y
()
señales de entrada sinusoidales, la potencia de CA media entregada a la carga es 1VI 2 páginas . Utilizando
la posibilidad absolutai(ble)v(ariatio)ns, tenemos
1 VCC VCC ICQ

PAGL (max) = (ICQ) = (8,13)
2 2 4
La potencia media suministrada por el VCC la fuente es
PAGS = VCC ICQ (8,14)
Por tanto, la máxima eficiencia de conversión alcanzable es

1 VI
η (max) = 4 CC CQ ⇒ 25% (8,15)
VCC ICQ
Debemos tener en cuenta que la máxima eficiencia de conversión posible puede cambiar cuando se
conecta una carga a la salida del amplificador. Esta eficiencia es relativamente baja; por lo tanto, los
amplificadores de clase A estándar no se utilizan normalmente cuando se requieren potencias de
señal superiores a aproximadamente 1 W.
También debemos enfatizar que en la práctica, un voltaje máximo de señal de VCC /2 y
una corriente de señal máxima de ICQ no son posibles. El voltaje de la señal de salida debe limitarse a
valores más pequeños para evitar la saturación y el corte del transistor, y el resultado
distorsión no lineal. El cálculo de la máxima eficiencia posible también ignora la disipación de
potencia en los circuitos de polarización. En consecuencia, la eficiencia de conversión máxima realista
en un amplificador de clase A estándar es del orden del 20 por ciento o menos.
Puntero de diseño: En el análisis de circuitos, el teorema de transferencia de potencia máxima

establece que la impedancia de carga debe coincidir con la impedancia de salida del amplificador, lo
que proporciona una eficiencia de conversión de potencia del 50 por ciento. Sin embargo, en el
diseño de amplificadores de potencia, este teorema no es práctico. Por ejemplo, si se van a entregar
50 kW a una antena, entonces el circuito también disiparía 50 kW si la eficiencia de conversión de
energía fuera solo del 50 por ciento. En general, esta cantidad de potencia que se disipa en el
amplificador sería inaceptable. Las eficiencias de conversión de energía tan cercanas al 100 por ciento
como sea posible son deseables en amplificadores de muy alta potencia.
EJEMPLO 8.4
Objetivo: Calcule la eficiencia real de una etapa de salida de clase A.
Considere el circuito de fuente común de la figura 8.13. Los parámetros del circuito son
VDD = 10 V y RD = 5 k, y los parámetros del transistor son: Kn = 1 mA / V2,
VTN = 1 V y λ = 0. Suponga que la oscilación del voltaje de salida está limitada al rango
entre el punto de transición y vDS = 9 V, para minimizar la distorsión no lineal.
Solución: La línea de carga está dada por
VDS = VDD - IDRD
En el punto de transición, tenemos
VDS (sat) = VGS - VTennesse
y
ID = Knorte(VGS - VTN)2
Combinando estas expresiones, el punto de transición se determina a partir de
VDS (sat) = VDD - Knorte RDV 2 DS (se sentó)

o
(1) (5)V 2DS (sat) + VDS (se sentó) - 10 =
0 que cede
VDS (sat) = 1,32 V
Para obtener la máxima oscilación simétrica en las condiciones especificadas, queremos

que el Q-punto a medio camino entre VDS = 1,32 V y VDS = 9 V, o
VDSQ = 5,16 V
El máximo componente de voltaje de CA a través de la resistencia de carga es entonces
vr = 3,84 pecadoωt
y la potencia media entregada a la carga es
1(3,84)2
PAGL = · = 1,47 mW
2 5
Se encuentra que la corriente de drenaje en reposo es
10 - 5.16
IDQ = = 0.968mA
5
La potencia media suministrada por el VDD la fuente es
PAGS = VDD IDQ = (10) (0,968) = 9,68 mW
y la eficiencia de conversión de potencia, de la ecuación (8.12), es
PAGL 1,47
η= = ⇒ 15,2%
PAGS 9,68
Comentario: Al limitar la oscilación en el voltaje de drenaje-fuente, para evitar la no saturación y

el corte y la distorsión no lineal resultante, reducimos considerablemente la eficiencia de
conversión de potencia de la etapa de salida, en comparación con el valor máximo teórico
posible del 25 por ciento para el amplificador de clase A estándar.
*Ej 8.4: Para el circuito de fuente común (rce) que se muestra en la Figura 8.17, el Q-el punto es
VDSQ = 4 V. (a) Encuentre IDQ. (b) El valor mínimo del drenaje instantáneo
la corriente no debe ser menor 10
que 1IDQ, y el valor mínimo de la instantánea
El voltaje de la fuente de drenaje no debe ser menor que vDS = 1.5 V.Determine el
VDD = 10 V
RD = 100 Ω
vO
C→∞
vI RL = 100 Ω
Figura 8.17 Figura para el ejercicio Ej 8.4

