Diodo schottky

INTEGRANTES:

 ALEJO CALDERON
 VALENTINA OCAÑA
 JOAQUÍN MARQUEZ
 DAVID MAGNALDI
 ¿Quién lo inventó y como se inventó?
Los diodos Schottky se han utilizado durante varias décadas como elementos clave en la mezcla de frecuencias
y la detección de potencia en radiofrecuencia. En 1938 Walter Schottky, hijo del matemático alemán Friedrich
Shottky, explicó la manera en la que un compuesto formado por metal y un semiconductor dopado puede
rectificar. El diodo Schottky es el resultado de este trabajo. Los diodos Schottky fabricados en Arseniuro de
Galio (GaAs) tienen una barrera de potencial baja, lo que se traduce en una alta sensibilidad, característica
muy importante para dispositivos que tienen que detectar señales muy débiles. El modelo físico de un diodo
está basado en las características físicas del dispositivo, lo que permite reproducir el comportamiento del
mismo para cualquier tipo de señal de entrada.
Simbología del schottky

Funcionamiento
El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera de Schottky), en lugar de la
unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales.
Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor de "portador mayoritario". Esto significa que,
si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones
móviles) desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación
aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la
operación del dispositivo será mucho más rápida.
Uso fundamental
Los diodos Schottky se pueden usar para proteger los circuitos reguladores contra la aplicación accidental de
polaridad invertida en la entrada. La principal ventaja del diodo en esta aplicación es su baja caída de voltaje
directo.
Curvas de funcionamiento
 Ecuaciones del diodo schottky
La ecuación que relaciona la intensidad de corriente y la diferencia de potencial en este dispositivo es:

Donde:
ID es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo.
IS es la corriente de saturación dependiente de la temperatura de juntura
VD es la diferencia de potencial en sus terminales.
n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar
valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
VT es la tensión térmica de juntura;

T es la temperatura absoluta de juntura

kB es la constante de Boltzmann
q es la carga elemental del electrón .

Sus aplicaciones
El diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras,
donde se necesiten grandes velocidades de conmutación. Además, mediante su baja caída de voltaje en directo,
permite su operación con un reducido gasto de energía. Otra aplicación del diodo Schottky es en variadores de
frecuencia y circuitos controladores de motores paso a paso

Características de este diodo

La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy alta frecuencia y eliminar excesos de corriente
en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —valor de la tensión en directa a
partir de la cual el diodo conduce— de unos 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de
aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células solares con
baterías de plomo ácido.
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