Semana-4-Eca171 02 2022

ELECTRÓNICA
ECA 171
UDB DEPARTAMENTO DE
AERONAUTICA
ELECTRÓNICA
Material para Propositos de Instruccion solamente
2.5 OTROS TIPOS DE DIODOS

2.6 FISICA DE CONDUCCIÓN EN
SEMICONDUCTORES
Código: CO-001
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DIODOS SCHOTTKY
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Un diodo Schottky se forma al enlazar un metal a silicio tipo n. Se

utilizan por lo general en circuitos integrados para aplicaciones de
conmutación a alta velocidad.
construcción y Simbolo del diodo Schottky
Código: CO-001
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DIODOS SCHOTTKY
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En la construcción de los diodos Schottky normalmente el

semiconductor utilizado es un material de silicio tipo n
(aunque en ocasiones se utiliza silicio tipo p), y para el
metal de unión se pueden utilizar metales como

molibdeno, platino, cromo o tungsteno o compuestos
como el Siliciuro. Esta técnica de construcción da como
resultado un conjunto de características diferentes para el
dispositivo, como un intervalo de frecuencia
incrementado, polarización en directa más baja, etc
Código: CO-001
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DIODOS SCHOTTKY
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En ambos materiales, el electrón es el portador

mayoritario. En el metal, el nivel de portadores
minoritarios (huecos) es insignificante. Cuando los
materiales se unen, los electrones en el material

semiconductor tipo n fluyen de inmediato hacia el metal
adjunto, y establecen un intenso flujo de portadores
mayoritarios.
Código: CO-001
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DIODOS SCHOTTKY
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En los diodos Schottky la conducción la realizan por

completo portadores mayoritarios. El intenso flujo de
electrones hacia el metal crea una región cerca de la
superficie de la unión sin portadores en el material de

silicio; muy parecida a la región de empobrecimiento en el
diodo de unión p-n. Los portadores adicionales presentes
en el metal establecen un “muro negativo” en el límite
entre los dos materiales. El resultado neto es una “barrera
superficial” entre los dos materiales, la cual impide que
fluya más corriente.
Código: CO-001
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La aplicación de una polarización en directa reducirá la resistencia

de la barrera negativa por la atracción del potencial positivo
aplicado de los electrones de esta región. El resultado es un
retorno al intenso flujo de electrones a través del límite, cuya
magnitud la controla el nivel del potencial de polarización

aplicado. La barrera en la unión para un diodo Schottky es menor
que en el diodo de unión p-n tanto en las regiones de polarización
en directa como en inversa. Por consiguiente, el resultado es una
corriente más alta con la misma polarización aplicada en las
regiones de polarización en directa y en inversa. Éste es un efecto
deseable en la región de polarización en directa pero no deseable
en la región de polarización en inversa.
Código: CO-001
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DIODOS SCHOTTKY
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En la región de polarización en inversa, la corriente Is se

debe principalmente a los electrones que están en el metal
y que pasan al material semiconductor.
Al no haber portadores minoritarios a un nivel apreciable
en el diodo Schottky da por resultado un tiempo de

recuperación en inversa de niveles significativamente más
bajos. Ésta es la razón principal por la que los diodos
Schottky son tan eficaces a frecuencias próximas a 20 GHz,
donde el dispositivo debe cambiar de estado a una
velocidad muy alta.
Código: CO-001
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DIODOS SCHOTTKY
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Comparación de curva característica de un diodo Schottky con un diodo de unión pn
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DIODOS SCHOTTKY
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APLICACIONES DE LOS DIODOS SCHOTTKY

- Computadoras digitales. (Por su rapidéz de
conmutación)
- Circuitos integrados de la familia TTL Schottky de baja
potencia, un grupo de dispositivos digitales

ampliamente utilizado.
- Rectificadores en puente de baja tensión.
- Fuentes de alimentación conmutadas.
- Sistemas de comunicación de alta frecuencia.
- Aplicaciones de audio
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DIODOS VARACTORES (VARICAP)