Microelectronics - Circuit - Analysis - and - de (1) - 1-1000-499-1000 (051-100) .En - Es

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Microelectronics - Circuit - Analysis - and - de (1) - 1-1000-499-1000 (051-100) .En - Es

Título original:

Cargado por

Copyright:

526 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

Entonces esperamos que la frecuencia superior de 3 dB sea mayor que la observada en la

donde el ti[metro(e consta)nt es

donde la constante de tiempo es

τPAGµ = [RC‖RL] · Cµ (7.115 (b))

Si Cµ es mucho más pequeño que Cπ, esperaríamos la frecuencia de 3 dB FHπ debido a

La constante de tiempo asociada con Cµ en la parte de salida del circuito es

τPAGµ = [RC‖RL] · Cµ = [5‖10] × 103 (4 × 10-12) ⇒ 13,33 ns

La frecuencia superior de 3 dB correspondiente a Cµ es, por lo tanto

Entonces, en este caso, FHµ es la frecuencia del polo dominante.

Figura 7.64 Figura del ejercicio Ej 7.14

Circuito de código de cascada

Figura 7.65 Circuito de código de cascada

La impedancia de entrada al emisor de Q2 es Zes decir2. De la ecuación (7.113) en nuestro

Transistores Q1 y Q2 están sesgados con esencialmente la misma corriente; por lo tanto,

τPAGπ = [RS‖RB1‖rπ1] (Cπ1 +CMETRO1) (7.119 (a))

dónde CMETRO1 = 2Cµ1. La frecuencia correspondiente de 3 dB es

Asumiendo CL actúa como un circuito abierto, la constante de tiempo de la porción de salida de

τPAGµ = [RC‖RL] (Cµ2) (7.120 (a))

y la frecuencia de esquina correspondiente es

Vo = -gramometro2Vπ2 (RC‖RL) (7.121)

Vπ∼2 = Vπ1 (7.123)

y, desde la parte de entrada del circuito,

Para el circuito de la Figura 7.65, los parámetros son: V + = 10 V, V- = -10 V,

τPAGπ = [RS‖RB1‖rπ1] (Cπ1 +CMETRO1)

Desde RB1 = R2‖R3 y CMETRO1 = 2Cµ1, luego

De la ecuación (7.120 (a)), la constante de tiempo de la porción de salida del circuito es

τPAGµ = [RC‖RL]Cµ2 = [5‖10] × 103 (4 × 10-12) ⇒ 13,3 ns

De la ecuación (7.125) [, la ganancia de voltaje de banda media es

10 CL = 150 pF Cpag y Cmetro CL = 5 pF

Figura 7.67 Resultados del análisis de PSpice para el circuito cascode

*Ej 7.15: El circuito cascodo de la figura 7.65 tiene parámetros V + = 12V, V- = 0,

7.6.3 Circuitos emisores y seguidores de fuente

Figura 7.68 Circuito seguidor-emisor

Podemos encontrar la impedancia Z′ B mirando a la base sin capacitancia Cµ.

Voltaje Vπ es dado por

yπ = (1 /rπ) + Carolina del Surπ

Z′B= VB= V′ π + Vo (7.128)

Combinando las ecuaciones (7.126), (7.127) y (7.128), obtenemos

Sustituyendo la expresión por yπ, nosotros encontramos

Si hacemos una suposición simplificadora, podemos determinar un valor aproximado

Por tanto, la constante de tiempo es

Figura 7.70 Resultados del análisis de PSpice para seguidor de emisor

7.6.4 Diseño de amplificador de alta frecuencia

Pon a prueba tu comprensión

7.7 APLICACIÓN DE DISEÑO: UN AMPLIFICADOR DE DOS

Objetivo: • Diseñe un amplificador BJT de dos etapas con condensadores de

Rhode Island CC2 Rhode Island

Solución (análisis DC): Encontramos, para cada etapa,

RTH = R1‖R2 = 55‖31 = 19,83 mil

VTH - VSER (en) 1.802 - 0,7

así que eso

Solución (análisis de CA): La resistencia a la difusión de señales pequeñas es

βVT (200) (0,026)

La resistencia de entrada que mira en cada terminal base es

Ryo = rπ + (1 + β)RE = 5.21 + (201) (1) = 206.2 k

RC1 R1 R2 RI

y la constante de tiempo de la segunda etapa es

τB = (RC1 + R1‖R2‖RI )CC2

Si la frecuencia de 3 dB de cada etapa debe ser de 20 Hz, entonces

El condensador de acoplamiento de la primera etapa debe ser

y el condensador de acoplamiento de la segunda etapa debe ser

Determine el ancho de banda de ganancia unitaria de un FET y determine la capacitancia de

Sección 7.2 Funciones de transferencia del sistema

Figura P7.1 Figura P7.2