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El varactor (también denominado condensador controlado

por tensión, varicap y diodo de sintonización) se emplea
ampliamente en receptores de televisón, receptores de FM
y otros equipos de comunicaciones, ya que puede utilizarse

en mecanismos de sintonización electrónica.
Simbolo del diodo Varactor
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El modo de operación del Varactor depende de la

capacitancia que haya en la unión p-n cuando el elemento se
polariza en inversa. En condiciones de polarización en inversa,
hay una región de carga no recuperada a ambos lados de la

unión que conforma la región de empobrecimiento y define el
ancho de empobrecimiento Wd. La capacitancia de transición
CT establecida por las cargas no recuperadas aisladas es:
Donde:
ε es la permitividad del
material semiconductor
A es el area de la union p-n
Wd es el ancho de la región
de empobrecimiento.
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Las regiones p y n son como las placas de un condensador y la

región de empobrecimiento es como el dieléctrico. Cuando un
diodo está polarizado en inversa, la anchura de la región de
empobrecimiento aumenta con la tensión inversa. Dado que la

región de empobrecimiento se hace más ancha cuanto mayor es
la tensión inversa, la capacitancia se hace más pequeña. Esto es
como alejar las placas del condensador. La idea básica es que la
capacitancia está controlada por la tensión inversa.
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En función de la polarización en inversa aplicada, la capacitancia

de transición está dada de manera aproximada por:
Donde:
K = Constante determinada por el material semiconductor y técnica de construcción
VT = Voltaje de conducción en directa
VR= Magnitud de voltaje en polarización inversa aplicado
n = ½ para uniones de aleación y ⅓ para uniones difundidas
Código: CO-001
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En función de la capacitancia en la condición de polarización cero

C(0), la capacitancia como una función de VR está dada por:
Donde:
C(0) = Capacitancia en polarización cero
VT = Voltaje de conducción en directa
VR= Magnitud de voltaje en polarización inversa aplicado
n = ½ para uniones de aleación y ⅓ para uniones difundidas
Código: CO-001
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Relación entre voltaje inverso aplicado y capacitancia

Código: CO-001
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Las hojas de características de los varactores especifican un valor de

referencia de la capacitancia medida para una tensión inversa
específica, normalmente entre -3 V y -4 V. Por ejemplo para un diodo
varactor MV209 se especifica una capacitancia de referencia Ct de 29
pF para una tensión de –3 V. Además de proporcionar el valor de

referencia de la capacidad, normalmente, las hojas de características
especifican una relación de capacidades, CR, o rango de
sintonización asociado con un rango de tensiones. Por ejemplo, junto
con el valor de referencia de 29 pF, la hoja de características de un
MV209 muestra una relación de capacidades mínima de 5:1 para una
rango de tensiones comprendido entre –3 V y –25 V. Esto significa
que la capacidad, o rango de sintonización, disminuye desde 29 a 6
pF cuando la tensión varía entre –3 V y –25 V
Código: CO-001
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APLICACIONES DE LOS DIODOS VARACTORES

- Osciladores controlados por voltaje (VCO)
- Circuitos sintonizadores
Link simulación de circuito: https://tinyurl.com/yfq68245
Código: CO-001
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DIODO TUNEL
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Este tipo de diodo presenta un fenómeno conocido como

resistencia negativa, lo que quiere decir que un incremento
en la tensión directa genera una disminución en la corriente
directa, al menos en la parte de la gráfica comprendida
entre VP y VV. La resistencia negativa de los diodos túnel es

útil en los circuitos de alta frecuencia conocidos como
osciladores
cURVA CARACTERÍSTICA Y Simbolo del diodo TUNEL

Código: CO-001
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DIODO TUNEL
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El diodo túnel se fabrica dopando los materiales

semiconductores que formarán la unión pn a un nivel de
100 a varios miles de veces el de un diodo semiconductor
típico. Esto reduce en gran medida la región de
empobrecimiento, a una magnitud de 10-6 cm, o por lo

general a aproximadamente 1/100 del ancho de esta región
en el caso de un diodo semiconductor. Esta delgada región
de empobrecimiento, a través de la cual muchos portadores
pueden “penetrar” en lugar de que intenten superarla, a
bajos potenciales de polarización en directa es la
responsable del pico que aparece en la curva caracteristica.
Código: CO-001
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DIODO TUNEL
En la recta de carga el punto c se puede definir como el punto de
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operación que utiliza la técnica de la recta de carga, pero una vez

que el sistema se energiza, con el tiempo se estabilizará en a o en b.
La disponibilidad de una región de resistencia negativa se puede
aprovechar en el diseño de osciladores, redes de conmutación,
generadores de pulsos y amplificadores.
Polarización en directa y linea de carga del diodo TUNEL

Código: CO-001
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DIODO TUNEL COMO OSCILADOR

Un circuito resonante en paralelo se puede construir usando
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un capacitor, inductor y resistencia en combinación en

paralelo.
La resistencia Rp conectada en paralelo es la resultante de la
resistencia del devanado en serie de la bobina.
Al aplicar el voltaje de entrada al circuito, se genera una

oscilación amortiguada.
La oscilación amortiguada se produce debido a la resistencia
ofrecida por el tanque que detiene la oscilación continua ya
que se pierde energía cuando la corriente fluye a través de una
resistencia.
Código: CO-001
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Circuito resonante RLC paralelo y determinación de frecuencia de resonancia

Código: CO-001
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Si se agrega un diodo túnel en serie con el circuito tanque y se
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aplica un voltaje al diodo en la parte central de resistencia

negativa de la curva característica, esto hace que la resistencia
negativa del diodo tunel compense las características resistivas
del circuito tanque y que el resultado sea una respuesta no
amortiguada.
El voltaje de salida para este caso será una forma de onda
sinusoidal constante.
Esto se debe a que las características de resistencia negativa
del diodo túnel contrarrestarán la resistencia positiva ofrecida
por el circuito del tanque o el circuito de resonancia.
Código: CO-001
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Link de simulación del circuito https://tinyurl.com/yem7w93b
Circuito resonante RLC paralelo y determinación de frecuencia de resonancia

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DIODOS LED
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En un LED polarizado en directa, los electrones libres

atraviesan la unión y caen en los huecos. Cuando estos
electrones caen de un nivel de mayor energía a otro menor,
emiten energía. Los diodos normales emiten esta energía
en forma de calor, pero lo diodos LED lo hacen en forma de

luz. Los diodos LED se construyen con diferentes elementos
que tienen la capacidad de radiar ener gía en un amplio
espectro de longitudes de onda. Los LED han reemplazado a
las lámparas incandescentes en muchas aplicaciones debido
a su baja tensión, su largo tiempo de vida y su rápida
velocidad de conmutación.
Código: CO-001
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DIODOS LED
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Utilizando elementos como el galio, el arsénico y el fósforo, un

fabricante puede elaborar diodos LED que emitan luz roja,
verde, amarilla, azul, naranja o infrarroja (no visible). Los LED
que emiten luz visible resultan útiles en los equipos de
instrumentación, calculadoras, etc. Los LED que emiten luz

infrarroja pueden encontrarse en aplicaciones como sistemas
de alarma antirrobo, controles remotos y otros dispositivos
que requieran la emisión de radiaciones no visibles.
Símbolo del diodo LED

Código: CO-001
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Polarización de un diodo LED y calculo de corriente del LED
Código: CO-001
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DIODOS LED
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La mayor parte de los diodos LED comercialmente

disponibles tienen una caída de tensión típica de entre 1,5 y
2,5 V para corrientes comprendidas entre 10 y 50 mA. La
caída de tensión exacta depende de la corriente, el color, la
tolerancia, etc. del LED.

La luminosidad de un LED depende de la corriente. Cuando
VS es mucho mayor que VD, la luminosidad del LED es
aproximadamente constante
Código: CO-001
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Los LED presentan tensiones de máximas de polarización

inversa muy bajas, típicamente comprendidas entre 3 y 5 V.
Por esta razón, se destruyen fácilmente si se polarizan en
inversa con una tensión muy grande. A menudo, se
emplean diodos LED para indicar la presencia de tensión de

alimentación en un equipo. En este caso, se puede utilizar
un diodo rectificador conectado en paralelo con el LED para
impedir que el LED se destruya si se polariza en inversa.
Código: CO-001
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FÍSICA DE CONDUCCIÓN DE LOS SEMICONDUCTORES

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Existe una relación exponencial entre la corriente del diodo y el

voltaje aplicado. Es posible escribir una expresión única
denominada ecuación de Shockley para la corriente que se
aplique en condiciones de polarización tanto en directa como en
inversa. Dicha expresión es válida siempre que no se supere la

tensión de ruptura.
Código: CO-001
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La ecuación de Shockley se Si se opera el diodo a temperatura

puede simplificar definiendo: ambiente (25°C) y en la región de
polarización en directa, entonces
predomina el primer término del
paréntesis y la expresión de la
corriente está dada

aproximadamente por:
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La corriente Io es función de la pureza del material, de la

contaminación y de la geometría del diodo, la constante
empírica n es propiedad de la construcción del diodo y es un
valor que puede variar entre 1 y 2. Si n = 1 el valor de nVT es
26mV a 25°C y para n =2, nVT tiene un valor de 52mV.
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A partir de la ecuación de Shockley se tiene la información para

evaluar la relación entre la corriente y el voltaje en un punto de
operación Q, en este caso la pendiente se modifica conforme
cambia ID, por lo que se puede derivar la expresión en directa
para encontrar la pendiente para cualquier ID dada:
Código: CO-001
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De la ecuación original de
Shockley se tiene:
La resistencia dinámica rD
será el reciproco de dicha

expresión:
Sustituyendo esta explesión en la
ecuación de la derivada se tiene:
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EFECTO DE LA TEMPERATURA:
La temperatura tiene un efecto importante en la determinación
de las características operacionales de los diodos.
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Conforme aumenta la temperatura, disminuye el voltaje de
encendido del diodo, la disminución de la temperatura
incrementa el voltaje de encendido. Estos cambios se pueden
definir a partir de la siguiente ecuación:
Código: CO-001
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El valor del coeficiente de temperatura k depende del material
semiconductor del diodo:
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La corriente de saturación inversa Io es otro parámetro que
depende de la temperatura. Aumenta aproximadamente 7.2%
por cada °C para diodos de Silicio y Germanio. La expresión para
la corriente de saturación inversa en función de la temperatura

es:
Dicha expresión se puede
simplificar y reescribir como:
Código: CO-001
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Ejemplo: Un diodo de silicio tiene un voltaje de encendido en
directa de 0.7V a una temperatura ambiente de 25°C. Calcule el
voltaje de encendido para a) una temperatura de unión de
100°C, b) una temperatura de unión de 0°C.
Código: CO-001
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Cuando la temperatura de la unión es 100°C, la variación de la barrera de potencial es:
Esto indica que la barrera de potencial disminuye 150mV respecto a su valor de

temperatura ambiente , por tanto el nuevo voltaje de conducción en directa será:
Cuando la temperatura de la unión es 0°C, la variación de la barrera de potencial es:
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¿PREGUNTAS?
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MUCHAS GRACIAS POR

SU ATENCIÓN
19/07/2020
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2.5 OTROS TIPOS DE DIODOS

Un diodo Schottky se forma al enlazar un metal a silicio tipo n. Se

construcción y Simbolo del diodo Schottky

En la construcción de los diodos Schottky normalmente el

metal de unión se pueden utilizar metales como

En ambos materiales, el electrón es el portador

materiales se unen, los electrones en el material

En los diodos Schottky la conducción la realizan por

superficie de la unión sin portadores en el material de

La aplicación de una polarización en directa reducirá la resistencia

magnitud la controla el nivel del potencial de polarización

En la región de polarización en inversa, la corriente Is se

en el diodo Schottky da por resultado un tiempo de

Comparación de curva característica de un diodo Schottky con un diodo de unión pn

APLICACIONES DE LOS DIODOS SCHOTTKY

potencia, un grupo de dispositivos digitales

DIODOS VARACTORES (VARICAP)

El varactor (también denominado condensador controlado

y otros equipos de comunicaciones, ya que puede utilizarse

Simbolo del diodo Varactor

DIODOS VARACTORES (VARICAP)

El modo de operación del Varactor depende de la

hay una región de carga no recuperada a ambos lados de la

DIODOS VARACTORES (VARICAP)

Las regiones p y n son como las placas de un condensador y la

empobrecimiento aumenta con la tensión inversa. Dado que la

DIODOS VARACTORES (VARICAP)

En función de la polarización en inversa aplicada, la capacitancia

DIODOS VARACTORES (VARICAP)

En función de la capacitancia en la condición de polarización cero

DIODOS VARACTORES (VARICAP)

Relación entre voltaje inverso aplicado y capacitancia

DIODOS VARACTORES (VARICAP)

Las hojas de características de los varactores especifican un valor de

pF para una tensión de –3 V. Además de proporcionar el valor de

DIODOS VARACTORES (VARICAP)

APLICACIONES DE LOS DIODOS VARACTORES

Link simulación de circuito: https://tinyurl.com/yfq68245

Este tipo de diodo presenta un fenómeno conocido como

entre VP y VV. La resistencia negativa de los diodos túnel es

cURVA CARACTERÍSTICA Y Simbolo del diodo TUNEL

El diodo túnel se fabrica dopando los materiales

empobrecimiento, a una magnitud de 10-6 cm, o por lo

operación que utiliza la técnica de la recta de carga, pero una vez

generadores de pulsos y amplificadores.

Polarización en directa y linea de carga del diodo TUNEL

DIODO TUNEL COMO OSCILADOR

un capacitor, inductor y resistencia en combinación en

Al aplicar el voltaje de entrada al circuito, se genera una

DIODO TUNEL COMO OSCILADOR

Circuito resonante RLC paralelo y determinación de frecuencia de resonancia

DIODO TUNEL COMO OSCILADOR

aplica un voltaje al diodo en la parte central de resistencia

DIODO TUNEL COMO OSCILADOR

Link de simulación del circuito https://tinyurl.com/yem7w93b

Circuito resonante RLC paralelo y determinación de frecuencia de resonancia

En un LED polarizado en directa, los electrones libres

en forma de calor, pero lo diodos LED lo hacen en forma de

Utilizando elementos como el galio, el arsénico y el fósforo, un

instrumentación, calculadoras, etc. Los LED que emiten luz

Símbolo del diodo LED